IGBT在電焊機(jī)中的應(yīng)用和RT4的推廣課件(-)

IGBT在逆變焊機(jī)中的應(yīng)用和RT4的推廣IGBT在逆變焊機(jī)中的應(yīng)用和RT4的推廣1電焊機(jī)簡介逆變焊機(jī)中IGBT應(yīng)用特點IGBT的主要參數(shù)選擇RT4模塊介紹及優(yōu)勢內(nèi)容簡介電焊機(jī)簡介內(nèi)容簡介2電焊機(jī)簡介-分類按焊接機(jī)理分類：電焊機(jī)簡介-分類按焊接機(jī)理分類：3電焊機(jī)簡介-發(fā)展歷程電焊機(jī)發(fā)展歷程：逆變直流電焊機(jī)發(fā)展歷程：晶閘管式逆變焊機(jī)晶體管式逆變焊機(jī)場效應(yīng)管式逆變焊機(jī)IGBT逆變焊機(jī)變壓器型電源晶閘管整流電源逆變直流電源電焊機(jī)簡介-發(fā)展歷程電焊機(jī)發(fā)展歷程：逆變直流電焊機(jī)發(fā)展歷程：4電焊機(jī)簡介-IGBT逆變焊機(jī)種類、型號和輸出特性種類CO2氣體保護(hù)焊機(jī)（NBC系列）手工電弧焊（ZX7系列）鎢極氬弧焊（WS系列）脈沖鎢極氬弧焊（WSM系列）等離子切割機(jī)（LGK系列）埋弧焊（MZ系列）型號20025035050063016020025031540050063014016020031540050020025031540040608010063080010001250種類和型號：電焊機(jī)簡介-IGBT逆變焊機(jī)種類、型號和輸出特性種類CO2氣5IGBT應(yīng)用特點IGBT應(yīng)用特點6逆變焊機(jī)80A-250A中大功率逆變焊機(jī)380Vinput小功率逆變焊機(jī)220Vinput600VDiscreteIGBTMOSFET250A-630A正激半橋600V34mm600VDiscreteIGBTMOSFET1200VIGBT34mm62mm半橋全橋全橋IGBT的應(yīng)用特點-

在焊機(jī)中的應(yīng)用逆變焊機(jī)80A-250A中大功率逆變焊機(jī)小功率逆變焊機(jī)67IGBT的應(yīng)用特點-

焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：輸入一次整流逆變隔離降壓二次整流輸出從圖中可以看出，IGBT主要應(yīng)用在逆變單元IGBT的應(yīng)用特點-焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：輸入8IGBT的應(yīng)用特點-

逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)半橋拓?fù)淙珮蛲負(fù)溆查_關(guān)全橋拓?fù)滠涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶妷很涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶娏鬈涢_關(guān)全橋拓?fù)浜笝C(jī)中常用的逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：IGBT的應(yīng)用特點-逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)半橋拓?fù)淙珮蛲負(fù)溆查_關(guān)全橋9IGBT的應(yīng)用特點-

硬開關(guān)、軟開關(guān)硬開關(guān)開通過程硬開關(guān)關(guān)斷過程軟開關(guān)開通過程軟開關(guān)關(guān)斷過程從圖中可以看出，在硬開關(guān)時，IGBT開關(guān)時電流與電壓有交點，IGBT損耗交大，軟開關(guān)時，IGBT的電流與電壓沒有交點，損耗為零。零電流（ZCS)：指IGBT開關(guān)時電流為零。零電壓（ZVS)：指IGBT開關(guān)時電壓為零IGBT的應(yīng)用特點-硬開關(guān)、軟開關(guān)硬開關(guān)開通過程硬開關(guān)關(guān)斷10IGBT的應(yīng)用特點-

半橋型電路拓?fù)涮攸c：IGBT開關(guān)損耗大；IGBT上承受的電流為全橋時的兩倍。建議：選用關(guān)斷損耗小的IGBT。推薦：采用INFINEON開關(guān)損耗小的KS4芯片封裝的100–300A/1200V的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-半橋型電路拓?fù)涮攸c：11拓?fù)涮攸c：IGBT開關(guān)時電壓、電流不為零，開關(guān)損耗大。建議：選用關(guān)斷損耗小的IGBT。推薦：采用INFINEON開關(guān)損耗小S4芯片封裝的的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-

硬開關(guān)全橋電路拓?fù)涮攸c：IGBT的應(yīng)用特點-硬開關(guān)全橋電路12電路特點：IGBT導(dǎo)通時間長，損耗主要為通態(tài)損耗建議：選擇通態(tài)損耗小的IGBT。推薦：采用INFINEON導(dǎo)通損耗小的DN2、T4芯片封裝的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-

軟開關(guān)ZVS全橋型電路電路特點：IGBT的應(yīng)用特點-軟開關(guān)ZVS全橋型電路13電路特點：超前臂實現(xiàn)ZVS，IGBT開關(guān)損耗小，導(dǎo)通損耗占總損耗比重大。滯后臂實現(xiàn)ZCS，IGBT導(dǎo)通時間長，通態(tài)損耗大。建議：

選擇IGBT通態(tài)損耗小的IGBT，即低通態(tài)型IGBT模塊。推薦：采用INFINEON導(dǎo)通損耗小的DN2、T4芯片封裝的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-

軟開關(guān)ZVZCS全橋型電路電路特點：IGBT的應(yīng)用特點-軟開關(guān)ZVZCS全橋型電路14IGBT主要參數(shù)選擇IGBT主要參數(shù)選擇15主要參數(shù)選擇-電焊機(jī)主要參數(shù)電壓：三相交流輸入經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：VDC=，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，可以選額定電壓值1200V。電焊機(jī)主要參數(shù)：以一臺500A的電焊機(jī)為例，輸入電壓：380VAC,輸出電流為：500A,頻率為20KHz，空載電壓為70V。500A焊機(jī)在滿負(fù)荷工作條件下，輸出濾波電感的電流的平均值為500A，主變壓器變比K=513V/70V=7.3。變壓器原邊平均電流為500A/7.3=68.5A，在選用耗散功率足夠的散熱器和良好的風(fēng)道設(shè)計的條件，選在IGBT的IC=100A。電流：主要參數(shù)選擇-電焊機(jī)主要參數(shù)電壓：三相交流輸入經(jīng)過整流和濾波1617通態(tài)壓降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。開關(guān)損耗：低開關(guān)損耗，高頻或硬開關(guān)。溫度系數(shù)：正溫度系數(shù)適合于多管芯并聯(lián)。熱阻：決定了IGBT的溫升。功率循環(huán)周次：決定IGBT的壽命。熱循環(huán)周次：決定IGBT的壽命。17主要參數(shù)選擇-選型時應(yīng)注意的問題選型時應(yīng)該主要的問題：17通態(tài)壓降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。17主要參數(shù)選擇-推薦表裕能達(dá)推薦表焊機(jī)規(guī)格全橋電路半橋電路315A軟開關(guān)FF50R12RT4

硬開關(guān)F4-50R12MS4/F4-50R12KS4FF100R12KS4/FF150R12RT4400A軟開關(guān)FF75R12RT4

硬開關(guān)F4-75R12MS4/F4-75R12KS4FF150R12KS4500A軟開關(guān)FF100R12RT4

硬開關(guān)FF100R12KS4/FF150R12RT4FF200R12KS4630A軟開關(guān)FF150R12RT4

硬開關(guān)FF150R12KS4FF300R12KS4主要參數(shù)選擇-推薦表裕能達(dá)推薦表焊機(jī)規(guī)格全橋電路半橋電路3118RT4芯片介紹及優(yōu)勢RT4芯片介紹及優(yōu)勢19IGBT4模塊：Tvjop,max=150C！概念：在開關(guān)工作條件下，IGBT4模塊的最高允許結(jié)溫規(guī)格為

150C，比IGBT3/IGBT2模塊（1200V和1700V）的規(guī)格提高25C！出發(fā)點：適應(yīng)芯片小型化實現(xiàn)：IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改進(jìn)可靠性因素：焊線工藝決定了模塊的可靠性指標(biāo)之一-功率循環(huán)（PC）次數(shù)。PC次數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，在相同的結(jié)溫擺幅下，結(jié)溫越高，PC次數(shù)越低。要提高結(jié)溫規(guī)格，必須改進(jìn)焊線工藝，才能保證模塊用于更高的結(jié)溫時，其PC次數(shù)（使用壽命）不減。結(jié)果：1）IGBT4模塊的可靠性（PC次數(shù)）大幅增加

2）IGBT4模塊的電流輸出能力增大（應(yīng)用功率）

3）以較小的封裝尺寸實現(xiàn)相同的電流規(guī)格（功率密度）RT4模塊-優(yōu)點IGBT4模塊：Tvjop,max=150C！概念：在2050A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM50GB120DN2FF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容，Ic50A(Tc=80℃)50A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off22Ω15Ω驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon7mJ6.5mJRT4的性能稍好，開關(guān)損耗有所降低。Eoff4.5mJ4mjRjc(IGBT)0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用RT4代替DN2只需更改驅(qū)動電路，替代容易！RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較50A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=122175A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM75GB120DN2FF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80℃)75A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好，導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off15Ω2.2Ω驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon13mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff8mJ6.5mjRjc(IGBT)0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode)0.5K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：用RT4代替DN2只需對驅(qū)動電路進(jìn)行修改，代替起來比較容易。RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較75A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=1222100A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2FF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmDN2K與RT4散熱器安裝尺寸完全兼容，DN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80℃)100A(Tc=80℃)100A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)3.1V3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.8Ω6.8Ω1.6Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ17.5mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小Eoff11mJ11mJ9mjRjc(IGBT)0.18K/W0.16K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.36K/W0.3K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4代替DN2K只需對驅(qū)動電路進(jìn)行修改，但代替DN2還需對散熱器進(jìn)行修改。RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較100A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=123150A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM150GB120DN2FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80℃)150A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.1Ω1.1Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ13.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于ND2Eoff11mJ13.5mjRjc(IGBT)0.1K/W0.19K/WRT4的熱阻比較大！Rjc(Diode)0.25K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：150A的RT4代替150A的DN2比較困難！RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較150A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=124150A的RT4和100A的KS4的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF100R12KS4FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmKS4與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80℃)150A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,)3.85V1.65VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.1Ω1.1Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ9.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于KS4Eoff7.7mJ11mJRjc(IGBT)0.16K/W0.19K/WRT4的熱阻稍大！Rjc(Diode)0.3K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用150A的RT4代替100A的KS4,要根據(jù)實際電路來確定能否替代。RT4模塊-與INFINEON

KS4系列模塊的比較150A的RT4和100A的KS4的模塊的性能比較（如無特25

總的來說，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開關(guān)損耗也有所降低，特別適合軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的焊機(jī)。但是RT4系列產(chǎn)品的熱阻相當(dāng)于DN2系列來說都要大一些。還有就是RT4系列的推薦驅(qū)動電阻值都比較小，替換時要注意對驅(qū)動電路進(jìn)行修改。RT4模塊-與INFINEON模塊的比較總的來說，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低26RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較SEMIKRON在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：123系列：SKM75GB123DSKM100GB123DSKM150GB123DSKM200GB123D128系列：SKM75GB128DSKM100GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DT4系列：SKM75GB12T4SKM100GB12T4SKM100GB12T4GSKM150GB12T4SKM150GB12T4GSKM200GB12T4SKM300GB12T4（正在推廣）RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較SEMIKRON27RT4模塊-與SEMIKRON的比較50的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF50R12RT4SKM75GB123DSKM50GB12T4SKM75GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100℃)50A49A52A59A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.15V2．5V2.2V2.1V128D的導(dǎo)通損耗最小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫較高。Rgon/off15Ω22Ω8.2Ω6Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改。Eon6.5mJ8mJ5.5mJ6mJ123D的開關(guān)損耗較大。Eoff4mJ5mJ4.5mJ8mJRjc(IGBT)0.53K/W0.27K/W0.53K/W0.3K/W123D的熱阻小。Rjc(Diode)0.84K/W0.5K/W0.84K/W0.6K/WVf(V)1.65V1.6V2.18V1.8V123D的反并二極管管壓降最低。結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻較大。與128D相比開關(guān)損耗較低。與西門康最新的T4系列性能相差不大。RT4模塊-與SEMIKRON的比較50的RT4和西門康的模2875的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF75R12RT4SKM100GB123DSKM75GB12T4SKM100GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100℃)75A81A75A85A128D的電流能力最大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.15V3.1V2.25V2.1VRT4和128D的性能較好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫高。Rgon/off2.2Ω15Ω1Ω4.7Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ10mJ11mJ9mJRT4的開關(guān)損耗較小。Eoff6.5mj8mJ6.9mJ7.5mJRjc(IGBT)0.38K/W0.18K/W0.38K/W0.21K/W123D的熱阻小！Rjc(Diode)0.58K/W0.5K/W0.58K/W0.5K/WVf(V)1.65V1.8V2.11V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。RT4模塊-與SEMIKRON的比較結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D和西門康最新的T4系列性能相差不大。75的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=1229RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較100的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF100R12RT4SKM150GB123DSKM100GB12T4SKM150GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100℃)100A100A100A108A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.6Ω6.8Ω8.2Ω8Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ13mJ16.1mJ10mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff9mJ11mJ8.6mJ9mJRjc(IGBT)0.27K/W0.15K/W0.29K/W0.15K/W123D的熱阻小！Rjc(Diode)0.48K/W0.3K/W0.49K/W0.3K/WVf(V)1.65V1.8V2.18V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗較小。RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較100的RT4和西30RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較150的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF150R12RT4SKM200GB123DSKM150GB12T4SKM200GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100℃)150A145A150A180A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.1Ω5.6Ω1Ω7Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon13.5mJ24mJ19.2mJ18mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff13.5mj17mJ15.8mJ15mJRjc(IGBT)0.19K/W0.09K/W0.19K/W0.095K/W123D的熱阻??！Rjc(Diode)0.31K/W0.18K/W0.31K/W0.25K/WVf(V)1.65V1.8V2.07V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗較小。RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較150的RT4和西31RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較斯達(dá)在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：HFL系列(低損耗快速）：GD50HFL120C1SGD75HFL120C1SGD100HFL120C1SGD100HFL120C2SGD150HFL120C2SRT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較斯達(dá)在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：3250A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號GD50HFL120C1SFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80℃)50A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off18Ω15Ω驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon4.1mJ6.5mJ斯達(dá)模塊的性能更好，導(dǎo)通損耗小。Eoff4.7mJ4mjRjc(IGBT)0.38K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.65K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較結(jié)論：斯達(dá)模塊的飽和壓降和開關(guān)損耗都比較低。50A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=12533RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較75A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號GD75HFL120C1SFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80℃)75A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗略小。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off15Ω2.2Ω驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon9.0mJ9.5mJ開關(guān)損耗相差不大。Eoff7.4mJ6.5mjRjc(IGBT)0.19K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.48K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.0V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4模塊的熱阻較高，其他性能相差不大。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較75A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比34RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較100A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號GD100HFL120C1SGD75HFL120C2SFF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmRT4與C1尺寸兼容，與C2尺寸不兼容，需要修改散熱器。Ic100A(Tc=80℃)100A(Tc=80℃)100A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05V斯達(dá)模塊的性能略好。Tj(度）150℃150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off3Ω8Ω1.6Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.8mJ8.4mJ9.5mJ開關(guān)損耗相差不大。Eoff8.7mJ5.8mJ9mjRjc(IGBT)0.16K/W0.15K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.34K/W0.29K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4與斯達(dá)模塊的飽和壓降和導(dǎo)通損耗相差不大，但是熱阻較大。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較100A的RT4和斯達(dá)模塊的性能35RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較150A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號GD150HFL120C2SFF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80℃)150A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗略小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.8Ω1.1Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon16.7mJ13.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff15.3mJ13.5mjRjc(IGBT)0.09K/W0.19K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.24K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4的導(dǎo)通損耗要比斯達(dá)的小，熱阻稍大。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較150A的RT4和斯達(dá)模塊的性能36RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較

斯達(dá)50、75、100A的模塊從飽和壓降和開關(guān)損耗、熱阻等方面來說要高于我們的RT4芯片，但是在市場上客戶對他們的模塊的反應(yīng)并不是很好！這主要是因為他們的模塊穩(wěn)定性不好！這就涉及到了IGBT的另外一個性能——熱循環(huán)周次和功率循環(huán)周次。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較斯達(dá)50、7537熱循環(huán)周次：在每次傳熱時，DCB和銅基板也會產(chǎn)生熱脹冷縮，因為膨脹率不同，長時間后，就會使DCB與銅基板接觸不良，使IGBT失效。功率循環(huán)周次：綁定線，通過電流發(fā)熱后，會熱脹冷縮發(fā)生變形。在一定次數(shù)后就會出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致IGBT失效。RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較熱循環(huán)周次：在每次傳熱時，DCB和銅基板也會產(chǎn)生熱脹冷縮，因38RT4模塊-與宏微模塊的比較宏微在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：B系列(ABB芯片）：MMG50S120BMMG75S120BMMG100S120BMMG100D120BMMG150D120BRT4模塊-與宏微模塊的比較宏微在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：39RT4模塊-與宏微模塊的比較50A的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號MMG50S120BFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80℃)50A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off18Ω15Ω驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon8.4mJ6.5mJRT4的性能好，開關(guān)損耗低。Eoff5.8mJ4mjRjc(IGBT)0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.9V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4的各項性能幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用RT4代替宏微的模塊只需更改驅(qū)動電路，替代容易！RT4模塊-與宏微模塊的比較50A的RT4和宏微模塊的性能比40RT4模塊-與宏微模塊的比較75A的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號MMG75S120BFF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80℃)75A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.0V2.15VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off15Ω2.2Ω驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon10.3mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff7.8mJ6.5mjRjc(IGBT)0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode)0.5K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.7V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4的各項性能幾乎都優(yōu)于宏微的模塊，用RT4代替宏微的模塊只需更改驅(qū)動電路，替代容易！RT4模塊-與宏微模塊的比較75A的RT4和宏微模塊的性能比41RT4模塊-與宏微模塊的比較100A的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號MMG100S120BMMG100D120BFF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mm100S與RT4散熱器安裝尺寸完全兼容，100D與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80℃)100A(Tc=80℃)100A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.0V2.0V2.05VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150℃150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off10Ω10Ω1.6Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon12.4mJ16.8mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小Eoff10.8mJ11.6mJ9mjRjc(IGBT)0.18K/W0.15K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode)0.45K/W0.3K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.7V1.7V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4代替100S只需對驅(qū)動電路進(jìn)行修改，但代替100D還需對散熱器進(jìn)行修改。RT4模塊-與宏微模塊的比較100A的RT4和宏微模塊的性能42RT4模塊-與宏微模塊的比較150A的RT4和宏微模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號MMG150D120BFF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mm宏微模塊與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80℃)150A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2V2.05VRT4的導(dǎo)通損耗略高于宏微模塊。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off7.5Ω1.1Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon20.6mJ13.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小Eoff15.6mJ13.5mjRjc(IGBT)0.11K/W0.19K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode)0.27K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.7V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4代替宏微150A的模塊需對驅(qū)動電路和散熱器進(jìn)行修改。RT4模塊-與宏微模塊的比較150A的RT4和宏微模塊的性能43RT4模塊-與宏微模塊的比較

總的來說，宏微的IGBT模塊的飽和壓降比較低，但是開關(guān)損耗比較大，與RT4相比他的熱阻較低，但是RT4能工作在175℃的結(jié)溫，熱余量大。RT4模塊-與宏微模塊的比較總的來說，宏微的I445、世上最美好的事是：我已經(jīng)長大，父母還未老;我有能力報答，父母仍然健康。

6、沒什么可怕的，大家都一樣，在試探中不斷前行。

7、時間就像一張網(wǎng)，你撒在哪里，你的收獲就在哪里。紐扣第一顆就扣錯了，可你扣到最后一顆才發(fā)現(xiàn)。有些事一開始就是錯的，可只有到最后才不得不承認(rèn)。

8、世上的事，只要肯用心去學(xué)，沒有一件是太晚的。要始終保持敬畏之心，對陽光，對美，對痛楚。

9、別再去抱怨身邊人善變，多懂一些道理，明白一些事理，畢竟每個人都是越活越現(xiàn)實。

10、山有封頂，還有彼岸，慢慢長途，終有回轉(zhuǎn)，余味苦澀，終有回甘。

11、人生就像是一個馬爾可夫鏈，你的未來取決于你當(dāng)下正在做的事，而無關(guān)于過去做完的事。

12、女人，要么有美貌，要么有智慧，如果兩者你都不占絕對優(yōu)勢，那你就選擇善良。

13、時間，抓住了就是黃金，虛度了就是流水。理想，努力了才叫夢想，放棄了那只是妄想。努力，雖然未必會收獲，但放棄，就一定一無所獲。

14、一個人的知識，通過學(xué)習(xí)可以得到;一個人的成長，就必須通過磨練。若是自己沒有盡力，就沒有資格批評別人不用心。開口抱怨很容易，但是閉嘴努力的人更加值得尊敬。

15、如果沒有人為你遮風(fēng)擋雨，那就學(xué)會自己披荊斬棘，面對一切，用倔強(qiáng)的驕傲，活出無人能及的精彩。5、人生每天都要笑，生活的下一秒發(fā)生什么，我們誰也不知道。所以，放下心里的糾結(jié)，放下腦中的煩惱，放下生活的不愉快，活在當(dāng)下。人生喜怒哀樂，百般形態(tài)，不如在心里全部淡然處之，輕輕一笑，讓心更自在，生命更恒久。積極者相信只有推動自己才能推動世界，只要推動自己就能推動世界。

6、人性本善，純?nèi)缜逑魉冬摖q。欲望與情緒如風(fēng)沙襲擾，把原本如天空曠蔚藍(lán)的心蒙蔽。但我知道，每個人的心靈深處，不管烏云密布還是陰淤蒼茫，但依然有一道彩虹，亮麗于心中某處。

7、每個人的心里，都藏著一個了不起的自己，只要你不頹廢，不消極，一直悄悄醞釀著樂觀，培養(yǎng)著豁達(dá)，堅持著善良，只要在路上，就沒有到達(dá)不了的遠(yuǎn)方！

8、不要活在別人眼中，更不要活在別人嘴中。世界不會因為你的抱怨不滿而為你改變，你能做到的只有改變你自己！

9、欲戴王冠，必承其重。哪有什么好命天賜，不都是一路披荊斬棘才換來的。

10、放手如拔牙。牙被拔掉的那一刻，你會覺得解脫。但舌頭總會不由自主地往那個空空的牙洞里舔，一天數(shù)次。不痛了不代表你能完全無視，留下的那個空缺永遠(yuǎn)都在，偶爾甚至?xí)惓炷睢＿m應(yīng)是需要時間的，但牙總是要拔，因為太痛，所以終歸還是要放手，隨它去。

11、這個世界其實很公平，你想要比別人強(qiáng)，你就必須去做別人不想做的事，你想要過更好的生活，你就必須去承受更多的困難，承受別人不能承受的壓力。

12、逆境給人寶貴的磨煉機(jī)會。只有經(jīng)得起環(huán)境考驗的人，才能算是真正的強(qiáng)者。自古以來的偉人，大多是抱著不屈不撓的精神，從逆境中掙扎奮斗過來的。

13、不同的人生，有不同的幸福。去發(fā)現(xiàn)你所擁有幸運，少抱怨上蒼的不公，把握屬于自己的幸福。你，我，我們大家都可以經(jīng)歷幸福的人生。

14、給自己一份堅強(qiáng)，擦干眼淚；給自己一份自信，不卑不亢；給自己一份灑脫，悠然前行。輕輕品，靜靜藏。為了看陽光，我來到這世上；為了與陽光同行，我笑對憂傷。

15、總不能流血就喊痛，怕黑就開燈，想念就聯(lián)系，疲憊就放空，被孤立就討好，脆弱就想家，不要被現(xiàn)在而蒙蔽雙眼，終究是要長大，最漆黑的那段路終要自己走完。5、從來不跌倒不算光彩，每次跌倒后能再站起來，才是最大的榮耀。

6、這個世界到處充滿著不公平，我們能做的不僅僅是接受，還要試著做一些反抗。

7、一個最困苦、最卑賤、最為命運所屈辱的人，只要還抱有希望，便無所怨懼。

8、有些人，因為陪你走的時間長了，你便淡然了，其實是他們給你撐起了生命的天空；有些人，分開了，就忘了吧，殘缺是一種大美。

9、照自己的意思去理解自己，不要小看自己，被別人的意見引入歧途。

10、沒人能讓我輸，除非我不想贏！

11、花開不是為了花落，而是為了開的更加燦爛。

12、隨隨便便浪費的時間，再也不能贏回來。

13、不管從什么時候開始，重要的是開始以后不要停止；不管在什么時候結(jié)束，重要的是結(jié)束以后不要后悔。

14、當(dāng)你決定堅持一件事情，全世界都會為你讓路。

15、只有在開水里，茶葉才能展開生命濃郁的香氣。5、世上最美好的事是：我已經(jīng)長大，父母還未老;我有能力報答，45IGBT在逆變焊機(jī)中的應(yīng)用和RT4的推廣IGBT在逆變焊機(jī)中的應(yīng)用和RT4的推廣46電焊機(jī)簡介逆變焊機(jī)中IGBT應(yīng)用特點IGBT的主要參數(shù)選擇RT4模塊介紹及優(yōu)勢內(nèi)容簡介電焊機(jī)簡介內(nèi)容簡介47電焊機(jī)簡介-分類按焊接機(jī)理分類：電焊機(jī)簡介-分類按焊接機(jī)理分類：48電焊機(jī)簡介-發(fā)展歷程電焊機(jī)發(fā)展歷程：逆變直流電焊機(jī)發(fā)展歷程：晶閘管式逆變焊機(jī)晶體管式逆變焊機(jī)場效應(yīng)管式逆變焊機(jī)IGBT逆變焊機(jī)變壓器型電源晶閘管整流電源逆變直流電源電焊機(jī)簡介-發(fā)展歷程電焊機(jī)發(fā)展歷程：逆變直流電焊機(jī)發(fā)展歷程：49電焊機(jī)簡介-IGBT逆變焊機(jī)種類、型號和輸出特性種類CO2氣體保護(hù)焊機(jī)（NBC系列）手工電弧焊（ZX7系列）鎢極氬弧焊（WS系列）脈沖鎢極氬弧焊（WSM系列）等離子切割機(jī)（LGK系列）埋弧焊（MZ系列）型號20025035050063016020025031540050063014016020031540050020025031540040608010063080010001250種類和型號：電焊機(jī)簡介-IGBT逆變焊機(jī)種類、型號和輸出特性種類CO2氣50IGBT應(yīng)用特點IGBT應(yīng)用特點51逆變焊機(jī)80A-250A中大功率逆變焊機(jī)380Vinput小功率逆變焊機(jī)220Vinput600VDiscreteIGBTMOSFET250A-630A正激半橋600V34mm600VDiscreteIGBTMOSFET1200VIGBT34mm62mm半橋全橋全橋IGBT的應(yīng)用特點-

在焊機(jī)中的應(yīng)用逆變焊機(jī)80A-250A中大功率逆變焊機(jī)小功率逆變焊機(jī)652IGBT的應(yīng)用特點-

焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：輸入一次整流逆變隔離降壓二次整流輸出從圖中可以看出，IGBT主要應(yīng)用在逆變單元IGBT的應(yīng)用特點-焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)焊機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：輸入53IGBT的應(yīng)用特點-

逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)半橋拓?fù)淙珮蛲負(fù)溆查_關(guān)全橋拓?fù)滠涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶妷很涢_關(guān)全橋拓?fù)淞汶娏鬈涢_關(guān)全橋拓?fù)浜笝C(jī)中常用的逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：IGBT的應(yīng)用特點-逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)半橋拓?fù)淙珮蛲負(fù)溆查_關(guān)全橋54IGBT的應(yīng)用特點-

硬開關(guān)、軟開關(guān)硬開關(guān)開通過程硬開關(guān)關(guān)斷過程軟開關(guān)開通過程軟開關(guān)關(guān)斷過程從圖中可以看出，在硬開關(guān)時，IGBT開關(guān)時電流與電壓有交點，IGBT損耗交大，軟開關(guān)時，IGBT的電流與電壓沒有交點，損耗為零。零電流（ZCS)：指IGBT開關(guān)時電流為零。零電壓（ZVS)：指IGBT開關(guān)時電壓為零IGBT的應(yīng)用特點-硬開關(guān)、軟開關(guān)硬開關(guān)開通過程硬開關(guān)關(guān)斷55IGBT的應(yīng)用特點-

半橋型電路拓?fù)涮攸c：IGBT開關(guān)損耗大；IGBT上承受的電流為全橋時的兩倍。建議：選用關(guān)斷損耗小的IGBT。推薦：采用INFINEON開關(guān)損耗小的KS4芯片封裝的100–300A/1200V的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-半橋型電路拓?fù)涮攸c：56拓?fù)涮攸c：IGBT開關(guān)時電壓、電流不為零，開關(guān)損耗大。建議：選用關(guān)斷損耗小的IGBT。推薦：采用INFINEON開關(guān)損耗小S4芯片封裝的的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-

硬開關(guān)全橋電路拓?fù)涮攸c：IGBT的應(yīng)用特點-硬開關(guān)全橋電路57電路特點：IGBT導(dǎo)通時間長，損耗主要為通態(tài)損耗建議：選擇通態(tài)損耗小的IGBT。推薦：采用INFINEON導(dǎo)通損耗小的DN2、T4芯片封裝的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-

軟開關(guān)ZVS全橋型電路電路特點：IGBT的應(yīng)用特點-軟開關(guān)ZVS全橋型電路58電路特點：超前臂實現(xiàn)ZVS，IGBT開關(guān)損耗小，導(dǎo)通損耗占總損耗比重大。滯后臂實現(xiàn)ZCS，IGBT導(dǎo)通時間長，通態(tài)損耗大。建議：

選擇IGBT通態(tài)損耗小的IGBT，即低通態(tài)型IGBT模塊。推薦：采用INFINEON導(dǎo)通損耗小的DN2、T4芯片封裝的IGBT模塊。IGBT的應(yīng)用特點-

軟開關(guān)ZVZCS全橋型電路電路特點：IGBT的應(yīng)用特點-軟開關(guān)ZVZCS全橋型電路59IGBT主要參數(shù)選擇IGBT主要參數(shù)選擇60主要參數(shù)選擇-電焊機(jī)主要參數(shù)電壓：三相交流輸入經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：VDC=，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，可以選額定電壓值1200V。電焊機(jī)主要參數(shù)：以一臺500A的電焊機(jī)為例，輸入電壓：380VAC,輸出電流為：500A,頻率為20KHz，空載電壓為70V。500A焊機(jī)在滿負(fù)荷工作條件下，輸出濾波電感的電流的平均值為500A，主變壓器變比K=513V/70V=7.3。變壓器原邊平均電流為500A/7.3=68.5A，在選用耗散功率足夠的散熱器和良好的風(fēng)道設(shè)計的條件，選在IGBT的IC=100A。電流：主要參數(shù)選擇-電焊機(jī)主要參數(shù)電壓：三相交流輸入經(jīng)過整流和濾波6162通態(tài)壓降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。開關(guān)損耗：低開關(guān)損耗，高頻或硬開關(guān)。溫度系數(shù)：正溫度系數(shù)適合于多管芯并聯(lián)。熱阻：決定了IGBT的溫升。功率循環(huán)周次：決定IGBT的壽命。熱循環(huán)周次：決定IGBT的壽命。62主要參數(shù)選擇-選型時應(yīng)注意的問題選型時應(yīng)該主要的問題：17通態(tài)壓降：低通態(tài)損耗，適用于軟開關(guān)。62主要參數(shù)選擇-推薦表裕能達(dá)推薦表焊機(jī)規(guī)格全橋電路半橋電路315A軟開關(guān)FF50R12RT4

硬開關(guān)F4-50R12MS4/F4-50R12KS4FF100R12KS4/FF150R12RT4400A軟開關(guān)FF75R12RT4

硬開關(guān)F4-75R12MS4/F4-75R12KS4FF150R12KS4500A軟開關(guān)FF100R12RT4

硬開關(guān)FF100R12KS4/FF150R12RT4FF200R12KS4630A軟開關(guān)FF150R12RT4

硬開關(guān)FF150R12KS4FF300R12KS4主要參數(shù)選擇-推薦表裕能達(dá)推薦表焊機(jī)規(guī)格全橋電路半橋電路3163RT4芯片介紹及優(yōu)勢RT4芯片介紹及優(yōu)勢64IGBT4模塊：Tvjop,max=150C！概念：在開關(guān)工作條件下，IGBT4模塊的最高允許結(jié)溫規(guī)格為

150C，比IGBT3/IGBT2模塊（1200V和1700V）的規(guī)格提高25C！出發(fā)點：適應(yīng)芯片小型化實現(xiàn)：IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改進(jìn)可靠性因素：焊線工藝決定了模塊的可靠性指標(biāo)之一-功率循環(huán)（PC）次數(shù)。PC次數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，在相同的結(jié)溫擺幅下，結(jié)溫越高，PC次數(shù)越低。要提高結(jié)溫規(guī)格，必須改進(jìn)焊線工藝，才能保證模塊用于更高的結(jié)溫時，其PC次數(shù)（使用壽命）不減。結(jié)果：1）IGBT4模塊的可靠性（PC次數(shù)）大幅增加

2）IGBT4模塊的電流輸出能力增大（應(yīng)用功率）

3）以較小的封裝尺寸實現(xiàn)相同的電流規(guī)格（功率密度）RT4模塊-優(yōu)點IGBT4模塊：Tvjop,max=150C！概念：在6550A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM50GB120DN2FF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容，Ic50A(Tc=80℃)50A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off22Ω15Ω驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon7mJ6.5mJRT4的性能稍好，開關(guān)損耗有所降低。Eoff4.5mJ4mjRjc(IGBT)0.3K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.6K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用RT4代替DN2只需更改驅(qū)動電路，替代容易！RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較50A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=126675A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM75GB120DN2FF75R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic75A(Tc=80℃)75A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)3.1V2.15VRT4性能更好，導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off15Ω2.2Ω驅(qū)動電阻推薦值差別較大，驅(qū)動電路要做更改。Eon13mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小。Eoff8mJ6.5mjRjc(IGBT)0.2K/W0.38K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量。Rjc(Diode)0.5K/W0.58K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：用RT4代替DN2只需對驅(qū)動電路進(jìn)行修改，代替起來比較容易。RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較75A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=1267100A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2FF100R12RT4結(jié)論封裝34mm62mm34mmDN2K與RT4散熱器安裝尺寸完全兼容，DN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80℃)100A(Tc=80℃)100A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)3.1V3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off6.8Ω6.8Ω1.6Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ17.5mJ9.5mJRT4的性能更好，開關(guān)損耗小Eoff11mJ11mJ9mjRjc(IGBT)0.18K/W0.16K/W0.27K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.36K/W0.3K/W0.48K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：RT4代替DN2K只需對驅(qū)動電路進(jìn)行修改，但代替DN2還需對散熱器進(jìn)行修改。RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較100A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=168150A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號BSM150GB120DN2FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmDN2與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic150A(Tc=80℃)150A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)3.1V2.05VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.1Ω1.1Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon17.5mJ13.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于ND2Eoff11mJ13.5mjRjc(IGBT)0.1K/W0.19K/WRT4的熱阻比較大！Rjc(Diode)0.25K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：150A的RT4代替150A的DN2比較困難！RT4模塊-與INFINEON

DN2系列模塊的比較150A的RT4和DN2模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=169150A的RT4和100A的KS4的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF100R12KS4FF150R12RT4結(jié)論封裝62mm34mmKS4與RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic100A(Tc=80℃)150A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,)3.85V1.65VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off9.1Ω1.1Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ9.5mJRT4的關(guān)斷損耗略高于KS4Eoff7.7mJ11mJRjc(IGBT)0.16K/W0.19K/WRT4的熱阻稍大！Rjc(Diode)0.3K/W0.31K/W并聯(lián)二極管Vf(V)1.8V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用150A的RT4代替100A的KS4,要根據(jù)實際電路來確定能否替代。RT4模塊-與INFINEON

KS4系列模塊的比較150A的RT4和100A的KS4的模塊的性能比較（如無特70

總的來說，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開關(guān)損耗也有所降低，特別適合軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的焊機(jī)。但是RT4系列產(chǎn)品的熱阻相當(dāng)于DN2系列來說都要大一些。還有就是RT4系列的推薦驅(qū)動電阻值都比較小，替換時要注意對驅(qū)動電路進(jìn)行修改。RT4模塊-與INFINEON模塊的比較總的來說，RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低71RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較SEMIKRON在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：123系列：SKM75GB123DSKM100GB123DSKM150GB123DSKM200GB123D128系列：SKM75GB128DSKM100GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DT4系列：SKM75GB12T4SKM100GB12T4SKM100GB12T4GSKM150GB12T4SKM150GB12T4GSKM200GB12T4SKM300GB12T4（正在推廣）RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較SEMIKRON72RT4模塊-與SEMIKRON的比較50的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF50R12RT4SKM75GB123DSKM50GB12T4SKM75GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100℃)50A49A52A59A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.15V2．5V2.2V2.1V128D的導(dǎo)通損耗最小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫較高。Rgon/off15Ω22Ω8.2Ω6Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改。Eon6.5mJ8mJ5.5mJ6mJ123D的開關(guān)損耗較大。Eoff4mJ5mJ4.5mJ8mJRjc(IGBT)0.53K/W0.27K/W0.53K/W0.3K/W123D的熱阻小。Rjc(Diode)0.84K/W0.5K/W0.84K/W0.6K/WVf(V)1.65V1.6V2.18V1.8V123D的反并二極管管壓降最低。結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻較大。與128D相比開關(guān)損耗較低。與西門康最新的T4系列性能相差不大。RT4模塊-與SEMIKRON的比較50的RT4和西門康的模7375的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF75R12RT4SKM100GB123DSKM75GB12T4SKM100GB128D結(jié)論封裝34mm34mm34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic(Tc=100℃)75A81A75A85A128D的電流能力最大。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,)2.15V3.1V2.25V2.1VRT4和128D的性能較好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫高。Rgon/off2.2Ω15Ω1Ω4.7Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ10mJ11mJ9mJRT4的開關(guān)損耗較小。Eoff6.5mj8mJ6.9mJ7.5mJRjc(IGBT)0.38K/W0.18K/W0.38K/W0.21K/W123D的熱阻??！Rjc(Diode)0.58K/W0.5K/W0.58K/W0.5K/WVf(V)1.65V1.8V2.11V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。RT4模塊-與SEMIKRON的比較結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D和西門康最新的T4系列性能相差不大。75的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=1274RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較100的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF100R12RT4SKM150GB123DSKM100GB12T4SKM150GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100℃)100A100A100A108A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.6Ω6.8Ω8.2Ω8Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon9.5mJ13mJ16.1mJ10mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff9mJ11mJ8.6mJ9mJRjc(IGBT)0.27K/W0.15K/W0.29K/W0.15K/W123D的熱阻??！Rjc(Diode)0.48K/W0.3K/W0.49K/W0.3K/WVf(V)1.65V1.8V2.18V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗較小。RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較100的RT4和西75RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較150的RT4和西門康的模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號FF150R12RT4SKM200GB123DSKM150GB12T4SKM200GB128D結(jié)論封裝34mm62mm62mm62mmRT4尺寸較小。Ic(Tc=100℃)150A145A150A180A電流能力相差不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,)2.05V2.5V2.2V2.1VRT4性能更好,導(dǎo)通損耗小。Tj(度）175℃150℃175℃150℃T4芯片結(jié)溫高Rgon/off1.1Ω5.6Ω1Ω7Ω驅(qū)動電阻推薦值有差別，驅(qū)動電路需要更改！Eon13.5mJ24mJ19.2mJ18mJ123D的開關(guān)損耗較大！Eoff13.5mj17mJ15.8mJ15mJRjc(IGBT)0.19K/W0.09K/W0.19K/W0.095K/W123D的熱阻??！Rjc(Diode)0.31K/W0.18K/W0.31K/W0.25K/WVf(V)1.65V1.8V2.07V1.8VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。結(jié)論：RT4與123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。與128D相比，熱阻較大。和西門康最新的T4系列相比，開關(guān)損耗較小。RT4模塊-與SEMIKRON模塊的比較150的RT4和西76RT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較斯達(dá)在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：HFL系列(低損耗快速）：GD50HFL120C1SGD75HFL120C1SGD100HFL120C1SGD100HFL120C2SGD150HFL120C2SRT4模塊-與斯達(dá)模塊的比較斯達(dá)在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：7750A的RT4和斯達(dá)模塊的性能比較（如無特殊說明Tj=125℃）型號GD50HFL120C1SFF50R12RT4結(jié)論封裝34mm34mm散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic50A(Tc=80℃)50A(Tc=100℃)RT4性能更好，電流能力更大。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,)2.0V2.15V斯達(dá)模塊的導(dǎo)通損耗小。Tj(度）150℃175℃RT4性能更好，熱余量更大。Rgon/off18Ω15Ω驅(qū)動電阻推薦值差別不是很大，驅(qū)動電路更改不大。Eon4.1mJ6.5mJ斯達(dá)模塊的性能更好，導(dǎo)通損耗小。Eoff4.7mJ4mjRjc(IGBT)0.38K/W0.53K/WRT4的熱阻稍微大些，但其175度的結(jié)溫可以保證熱余量.Rjc(Diode)0.65K/W0.84K/W并聯(lián)二極管Vf(V)2.2V1.65VRT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好RT4模