品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件

品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程11、硅的化學(xué)符號為Si,元素周期表中，第三周期，第ⅣA族元素，原子序數(shù)14，原子量28，化合價為﹢4價和﹢2價。2、晶體結(jié)構(gòu)：金剛石結(jié)構(gòu)（正四面體），原子間以共價鍵結(jié)合。3、按晶體結(jié)構(gòu)分：單晶硅、多晶硅單晶硅：在晶體中，組成的原子按一定規(guī)則呈周期性排列。多晶硅：由許多不同方位的單晶組成。4、按導(dǎo)電類型劃分：N型、P型5、按硅的形狀劃分：粉狀、粒狀、塊狀、棒狀、片狀等。6、按應(yīng)用領(lǐng)域劃分：太陽能級、電子級、航天級

硅的基礎(chǔ)知識1、硅的化學(xué)符號為Si,元素周期表中，第三周期，第ⅣA27、在自然界中沒有游離態(tài)的單質(zhì)硅，硅以化合物的形態(tài)存在。在地殼中硅含量很大，氧約占地殼的二分之一，硅約占四分之一（25.8%）。硅中主要非金屬雜質(zhì)有O、C、P、B等，主要金屬雜質(zhì)有Fe、Cu等，含量一般為百萬分之一、十億分之一、千億分之一。硅中沒有雜質(zhì)，一般是沒有用途的，但對雜質(zhì)含量有一定的要求。例如：①重金屬使反向電流增加，壽命下降。②氧的存在，好像引入了一定量的施主，叫熱施主。嚴(yán)重影響少子壽命，會經(jīng)常造成假壽命，因?yàn)檠跖c重金屬結(jié)合，在熱處理時，降低壽命。另外，也影響微晶、電阻率等重要指標(biāo)。③P、B決定材料的導(dǎo)電類型。7、在自然界中沒有游離態(tài)的單質(zhì)硅，硅以化合物的形態(tài)存在。在地3一個企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)是企業(yè)的生命，而質(zhì)量同樣也是企業(yè)的生命。一個企業(yè)的好壞不單是企業(yè)利潤的多少，嚴(yán)格的質(zhì)量把關(guān)才是最關(guān)鍵的！試想，我們的產(chǎn)品投放市場后由于質(zhì)量問題無人問津，產(chǎn)品銷量上不去，你想這樣的企業(yè)還能生存下去多長時間呢？質(zhì)量管理不嚴(yán)，生產(chǎn)過程中有多少半成品由于質(zhì)量問題而報廢或者返修？質(zhì)量的把關(guān)是靠所有參與產(chǎn)品生產(chǎn)的員工及其管理生產(chǎn)和管理質(zhì)量的企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)共同做到。很多企業(yè)由于對質(zhì)量管理的理解不深，將質(zhì)量管理等同于質(zhì)量檢驗(yàn)，認(rèn)為質(zhì)量管理就是對已經(jīng)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品進(jìn)行簡單的“質(zhì)量把關(guān)”及“不良品處理”。而忽視了質(zhì)量的事前控制與事中的過程控制，進(jìn)而使質(zhì)量管理人員疲于奔命，東邊“著火”就趕到東邊“救火”、“西邊洪水泛濫”就趕到西邊“抗洪”，哪里出現(xiàn)問題就哪里“搶險”，最終偏離了質(zhì)量“管理”的方向。質(zhì)量管理的重要性一個企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)是企業(yè)的生命，而質(zhì)量同樣也是企業(yè)的生命。一4一、硅錠檢驗(yàn)規(guī)格：840×840×（255-304）mm一、硅錠檢驗(yàn)規(guī)格：840×840×（255-304）mm5測量方法：1、核對硅錠的編號與記錄表單是否一致2、看硅錠的外觀是否光滑3、是否有粘鍋4、是否有缺陷5、用皮尺測量它的長、寬（不常測），用直尺測量它的高。單位為毫米，讀取數(shù)據(jù)為小數(shù)點(diǎn)后保留一位小數(shù)。6、用地秤測量它的重量。單位為千克，讀取數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位小數(shù)。。測量工具：皮尺、地秤、直尺測量方法：測量工具：皮尺、地秤、直尺6品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件71、記錄：把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)一定要書寫清楚。相應(yīng)的記錄表單為《硅錠檢驗(yàn)記錄表》。2、硅錠的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：外觀標(biāo)準(zhǔn)：硅錠光滑無粘鍋、無崩邊、無裂紋等。硅錠的外觀標(biāo)準(zhǔn)尺寸是840×840×（255-304）mm.1、記錄：把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，81、目的是檢驗(yàn)鑄錠和切方過程中存在的工藝問題和操作的不規(guī)范對硅塊造成的內(nèi)部缺陷，滿足后序工藝的要求。2、測量工具：游標(biāo)卡尺、萬能角度尺、電子稱、紅外晶錠探傷儀、硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)、金屬四探頭電阻率方阻測試儀、P/N導(dǎo)電類型鑒別儀(硅料綜合測試儀)。3、測量方法：①取料后先進(jìn)行編號的核對，要保證物、單一致。②外觀檢驗(yàn)：與送檢人員一起看硅塊的外觀是否有裂痕、缺角、崩邊等缺陷。如有使用游標(biāo)卡尺測量缺陷長度。二、硅塊檢驗(yàn)1、目的是檢驗(yàn)鑄錠和切方過程中存在的工藝問題和操作9缺陷測量缺陷記錄：例如：實(shí)際長度為257mm,崩邊長度為5mm,則合格長度應(yīng)為252mm。（或記為257-5mm）缺陷測量缺陷記錄：例如：實(shí)際長度為257mm,崩邊長度為5m10③

硅塊邊長的測量用游標(biāo)卡尺測量硅塊的長度、四個邊的尺寸和對角線的尺寸，用萬能角度尺測量四個側(cè)面的直角度，用電子秤稱硅塊的重量。③11數(shù)據(jù)記錄：游標(biāo)卡尺（精度0.02mm）測量硅棒的長度，四個切面均測得一組數(shù)據(jù)，取最小值，單位為mm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。對角線長及邊長尺寸，頭尾四處均測得一組數(shù)據(jù)，取與標(biāo)準(zhǔn)值誤差最大的數(shù)據(jù)，單位為mm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。萬能角度尺測量四個側(cè)面的直角度，頭尾都需測量，共8處，取與標(biāo)準(zhǔn)值誤差最大的數(shù)據(jù)，單位為度所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。用電子臺秤稱取硅棒凈重，單位為kg,所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留兩位。數(shù)據(jù)記錄：游標(biāo)卡尺（精度0.02mm）測量硅棒的長度，12④紅外晶錠探傷儀檢測④紅外晶錠探傷儀檢測13用紅外晶錠探傷儀檢測硅塊內(nèi)部是否有雜質(zhì)、陰影、微晶、隱裂等缺陷，且硅塊的四個側(cè)面都需要檢測。用無水乙醇將硅塊的一個側(cè)面擦拭干凈，再放入測試儀器平臺上。較黑的中部陰影大于5mm判定切除，切除后有效長度不足80mm，判定回爐。確認(rèn)硅塊內(nèi)部存在缺陷后，觀察內(nèi)部缺陷在圖像監(jiān)控器上的位置，使用記號筆在硅塊的表面做好標(biāo)識，用記號筆在黑影陰影部分的上下邊緣畫標(biāo)識線，上下畫線處要求離陰影部分2-3mm（注：內(nèi)部缺陷在距硅塊頭部5mm內(nèi)，不需要畫線）。記錄數(shù)據(jù)：對硅塊內(nèi)部缺陷的硅塊做數(shù)據(jù)記錄，填寫在《硅塊檢驗(yàn)記錄表》上用紅外晶錠探傷儀檢測硅塊內(nèi)部是否有雜質(zhì)、陰影、微晶、隱裂14⑤少子壽命測試硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)15用硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)測試每個硅塊的少子壽命，用無水乙醇將硅塊的一個側(cè)面擦拭干凈，再放入測試儀器平臺上；放入時，測試的側(cè)面朝上，硅塊的頭部放在測試員的左側(cè)，使測試儀從硅塊的頭部開始測試。要求頭部5㎜以外的硅塊中部區(qū)域的少子壽命在規(guī)定值范圍內(nèi)，不符合要求的區(qū)域要求標(biāo)識去除。數(shù)據(jù)記錄：少子壽命的單位為μm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。

用硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)測試每個硅塊的少子壽命，用無水16⑥電阻率檢測金屬四探頭電阻率方阻測試儀⑥電阻率檢測金屬四探頭電阻率方阻測試儀17用金屬四探頭電阻率方阻測試儀檢測每個硅塊的電阻率，測試方法為從硅塊的側(cè)壁取3個點(diǎn)，由頭部向底部測量，選取測試點(diǎn)的方式根據(jù)硅塊的長度的百分比進(jìn)行選定，測試點(diǎn)須在硅塊側(cè)面的中部，即邊寬中心線20㎜內(nèi)。如果出現(xiàn)超出電阻率范圍的情況，檢測需要檢測四個面，對超出范圍部分畫線切除，并在隨工單上注明，跟蹤切片后的電阻率檢驗(yàn)情況。數(shù)據(jù)記錄：單位為Ω·cm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。

用金屬四探頭電阻率方阻測試儀檢測每個硅塊的電阻率，測試18⑦導(dǎo)電類型測試硅料綜合測試儀⑦導(dǎo)電類型測試硅料綜合測試儀19□用P/N導(dǎo)電類型鑒別儀或P/N測試筆測試硅塊的導(dǎo)電類型（硅料綜合測試儀），在每個硅錠開方后的25塊硅塊中抽取5塊進(jìn)行檢測。如果出現(xiàn)不合格，則對該硅錠開方出的所有硅塊進(jìn)行全檢?！鹾细竦膶?dǎo)電類型是P型，如出現(xiàn)N型硅塊，必須做出標(biāo)識并另行放置。□用P/N導(dǎo)電類型鑒別儀或P/N測試筆測試硅塊的導(dǎo)電類201、外觀標(biāo)準(zhǔn)：崩邊、裂痕、缺角、鋸縫、線痕等缺陷在距硅塊頭部5㎜內(nèi)的屬于合格品。2對角線長的標(biāo)準(zhǔn)值為219.2×219.2mm,允許誤差為±0.5mm；四邊邊長尺寸的標(biāo)準(zhǔn)值為156.5×156.5mm,允許誤差為﹢0.5mm，切方硅塊進(jìn)行全檢。3、直角度為90°，允許誤差為±0.5°.4、導(dǎo)電類型為P型。5、電阻率的合格范圍為0.5~3Ω·cm（平均1.5Ω·cm）硅塊的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)硅塊的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)216、少子壽命的合格范圍為≥2μs7、氧含量＜8×1017cm-38、碳含量＜5×1017cm-39、紅外探傷：硅塊頭部裂紋、雜質(zhì)、陰影、黑點(diǎn)≤5㎜，中部無裂紋、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶。如果中部陰影＞5mm判定切除。6、少子壽命的合格范圍為≥2μs22成品硅塊是指磨面、倒角后的硅塊，各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)，包括長度、邊長尺寸、倒角尺寸、重量等、。1、取料后先進(jìn)行編號的核對，要保證物、單一致。2、看硅塊的外觀是否有裂痕、缺角、崩邊等缺陷。3、用游標(biāo)卡尺測量硅塊四個邊的尺寸，用電子秤稱成品硅塊的重量。4、部分成品硅塊還需要進(jìn)行二次紅外探傷、少子壽命測試、電阻率測試。三、成品硅塊檢測成品硅塊是指磨面、倒角后的硅塊，各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)，包括23把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)一定要書寫清楚。相應(yīng)的記錄表單為《成品硅塊檢驗(yàn)記錄表》。數(shù)據(jù)取值方法與硅塊檢驗(yàn)數(shù)據(jù)取值方法相同。記錄把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)241、表面質(zhì)量：硅塊表面應(yīng)無裂痕、無崩邊，無其它缺陷。2、電阻率：0.5Ω.cm≤ρ≤3Ω.cm3、少子壽命：≥2μs3、長度：L≥80mm4、尺寸要求：邊長156±0.5mm5、倒角度：45°±5°6、倒角尺寸：1.2~1.5mm成品硅塊的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)1、表面質(zhì)量：硅塊表面應(yīng)無裂痕、無崩邊，無其它缺陷。成品硅塊25①用量具檢測硅棒時必須小心謹(jǐn)慎，用力要輕，避免量具磕碰硅棒，而使硅棒損耗。②搬運(yùn)硅棒時也必須輕拿輕放，避免和其它硬物磕碰。③物、單不一致時及時跟生產(chǎn)部門人員進(jìn)行溝通。④硅錠檢測車間嚴(yán)禁本車間以外的人隨便出入。四、注意事項(xiàng)①用量具檢測硅棒時必須小心謹(jǐn)慎，用力要輕，避免量具磕碰硅棒，26□檢驗(yàn)條件：光照度800lx日光燈下；潔凈水平的判檢操作臺面上；□準(zhǔn)備工作：上班時必須穿著工作服，必須佩戴手套（手套帶2層，第一層為棉布手套，第二層為PVC手套）、口罩、凈化帽?！鯔z驗(yàn)工具：電阻率測試儀，少子壽命測試儀，無接觸硅片測試儀，線痕深度測試儀?！跬庥^檢驗(yàn)、外形尺寸檢驗(yàn)、性能測試、硅片包裝五、硅片檢驗(yàn)□檢驗(yàn)條件：光照度800lx日光燈下；潔凈水平的判檢操作27品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件28品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件29目的：在于檢驗(yàn)硅片在切片和清洗過程中造成的外觀缺陷。檢驗(yàn)項(xiàng)目：破片、孔洞、裂紋、暗裂、缺口、缺角、崩邊、臟片、線痕、臺階、翹曲度、彎曲度，微晶，TTV、厚片、薄片①外觀及外形尺寸檢驗(yàn)?zāi)康模涸谟跈z驗(yàn)硅片在切片和清洗過程中造成的外觀缺陷。①外觀及30

檢測四邊，挑選缺口、缺角、碎片、崩邊、裂紋。

31將硅片展開：整體檢查硅片邊緣線痕、崩邊、污片情況。將硅片展開：整體檢查硅片邊緣線痕、崩邊、污片情況。32破片：無法使用孔洞裂紋、暗裂裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕。破片：無法使用孔洞裂紋、暗裂裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能33缺口缺口與缺角：晶片邊緣呈現(xiàn)貫穿兩面的局部破損，稱為缺口。缺角缺口缺口與缺角：晶片邊緣呈現(xiàn)貫穿兩面的局部破損，稱為缺口。缺34崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出。崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊35油污多發(fā)生在季節(jié)變換的時期，溫度變化較大的環(huán)境中，所以油污的產(chǎn)生除了有些公司使用的切割液本身存在的問題外，大部分都是生產(chǎn)過程當(dāng)中的控制問題了，而這些問題當(dāng)中最主要的原因就是硅片在去膠過程中沖洗不到位油污多發(fā)生在季節(jié)變換的時期，溫度變化較大的環(huán)境中，所以油污的36線痕分雜質(zhì)線痕、劃傷型線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕線痕線痕分雜質(zhì)線痕、劃傷型線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕線痕37□雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕?！醣憩F(xiàn)形式：（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。

（2）無可見雜質(zhì)黑點(diǎn)，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。

（3）以上兩種特征都有。

（4）一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較高的線弓?！醺纳品椒ǎ海?）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。

（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺速、提高線速等?！跗渌嚓P(guān)：硅錠雜質(zhì)除會產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會導(dǎo)致切片過程中出現(xiàn)“切不動”現(xiàn)象。如未及時發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失?！蹼s質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，38□劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕?！醣憩F(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。□改善方法：（1）針對大顆粒SIC，加強(qiáng)IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進(jìn)行試用，然后再進(jìn)行正常使用。

（2）導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒有進(jìn)行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標(biāo)。□其它相關(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項(xiàng)性能對于切片都有很大的影響。□劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中39□密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域?！醣憩F(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

□改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題?！趺懿季€痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂40□錯位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕?！?/p>

改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)切片前檢查工作，定期清洗機(jī)床?！蹂e位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上41□邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕?！醣憩F(xiàn)形式：一般出現(xiàn)在靠近粘膠面一側(cè)的倒角處，貫穿整片硅片。□改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)檢查和監(jiān)督?！蹙€痕深度測試儀可以對硅片進(jìn)行線痕深度的測試?！踹吘壘€痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。42臺階，一般頭尾片會出現(xiàn)臺階片亮線，粗糙度≤10μm合格臺階，一般頭尾片會出現(xiàn)臺階片亮線，粗糙度≤10μm合格43□臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：□1、砂漿問題：砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過多，沒有經(jīng)過充分過濾，造成鋼線跳線?！醺纳品椒ǎ阂?guī)范砂漿配制、更換，延長切片的熱機(jī)時間和次數(shù)?！?、硅塊雜質(zhì)問題：硅塊的大顆粒雜質(zhì)會引起跳線而產(chǎn)生臺階?！醺纳品椒ǎ焊纳圃牧匣蜩T錠工藝，改善IPQC檢測手段。□3、線、砂工藝匹配問題：

鋼線、砂漿型號不匹配造成切片跳線，此種情況很少出現(xiàn)□臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的44翹曲度：硅片中心面與基準(zhǔn)面最大最小距離的差距的差值彎曲度：硅片中心面明顯凹凸變形的一種變量。翹曲度：硅片中心面與基準(zhǔn)面最大最小距離的差距的差值彎曲度：硅45微晶：晶粒小于2㎜2具有一定分布面積分散型微晶：大晶粒上分布的具有特定“圈點(diǎn)”特征的小晶粒，亦稱分布晶。微晶：晶粒小于2㎜2具有一定分布面積分散型微晶：大晶粒上分布46微晶分布晶微晶分布晶47□硅片厚度和TTV用硅片厚度測量儀檢測，本公司硅片的厚度定為190±10μm，TTV≤20μm□TTV就是指總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點(diǎn)厚度：邊緣上下左右4點(diǎn)和中心點(diǎn)）；□硅片厚度和TTV用硅片厚度測量儀檢測，本公司硅片的厚度定為48□電阻率的測試：電阻率是根據(jù)情況按比例用電阻率測試儀進(jìn)行抽測?！跎僮訅勖臏y試：少子壽命是根據(jù)情況按比例用少子壽命測試儀進(jìn)行抽測。少子壽命：非平衡載流子達(dá)到平衡時所需要的平均時間。電阻率：用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。②電性能檢測②電性能檢測49非接觸式厚度測量系統(tǒng)硅片載流子壽命測試系統(tǒng)硅片表面線痕深度測試儀非接觸式厚度測量系統(tǒng)硅片載流子壽命測試系統(tǒng)硅片表面線痕深度測50□分類后將各種不合格硅片放在相應(yīng)的硅片盒內(nèi)，記錄其數(shù)據(jù)，并放在指定的位置?！跆顚懜鞣N檢驗(yàn)記錄表。□分類后將各種不合格硅片放在相應(yīng)的硅片盒內(nèi)，記錄其數(shù)據(jù)，并放51硅片屬于易碎品，為防止硅片在運(yùn)輸過程中造成破損，所以在包裝過程中先加一到兩層珍珠棉墊，在用硬紙板進(jìn)行加固，如有必要，對包裝袋進(jìn)行收縮，這樣就能更好的保護(hù)硅片。③硅片包裝100片放一打硅片屬于易碎品，為防止硅片在運(yùn)輸過程中造成破損，所以52一、外觀：合格品：1、合格A類，外觀無明顯缺陷；①線痕深度≤10μm，條數(shù)不限；線痕深度≤15μm，條數(shù)≤5②崩邊：長度≤1mm，深度≤0.3mm,崩邊數(shù)≤2③微晶：微晶面積≤2cm22、合格B類，目視無微裂、污跡、針孔等缺陷。①輕線：有明顯視覺線痕，無明顯手感，線痕小于30?；②硅落：邊緣材料缺損小于0.5×0.5mm無穿透；③輕花：單面臟污或氧化面積小于硅片表面積的1/5，無明顯色差；④不得有裂痕、裂紋、孔洞、缺角、V形（銳形）缺口。⑤TTV≤20μm⑥線痕深度≤30μm，條數(shù)不限⑦崩邊：長度≤2mm，深度≤0.3mm,3≤崩邊數(shù)≤5長度≤1mm；深度≤0.3mm,崩邊數(shù)≤2⑧微晶：微晶面積≤4cm23、等外品：①、花片：單面臟污或氧化面積小于硅片表面積的1/5，有明顯色差；②、崩邊：單面邊緣材料缺損直徑大于10mm，未穿透（沒有形成缺角）；③、線痕片：硅片有明顯視覺線痕，有明顯手感。④、彎曲度＜75?（檢測方法：晃動有明顯震動聲音）；硅片的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)一、外觀：合格品：硅片的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)534、不合格品：①嚴(yán)花：單面臟污或氧化面積大于硅片表面積的1/2，色差嚴(yán)重；②嚴(yán)重線痕片：硅片單面有超過2條有明顯觸摸感線痕；③缺角：四角缺一角，其余三角完好，分類：1-5mm，5-10mm，﹥10mm;④TTV：中心、周邊4點(diǎn)厚度最大差大于20?;⑤超厚：單點(diǎn)測試厚度超過200?；⑥超溥：單點(diǎn)測試厚度低于180?；⑦厚溥不均：5點(diǎn)測試厚度max-min﹥20?;⑧隱裂：片子上有隱性裂紋；碎片：四角缺兩角及以上；⑨翹曲片：彎曲度＞0.1mm；⑩穿孔：硅片表面有穿透性孔洞。4、不合格品：54二、尺寸1、對角線尺寸：219.2×219.2±0.5mm;2、邊長：156×156±0.5mm;3、厚度：190±10?;4、總厚度變化TTV：≤20?;5、角度45±5°三、性能參數(shù)1、導(dǎo)電型號：P型2、電阻率范圍：0.5-3Ω.cm,3、少子壽命：＞2μs4、氧含量：＜8×1017cm-35、碳含量：＜5×1017cm-3二、尺寸55□檢驗(yàn)條件：光照度800lx日光燈下；潔凈水平的判檢操作臺面上；□準(zhǔn)備工作：上班時必須穿著工作服，必須佩戴手套（手套帶2層，第一層為棉布手套，第二層為PVC手套）、口罩、凈化帽?！鯔z驗(yàn)方法：距離電池20-30cm的距離，目視方向垂直于電池片表面觀察?！跬庥^檢驗(yàn)、性能測試、電池片包裝六、電池片檢驗(yàn)□檢驗(yàn)條件：光照度800lx日光燈下；潔凈水平的判檢操作臺56檢驗(yàn)項(xiàng)目：1、顏色色差2、絨面色斑3、亮斑4、裂紋、裂痕及針孔5、彎曲度6、崩邊、缺口、缺角7、印刷偏移8、TTV9、鋁珠、鋁苞10、印刷圖形11、漏漿12、外形尺寸①外觀檢驗(yàn)檢驗(yàn)項(xiàng)目：①外觀檢驗(yàn)57顏色色差：單體電池的顏色均勻一致，顏色的范圍從藍(lán)色開始，經(jīng)深藍(lán)色、紅色、黃褐色、到褐色之間允許相近色的色差（藍(lán)色和深藍(lán)色存在單體電池上），主體顏色為深藍(lán)色，單體電池最多只允許兩種顏色。顏色色差：單體電池的顏色均勻一致，顏色的范圍從藍(lán)色開始58

絨面色斑包括水痕印、未制絨、未鍍膜、手指印、斑點(diǎn)等。絨面色斑包括水痕印、未制絨、未鍍膜、手指印、斑點(diǎn)等。59亮斑裂紋、裂痕及針孔崩邊缺角裂紋、裂痕及針孔崩邊缺角60背電極缺銀漿背電極缺銀漿61臟污漏漿臟污漏漿621、電極脫落（疊片）：硅片與漿料沒形成足夠的合金層也就是說沒有形成好的接觸。2、斷線：有東西粘在網(wǎng)板上，造成堵網(wǎng)。解決方法：擦拭網(wǎng)板，擦拭堵網(wǎng)區(qū)域。3、漏漿：網(wǎng)板有漏洞解決方法：較小且不在細(xì)柵線上用封網(wǎng)漿將小孔封住即可。較大時必須要更換網(wǎng)板。另注意漏漿千萬不能漏在正面電極，這樣會使RSH（并聯(lián)電阻）過低。4、粗點(diǎn)：網(wǎng)板受損，刮條不平整解決方法：換網(wǎng)板，換刮條。5、虛印：有時會由于原材料原因?qū)е氯纾簱?jù)痕、厚薄不均。再者跟刮條和網(wǎng)板也有關(guān)系。解決方法：換網(wǎng)板或換刮條。常出現(xiàn)的印刷圖形異常的原因說明1、電極脫落（疊片）：硅片與漿料沒形成足夠的合金層常出現(xiàn)的印63②性能測試②性能測試64品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件65包裝就是將分檢后的硅片進(jìn)行包裝存放1、將電池片放入熱收縮袋2、熱收縮袋封口3、放進(jìn)遠(yuǎn)紅外收縮包4、貼上標(biāo)簽擺放整齊③包裝包裝就是將分檢后的硅片進(jìn)行包裝存放③包裝66品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件67品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件68包裝注意事項(xiàng)：1、塑封袋內(nèi)的硅片必須整齊。2、檢查封口是否有缺口，如果有重新封口。3、檢查塑封袋內(nèi)是否有漲氣，如果有漲氣用圖釘扎一小口，將氣體放掉，重新放進(jìn)遠(yuǎn)紅外熱包裝機(jī)。4、裝箱時保證同一箱為相同的電性等級和外觀等級。包裝注意事項(xiàng)：69

謝謝品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件70品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程711、硅的化學(xué)符號為Si,元素周期表中，第三周期，第ⅣA族元素，原子序數(shù)14，原子量28，化合價為﹢4價和﹢2價。2、晶體結(jié)構(gòu)：金剛石結(jié)構(gòu)（正四面體），原子間以共價鍵結(jié)合。3、按晶體結(jié)構(gòu)分：單晶硅、多晶硅單晶硅：在晶體中，組成的原子按一定規(guī)則呈周期性排列。多晶硅：由許多不同方位的單晶組成。4、按導(dǎo)電類型劃分：N型、P型5、按硅的形狀劃分：粉狀、粒狀、塊狀、棒狀、片狀等。6、按應(yīng)用領(lǐng)域劃分：太陽能級、電子級、航天級

硅的基礎(chǔ)知識1、硅的化學(xué)符號為Si,元素周期表中，第三周期，第ⅣA727、在自然界中沒有游離態(tài)的單質(zhì)硅，硅以化合物的形態(tài)存在。在地殼中硅含量很大，氧約占地殼的二分之一，硅約占四分之一（25.8%）。硅中主要非金屬雜質(zhì)有O、C、P、B等，主要金屬雜質(zhì)有Fe、Cu等，含量一般為百萬分之一、十億分之一、千億分之一。硅中沒有雜質(zhì)，一般是沒有用途的，但對雜質(zhì)含量有一定的要求。例如：①重金屬使反向電流增加，壽命下降。②氧的存在，好像引入了一定量的施主，叫熱施主。嚴(yán)重影響少子壽命，會經(jīng)常造成假壽命，因?yàn)檠跖c重金屬結(jié)合，在熱處理時，降低壽命。另外，也影響微晶、電阻率等重要指標(biāo)。③P、B決定材料的導(dǎo)電類型。7、在自然界中沒有游離態(tài)的單質(zhì)硅，硅以化合物的形態(tài)存在。在地73一個企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)是企業(yè)的生命，而質(zhì)量同樣也是企業(yè)的生命。一個企業(yè)的好壞不單是企業(yè)利潤的多少，嚴(yán)格的質(zhì)量把關(guān)才是最關(guān)鍵的！試想，我們的產(chǎn)品投放市場后由于質(zhì)量問題無人問津，產(chǎn)品銷量上不去，你想這樣的企業(yè)還能生存下去多長時間呢？質(zhì)量管理不嚴(yán)，生產(chǎn)過程中有多少半成品由于質(zhì)量問題而報廢或者返修？質(zhì)量的把關(guān)是靠所有參與產(chǎn)品生產(chǎn)的員工及其管理生產(chǎn)和管理質(zhì)量的企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)共同做到。很多企業(yè)由于對質(zhì)量管理的理解不深，將質(zhì)量管理等同于質(zhì)量檢驗(yàn)，認(rèn)為質(zhì)量管理就是對已經(jīng)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品進(jìn)行簡單的“質(zhì)量把關(guān)”及“不良品處理”。而忽視了質(zhì)量的事前控制與事中的過程控制，進(jìn)而使質(zhì)量管理人員疲于奔命，東邊“著火”就趕到東邊“救火”、“西邊洪水泛濫”就趕到西邊“抗洪”，哪里出現(xiàn)問題就哪里“搶險”，最終偏離了質(zhì)量“管理”的方向。質(zhì)量管理的重要性一個企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)是企業(yè)的生命，而質(zhì)量同樣也是企業(yè)的生命。一74一、硅錠檢驗(yàn)規(guī)格：840×840×（255-304）mm一、硅錠檢驗(yàn)規(guī)格：840×840×（255-304）mm75測量方法：1、核對硅錠的編號與記錄表單是否一致2、看硅錠的外觀是否光滑3、是否有粘鍋4、是否有缺陷5、用皮尺測量它的長、寬（不常測），用直尺測量它的高。單位為毫米，讀取數(shù)據(jù)為小數(shù)點(diǎn)后保留一位小數(shù)。6、用地秤測量它的重量。單位為千克，讀取數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位小數(shù)。。測量工具：皮尺、地秤、直尺測量方法：測量工具：皮尺、地秤、直尺76品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件771、記錄：把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)一定要書寫清楚。相應(yīng)的記錄表單為《硅錠檢驗(yàn)記錄表》。2、硅錠的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：外觀標(biāo)準(zhǔn)：硅錠光滑無粘鍋、無崩邊、無裂紋等。硅錠的外觀標(biāo)準(zhǔn)尺寸是840×840×（255-304）mm.1、記錄：把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，781、目的是檢驗(yàn)鑄錠和切方過程中存在的工藝問題和操作的不規(guī)范對硅塊造成的內(nèi)部缺陷，滿足后序工藝的要求。2、測量工具：游標(biāo)卡尺、萬能角度尺、電子稱、紅外晶錠探傷儀、硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)、金屬四探頭電阻率方阻測試儀、P/N導(dǎo)電類型鑒別儀(硅料綜合測試儀)。3、測量方法：①取料后先進(jìn)行編號的核對，要保證物、單一致。②外觀檢驗(yàn)：與送檢人員一起看硅塊的外觀是否有裂痕、缺角、崩邊等缺陷。如有使用游標(biāo)卡尺測量缺陷長度。二、硅塊檢驗(yàn)1、目的是檢驗(yàn)鑄錠和切方過程中存在的工藝問題和操作79缺陷測量缺陷記錄：例如：實(shí)際長度為257mm,崩邊長度為5mm,則合格長度應(yīng)為252mm。（或記為257-5mm）缺陷測量缺陷記錄：例如：實(shí)際長度為257mm,崩邊長度為5m80③

硅塊邊長的測量用游標(biāo)卡尺測量硅塊的長度、四個邊的尺寸和對角線的尺寸，用萬能角度尺測量四個側(cè)面的直角度，用電子秤稱硅塊的重量。③81數(shù)據(jù)記錄：游標(biāo)卡尺（精度0.02mm）測量硅棒的長度，四個切面均測得一組數(shù)據(jù)，取最小值，單位為mm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。對角線長及邊長尺寸，頭尾四處均測得一組數(shù)據(jù)，取與標(biāo)準(zhǔn)值誤差最大的數(shù)據(jù)，單位為mm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。萬能角度尺測量四個側(cè)面的直角度，頭尾都需測量，共8處，取與標(biāo)準(zhǔn)值誤差最大的數(shù)據(jù)，單位為度所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。用電子臺秤稱取硅棒凈重，單位為kg,所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留兩位。數(shù)據(jù)記錄：游標(biāo)卡尺（精度0.02mm）測量硅棒的長度，82④紅外晶錠探傷儀檢測④紅外晶錠探傷儀檢測83用紅外晶錠探傷儀檢測硅塊內(nèi)部是否有雜質(zhì)、陰影、微晶、隱裂等缺陷，且硅塊的四個側(cè)面都需要檢測。用無水乙醇將硅塊的一個側(cè)面擦拭干凈，再放入測試儀器平臺上。較黑的中部陰影大于5mm判定切除，切除后有效長度不足80mm，判定回爐。確認(rèn)硅塊內(nèi)部存在缺陷后，觀察內(nèi)部缺陷在圖像監(jiān)控器上的位置，使用記號筆在硅塊的表面做好標(biāo)識，用記號筆在黑影陰影部分的上下邊緣畫標(biāo)識線，上下畫線處要求離陰影部分2-3mm（注：內(nèi)部缺陷在距硅塊頭部5mm內(nèi)，不需要畫線）。記錄數(shù)據(jù)：對硅塊內(nèi)部缺陷的硅塊做數(shù)據(jù)記錄，填寫在《硅塊檢驗(yàn)記錄表》上用紅外晶錠探傷儀檢測硅塊內(nèi)部是否有雜質(zhì)、陰影、微晶、隱裂84⑤少子壽命測試硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)85用硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)測試每個硅塊的少子壽命，用無水乙醇將硅塊的一個側(cè)面擦拭干凈，再放入測試儀器平臺上；放入時，測試的側(cè)面朝上，硅塊的頭部放在測試員的左側(cè)，使測試儀從硅塊的頭部開始測試。要求頭部5㎜以外的硅塊中部區(qū)域的少子壽命在規(guī)定值范圍內(nèi)，不符合要求的區(qū)域要求標(biāo)識去除。數(shù)據(jù)記錄：少子壽命的單位為μm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。

用硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)測試每個硅塊的少子壽命，用無水86⑥電阻率檢測金屬四探頭電阻率方阻測試儀⑥電阻率檢測金屬四探頭電阻率方阻測試儀87用金屬四探頭電阻率方阻測試儀檢測每個硅塊的電阻率，測試方法為從硅塊的側(cè)壁取3個點(diǎn)，由頭部向底部測量，選取測試點(diǎn)的方式根據(jù)硅塊的長度的百分比進(jìn)行選定，測試點(diǎn)須在硅塊側(cè)面的中部，即邊寬中心線20㎜內(nèi)。如果出現(xiàn)超出電阻率范圍的情況，檢測需要檢測四個面，對超出范圍部分畫線切除，并在隨工單上注明，跟蹤切片后的電阻率檢驗(yàn)情況。數(shù)據(jù)記錄：單位為Ω·cm，所得數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位。

用金屬四探頭電阻率方阻測試儀檢測每個硅塊的電阻率，測試88⑦導(dǎo)電類型測試硅料綜合測試儀⑦導(dǎo)電類型測試硅料綜合測試儀89□用P/N導(dǎo)電類型鑒別儀或P/N測試筆測試硅塊的導(dǎo)電類型（硅料綜合測試儀），在每個硅錠開方后的25塊硅塊中抽取5塊進(jìn)行檢測。如果出現(xiàn)不合格，則對該硅錠開方出的所有硅塊進(jìn)行全檢。□合格的導(dǎo)電類型是P型，如出現(xiàn)N型硅塊，必須做出標(biāo)識并另行放置?！跤肞/N導(dǎo)電類型鑒別儀或P/N測試筆測試硅塊的導(dǎo)電類901、外觀標(biāo)準(zhǔn)：崩邊、裂痕、缺角、鋸縫、線痕等缺陷在距硅塊頭部5㎜內(nèi)的屬于合格品。2對角線長的標(biāo)準(zhǔn)值為219.2×219.2mm,允許誤差為±0.5mm；四邊邊長尺寸的標(biāo)準(zhǔn)值為156.5×156.5mm,允許誤差為﹢0.5mm，切方硅塊進(jìn)行全檢。3、直角度為90°，允許誤差為±0.5°.4、導(dǎo)電類型為P型。5、電阻率的合格范圍為0.5~3Ω·cm（平均1.5Ω·cm）硅塊的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)硅塊的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)916、少子壽命的合格范圍為≥2μs7、氧含量＜8×1017cm-38、碳含量＜5×1017cm-39、紅外探傷：硅塊頭部裂紋、雜質(zhì)、陰影、黑點(diǎn)≤5㎜，中部無裂紋、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶。如果中部陰影＞5mm判定切除。6、少子壽命的合格范圍為≥2μs92成品硅塊是指磨面、倒角后的硅塊，各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)，包括長度、邊長尺寸、倒角尺寸、重量等、。1、取料后先進(jìn)行編號的核對，要保證物、單一致。2、看硅塊的外觀是否有裂痕、缺角、崩邊等缺陷。3、用游標(biāo)卡尺測量硅塊四個邊的尺寸，用電子秤稱成品硅塊的重量。4、部分成品硅塊還需要進(jìn)行二次紅外探傷、少子壽命測試、電阻率測試。三、成品硅塊檢測成品硅塊是指磨面、倒角后的硅塊，各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)，包括93把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)一定要書寫清楚。相應(yīng)的記錄表單為《成品硅塊檢驗(yàn)記錄表》。數(shù)據(jù)取值方法與硅塊檢驗(yàn)數(shù)據(jù)取值方法相同。記錄把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)941、表面質(zhì)量：硅塊表面應(yīng)無裂痕、無崩邊，無其它缺陷。2、電阻率：0.5Ω.cm≤ρ≤3Ω.cm3、少子壽命：≥2μs3、長度：L≥80mm4、尺寸要求：邊長156±0.5mm5、倒角度：45°±5°6、倒角尺寸：1.2~1.5mm成品硅塊的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)1、表面質(zhì)量：硅塊表面應(yīng)無裂痕、無崩邊，無其它缺陷。成品硅塊95①用量具檢測硅棒時必須小心謹(jǐn)慎，用力要輕，避免量具磕碰硅棒，而使硅棒損耗。②搬運(yùn)硅棒時也必須輕拿輕放，避免和其它硬物磕碰。③物、單不一致時及時跟生產(chǎn)部門人員進(jìn)行溝通。④硅錠檢測車間嚴(yán)禁本車間以外的人隨便出入。四、注意事項(xiàng)①用量具檢測硅棒時必須小心謹(jǐn)慎，用力要輕，避免量具磕碰硅棒，96□檢驗(yàn)條件：光照度800lx日光燈下；潔凈水平的判檢操作臺面上；□準(zhǔn)備工作：上班時必須穿著工作服，必須佩戴手套（手套帶2層，第一層為棉布手套，第二層為PVC手套）、口罩、凈化帽。□檢驗(yàn)工具：電阻率測試儀，少子壽命測試儀，無接觸硅片測試儀，線痕深度測試儀?！跬庥^檢驗(yàn)、外形尺寸檢驗(yàn)、性能測試、硅片包裝五、硅片檢驗(yàn)□檢驗(yàn)條件：光照度800lx日光燈下；潔凈水平的判檢操作97品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件98品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程課件99目的：在于檢驗(yàn)硅片在切片和清洗過程中造成的外觀缺陷。檢驗(yàn)項(xiàng)目：破片、孔洞、裂紋、暗裂、缺口、缺角、崩邊、臟片、線痕、臺階、翹曲度、彎曲度，微晶，TTV、厚片、薄片①外觀及外形尺寸檢驗(yàn)?zāi)康模涸谟跈z驗(yàn)硅片在切片和清洗過程中造成的外觀缺陷。①外觀及100

檢測四邊，挑選缺口、缺角、碎片、崩邊、裂紋。

101將硅片展開：整體檢查硅片邊緣線痕、崩邊、污片情況。將硅片展開：整體檢查硅片邊緣線痕、崩邊、污片情況。102破片：無法使用孔洞裂紋、暗裂裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個晶片厚度的解理或裂痕。破片：無法使用孔洞裂紋、暗裂裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能103缺口缺口與缺角：晶片邊緣呈現(xiàn)貫穿兩面的局部破損，稱為缺口。缺角缺口缺口與缺角：晶片邊緣呈現(xiàn)貫穿兩面的局部破損，稱為缺口。缺104崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出。崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊105油污多發(fā)生在季節(jié)變換的時期，溫度變化較大的環(huán)境中，所以油污的產(chǎn)生除了有些公司使用的切割液本身存在的問題外，大部分都是生產(chǎn)過程當(dāng)中的控制問題了，而這些問題當(dāng)中最主要的原因就是硅片在去膠過程中沖洗不到位油污多發(fā)生在季節(jié)變換的時期，溫度變化較大的環(huán)境中，所以油污的106線痕分雜質(zhì)線痕、劃傷型線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕線痕線痕分雜質(zhì)線痕、劃傷型線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕線痕107□雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕?！醣憩F(xiàn)形式：（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。

（2）無可見雜質(zhì)黑點(diǎn)，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。

（3）以上兩種特征都有。

（4）一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較高的線弓?！醺纳品椒ǎ海?）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。

（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺速、提高線速等?！跗渌嚓P(guān)：硅錠雜質(zhì)除會產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會導(dǎo)致切片過程中出現(xiàn)“切不動”現(xiàn)象。如未及時發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失。□雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，108□劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕?！醣憩F(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)?！醺纳品椒ǎ海?）針對大顆粒SIC，加強(qiáng)IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進(jìn)行試用，然后再進(jìn)行正常使用。

（2）導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒有進(jìn)行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標(biāo)?！跗渌嚓P(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項(xiàng)性能對于切片都有很大的影響?！鮿潅€痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中109□密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域?！醣憩F(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

□改善方法：（1）硅片整面密集線痕，原因?yàn)樯皾{本身切割能力嚴(yán)重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。

（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因?yàn)樯皾{切割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改善回收工藝解決。

（3）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因?yàn)榍衅瑱C(jī)臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。

（4）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因?yàn)槎嗑Ч桢V硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。

（5）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機(jī)內(nèi)引流桿問題?！趺懿季€痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂110□錯位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕?！?/p>

改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強(qiáng)切片前檢查工作，定期清洗機(jī)床?！蹂e位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上111□邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。□表現(xiàn)形式：一般出現(xiàn)在靠近粘膠面一側(cè)的倒角處，貫穿整片硅片?！醺纳品椒ǎ阂?guī)范粘膠操作，加強(qiáng)檢查和監(jiān)督?！蹙€痕深度測試儀可以對硅片進(jìn)行線痕深度的測試?！踹吘壘€痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。112臺階，一般頭尾片會出現(xiàn)臺階片亮線，粗糙度≤10μm合格臺階，一般頭尾片會出現(xiàn)臺階片亮線，粗糙度≤10μm合格113□臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：□1、砂漿問題：砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過多，沒有經(jīng)過充分過濾，造成鋼線跳線。□改善方法：規(guī)范砂漿配制、更換，延長切片的熱機(jī)時間和次數(shù)?！?、硅塊雜質(zhì)問題：硅塊的大顆粒雜質(zhì)會引起跳線而產(chǎn)生臺階?！醺纳品椒ǎ焊纳圃牧匣蜩T錠工藝，改善IPQC檢測手段?！?、線、砂工藝匹配問題：

鋼線、砂漿型號不匹配造成切片跳線，此種情況很少出現(xiàn)□臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的114翹曲度：硅片中心面與基準(zhǔn)面最大最小距離的差距的差值彎曲度：硅片中心面明顯凹凸變形的一種變量。翹曲度：硅片中心面與基準(zhǔn)面最大最小距離的差距的差值彎曲度：硅115微晶：晶粒小于2㎜2具有一定分布面積分散型微晶：大晶粒上分布的具有特定“圈點(diǎn)”特征的小晶粒，亦稱分布晶。微晶：晶粒小于2㎜2具有一定分布面積分散型微晶：大晶粒上分布116微晶分布晶微晶分布晶117□硅片厚度和TTV用硅片厚度測量儀檢測，本公司硅片的厚度定為190±10μm，TTV≤20μm□TTV就是指總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點(diǎn)厚度：邊緣上下左右4點(diǎn)和中心點(diǎn)）；□硅片厚度和TTV用硅片厚度測量儀檢測，本公司硅片的厚度定為118□電阻率的測試：電阻率是根據(jù)情況按比例用電阻率測試儀進(jìn)行抽測?！跎僮訅勖臏y試：少子壽命是根據(jù)情況按比例用少子壽命測試儀進(jìn)行抽測。少子壽命：非平衡載流子達(dá)到平衡時所需要的平均時間。電阻率：用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。②電性能檢測②電性能檢測119非接觸式厚度測量系統(tǒng)硅片載流子壽命測試系統(tǒng)硅片表面線痕深度測試儀非接觸式厚度測量系統(tǒng)硅片載流子壽命測試系統(tǒng)硅片表面線痕深度測120□分類后將各種不合格硅片放在相應(yīng)的硅片盒內(nèi)，記錄其數(shù)據(jù)，并放在指定的位置。□填寫各種檢驗(yàn)記錄表。□分類后將各種不合格硅片放在相應(yīng)的硅片盒內(nèi)，記錄其數(shù)據(jù)，并放121硅片屬于易碎品，為防止硅片在運(yùn)輸過程中造成破損，所以在包裝過程中先加一到兩層珍珠棉墊，在用硬紙板進(jìn)行加固，如有必要，對包裝袋進(jìn)行收縮，這樣就能更好的保護(hù)硅片。③硅片包裝100片放一打硅片屬于易碎品，為防止硅片在運(yùn)輸過程中造成破損，所以122一、外觀：合格品：1、合格A類，外觀無明顯缺陷；①線痕深度≤10μm，條數(shù)不限；線痕深度≤15μm，條數(shù)≤5②崩邊：長度≤1mm，深度≤0.3mm,崩邊數(shù)≤2③微晶：微晶面積≤2cm22、合格B類，目視無微裂、污跡、針孔等缺陷。①輕線：有明顯視覺線痕，無明顯手感，線痕小于30?；②硅落：邊緣材料缺損小于0.5×0.5mm無穿透；③輕花：單面臟污或氧化面積小于硅片表面積的1/5，無明顯色差；④不得有裂痕、裂紋、孔洞、缺角、V形（銳形）缺口。⑤TTV≤