電子行業(yè)投資策略：汽車電子蓄勢待發(fā)半導體國產(chǎn)化持續(xù)推進

電子行業(yè)投資策略：汽車電子蓄勢待發(fā)，半導體國產(chǎn)化持續(xù)推進一、汽車電子：智能化、電動化推動汽車電子蓬勃發(fā)展1.1

功率半導體：電控系統(tǒng)升級刺激功率需求，本土廠商迎來替代機會車載功率半導體

108

億美元市場，未來

5

年復合增速

12.5%。根據(jù)

Omdia，2019

年全球功率半導體市場

規(guī)模約

462

億美元，未來

5

年（2020-2024）復合增速為

12.5%，功率分立器件、功率模塊和功率

IC市場規(guī)模

分別為

160

億美元、60

億美元、243

億美元，分別占比

35%、13%、53%。車載功率半導體方面，新冠疫情嚴重破壞汽車功率半導體的銷售，全球車載功率半導體的收入將從

2019

年的

108

億美元下降到

2020

年的

91

億美元，同比下降

16%。未來

5

年（2020-2024）復合增速為

12.5%，

遠高于功率整體增速，主要受新能源車滲透刺激。功率半導體將成為汽車電子最大增量，主要體現(xiàn)在電控系統(tǒng)升級。傳統(tǒng)內燃機車功率半導體單車價值量

40

美元，而新能源車則增加至

400-500

美元，我們認為價值量的提升主要由于：1）量：新增的電控系統(tǒng)提升

對功率半導體的數(shù)量需求；2）價：高電壓高功率提升對

IGBT、模塊、SiC基產(chǎn)品等單價較高產(chǎn)品的需求；3）

非傳統(tǒng)功能：除電控系統(tǒng)外，其他如智能座艙、高級輔助/自動駕駛等均有功率半導體增量。一方面，電控系統(tǒng)升級對單車功率半導體數(shù)量需求增量遠超減量。1）減量：據(jù)安森美，傳統(tǒng)燃油車電控

系統(tǒng)較簡單，功率半導體較少，通常為硅基

MOSFET和

IGBT等。在“燃油車→輕混/混動/插混→純電”的轉

變過程中，隨著內燃機的移除，該部分的功率半導體價值量歸零（約

40

美元）。2）增量：逆變器、高低壓電

池及

BMS系統(tǒng)、充電（車內和戶外充電樁）、高壓配電系統(tǒng)等新增大量硅基

MOSFET、IGBT和

SiC器件等。

例如，純電動特斯拉

ModelX使用了英飛凌提供的

132

個

IGBT單管，其中前后電機分別安裝

36/96

個，IGBT單管約

4-5

美金，合計單車價值約

500-600

美元。寶馬

I3

使用了英飛凌新型

HybridPACK2

模塊設計，每個模

塊電壓和電流分別為

750V和

660A，內含

6

個

IGBT單管，每輛車配置

2

個

HybridPACK2

模塊，成本約

300

美元。另一方面，電控系統(tǒng)升級引發(fā)功率半導體高階產(chǎn)品滲透。電動化程度越高，所需驅動功率和系統(tǒng)電壓越

高，對應單車功率器件價值量越高。工作電壓從微混車型

48VIGBT，到中混車型僅需要

150VIGBT來電動助

力，到純電車型需要

650-900VIGBT來進行純電力驅動，更高的電壓則需要硅基

IGBT/模塊、SiC基

MOSFET。

從單個部件功率器件價值量看，普通硅基

MOSFET較便宜，低壓

MOSASP不足

1

美金，高壓

MOS1-10

美金，

IGBT10-20

美金，主逆變器用的

IGBT可高達

100-200

美金；而

SiC基

MOSFET成本過高，同等級別芯片，成

本是硅基

IGBT的

3-5

倍。主逆變器負責控制電動機，高壓可達

1000V以上，對功率器件要求最高，同時價值量最高。預計功率器件在新能源車成本占比

8%-10%甚至更多。將新能源汽車成本拆分來看，電池為成本第一大

部件，占比約

42%，目前主流功率器件為

IGBT單管或模塊，電控+電驅系統(tǒng)中

IGBT成本占比約

21%。新能

源汽車上一般使用

650-1200V的

IGBT模塊，約占驅動系統(tǒng)成本的

40%，約占電動汽車整車成本的

8%-10%。

而作為配套的直流充電樁上，IGBT約占充電樁成本的

20%。SiC材料在汽車電控系統(tǒng)中逐步落地，預計

5

年內具備成本優(yōu)勢。汽車電氣系統(tǒng)復雜，尤其是主驅動/逆

變器需要

1200V高電壓。從材料角度看，SiC和

GaN具有優(yōu)異高壓性能，結構更簡單,有望在高壓領域取代硅

基

IGBT。如

SiC應用到電動汽車的逆變器、OBC、DC/DC，可帶來系統(tǒng)級的體積縮小和成本壓縮。從落地情

況看，逆變器主要為

SiIGBT+SiFRD方案，目前已經(jīng)開始使用

IGBT+SiCSBD的混合方案，預計全

SiC的逆

變器將從

2023

年開始在主流豪華車品牌中量產(chǎn)。車載

OBC和

DC/DC，已經(jīng)開始采用

SiC器件，全

SiC方案有

望

2021

年開始采用。PCU、無線充電都將導入

SiC方案。Rohm預計

5

年內

SiC方案將具備成本優(yōu)勢。特斯拉

Model3

是

SiC基

MOSFET的成功應用案例，其電控系統(tǒng)共搭載

24

個

650V-100A的

SiC基

MOSFET功率模塊，

SiC基

MOSFET單車價值約

700-900

美元，成本高出硅基器件不少。據(jù)

Rohm，到

2026

年幾乎所有搭載

800V動力電池的車型采用

SiC方案都將更具成本優(yōu)勢。Cree預測

2017

年車用

SiC市場達

700

萬美元，2022

年可達

24

億美元。DIGITIMES預計到

2025

年，車用

SiC將占到整體

SiC市場的

37%，其余市場為光伏、風電、充電

樁等。全球功率半導體主要被外國廠商壟斷。從格局來看，國內功率半導體市場主要由海外廠商主導，國內廠商

在低端產(chǎn)品如二極管、低壓

MOSFET等占有一定份額，但高壓

MOSFET、IGBT、模塊、IC等市占率很低。吉

林華微和斯達半導體在

IPM和

IGBT模塊領域均處于全球前列。國內供應商從低端

MOSFET、IGBT開始逐步切入。1）二極管、MOSFET：門檻較低，重點在生產(chǎn)和成

本控制，本土廠商較多，進口替代空間大。1.2

車載攝像頭：視覺信息需求爆發(fā)，車載鏡頭及

CIS成為黃金賽道自動駕駛與輔助駕駛將在未來智能汽車中廣泛應用，自動駕駛與

ADAS分為感知層、決策層、執(zhí)行層三

層技術架構。感知層的作用為收集及預處理周圍環(huán)境的信息，決策層對收集的數(shù)據(jù)整合、分析與判斷，執(zhí)行層

根據(jù)判斷結果做出實時反應。三層技術架構分別對應（1）我在哪里？即感知和定位；（2）我要去哪兒？即決

策和規(guī)劃；（3）我怎么去？即控制和執(zhí)行。感知層是汽車的“眼睛”，包括視覺、毫米波雷達、激光雷達等多種

傳感器遍布車身以保證駕駛安全。高級別的自動駕駛需要使用大量的攝像頭作為視覺信息輸入。自動駕駛與

ADAS感知層的主流傳感技術

包括視覺、電磁波雷達（毫米波雷達和激光雷達為主）及超聲波雷達，這些傳感器遍布車身，實現(xiàn)

360

度無死

角和遠中近掃描，保證駕駛安全。越高級別的自動駕駛所需傳感器數(shù)量越多，L3

以上智能車將需要使用大量

的攝像頭作為視覺信息的輸入，以保證自動駕駛安全，因此車載攝像頭成為巨大增量市場。車載攝像頭市場

5

年內有望超百億，高單價

ADAS攝像頭主導。TSR預計車載攝像頭市場空間將增長到

2024

年的

125

億美金，2035

年的

350

億美金，車載攝像頭數(shù)量將從

2019

年的

1.3

億顆增長到

2035

年的

3.1

億

顆（包含多目），其中接近

60%為高價值的感知攝像頭。Yole預測，車載攝像頭市場空間將從

2018

年的

44

億

美金增長到

2024

年的

87

億美金，2025

年后有望超百億美金，其中

45%為高價值的

ADAS感知攝像頭。除了

數(shù)量上的提升外，車載攝像頭將繼續(xù)升規(guī)提價。目前高規(guī)格的

ADAS感知攝像頭的單價遠高于普通環(huán)視攝像頭，

隨著

ADAS對于攝像頭分辨率等規(guī)格要求的進一步提高，ADAS攝像頭單價仍有增長空間。其中，車載攝像頭

上游關鍵器件為鏡頭和

CIS，中游為

Tier1

供應商，下游為

OEM車廠。車載鏡頭和車載

CIS是車載攝像頭兩

大關鍵組件。車載鏡頭市場規(guī)模將迅速增長，伴隨數(shù)量提升和規(guī)格升級。一方面，隨著

ADAS滲透率提升，單車使用

車載鏡頭數(shù)量將從目前的

2

顆提升至

6-8

顆，帶來較大的市場增量空間。另一方面，由于

ADAS鏡頭對于高可

靠性、高耐熱性、廣角、寬動態(tài)等的要求，價值量比傳統(tǒng)環(huán)視鏡頭有較大提升，目前普通車載環(huán)視鏡頭平均單價

5-6

美金，ADAS感知鏡頭價格可達

10-20

美金。我們判斷全球車載鏡頭市場規(guī)模將從

2021

年的約

7

億美金

增長至

2025

年

30

億美金以上，并在

2023

年達到

70

億美金以上。車載鏡頭需要較高難度的玻璃模造工藝，能夠量產(chǎn)的廠商相對較少。相比于消費級鏡頭，車載鏡頭需要耐

高溫、高可靠性等特性。因此車載鏡頭需要玻塑混合或全玻材質。生產(chǎn)玻璃鏡片的常用工藝包括傳統(tǒng)玻璃加工、

模造工藝和

WLG。模造工藝相比傳統(tǒng)玻璃加工更具優(yōu)勢，傳統(tǒng)的玻璃鏡片加工需要經(jīng)過繁復的步驟，且鏡片

的形狀受到很大的限制。模造工藝具有效率高、成本低、生產(chǎn)的鏡片形狀不受限制等優(yōu)勢，在加工車載非球面

鏡頭上具有優(yōu)勢。但模造工藝的難度更大，但由于溫度、壓強的變化，以及模具精密度的問題，完成加工后還

需要進一步打磨，需要較高的經(jīng)驗積累和技術壁壘，目前能量產(chǎn)的廠商包括日本豪雅、聯(lián)創(chuàng)電子、藍特光學等，

舜宇及大立光也具有較好的技術積淀。舜宇光學、聯(lián)創(chuàng)光學在高清

ADAS鏡頭方面具有較好的卡位，客戶定

點和訂單旺盛，未來有望持續(xù)受益于行業(yè)增長。車載

CIS具有寬動態(tài)、夜間成像、LED閃爍抑制等要求，安森美、豪威、索尼等廠商居龍頭地位。車載

CIS的技術難點包括，（1）寬動態(tài)范圍，行駛場景中最亮和最暗場景的比例現(xiàn)實中很多高達

100-120dB，例如

高速隧道的出口或入口，需要

CIS在所有場景下都能具備高清顯示，而不能夠出現(xiàn)過曝等問題；（2）夜間成像，

傳統(tǒng)的安防相機采用

IRcut（截止濾光片）的結構，白天濾掉近紅外光，夜間打開近紅外光，但在車載

CIS中

IRcut容易造成損壞，CIS廠商往往采用透明像素和算法的方式來解決夜間成像問題；（3）LED閃爍，LED屬

于交流脈沖光源，通常頻率在

90Hz-110Hz，占空比

5%-10%，如果

LED的頻率越低，占空比越小，曝光時間

越短，就越能看到

LED閃爍現(xiàn)象，所以外界比較亮時，需要曝光時間很短，可能一些

LED燈曝光期間光脈沖

消失，帶來閃爍問題，安森美采用超級曝光方案，索尼、豪威采用大小像素方案抑制

LED閃爍。從全球市場

格局來看，美國主要采用安森美，日本主要采用索尼，在歐洲、中國等市場，韋爾股份（豪威）正在迅速提升

份額。1.3

汽車連接器：高壓及高頻高速連接器需求增長，國內廠商取得突破汽車連接器是連接器最大應用場景，對電氣性能和機械性能要求較高。汽車連接器為連通各個車載電器的

電源和信號的部件，廣泛應用于汽車的動力系統(tǒng)、安全與轉向系統(tǒng)、娛樂系統(tǒng)、導航與儀表系統(tǒng)等各個汽車電子系統(tǒng)模塊。汽車連接器是全球連接器最大應用場景，占全球連接器市場規(guī)模的

22%。按照傳輸介質的不同，

汽車連接器可以分為傳輸交換數(shù)據(jù)信號的高速連接器和傳輸交換電流的電連接器。汽車連接器主要是以電連接

器為主，隨著汽車智能化、網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展，車載高頻高速連接器也開始應用。新能源車要求高電壓、大電流傳輸場景，推動高壓連接器用量提升。根據(jù)工作電壓的不同，電連接器可以

進一步劃分為低壓連接器和高壓連接器。新能源車三電系統(tǒng)對于連接器能夠承受的電壓范圍、傳輸?shù)碾娏鞯燃?/p>

要求遠高于傳統(tǒng)燃油車，帶來的增量主要為高壓連接器。根據(jù)不同場景汽車連接器需要承受

60V-380V甚至更

高的電壓，部分電池使用的連接器需要承受

350-600V的電壓，支流快充等連接器需要承受

120A-600A左右的

電流。高壓連接器主要應用于新能源汽車的電池、PDU（高壓配電盒）、OBC（車載充電機）、DC/DC、空調、

PTC（正溫度系數(shù)加熱體）加熱、直/交流充電接口等。一輛電動車配置的高壓連接器數(shù)量一般在

15-20

個之間，

單連接器價值在

100-200

元之間，單車價值量在

1000-3000

元。智能化趨勢推動高頻高速連接器使用量提升。高頻高速連接器主要包括

FAKRA連接器、Mini-FAKRA連

接器、HSD（High-SpeedData）連接器和以太網(wǎng)連接器，主要應用于攝像頭、傳感器、廣播天線、GPS、藍牙、

WiFi、無鑰匙進入、信息娛樂系統(tǒng)、導航與駕駛輔助系統(tǒng)等。由于智能化趨勢帶來攝像頭、激光雷達、毫米波

雷達等感知層傳感器的數(shù)量大幅增加，對數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速率提出了更高的要求，高頻高速連接器使用量提

升。一個車載攝像頭一般需要采用兩組

FAKRA或

Mini-FAKRA連接器進行攝像頭到控制器、控制器到其他控

制器（或主機）連接，進行模擬信號的傳輸，一組

30-40

元之間，以單車

8

個攝像頭測算價值量在

200-300

元。

中控屏和高清屏采用

HSD連接器，激光雷達、毫米波雷達采用以太網(wǎng)連接器進行數(shù)字信號的傳輸。根據(jù)配置

不同，一輛智能車配置的各式高頻高速連接器單車價值量可以達到

500-1000

元。單車對于連接器的需求大幅提升，市場規(guī)模預計

2025

年將達

275

億美金。由于電動化、智能化對于高壓

連接器、高頻高速連接器帶來的增量，連接器市場迎來可觀的迅速增長。傳統(tǒng)燃油車單一車型使用低壓連接器

價值約

1000

元，主要應用在發(fā)動機管理、安全、娛樂等方面。純電動乘用車單車連接器價值為

3000~5000

元，

純電動商用車單車連接器價值為

8000~10000

元，遠高于傳統(tǒng)汽車平均水平，而隨著未來智能化趨勢，激光雷

達等傳感器搭載，單車連接器價值量仍將持續(xù)提升。另外，配套充電樁中同樣大量使用連接器產(chǎn)品，單臺新能

源汽車充電樁均價為

2

萬元，而其中連接器造價占比較大，大約為

3500

元。據(jù)

Bishop&

Associates，2019

年全球汽車連接器市場規(guī)模約為

152

億美元，2014-2019

年

CAGR約為

4%。

未來隨著汽車電動化和智能化加速，汽車連接器市場將加速發(fā)展。根據(jù)我們的測算，預計

2025

年全球汽車連

接器市場規(guī)模將達到

275

億美金，未來五年復合增長率約為

12%。連接器市場格局穩(wěn)定，海外龍頭占據(jù)優(yōu)勢地位，國內廠商切入細分市場。連接器行業(yè)是一個具有市場全球

化和分工專業(yè)化特征的行業(yè)，競爭較為充分，行業(yè)競爭格局相對穩(wěn)定。連接器應用領域廣泛，涉及到很多技術

壁壘較高的細分產(chǎn)品和應用領域。全球連接器市場呈現(xiàn)頭部集中，泰科電子、安費諾、矢崎、日本航空電子等

歷史悠久、規(guī)模龐大的美日跨國企業(yè)在業(yè)內占據(jù)領先地位，國內廠商則以細分領域的優(yōu)勢產(chǎn)品作為行業(yè)切入點。汽車連接器具有性能安全、可靠性等較高壁壘，汽車連接器市場較為封閉的格局正在被打破。汽車連接器

的壁壘在于，因汽車領域特殊的安全性要求，連接器性能側重點為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且

需要具備機械壽命長、抗振動沖擊等長期處于動態(tài)工作環(huán)境中的良好機械性能。因此汽車領域連接器產(chǎn)品的技術難點為接觸電阻設計和材料選擇技術，需要滿足接觸電阻低、工作時溫升小的要求；此外產(chǎn)品需要具備高防

護等級、抗冷熱沖擊、抗振動沖擊等性能，故產(chǎn)品設計過程中需要具備較強的仿真分析能力和失效模式分析能

力。汽車連接器質量要求較為苛刻，相應供應商必須獲得

IATF16949

質量體系認證。因此汽車連接器市場長期

較為封閉，車廠及

T1

供應商一般不輕易更換供應商，羅森博格占據(jù)

40%市場份額，安費諾、泰科合計市場份

額超過

30%，但是由于國內車廠崛起以及全球供應緊張等問題，這個格局正在被打破。國內車廠及新勢力逐步崛起，帶動汽車連接器國產(chǎn)化趨勢。目前，國內廠商中，高壓連接器國內玩家較多，

高頻高速連接器廠商相對較少。隨著國內車廠和新勢力在新能源車方面的積極推進，國內廠商憑借成本和服務

優(yōu)勢打入市場，2021

年由于海外疫情及海運緊張等原因，海外廠商交付延遲，也為國內廠商帶來機遇。高壓

連接器廠商中，瑞可達、中航光電、立訊精密較為領先，高頻高速連接器廠商中，電連技術進展較快。未來國

內廠商有望逐步從內資廠、合資廠、海外

Tier1

及主機廠逐步滲透，打開市場空間。1.4

動力電池結構件：單車價值量高，市場空間廣闊結構件是動力鋰電池的重要組成部分。鋰電池由正極材料、負極材料、隔膜、電解液及精密結構件組成。

鋰電池精密結構件是指具有高尺寸精度、高表面質量、高性能要求等特性的，作為鋰電池外殼，起到傳輸能量、

承載電解液、保護安全性、固定支承電池、外觀裝飾等作用的部件，并根據(jù)應用環(huán)境的不同，具備可連接性、

抗震性、散熱性、防腐蝕性、防干擾性、抗靜電性等特征功能。結構件直接影響電池的密封性、能量密度，占

鋰電池成本約

16%，是鋰電池的重要組成部分。電動化推動動力鋰電池結構件市場規(guī)模增長。根據(jù)

IHSMarkit和

AutomobileGroup，2019

年，全球

92%

新增汽車仍為傳統(tǒng)燃油車，1%為輕混電動車（MHEV），7%為混動、插電混動和純電動等，預計到

2030

年

xEV（各類電動車，包括輕混）滲透率將達到

60%。隨著新能源車滲透率的不斷提升，動力電池精密結構件市

場規(guī)模將實現(xiàn)較快增長。根據(jù)一覽眾咨詢預測，2025

年國內動力電池結構件市場規(guī)模將達到

150

億元。新能源車結構件包括電芯、模組、Pack箱，單車價值量較高。新能源車結構件包括電芯結構件、模組結

構件、Pack箱結構件，其中單車價值量根據(jù)不同車型有所不同。一般來說，電芯結構件單車

1000-2000

元，模

組結構件約

300-500

元，Pack箱體約

2000-3000

元。由于結構件單車價值量較高，市場空間較大。鋰電池精密結構件具有工藝壁壘和資金壁壘。（1）工藝壁壘方面，鋰電池精密結構件對于工藝品質的要求

較高，尤其是核心部件防爆片、反轉片等關鍵技術，涉及到如防爆設計，焊接質量管理，模具設計及質量等行

業(yè)加工壁壘；（2）資金壁壘方面，金屬結構件相對重資產(chǎn)，設備投入較高，資金需求量大，對于廠商的規(guī)模也

提出一定要求。另外，鋰電池結構件的認證周期較長，供應關系相對穩(wěn)固，訂單能見度和穩(wěn)定性較高。鋰電池結構件市場格局相對集中，產(chǎn)業(yè)鏈向國內轉移。由于下游鋰電池生產(chǎn)行業(yè)集中度較高，從全球市場

來看，寧德時代、松下、比亞迪、LG化學、三星

SDI、國軒高科等前幾家領軍企業(yè)在整體鋰電池市場的總份

額已達較高水平，下游鋰電池企業(yè)龍頭企業(yè)對精密結構件價格、質量、性能和安全性都有著很高的要求，只有

少數(shù)具備高速精密模具制造能力的企業(yè)能夠滿足下游行業(yè)的要求，因此動力鋰電池精密結構件的市場格局也相

對集中。全球動力鋰電池精密結構件典型企業(yè)為韓國

SangsinEDP、日本

FujiSprings，中國領軍企業(yè)為科達利、

震?？萍?、長盈精密等企業(yè)。受益于鋰電池產(chǎn)業(yè)鏈向中國轉移的趨勢，國內優(yōu)質鋰電池精密結構件廠商有進一

步擴張的潛力。1.5

動力電池

FPC：有望逐步替代傳統(tǒng)線束方案，市場規(guī)?？焖僭鲩LFPC具有輕薄、高集成、可彎折、可打件優(yōu)勢，新能源車動力電池

FPC的場景和需求將迎增長。柔性電

路板（FPC）是以柔性覆銅板為基材制成的一種電路，可以作為信號傳輸?shù)拿浇?，應用于電子產(chǎn)品的連接，一

般可以分為單層

FPC、雙層

FPC、多層

FPC和軟硬結合板。隨著汽車電動化、智能化的發(fā)展，F(xiàn)PC電路板在

彎折性、減重、自動化程度等方面優(yōu)勢得以進一步體現(xiàn)。過去傳統(tǒng)燃油車用

FPC的地方不多，單車價值量大

約在

10

美金左右，新能源車時代

FPC的優(yōu)勢得到充分體現(xiàn)，根據(jù)戰(zhàn)新

PCB產(chǎn)業(yè)研究所預計，單車

FPC用量

將超過

100

片，包括屏幕、車燈等場景，其中，動力電池

FPC需求將大幅增長。動力電池領域，F(xiàn)PC柔性板主要用于

Pack環(huán)節(jié)的傳統(tǒng)線束替換，協(xié)助電池包的信息采集。傳統(tǒng)線束主要

為銅線外包塑料，每根線束連接一個電極，動力電池包一般需要多線束配合，對空間的擠占較大。而

FPC柔

性板相比于傳統(tǒng)動力電池線束，其安全性、電池包輕量化、工藝靈活性、自動化生產(chǎn)等方面有顯著優(yōu)勢。另外

FPC具有可打件性，F(xiàn)PC上集成

NTC、保險絲等，對動力電池包進行實時監(jiān)控溫度和電壓，將所采集數(shù)據(jù)反

饋至

BMS，在超過設定的安全范圍，采集板保險絲將及時熔斷，確保動力電池安全可靠工作。FPC電池軟板滲透率將繼續(xù)提升。隨著

FPC展現(xiàn)出的優(yōu)異性能和規(guī)?；a(chǎn)帶來的降本增效，F(xiàn)PC替代

傳統(tǒng)線束的趨勢愈發(fā)明顯。在

2018

年開始，寧德時代和比亞迪已經(jīng)開始在

pack環(huán)節(jié)批量應用

FPC，現(xiàn)在，

FPC方案已經(jīng)成為新能源汽車新車型的主要選擇，未來隨著新車型的不斷推出和新車型比例提升，F(xiàn)PC電池軟

板將有更大的滲透率和發(fā)展空間。隨著動力電池

FPC單車用量、價值量以及滲透率提升，市場規(guī)模迅速增長，預計

2025

年達到

350

億人民

幣以上。我們假設

FPC在新能源車動力電池中將逐步替代線束，2025

年的滲透率增長至

80%，單車

FPC價值

量

500

元逐步增長至

1000

元，單車

CCS價值量

1000-2000

元。預計

2025

年新能源車動力電池

FPC/CCS市場

規(guī)模為

350

億元以上，并將在

2030

年達到

800

億元，市場規(guī)模迅速增長。動力電池

FPC進入壁壘較高，傳統(tǒng)軟板廠商仍將占據(jù)優(yōu)勢供應地位。一方面，由于涉及電鍍環(huán)保問題，

新進入者很難拿到排污指標，另一方面，電池模組集成眾多元器件，雙層板和多層板有較高技術難度，由于電

池軟板長度較長，需要卷對卷工藝，以及新廠房設備的投入，軟板廠商規(guī)模和資金也有一定門檻。隨著國內動

力電池廠商擴產(chǎn)并逐漸提升市占率，國內動力電池

FPC廠商也將配套擴充產(chǎn)能，積極布局汽車電子，迎來更加廣闊的成長空間。二、半導體：2022

年需求結構或進一步分化，國產(chǎn)化持續(xù)推進2.1

2022

年需求結構或進一步分化，供給仍緊但結構性緩解2.1.1

2021

年整體景氣但需求結構出現(xiàn)分化，2022

年泛工業(yè)領域依然強勁通信、計算機、消費為半導體下游需求前三大市場。通信和計算機是芯片行業(yè)最大的兩個細分市場，

兩大市場合計占比超過

70%，其中通信和計算機的占比約為

36%，消費電子占比

12%，汽車占比

9%，工

業(yè)和其他應用占比

8%。2021

年需求端出現(xiàn)結構性分化，2022

年泛工業(yè)領域依然強勁。2020

年，半導體各大下游應用中，全

球手機、汽車、工業(yè)出現(xiàn)不同程度的下滑，其中手機出貨量下滑嚴重，而

PC、TV、服務器、5G基站需

求呈現(xiàn)增長，其中

PC和

5G基站增長強勁。2021

年，全球經(jīng)濟復蘇，終端消費市場回暖，手機、汽車需

求復蘇，而

PC、服務器、5G基站需求仍然保持增長，尤其是

PC，IDC上調了

2021

年全球

PC出貨量預

期，增速達到高雙位數(shù)，但下半年

PC有所調整。此外，工業(yè)需求伴隨經(jīng)濟復蘇逐步恢復。2022

年，隨著

疫情影響減弱，受益于疫情的需求預計回落，PC、TV等需求增速將回歸疫情前的正常水平。而

5G手機

持續(xù)滲透，智能手機需求穩(wěn)健，汽車、工業(yè)、服務器、新能源（光伏、風電）等需求仍然強勁。（1）消費：手機創(chuàng)新升級不止，泛消費類需求將回歸穩(wěn)健手機市場回暖復蘇疊加

5G持續(xù)滲透，預計

2022

年大盤穩(wěn)定增長。根據(jù)

IDC數(shù)據(jù)，2021

年智能手機出貨

量預計將達到

12.8

億臺，同比增長

7.4%，預計

2022

年智能手機出貨量將,14.3

部，同比增長

3.8%。全球

5G手

機滲透率持續(xù)提升，IDC預計

2021

年全球將出貨

5.7

億部

5G手機，5G滲透率達

43%，預計

2022

年

5G滲透

率將超

50%。國內方面，2021

年

1-9

月，5G手機累計出貨量

1.83

億部，同比增長

70.4%，占同期手機出貨量

的

73.8%。5G終端的“硅含量”大幅提升，拉動半導體需求大幅增長。相對

4G手機，5G手機

SoC的面積增加

25%，

RFTransceiver面積翻倍，電源管理芯片顆數(shù)為

2-3

倍，射頻前端為

1.5-2

倍。例如，高通

4G平臺需要

3-4

顆

PMIC，而驍龍

888

平臺需要

8-9

顆，下一代平臺需再增加

1

顆，聯(lián)發(fā)科天璣

1000

平臺需要

8-9

顆（不包括攝

像頭和快充）。5G手機滲透率持續(xù)提升，促進半導體需求大幅增長，對晶圓產(chǎn)能的消耗也大幅提升?？斐洹⒐鈱W等應用升級推動半導體增長?？斐淠軌驗橄M者減少充電等待時長，帶來良好體驗，滲透率正

在迅速提升。目前蘋果從

5V×1A、5V×2A升級至

18-20W快充，2021

年

10

月份發(fā)布的新款

MacBookPro也加

入了快充功能。安卓甚至開始推出

65W、120W及以上的快充，相比傳統(tǒng)充電頭，快充需要額外

1

顆同步整流

芯片和

1

顆協(xié)議芯片，ACDC的晶片面積變大，對功率器件的需求也同步增加。此外，光學升級仍為手機廠商

競爭的焦點，1

億像素大底

CIS開始滲透到中低端機型，面積更大的

CIS芯片要求更高的芯片制程和更大的晶

圓面積，對產(chǎn)能的需求也將提升。此外，新型終端涌現(xiàn)，隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，TWS耳機、掃定機器人、智能

安防、智慧電視等新型終端涌現(xiàn)，將消耗更多晶圓。根據(jù)我們的測算，手機相關的半導體中，電源管理芯片（2021/2022

年增速分別為

10.2%、9.2%，下同）、

CIS芯片（10.9%、5.6%）、指紋識別芯片（17.6%、15.8%）、顯示驅動

IC（7.2%、7.1%）、射頻芯片（10.5%、

9.1%）以及功率器件（8.1%、6.1%）等模擬芯片和功率器件的需求將持續(xù)增長。2021

年

PC市場高景氣，預計

2022

年需求回歸穩(wěn)健。疫情刺激了宅經(jīng)濟，全球筆電、平板等需求自

20Q2

以來強勁增長。全球筆電出貨量

20Q2-21Q1

分別同比增長

33.9%、36.4%、44.2%和

84.0%，平板電腦則分別增

長-16.1%、-3.5%、9.7%和

45.9%。但隨著海外防疫逐步解封，以

Chromebook為代表的消費類

PC（含桌面、

筆電、平板、工作站）需求增速有所放緩，21Q2-21Q3

筆電出貨量同比分別增長

12.3%和

2.7%，平板電腦出貨

量同比分別增長

4.8%和

18.0%。我們預計

2022

年全球

PC需求回歸穩(wěn)健，根據(jù)

IDC預測，2022

年全球

PC出

貨量將同比增長

1.2%。零組件缺貨緩解，2022

年

TV需求穩(wěn)健或微降。與

PC類似，在宅經(jīng)濟的刺激下，全球

TV需求同比增速

自

20Q2

開始回升。但隨著國內

TV需求調整、出口受海運周期拉長影響、面板價格回落促使品牌廠謹慎備貨，

21Q2

開始

TV出貨增速開始調整。整體來看，本輪

TV的景氣主要來自疫情刺激的宅家需求，也有玻璃基板、

驅動

IC等組件供應短缺的影響。往

2022

年看，我們認為疫情、體育賽事等催化因素仍在，零組件缺貨將緩解，

TV整體出貨量可能保持穩(wěn)定或微降。（2）服務器：云服務廠商資本開支維持高增速，AI、云計算等需求強勁在短期驅動力（宅經(jīng)濟）和長

期驅動力（AI、云計算）的作用下，全球云服務廠商加速采購服務器，20Q1-21Q2

服務器采購經(jīng)歷了先補庫存

后去庫存，目前需求恢復。短期來看，服務器需求企穩(wěn)，而全球云服務廠商的資本支出維持

40%上下的高增長，

我們判斷服務器需求有較強支撐。長期來看，云計算浪潮、AI、企業(yè)數(shù)字化轉型、物聯(lián)網(wǎng)等快速發(fā)展，將促使

企業(yè)增購服務器，IDC預計未來

5

年，全球服務器出貨量將保持

12%以上的復合增速。（3）汽車：新能源車高速增長，汽車半導體空間打開短期汽車大盤增長受阻，新能源車驅動成長。短期看，汽車大盤增長受阻，新能源車高速滲透。2021

年

1-10

月，國內乘用車銷量累計達

1685.5

萬輛，同比增長

9.0%，受

2021

年低基數(shù)影響，1-4

月乘用車月度銷量

高增長，5

月以來受芯片缺貨和疫情干擾影響，乘用車月度銷量同比均減少。相較于汽車大盤的增長受阻，國

內新能源車保持高速增長，1-10

月國內新能源車銷售量達

252.6

萬輛，同比增長

188.8%。長期看，政策與成本

雙重推動下，新能源車將逐步替代燃油車，預計

2030

年

xEV（各類電動車，包括輕混）滲透率將達到

60%，

而根據(jù)

IDC預測，2020-2025

年新能源車銷量復合增速將達到

34%。隨著汽車“新四化”推進，汽車半導體市場空間打開。車內的半導體，如功率、傳感器、存儲、計算、連

接等，需求都將迎來大幅成長。以功率半導體為例，新能源汽車普遍采用高壓電路，當電池輸出高壓時，需要

頻繁進行電壓變化，對電壓轉換電路需求提升，此外還需要大量的

DCAC逆變器、變壓器、換流器等，因此

對應

IGBT、MOSFET、二極管等功率器件的單價和需求量大幅增長。功率半導體單車價值量預計從傳統(tǒng)車的

40

美元將提升至

400-500

美元，成長

10

倍以上。（4）通訊&工業(yè)：5G基站建設持續(xù)推進，后疫情時期工業(yè)復蘇5G基站進入大規(guī)模建設期，拉動半導體需求快速增長。相對于

4G，5G通信頻譜分布在高頻段，而頻率

越大，信號衰減速度越快，因此

5G基站的建設密度更大。根據(jù)新

PCB產(chǎn)業(yè)研究所測算，4G基站的分布密度

為城市中心區(qū)域

500

米/個，郊區(qū)

1500

米/個，農(nóng)村

5000

米/個，5G基站的分布密度為城市中心區(qū)域

200-300

米/

個，郊區(qū)

500

米-1000

米/個，農(nóng)村

1500-2000

米/個，總體基站數(shù)量需求是

4G時期的

2-3

倍。2020-2025

年，中

國

5G基站建設迎來高峰期，預計共計新增

5G基站

381

萬站。5G基站大規(guī)模建設及其衍生的

5G應用迅速拓展，帶來各類半導體元件需求的快速增長。

全球

GDP增速修復，工業(yè)需求將隨之復蘇。2.1.2

2022

年產(chǎn)能供給仍緊，晶圓廠資本支出維持高位全球代工廠產(chǎn)能持續(xù)滿載，預計

2022

年整體產(chǎn)能仍緊。目前全球代工廠產(chǎn)能持續(xù)滿載，臺積電、聯(lián)電、

三星、世界先進、中芯國際、華虹半導體等代工廠的產(chǎn)能利用率持續(xù)維持高水位。其中，聯(lián)電

21Q3

產(chǎn)能利用

率達

100%，中芯國際

21Q3

產(chǎn)能利用率為

100.3%，華虹半導體

21Q3

產(chǎn)能利用率提升至

110.9%。從三家廠商

的產(chǎn)能利用率變化趨勢看，當前產(chǎn)能緊張尚未緩解，以華虹半導體為代表的廠商成熟制程產(chǎn)能更加緊張。我們

預計

2022

年，全球晶圓代工的產(chǎn)能整體上仍然緊張。設備拉貨迅速增長，2022

年有望突破千億美元。2021

年以來北美半導體設備單月出貨額突破

30

億美元，

7

月達到創(chuàng)新高的

38.6

億美元，8-9

月維持高位。日本半導體設備在

5

月達到

305.4

億日元，此后亦維持高位。

SEMI預計

2021

年全球半導體設備銷售總額將達到

953

億美元，同比提升

34%，2022

年有望突破

1000

億美元。硅片整體出貨高增，預計未來

12

英寸產(chǎn)能明顯增長。根據(jù)

SEMI預測，預計

2021

年全球硅片出貨面積達

140

億平方英寸，到

2024

年達

160

億平方英寸，復合增速達

6.6%。未來數(shù)年硅片產(chǎn)能擴充集中在

12

英寸，

2015-2020

年

12

英寸硅片產(chǎn)能復合增速為

8.7%，SUMCO預計未來

5

年

12

英寸硅片產(chǎn)能提速增長，復合增速

達到

11.5%，遠高于硅片整體增速。晶圓廠加大資本支出，2022

年將維持高位。從整體資本開支看，預計

2021-2022

年全球半導體廠商（含

IDM、Foundry、SATS）資本支出將分別達到

1420

億美元和

1564

億美元，分別同比增長

28.4%和

10.1%，未

來五年資本支出復合增速達

5.9%，維持在高位。設備支出構成晶圓廠資本支出的主要部分，2021

年晶圓廠設

備支出預計達

922

億美元，同比增長

44%，預計

2022

年進一步增長

8%至

996

億美元，設備支出維持高位。2.2

國產(chǎn)化持續(xù)推進，本土廠商迎來黃金發(fā)展期從全球視角看，國內半導體全球市占率較低。從上游到下游，半導體產(chǎn)業(yè)核心環(huán)節(jié)可分為：EDA、CoreIP、硅片、FAB設備、封裝設備、設計、制造、封測等。整體來看，中國半導體產(chǎn)業(yè)在全球的占有率約

6%。

其中，F(xiàn)AB設備、設計、制造三個環(huán)節(jié)附加值高，中國對應的全球占有率分別為

1%、5%、7%。而

EDA、

CoreIP和硅片三個關鍵環(huán)節(jié)雖然附加值相對較低，但競爭格局高度集中，中國對應的全球占有率分別為不足

1%、2%、4%。封測及封測設備方面，中國已有

14%和

9%的全球占有率。外依賴較重。經(jīng)過多年的發(fā)展，中國半導體在中低端應用上實現(xiàn)了

部分自給，如在消費電子（手機及移動互聯(lián)、玩具、家居）和安防等領域實現(xiàn)一定程度的自給，但高端應用

（如工業(yè)、汽車）和關鍵產(chǎn)品（如

IP、EDA、CPU、GPU、FPGA、高端設備及材料）仍然較大程度上對外依

賴。2.2.1

設計：產(chǎn)能緊缺加速國產(chǎn)替代，國內廠商有望實現(xiàn)份額提升和應用升級國內

IC設計市場近

4000

億，國內廠商已有較強競爭力。根據(jù)

Frost&Sullivan，中國

IC設計市場規(guī)模預計

在

2020

年達到

3841

億元人民幣，同比增長

16%。得益于國家大基金一期的重點投資和設計行業(yè)相對較低的進

入門檻，國內芯片設計眾多，在下游各個應用領域均有相關廠商，部分領域涌現(xiàn)出有相當競爭力的龍頭廠商，

如華為海思（基帶、AP等）、韋爾股份（CIS）、兆易創(chuàng)新（存儲、MCU、觸控）、恒玄科技（藍牙

SoC）等等，

但綜合實力（收入規(guī)模）僅海思一家曾進入全球前十。產(chǎn)能緊缺背景下，國內

IC設計廠商實現(xiàn)份額提升和應用升級。IC設計細分領域眾多，通過對比中美

IC設計廠商營收規(guī)模，我們發(fā)現(xiàn)中美

IC設計廠商規(guī)模差距巨大，且過去在

AP芯片、基帶芯片、通信芯片、物聯(lián)

網(wǎng)芯片、車載芯片等多個領域均以華為海思為主，其余廠商數(shù)量眾多但規(guī)模尚小，話語權較弱。在中美摩擦的

大背景下，一方面，國內

IC設計廠商正將產(chǎn)品加速導入終端客戶，填補華為海思留下的空白，加速國產(chǎn)替代；

另一方面，本土代工廠如華虹半導體、中芯國際、晶合、粵芯、積塔均有大幅擴產(chǎn)，并將產(chǎn)能分配給國內

IC設計廠商。加之疫情影響，海外廠商優(yōu)先保障國際大客戶的芯片供應，國內終端廠面臨缺芯困境，本土

IC設

計廠商有機會加速向高端的工業(yè)、車載場景突破，獲得市場份額提升，實現(xiàn)應用結構升級。2.2.2

設備：國內晶圓線迎來建設高峰，設備國產(chǎn)化率快速提升國內半導體設備需求高速增長，市場規(guī)模

2020

年躍居全球第一。受益于國內晶圓廠產(chǎn)能的高速擴張，中

國半導體設備銷售額近年來持續(xù)增長。2020

年全球半導體設備市場規(guī)模達

720

億美元，其中中國市場規(guī)模達

187

億美元，2018-2020

年在全球市場份額分別為

20%、23%、26%，逐年提升。2021-2022

年全球新建的高產(chǎn)能晶圓廠主要在中國大陸及中國臺灣。根據(jù)

SEMI統(tǒng)計，預計

2021

年全球開始建

設

19

座高產(chǎn)能晶圓廠，另有

10

座將于

2022

年動工，以滿足通訊、計算、健康監(jiān)測、線上服務及車用電子的

晶圓需求。兩年期間中國大陸新建晶圓廠數(shù)量達到

8

座，中國臺灣

8

座，美國

6

座。國內方面，晶圓產(chǎn)能進入密集建設、爬坡與投產(chǎn)期，直接利好設備廠商。以中芯國際和華虹半導體為代表

的邏輯

Foundry廠商，和以長江存儲、合肥長鑫為代表的

Memory廠商在招標中均迅速導入本土廠商。2021

年

國內迎來諸多晶圓新線建設，包括新項目落地，以及已有項目的二期建設或擴產(chǎn)開工，本土半導體資本開支持

續(xù)維持高位。國產(chǎn)半導體設備高度依賴進口，先進制程差距明顯。全球半導體設備市場主要被歐、美、日、韓主導，芯

片制造及封測各個關鍵環(huán)節(jié)（包括硅片加工、光刻、薄膜沉積、刻蝕清洗、過程控制、CMP、離子注入、封裝、

測試等）市場集中度均較高，大部分環(huán)節(jié)全球前兩名的國家合計市占率超

80%。國內半導體設備全球市占率極

低，硅片加工設備、離子注入機和光刻機全球市占率不足

1%，且自給率處于低水平，依賴進口。此外，國產(chǎn)

半導體設備集中應用在成熟制程，先進制程設備較少。以光刻機為例，上海微電子最先進的光刻機型號為

SSA600/200，其能夠用于

90nm工藝制程，而

ASML的

EUV光刻機可用于

3nm工藝制程，國產(chǎn)光刻機與荷蘭

ASML光刻機技術差距明顯。2.2.3

材料：國內市場持續(xù)高增長，材料環(huán)節(jié)迎來黃金發(fā)展期國內半導體材料需求持續(xù)高增，全球占比大幅提升。2020

年全球半導體材料市場規(guī)模約

554

億美元，其

中中國大陸市場規(guī)模為

97.63

億美元，占全球比例為

17.6%，位居全球第二，僅次于中國臺灣。與全球市場時

有衰退不同，中國半導體材料市場從

2010

年開始持續(xù)高增長，2016

年至

2018

年連續(xù)

3

年以大于

10%的增速成

長，2010

年全球占比為

9.6%，到

2020

年增長至

18.7%，未來有望進一步提升。晶圓廠擴產(chǎn)推動國產(chǎn)半導體材料的認證和導入，產(chǎn)能爬坡后將釋放巨大需求。根據(jù)前文統(tǒng)計，

以約當

8

英寸產(chǎn)能合計，2021

年產(chǎn)能將同比增長

40%，整體規(guī)劃產(chǎn)能相當于

2020

年的

286%。國內半導體材

料在得到客戶驗證和市場驗證之后，借助晶圓廠產(chǎn)能增長的大趨勢，業(yè)績將迎來高速增長。

國內半導體材料集中在中低端市場，高端市場主要被歐美日韓主導。國內大部分產(chǎn)品自給率較低，基本不

足

30%，自給率相對較高的為技術壁壘較低的封裝材料，晶圓制造材料如光刻膠、硅片、CMP拋光液/墊、濺

射靶材等主要依賴進口。此外，國內半導體材料集中用于

6

英寸及以下晶圓線，僅有少數(shù)廠商開始打入國內

8

英寸、12

英寸晶圓線。借助產(chǎn)業(yè)扶持政策，國產(chǎn)材料進入黃金發(fā)展期。過去

10

年，以

02

專項、國家重點研發(fā)計劃為代表的產(chǎn)業(yè)

政策和專項補貼推動了國產(chǎn)半導體材料從無到有的發(fā)展，本土企業(yè)數(shù)量大幅增長。當前國內半導體材料發(fā)展正

迎來突破，以滬硅產(chǎn)業(yè)的大硅片、華懋科技（徐州博康）的光刻膠、江化微的超純試劑、鼎龍股份的

CMP拋

光墊、江豐電子的靶材、安集科技的拋光液為代表的國產(chǎn)半導體材料進入國內主要晶圓線進行上線驗證，部分產(chǎn)品實現(xiàn)了批量供應。同時，大基金的進入大力推動了國產(chǎn)材料的產(chǎn)業(yè)資源整合和海外人才引入。目前產(chǎn)業(yè)總

體處于起步階段，未來

5-10

年將是國內半導體材料的黃金發(fā)展時期。2.2.4

EDA：受益于國產(chǎn)替代契機，正迅速成長壯大全球

EDA市場規(guī)模約百億，行業(yè)格局從百家爭鳴演變?yōu)楦叨葔艛?。全?/p>

EDA市場近年來保持較高增長，

2020

年市場規(guī)模增長至

114

億美元，同比增長

8.6%，近五年復合增速達

7.6%。經(jīng)過不斷的市場洗牌，EDA行

業(yè)已經(jīng)從

20

世紀的百家爭鳴收縮到目前的三巨頭三大龍頭，成為一個高度壟斷的行業(yè)。Cadence、S