硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)課件

硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)記憶體篇硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)記憶體篇1微電腦的基本結(jié)構(gòu)位址匯流排(AddressBus)：負(fù)責(zé)傳送CPU所要存取資料的位址，它可以決定CPU所能處理的記憶體容量，Ｎ條位址線可以擁有2的N次方的記憶空間，而其位址為0至2的N次方來減1。資料匯流排(DataBus)：負(fù)責(zé)傳送CPU所要存取的資料，其線數(shù)的多少代表CPU的字組Word，亦即CPU一次所能存取資料的基本單位，常稱N位元CPU亦就是此CPU有N條資料線?？刂茀R流排(ControlBus)：負(fù)責(zé)傳送CPU所發(fā)出的控制訊號(hào)。微電腦的基本結(jié)構(gòu)位址匯流排(AddressBus)：負(fù)2記憶體的速度記憶體的速度是以每筆CPU與記憶體間資料處理所耗費(fèi)的時(shí)間來計(jì)算，稱為匯流排循環(huán)(buscycle),以奈秒(ns)為單位。目前SIMM的速度範(fàn)圍在50奈秒至70奈秒間；而同步型(synchronous)DRAM則擁有不同單位來計(jì)算記憶體速度。例如:100MHz，125MHz，133MHz.等記憶體的速度記憶體的速度是以每筆CPU與記憶體間資料處理所耗3ECCECC(ErrorCheckingandCorrection)錯(cuò)誤檢查並更正記憶體即使再穩(wěn)定,還是有可能錯(cuò),資料錯(cuò)的時(shí)候就會(huì)造成當(dāng)機(jī),或是不正確的計(jì)算結(jié)果.ECC比同位檢查更複雜,但是能檢核出錯(cuò)誤並更正,所以常運(yùn)用在工作站的主機(jī),或是一些高等用途中,相對的價(jià)錢就貴得多ECCECC(ErrorCheckingandCo4Parity和ECC的比較同位檢查碼(paritycheckcodes)被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼(errordetectioncodes)上，他們增加一個(gè)檢查位元給每個(gè)資料的字元(或位元組)，並且能夠偵測到一個(gè)字元中所有奇同位的錯(cuò)誤。在記憶體中，錯(cuò)誤修正碼(ECC)能夠容許錯(cuò)誤。一個(gè)有ECC的系統(tǒng)，不僅能容許錯(cuò)誤，並可以將錯(cuò)誤更正，使系統(tǒng)得以持續(xù)正常操作，不致因錯(cuò)誤而中斷。Parity和ECC的比較同位檢查碼(paritychec5CASLatency(預(yù)充電時(shí)間)通常簡稱CL。例如CL=3，表示電腦系統(tǒng)自主記憶體讀取第一筆資料時(shí)，所需的準(zhǔn)備時(shí)間為3個(gè)外部時(shí)脈(Systemclock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準(zhǔn)備時(shí)間，相差一個(gè)時(shí)脈，對整個(gè)系統(tǒng)的效能並無顯著影響。CASLatency(預(yù)充電時(shí)間)通常簡稱CL。例如CL=6RAM,ROM&PROM隨機(jī)存取記憶體(RAM)這是一種主要的記憶體。當(dāng)它本身被執(zhí)行時(shí)，RAM的記憶體可被讀取和寫入。它必須是由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦關(guān)掉電源，所有存在RAM的資料都會(huì)流失掉。唯讀記憶體(ROM)電腦必須要有唯讀記憶體才能正常開機(jī)，ROM只能讀資料，無法被寫入。程式規(guī)畫的唯讀記憶體(PROM)是一種可存程式的記憶體，它一旦被寫入資料，若有錯(cuò)誤，是無法改變的，且無法再存其他資料，像ROM一樣PROM是不易被改變的。RAM,ROM&PROM隨機(jī)存取記憶體(RAM)7DRAM&SRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM;DynamicRandomAccessMemory)DRAM是DynamicRandomAccessMemory的縮寫，通常是電腦內(nèi)的主記憶體，所謂動(dòng)態(tài)的意義是指記憶體須持續(xù)地存取，不然資料會(huì)不見。靜態(tài)隨機(jī)處理記憶體(SRAM;StaticRandomAccessMemory)SRAM是StaticRandomAccessMemory的縮寫，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理記憶體處理速度更快更穩(wěn)定。所謂靜態(tài)的意義是指記憶體資料可以常駐而不須隨時(shí)存取。因?yàn)榇朔N特性，靜態(tài)隨機(jī)處理記憶體通常被用來做快取記憶體。DRAM&SRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM;Dy8DRAM型態(tài)FPM(FastPageMode)EDO(ExtendedDataOut)SDRAM(SynchronousDRAM)DDRDDRIIDRDRAMDRAM型態(tài)FPM(FastPageMode)9FPM(FastPageMode)FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)（Pages），從512bits到數(shù)Kilobytes不等．其特色為不需等到重新讀取時(shí)，就可讀取各page內(nèi)的資料。FPM(FastPageMode)FPM將記憶體內(nèi)部10EDO(ExtendedDataOut)這是Intel在SDRAM還沒普及之前,為了加強(qiáng)記憶體工作的效率而設(shè)計(jì)的規(guī)格.因?yàn)镋DO的記憶體是32位元的模組,而cpu一次要抓64位元的資料,所以一次要向兩條EDO的模組抓資料.因此,必須以2的倍數(shù)的方式插到主機(jī)板上,如果插上單數(shù)的EDO記憶體模組,有些主機(jī)板就不能正常工作了EDO的讀取速度比FPM快１２到３０倍．因?yàn)樵诿恳谎h(huán)時(shí)間（CycleTime）它可更快延伸資料的有效性。EDO(ExtendedDataOut)這是Intel11SDRAM(SynchronousDRAM)SynchronousDRAM是一種新的DRAM架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。所謂clock同步是指記憶體時(shí)脈與CPU的時(shí)脈能同步存取資料。SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及資料傳輸?shù)臅r(shí)間，故可提升電腦效率。這是DRAM的加強(qiáng)板.簡單的說,就是在原來沒有時(shí)脈訊號(hào)的DRAM上加上時(shí)脈訊號(hào),但實(shí)際技術(shù)上更複雜,速度比DRAM快了六倍,同時(shí)也不限制插在主機(jī)板上的模組數(shù)量,可以隨意插一兩支SDRAM(SynchronousDRAM)Synchr12PC100DIMM支援CPU外部頻率(對外的工作頻率)是100MHzPC133DIMMPC133DIMM是適用於系統(tǒng)外頻133MHz的記憶體模組，整個(gè)架構(gòu)是沿續(xù)目前廣為運(yùn)用的PC100，使用的顆粒為Clock頻率達(dá)133MHz且ClockAccessTime在5.4奈秒之內(nèi)的SDRAM，整體的性能比PC100高出許多。PC100DIMM13DDRDDR是一種更高速的同步記憶體。DDRSDRAM記憶體晶片及模組規(guī)格與標(biāo)準(zhǔn)皆是由一些半導(dǎo)體廠商所組成的JEDEC協(xié)會(huì)所制定的。DDR的設(shè)計(jì)是應(yīng)用在伺服器、工作站及資料傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng)。DDR在每一個(gè)Clock的上升緣(Rising)和下降緣(Falling)均輸出資料，不同於SDRAM只在上升緣才輸出資料DDRDDR是一種更高速的同步記憶體。DDRSDRAM記14它將PC-133的工作時(shí)脈加倍，利用頻寬64位元的匯流排，配合和RAMBUS相同的雙邊觸發(fā)技術(shù)，使得DDR在266MHz的工作時(shí)脈下，可達(dá)到8*266=2.128GBps的傳輸效率。DDRSDRAM使用和目前PC-100或是PC-133相同的記憶體晶片，所以它不如RAMBUS需要較高的技術(shù)門檻，而且不須要支付RAMBUS高額的權(quán)利金，被視為下一代的記憶體標(biāo)準(zhǔn)。它將PC-133的工作時(shí)脈加倍，利用頻寬64位元的匯流排，配15DDR1600及DDR2100兩種:DDR1600(又稱PC1600／DDR200)﹕是指符合DDR1600標(biāo)準(zhǔn)的記憶體在100MHZ頻率下運(yùn)行可以得到200MHZ匯流排的頻寬。該標(biāo)準(zhǔn)的記憶體只有64Bit，對於目前的PC系統(tǒng)而言，可提供1600MB／S的頻寬DDR2100(又稱PC2100／DDR266)﹕是指在符合DDR2100準(zhǔn)的記憶體在133MHZ頻率下運(yùn)行可以到266MHZ匯流排的頻寬，其傳輸速度最大能達(dá)到2100MB／S的頻寬。DDR1600及DDR2100兩種:16DDRIIDDRII是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟於1999年解散後將既有的研發(fā)成果與DDR整合之後的未來新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。DDRIIDDRII是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟於19917DRDRAM由1990年MikeFarmwald與MarkHorowitz創(chuàng)立的Rambus公司，以開發(fā)高速串列式專屬記憶體介面技術(shù)為目標(biāo)。初期並沒有很順利的被推廣，直到1994年7月日本任天堂（Nintendo）在Nintendo64遊戲主機(jī)採用Rambus為記憶體架構(gòu)之後，Rambus記憶體技術(shù)才開始獲得業(yè)界重視，Rambus並且以可隨著時(shí)脈而延伸的高效能特性，在1997年獲得Intel青睞，合作開發(fā)下一代電腦平臺(tái)所需要的記憶體與晶片組技術(shù)，稱為DirectRambusDRAM（DRDRAM）。DRDRAM由1990年MikeFarmwald與Mark18硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)課件19亦作DirectRambusDRAM或DRDRAM。是下一代的主流記憶體標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus公司所設(shè)計(jì)發(fā)展出來，交由世界各大主要記憶體製造廠商生產(chǎn)，生產(chǎn)的廠商必交付Rambus公司權(quán)利金。Intel將自1999年起正式支援Rambus相關(guān)技術(shù)。亦作DirectRambusDRAM或DRDRAM。是20DRDRAM一個(gè)通道的記憶體資料寬度為16位元，系統(tǒng)控制時(shí)脈可高達(dá)400MHz，利用一個(gè)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的時(shí)脈上升與下降之間雙向傳輸資料，一個(gè)通道下的傳輸速率為400MHz×2×16Bits＝1.6GB／s，是PC100記憶體（100MHz×64bits＝800MB／s）頻寬的兩倍。而且DRDRAM記憶體系統(tǒng)也可以展延出2個(gè)或4個(gè)通道，讓頻寬倍增。DRDRAM一個(gè)通道的記憶體資料寬度為16位元，系統(tǒng)控制時(shí)脈2116bits16bits2232bits32bits23常見DRAM的比較資料寬度(bit)時(shí)脈(MHz)資料寬度*時(shí)脈/8傳輸率(B/s)SDRAM6466100133528M800M1064MDDRSDRAM6466*2=132100*2=200133*2=2661G1.6G2.1GDRDRAM168001.6G常見DRAM的比較資料寬度時(shí)脈資料寬度*時(shí)脈/8傳輸率SDR24記憶體模組(MemoryModule)提到記憶體模組是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體晶片(chips)。而這記憶體晶片通常是DRAM晶片，但近來系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取(隱藏)式晶片鑲嵌在記憶體模組上。記憶體模組是安裝在PC的主機(jī)板上的專用插槽（Slot）上。鑲嵌在Module上DRAM晶片(chips)的數(shù)量和個(gè)別晶片(chips)的容量，是決定記憶體模組的設(shè)計(jì)的主要因素。記憶體模組(MemoryModule)提到記憶體模組是2530pin/72pin記憶體模組(SIMM：SingleIn-LineMemoryModule)一條記憶體模組是一片小型印刷電路板，它是由許多動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體晶片所組成，而且是設(shè)計(jì)用來插入主機(jī)板上的插槽。72腳位的單面記憶體模組是用來支援32位元的電腦。一條30腳位的記憶體模組是用來支援8位元的資料處理量，而72腳位的記憶體模組是用來支援32位元的資料處理量。因此，例如一次可處理64位元的英代爾奔騰系列的中央處理器，你需要8條30腳位的記憶體模組來支援它。在另一方面來說，你會(huì)需要2條72腳位的記憶體模組來支援英代爾奔騰系列的中央處理器。

30pin/72pin記憶體模組(SIMM：Single26168pin雙面記憶體模組(DIMM：DualIn-LineMemoryModule)一條168pin記憶體模組是一片小型印刷電路板，它是由許多動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體晶片所組成。它是用來支援64位元或是更寬的匯流排，通常用在64位元的桌上型電腦或是伺服器。168pin雙面記憶體模組(DIMM：DualIn-Lin27144pin記憶體模組

(SODIMM：Small-OutlineDualIn-LineMemoryModule)一條SODIMM是一片小型印刷電路板，它是由許多動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體晶片所組成。它是用來支援64位元或是更寬的匯流排，通常用在64位元的筆記型電腦。144pin記憶體模組

(SODIMM：Small-Outl28184pinRambus記憶體模組：採用DirectRDRAM的記憶體模組，稱之為RIMM模組，該模組有184pin腳，資料的輸出方式為串列，與現(xiàn)行使用的DIMM模組168pin，並列輸出的架構(gòu)有很大的差異。RIMM模組是下一世代的記憶體模組主要規(guī)格之一。它是Intel公司於1999年推出晶片組所支援的記憶體模組。其頻寬高達(dá)1.6Gbyte/sec。184pinRambus記憶體模組：採用DirectR29硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)記憶體篇硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)記憶體篇30微電腦的基本結(jié)構(gòu)位址匯流排(AddressBus)：負(fù)責(zé)傳送CPU所要存取資料的位址，它可以決定CPU所能處理的記憶體容量，Ｎ條位址線可以擁有2的N次方的記憶空間，而其位址為0至2的N次方來減1。資料匯流排(DataBus)：負(fù)責(zé)傳送CPU所要存取的資料，其線數(shù)的多少代表CPU的字組Word，亦即CPU一次所能存取資料的基本單位，常稱N位元CPU亦就是此CPU有N條資料線?？刂茀R流排(ControlBus)：負(fù)責(zé)傳送CPU所發(fā)出的控制訊號(hào)。微電腦的基本結(jié)構(gòu)位址匯流排(AddressBus)：負(fù)31記憶體的速度記憶體的速度是以每筆CPU與記憶體間資料處理所耗費(fèi)的時(shí)間來計(jì)算，稱為匯流排循環(huán)(buscycle),以奈秒(ns)為單位。目前SIMM的速度範(fàn)圍在50奈秒至70奈秒間；而同步型(synchronous)DRAM則擁有不同單位來計(jì)算記憶體速度。例如:100MHz，125MHz，133MHz.等記憶體的速度記憶體的速度是以每筆CPU與記憶體間資料處理所耗32ECCECC(ErrorCheckingandCorrection)錯(cuò)誤檢查並更正記憶體即使再穩(wěn)定,還是有可能錯(cuò),資料錯(cuò)的時(shí)候就會(huì)造成當(dāng)機(jī),或是不正確的計(jì)算結(jié)果.ECC比同位檢查更複雜,但是能檢核出錯(cuò)誤並更正,所以常運(yùn)用在工作站的主機(jī),或是一些高等用途中,相對的價(jià)錢就貴得多ECCECC(ErrorCheckingandCo33Parity和ECC的比較同位檢查碼(paritycheckcodes)被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼(errordetectioncodes)上，他們增加一個(gè)檢查位元給每個(gè)資料的字元(或位元組)，並且能夠偵測到一個(gè)字元中所有奇同位的錯(cuò)誤。在記憶體中，錯(cuò)誤修正碼(ECC)能夠容許錯(cuò)誤。一個(gè)有ECC的系統(tǒng)，不僅能容許錯(cuò)誤，並可以將錯(cuò)誤更正，使系統(tǒng)得以持續(xù)正常操作，不致因錯(cuò)誤而中斷。Parity和ECC的比較同位檢查碼(paritychec34CASLatency(預(yù)充電時(shí)間)通常簡稱CL。例如CL=3，表示電腦系統(tǒng)自主記憶體讀取第一筆資料時(shí)，所需的準(zhǔn)備時(shí)間為3個(gè)外部時(shí)脈(Systemclock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準(zhǔn)備時(shí)間，相差一個(gè)時(shí)脈，對整個(gè)系統(tǒng)的效能並無顯著影響。CASLatency(預(yù)充電時(shí)間)通常簡稱CL。例如CL=35RAM,ROM&PROM隨機(jī)存取記憶體(RAM)這是一種主要的記憶體。當(dāng)它本身被執(zhí)行時(shí)，RAM的記憶體可被讀取和寫入。它必須是由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦關(guān)掉電源，所有存在RAM的資料都會(huì)流失掉。唯讀記憶體(ROM)電腦必須要有唯讀記憶體才能正常開機(jī)，ROM只能讀資料，無法被寫入。程式規(guī)畫的唯讀記憶體(PROM)是一種可存程式的記憶體，它一旦被寫入資料，若有錯(cuò)誤，是無法改變的，且無法再存其他資料，像ROM一樣PROM是不易被改變的。RAM,ROM&PROM隨機(jī)存取記憶體(RAM)36DRAM&SRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM;DynamicRandomAccessMemory)DRAM是DynamicRandomAccessMemory的縮寫，通常是電腦內(nèi)的主記憶體，所謂動(dòng)態(tài)的意義是指記憶體須持續(xù)地存取，不然資料會(huì)不見。靜態(tài)隨機(jī)處理記憶體(SRAM;StaticRandomAccessMemory)SRAM是StaticRandomAccessMemory的縮寫，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理記憶體處理速度更快更穩(wěn)定。所謂靜態(tài)的意義是指記憶體資料可以常駐而不須隨時(shí)存取。因?yàn)榇朔N特性，靜態(tài)隨機(jī)處理記憶體通常被用來做快取記憶體。DRAM&SRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM;Dy37DRAM型態(tài)FPM(FastPageMode)EDO(ExtendedDataOut)SDRAM(SynchronousDRAM)DDRDDRIIDRDRAMDRAM型態(tài)FPM(FastPageMode)38FPM(FastPageMode)FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)（Pages），從512bits到數(shù)Kilobytes不等．其特色為不需等到重新讀取時(shí)，就可讀取各page內(nèi)的資料。FPM(FastPageMode)FPM將記憶體內(nèi)部39EDO(ExtendedDataOut)這是Intel在SDRAM還沒普及之前,為了加強(qiáng)記憶體工作的效率而設(shè)計(jì)的規(guī)格.因?yàn)镋DO的記憶體是32位元的模組,而cpu一次要抓64位元的資料,所以一次要向兩條EDO的模組抓資料.因此,必須以2的倍數(shù)的方式插到主機(jī)板上,如果插上單數(shù)的EDO記憶體模組,有些主機(jī)板就不能正常工作了EDO的讀取速度比FPM快１２到３０倍．因?yàn)樵诿恳谎h(huán)時(shí)間（CycleTime）它可更快延伸資料的有效性。EDO(ExtendedDataOut)這是Intel40SDRAM(SynchronousDRAM)SynchronousDRAM是一種新的DRAM架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。所謂clock同步是指記憶體時(shí)脈與CPU的時(shí)脈能同步存取資料。SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及資料傳輸?shù)臅r(shí)間，故可提升電腦效率。這是DRAM的加強(qiáng)板.簡單的說,就是在原來沒有時(shí)脈訊號(hào)的DRAM上加上時(shí)脈訊號(hào),但實(shí)際技術(shù)上更複雜,速度比DRAM快了六倍,同時(shí)也不限制插在主機(jī)板上的模組數(shù)量,可以隨意插一兩支SDRAM(SynchronousDRAM)Synchr41PC100DIMM支援CPU外部頻率(對外的工作頻率)是100MHzPC133DIMMPC133DIMM是適用於系統(tǒng)外頻133MHz的記憶體模組，整個(gè)架構(gòu)是沿續(xù)目前廣為運(yùn)用的PC100，使用的顆粒為Clock頻率達(dá)133MHz且ClockAccessTime在5.4奈秒之內(nèi)的SDRAM，整體的性能比PC100高出許多。PC100DIMM42DDRDDR是一種更高速的同步記憶體。DDRSDRAM記憶體晶片及模組規(guī)格與標(biāo)準(zhǔn)皆是由一些半導(dǎo)體廠商所組成的JEDEC協(xié)會(huì)所制定的。DDR的設(shè)計(jì)是應(yīng)用在伺服器、工作站及資料傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng)。DDR在每一個(gè)Clock的上升緣(Rising)和下降緣(Falling)均輸出資料，不同於SDRAM只在上升緣才輸出資料DDRDDR是一種更高速的同步記憶體。DDRSDRAM記43它將PC-133的工作時(shí)脈加倍，利用頻寬64位元的匯流排，配合和RAMBUS相同的雙邊觸發(fā)技術(shù)，使得DDR在266MHz的工作時(shí)脈下，可達(dá)到8*266=2.128GBps的傳輸效率。DDRSDRAM使用和目前PC-100或是PC-133相同的記憶體晶片，所以它不如RAMBUS需要較高的技術(shù)門檻，而且不須要支付RAMBUS高額的權(quán)利金，被視為下一代的記憶體標(biāo)準(zhǔn)。它將PC-133的工作時(shí)脈加倍，利用頻寬64位元的匯流排，配44DDR1600及DDR2100兩種:DDR1600(又稱PC1600／DDR200)﹕是指符合DDR1600標(biāo)準(zhǔn)的記憶體在100MHZ頻率下運(yùn)行可以得到200MHZ匯流排的頻寬。該標(biāo)準(zhǔn)的記憶體只有64Bit，對於目前的PC系統(tǒng)而言，可提供1600MB／S的頻寬DDR2100(又稱PC2100／DDR266)﹕是指在符合DDR2100準(zhǔn)的記憶體在133MHZ頻率下運(yùn)行可以到266MHZ匯流排的頻寬，其傳輸速度最大能達(dá)到2100MB／S的頻寬。DDR1600及DDR2100兩種:45DDRIIDDRII是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟於1999年解散後將既有的研發(fā)成果與DDR整合之後的未來新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。DDRIIDDRII是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟於19946DRDRAM由1990年MikeFarmwald與MarkHorowitz創(chuàng)立的Rambus公司，以開發(fā)高速串列式專屬記憶體介面技術(shù)為目標(biāo)。初期並沒有很順利的被推廣，直到1994年7月日本任天堂（Nintendo）在Nintendo64遊戲主機(jī)採用Rambus為記憶體架構(gòu)之後，Rambus記憶體技術(shù)才開始獲得業(yè)界重視，Rambus並且以可隨著時(shí)脈而延伸的高效能特性，在1997年獲得Intel青睞，合作開發(fā)下一代電腦平臺(tái)所需要的記憶體與晶片組技術(shù)，稱為DirectRambusDRAM（DRDRAM）。DRDRAM由1990年MikeFarmwald與Mark47硬件支援及系統(tǒng)安裝與維護(hù)課件48亦作DirectRambusDRAM或DRDRAM。是下一代的主流記憶體標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus公司所設(shè)計(jì)發(fā)展出來，交由世界各大主要記憶體製造廠商生產(chǎn)，生產(chǎn)的廠商必交付Rambus公司權(quán)利金。Intel將自1999年起正式支援Rambus相關(guān)技術(shù)。亦作DirectRambusDRAM或DRDRAM。是49DRDRAM一個(gè)通道的記憶體資料寬度為16位元，系統(tǒng)控制時(shí)脈可高達(dá)400MHz，利用一個(gè)驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的時(shí)脈上升與下降之間雙向傳輸資料，一個(gè)通道下的傳輸速率為400MHz×2×16Bits＝1.6GB／s，是PC100記憶體（100MHz×64bits＝800MB／s）頻寬的兩倍。而且DRDRAM記憶體系統(tǒng)也可以展延出2個(gè)或4個(gè)通道，讓頻寬倍增。DRDRAM一個(gè)通道的記憶體資料寬度為16位元，系統(tǒng)控制時(shí)脈5016bits16bits5132bits32bits52常見DRAM的比較資料寬度(bit)時(shí)脈(MHz)資料寬度*時(shí)脈/8傳輸率(B/s)SDRAM6466100133528M800M1064MDDRSDRAM6466*2=132100*2=200133*2=2661G1.6G2.1GDRDRAM168001.6G常見DRAM的比較資料寬度時(shí)脈資料寬度*時(shí)脈/8傳輸率S