電感式電渦流

關于電感式電渦流第一頁，共八十一頁，2022年，8月28日在金屬導體內(nèi)產(chǎn)生的渦流存在趨膚效應，即渦流滲透的深度與傳感器激勵電流的頻率有關。根據(jù)電渦流在導體內(nèi)的滲透情況，電渦流傳感器分為：高頻反射式低頻投射式第二頁，共八十一頁，2022年，8月28日

4.3.1工作原理第三頁，共八十一頁，2022年，8月28日

傳感器線圈通以正弦交變電流I1時，線圈周圍空間必然產(chǎn)生正弦交變磁場H1，使金屬導體產(chǎn)生感應電渦流I2，

I2又產(chǎn)生新的交變磁場H2。第四頁，共八十一頁，2022年，8月28日

根據(jù)愣次定律，H2的作用將阻礙原磁場H1

的變化。由于磁場H2的作用，渦流要消耗一部分能量，導致傳感器線圈的等效阻抗發(fā)生變化。第五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

由上可知，線圈阻抗的變化完全取決于被測金屬導體的電渦流效應。電渦流效應既與被測體的ρ、μ以及幾何形狀有關，第六頁，共八十一頁，2022年，8月28日

還與激磁線圈的幾何參數(shù)、激磁線圈中激磁電流頻率f有關，同時還與激磁線圈與導體間的距離x有關。傳感器線圈受電渦流影響時的等效阻抗Z的函數(shù)關系式為：第七頁，共八十一頁，2022年，8月28日

Z=F(ρ,μ,r,f,x)r為激磁線圈與被測體的尺寸因子。如果保持上式中其它參數(shù)不變，而只改變其中一個參數(shù)，傳感器線圈阻抗Z就僅僅是這個參數(shù)的單值函數(shù)。第八頁，共八十一頁，2022年，8月28日

通過與傳感器配用的測量電路測出阻抗Z的變化量，即可實現(xiàn)對該參數(shù)的測量。

4.3.2基本特性第九頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流式傳感器簡化模型

第十頁，共八十一頁，2022年，8月28日

在被測金屬導體上形成的電渦流可等效為一個短路環(huán)，即假設電渦流僅分布在環(huán)體之內(nèi)。

第十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流的軸向貫穿深度h

貫穿深度是指把電渦流強度減小到表面強度的

1/e

（0.37）處的表面厚度。

f為線圈激磁電流的頻率。

第十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流式傳感器簡化模型

第十三頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流的等效電路圖。

第十四頁，共八十一頁，2022年，8月28日

R2為電渦流短路環(huán)等效電阻

第十五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流式傳感器簡化模型

第十六頁，共八十一頁，2022年，8月28日

第十七頁，共八十一頁，2022年，8月28日

根據(jù)基爾霍夫第二定律第十八頁，共八十一頁，2022年，8月28日ω——線圈激磁電流角頻率；R1——線圈電阻；L1——線圈電感；L2——短路環(huán)等效電感；R2——短路環(huán)等效電阻；M——互感系數(shù)。

第十九頁，共八十一頁，2022年，8月28日等效阻抗Z為

第二十頁，共八十一頁，2022年，8月28日

Req—線圈受電渦流影響后的等效電阻

第二十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日

線圈的等效品質因數(shù)Q值為

第二十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日

4.3.3電渦流形成范圍

1.電渦流的徑向形成范圍線圈與導體系統(tǒng)產(chǎn)生的電渦流密度既是線圈與導體間距離x的函數(shù)，又是沿線圈半徑方向r的函數(shù)。第二十三頁，共八十一頁，2022年，8月28日

當x一定時，電渦流密度J與半徑r的關系曲線如圖4-25所示。第二十四頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流密度J與半徑r的關系曲線

第二十五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

J0為金屬導體表面電渦流密度，即電渦流密度最大值。

Jr為半徑r處的金屬導體表面電渦流密度。第二十六頁，共八十一頁，2022年，8月28日①電渦流徑向形成范圍大約在傳感器線圈外徑ras的1.8～2.5倍范圍內(nèi)，且分布不均勻。第二十七頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流密度J與半徑r的關系曲線

第二十八頁，共八十一頁，2022年，8月28日

②電渦流密度在ri=0處為零。③電渦流的最大值在r=ras附近的一個狹窄區(qū)域內(nèi)。④可以用一個平均半徑為 的短路環(huán)來集中表示分散的電渦流（圖中陰影部分）。第二十九頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流密度J與半徑r的關系曲線

第三十頁，共八十一頁，2022年，8月28日

2.電渦流強度與距離的關系當x改變時，電渦流密度也發(fā)生變化，即電渦流強度隨距離x的變化而變化。第三十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日

金屬導體表面的電渦流強度第三十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日I1——線圈激勵電流；I2——金屬導體中等效電流；x——線圈到金屬導體表面距離；ras——線圈外徑。

第三十三頁，共八十一頁，2022年，8月28日電渦流強度與距離歸一化曲線第三十四頁，共八十一頁，2022年，8月28日

金屬導體表面的電渦流強度第三十五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

①電渦流強度與距離x呈非線性關系，且隨著x/ras的增加而迅速減小。②當利用電渦流式傳感器測量位移時，只有在x/ras<<1(一般取0.05～0.15)的條件下才能得到較好的線性和較高的靈敏度。

第三十六頁，共八十一頁，2022年，8月28日

金屬導體表面的電渦流強度第三十七頁，共八十一頁，2022年，8月28日電渦流強度與距離歸一化曲線第三十八頁，共八十一頁，2022年，8月28日

3.電渦流的軸向貫穿深度

貫穿深度是指把電渦流強度減小到表面強度的

1/e

處的表面厚度。由于金屬導體的趨膚效應，電磁場不能穿過導體的無限厚度，僅作用于表面薄層和一定的徑向范圍內(nèi)。第三十九頁，共八十一頁，2022年，8月28日

導體中產(chǎn)生的電渦流強度隨導體厚度的增加按指數(shù)規(guī)律下降。第四十頁，共八十一頁，2022年，8月28日d——金屬導體中某一點與表面的距離；

Jd——沿H1軸向d處的電渦流密度；

J0——金屬導體表面電渦流密度，即電渦流密度最大值；

h——電渦流軸向貫穿的深度（趨膚深度）。

第四十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日

電渦流密度軸向分布曲線

第四十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日電渦流密度主要分布在表面附近。

被測體電阻率愈大，相對導磁率愈小，以及傳感器線圈的激磁電流頻率愈低，則h愈大。

第四十三頁，共八十一頁，2022年，8月28日

4.3.4電渦流傳感器測量電路測量電路的種類：調(diào)頻式調(diào)幅式。第四十四頁，共八十一頁，2022年，8月28日

1.調(diào)頻式電路第四十五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

調(diào)頻式測量電路(a)測量電路框圖；(b)振蕩電路

第四十六頁，共八十一頁，2022年，8月28日

第四十七頁，共八十一頁，2022年，8月28日

第四十八頁，共八十一頁，2022年，8月28日

傳感器線圈接入LC振蕩回路，當傳感器與被測導體距離x改變時，在渦流影響下，傳感器的電感變化。將導致振蕩頻率的變化，該變化的頻率是距離x的函數(shù)，即f=L(x)。該頻率可由數(shù)字頻率計直接測量，或者通過f—V變換，用數(shù)字電壓表測量對應的電壓。第四十九頁，共八十一頁，2022年，8月28日

振蕩器電路如圖(b)所示。它由克拉潑電容三點式振蕩器(C2、C3、L、C和Ｖ1)以及射極輸出電路兩部分組成。第五十頁，共八十一頁，2022年，8月28日

第五十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日

第五十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日

為了避免輸出電纜的分布電容的影響，通常將L、C裝在傳感器內(nèi)。

此時電纜分布電容并聯(lián)在大電容C2、C3上，因而對振蕩頻率f的影響將大大減小。第五十三頁，共八十一頁，2022年，8月28日

2.調(diào)幅式電路第五十四頁，共八十一頁，2022年，8月28日調(diào)幅式測量電路示意圖

第五十五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

傳感器線圈L、電容器C和石英晶體組成振蕩電路。

石英晶體振蕩器起恒流源的作用，給諧振回路提供一個頻率（f0）穩(wěn)定的激勵電流io。

第五十六頁，共八十一頁，2022年，8月28日LC回路輸出電壓

Z為LC回路的阻抗。

第五十七頁，共八十一頁，2022年，8月28日調(diào)幅式測量電路示意圖

第五十八頁，共八十一頁，2022年，8月28日

當金屬導體遠離或去掉時，LC并聯(lián)諧振回路諧振頻率即為石英振蕩頻率fo

回路呈現(xiàn)的阻抗最大，諧振回路上的輸出電壓也最大；當金屬導體靠近傳感器線圈時，線圈的等效電感L發(fā)生變化，導致回路失諧。第五十九頁，共八十一頁，2022年，8月28日

從而使輸出電壓降低，L的數(shù)值隨距離x的變化而變化。輸出電壓經(jīng)放大、檢波后，由指示儀表直接顯示出x的大小。除此之外，交流電橋也是常用的測量電路。第六十頁，共八十一頁，2022年，8月28日

4.3.5渦流式傳感器的應用

1.低頻透射式渦流厚度傳感器

2.高頻反射式渦流厚度傳感器

3.電渦流式轉速傳感器第六十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日1.低頻透射式渦流厚度傳感器第六十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日

透射式渦流厚度傳感器結構原理圖

第六十三頁，共八十一頁，2022年，8月28日

在被測金屬板的上方設有發(fā)射傳感器線圈L1，在被測金屬板下方設有接收傳感器線圈L2。當在L1上加低頻電壓U1時，L1上產(chǎn)生交變磁通φ1，第六十四頁，共八十一頁，2022年，8月28日

若兩線圈間無金屬板，則交變磁通直接耦合至L2中，L2產(chǎn)生感應電壓U2。第六十五頁，共八十一頁，2022年，8月28日

將被測金屬板放入兩線圈之間，L1線圈產(chǎn)生的磁場將導致在金屬板中產(chǎn)生電渦流,并將貫穿金屬板。此時磁場能量受到損耗，使到達L2的磁通將減弱為φ1′，從而使L2產(chǎn)生的感應電壓U2下降。第六十六頁，共八十一頁，2022年，8月28日

金屬板越厚，渦流損失就越大，電壓U2就越小。因此，可根據(jù)U2電壓的大小得知被測金屬板的厚度。第六十七頁，共八十一頁，2022年，8月28日

透射式渦流厚度傳感器的檢測范圍可達1～100mm，分辨率為0.1μm，線性度為1%。第六十八頁，共八十一頁，2022年，8月28日2.高頻反射式渦流厚度傳感器

第六十九頁，共八十一頁，2022年，8月28日

高頻反射式渦流測厚儀測試系統(tǒng)圖

第七十頁，共八十一頁，2022年，8月28日

為了克服帶材不夠平整或運行過程中上下波動的影響，在帶材的上、下兩側對稱地設置了兩個特性完全相同的渦流傳感器S1和S2。若帶材厚度不變，則被測帶材上、下表面之間的距離總有x1+x2=常數(shù)。第七十一頁，共八十一頁，2022年，8月28日

兩傳感器的輸出電壓之和為2Uo，數(shù)值不變。如果被測帶材厚度改變量為Δδ，則兩傳感器與帶材之間的距離也改變一個Δδ，兩傳感器輸出電壓此時為2Uo±ΔU。第七十二頁，共八十一頁，2022年，8月28日

ΔU經(jīng)放大器放大后，通過指示儀表即可指示出帶材的厚度變化值。第七十三頁，共八十一頁，2022年，8月28