-模電期末自測題(A)

流電流放大系數(shù)_,用字母B表示;AI/Mbb叫做.交流電流放大系數(shù)_,用字母p表示。.晶體三極管的電流放大作用，是通過改變一基極—電流來控制一集電極—電流的，其實質(zhì)是以一微小電流控制—較大電流。.硅晶體三極管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約為0.7V,飽和電壓降為」）.3V_,鍺晶體三極管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約為0.3V,飽和電壓降為0.“一。.當晶體三極管處于飽和狀態(tài)時，它的發(fā)射結(jié)必定力L正向一電壓，集電結(jié)必定加正向或零電壓。.當晶體三極管的隊U“一定時，基極與發(fā)射極間的電壓U加與基極電流Ib間的關(guān)系曲線稱為輸入特性曲線；當基極電流1b一定時，集電極與發(fā)射極間的電壓Ue與集電極電流人Ic關(guān)系曲線稱為輸出特性曲線一。.晶體三極管的輸入特性曲線和晶體二極管的伏安特件—相似，晶體三極管輸入特性的最重要參數(shù)是交流輸入電阻，它是一U*的增量和_1b的增量的比值。18晶體三極管的電流放大系數(shù)太小時，電流放大作用將_較差_;而電流放大系數(shù)太大時，又會使晶體三極管的性能—不穩(wěn)定—。19.按晶體三極管在電路中不同的連接方式，可組成共發(fā)射極_、一共集極和一共基極三種基本放大電路。20.晶體三極管的穿透電流Iceo隨溫度的升高而增大，由于硅三極管的穿透電流比鍺三極管小得多,所以硅三極管的_熱穩(wěn)定性.比鍺三極管好。1、在判別鍺、硅晶體二極管時，當測出正向電壓為—0.2V—時，就認為此晶體二極管為鍺二極管；當測出正向電壓為0.7V時，就認為此二極管為硅二極管。2、NPN型晶體三極管的發(fā)射區(qū)是一N型半導(dǎo)體，集電區(qū)是N型半導(dǎo)體，基區(qū)是P,型半導(dǎo)體。3、有一個晶體管繼電器電路，其晶體管與繼電器的吸引線圈相串聯(lián)，繼電器的動作電流為6mA。若晶體三極管的直流電流放大系數(shù)P=50,便使繼電器開始動作，晶體三極管的基極電流至少為_0.12mA_。.共發(fā)射極電路的輸入端由發(fā)射極和基極組成，輸出端由集電極一和一發(fā)射極—組成，它不但具有電流—放大、—電壓一放大作用，而且其功率增益也是三種基本線路中最大的。.晶體三極管是依靠基極電流控制集電極電流的，而場效應(yīng)晶體管則是以柵極電壓控制_漏極電流—的，所以它的輸入阻抗很高。.共發(fā)射極單管放大電路，輸出電壓與輸入電壓相位差為「80°_,這是放大器的重要特征，稱為_放大器的倒相作用_。.常用的耦合方式有_阻容耦合變壓器耦合和_直接耦合_三種形式。晶體三極管低頻小信號電壓放大電路通常采用—阻容—耦合電路..放大器的靜態(tài)是指沒有輸入信號—時的工作狀態(tài)，靜態(tài)工作點可根據(jù)電路參數(shù)用—估算一方法確定，也可以用一圖解—方法確定。表征放大器中晶體三極管的靜態(tài)工作點的參數(shù)有」「、I_和-U一。場效bece應(yīng)晶體管的靜態(tài)工作點由—U…—、—T—和—U一確定。GSdDS.晶體三極管放大器按放大信號和輸出信號的強弱可分為_電壓—放大和_功率_放大兩類。.為了使放大器輸出波形不失真，除需設(shè)置—適當?shù)撵o態(tài)工作點外，還需要采用—穩(wěn)定工作點—的方法，且輸入信號幅度要適中。.在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設(shè)置太低將產(chǎn)生_截止_失真；靜態(tài)工作點設(shè)置太高將產(chǎn)生_飽和_失真。.在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設(shè)置太高，會使I。的一正—半周及Uce的負半周失真；靜態(tài)工作點設(shè)置太低時，會使Ic的U半周及Uce的工半周失真。.晶體三極管工作在放大狀態(tài)時Uce隨1b而變化，如果1b增加，貝則,Uce將減小一；如果1b減小，則Uce將_增大一因此，1b可以起調(diào)節(jié)電壓作用。".在晶體三極管放大電路中，如果其它條件不變，減小Rb，則靜態(tài)工作點沿著負載線—上移—，容易出現(xiàn)—飽和失真；若增大Rb，工作點沿著負載線_下移-容易出現(xiàn)—截止一失真。.如果晶體三極管放大器E。增大，而其它條件不變，則晶體三極管放大器的靜態(tài)工作點將隨負載線一右移。在晶體三極放大器中R；減小，而其它條件不變，則晶體三極管負載線變一陡。.對于一個放大器來說，一般希望其輸入電阻一大一些，以減輕信號源的負擔，輸出電阻一小一些，以增大帶動負載的能力。.由于電容C具有一隔直流通交流—的作用，所以，交流放大器負載兩端的電壓，只是晶體三極管c、e極間總電壓的—交流一部分。.為了保證小信號交流放大器能不失真地進行放大，并且有最大的動態(tài)范圍，靜態(tài)工作點應(yīng)選在V+U一，，CCce（或直流負載線的中點一。219、在一個放大電路中，三只三極管三個管腳①、②、③的電位分別如表所示，將每只管子所用材料Si或Ge）、類型（NPN或PNP）及管腳為哪個極（e、b或c）填入表內(nèi)。管號T1T2T3管號T1T2T3管腳電位（V）①0.76.23電極名稱①②0610②③533.7③材料類型場效應(yīng)管.場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可分為兩大類：結(jié)型、絕緣柵型MOS;根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同又可分為N溝道、P溝道兩類；對于MOSFET,根據(jù)柵源電壓為零時是否存在導(dǎo)電溝道，又可分為兩種：耗盡型、增強型_。由于場效應(yīng)晶體管幾乎不存口柵流—，所以其輸入直流電阻—很大—。.UGS表示夾斷電壓，IDSS表示一飽和漏極_電流，它們是耗盡型場效應(yīng)管的參數(shù)。.增強第場效應(yīng)管當其UGS=0時不存在導(dǎo)電溝道。JFET和耗盡型MOS管在柵-源電壓為零時存在導(dǎo)電溝道，而增強型MOS管則—不存在.導(dǎo)電溝道。.MOS管的直流輸入電阻比結(jié)型場效應(yīng)管的大―。.場效應(yīng)晶體管一般采用自偏壓，或柵極偏壓）一和一分壓式（或分壓式自偏壓兩種偏置電路。放大電路.放大電路的輸入電壓Ui=10mV,輸出電壓U0=1V,該放大電路的電壓放大倍數(shù)為100，電壓增益為40dB。1.放大電路的輸入電阻越大，放大電路向信號源索取的電流就越小，輸入電壓也就越大；輸出電阻越小，負載對輸出電壓的影響就越小，放大電路的負載能力就越強_。.共集電極放大電路的輸出電壓與輸入電壓同相，電壓放大倍數(shù)近似為1，輸入電阻大，輸出電阻小。差分放大電路.差分放大電路的輸入電壓Ui1=1V,Ui2=0.98V,則它的差模輸入電壓Uid=0.02V,共模輸入電壓TOC\o"1-5"\h\zU.C=0.99V。11.差分放大電路對差模輸入信號具有良好的放大作用，對共模輸入信號具有很強的抑制作用，差分放大電路的零點漂移很小。.兩級放大電路，第一級電壓增益為40dB,第二級電壓放大倍數(shù)為10倍，則兩級總電壓放大倍數(shù)為1000倍，總電壓增益為60dB。.集成運算放大器輸入級一般采用差分放大電路，其作用是用來減小.零點漂移_。.理想集成運算放大器工作在線性狀態(tài)時，兩輸入端電壓近似相等，稱為虛短」輸入電流近似為0,稱為虛斷。.集成運算放大器的兩輸入端分別稱為同相輸入端和反相輸入端，前者的極性與輸出端反相，后者的極性與輸出端同相。.電壓負反饋穩(wěn)定輸出電壓，電流負反饋穩(wěn)定輸出電流。使輸入量減小的反饋是負反饋。引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。負反饋越深，電路的性能越穩(wěn)定。.同相比例運算放大電路是一個深度的電壓串聯(lián)負反饋電路；反相比例運算放大電路是一個深度的電壓并聯(lián)負反饋電路。.參數(shù)理想對稱的雙端輸入雙端輸出差分放大電路只能放大差模信號，不能放大共模信號。.將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的過程稱為L整流_。把脈動直流電變成較為平穩(wěn)的直流電的過程，稱為_濾波.。.單相整流電路按其電路結(jié)構(gòu)特點來分，有半波整流電路、全波整流電路和橋式—整流電路。.乙類互補對稱功放由NPN和PNP兩種類型晶體管構(gòu)成，其主要優(yōu)點是效率高。二、選擇題二極管.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是_R_,N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是A-。電子空穴正離子負離子.雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度二―本征半導(dǎo)體中載流子濃度。A.大于B.等于C.小于.室溫附近，當溫度升高時，雜質(zhì)半導(dǎo)體中-C—濃度明顯增加。載流子多數(shù)載流子少數(shù)載流子.雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（C）。.溫度.摻雜工藝.摻雜濃度.晶格缺陷.PN結(jié)形成后，空間電荷區(qū)由（D）構(gòu)成。.價電子.自由電子.空穴.雜質(zhì)離子.硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管，反向飽和電流比鍺二極管B。大小相等.溫度升高時，二極管在正向電流不變的情況下的正向電壓且，反向電流A-。增大減小不變.硅二極管的反向電流很小，其大小隨反向電壓的增大而（B）。A.減小B.基本不變C.增大.流過二極管的正向電流增大，其直流電阻將（C）。A.增大B.基本不變C.減小.變?nèi)荻O管在電路中主要用作（D）。A.整流B.穩(wěn)壓C.發(fā)光D.可變電容器.當PN結(jié)兩端加正向電壓時，那么參加導(dǎo)電的是（A）。多數(shù)載流子少數(shù)載流子既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子.如果晶體二極管的正、反向電阻都很大，則該晶體二極管（C）。正常已被擊穿內(nèi)部斷路.如果晶體二極管的正、反向電阻都很小或為零，則該晶體二極管（B）。正常已被擊穿內(nèi)部斷路.晶體二極管的陽極電位是-20V,陰極電位是-10V,則該二極管處于（A）。反偏，正偏，.偏.當環(huán)境溫度升高時，晶體二極管的反向電流將（A）。A.增大；B.減小；C.不變.在晶體二極管特性的正向區(qū)，晶體二極管相當于（B）。A.大電阻；B.接通的開關(guān)；C.斷開的開關(guān)三極管.當晶體三極管的兩個PN結(jié)都反偏時，則晶體三極管處于（C）。飽和狀態(tài)放大狀態(tài)截止狀態(tài).當晶體三極管的兩個PN結(jié)都正偏時，則晶體三極管處于（C）。截止狀態(tài)放大狀態(tài)飽和狀態(tài).當晶體三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時，則晶體三極管處于（A）。放大狀態(tài).飽和狀態(tài)；截止狀態(tài).晶體三極管處于飽和狀態(tài)時，它的集電極電流將（C）。隨基極電流的增加而增加；隨基極電流的增加而減小，與基極電流變化無關(guān)，只決定于.當晶體三極管的基極電源使發(fā)射結(jié)反問時，則晶體三極管的集電極電流將（C）。A.反向；B.增大；C.中斷.當溫度升高時，半導(dǎo)體電阻將（B）。增大；b,減?。徊蛔?工作在放大狀態(tài)的晶體管，流過發(fā)射結(jié)的是A電流，流過集電結(jié)的是B_電流。擴散漂移.晶體管電流由B形成，而場效應(yīng)管的電流由A形成。因此，晶體管電流受溫度的影響比場效應(yīng)管-C—。一種載流子兩種載流子大小.晶體管通過改變A來控制C；而場效應(yīng)管是通過改變B控制D,是一種—F_控制器件。基極電流柵源電壓集電極電流漏極電流電壓電流.某NPN型管電路中，測得UBE=0V,UBC=-5V，則可知管子工作于（C）狀態(tài)。A.放大B.飽和C.截止D.不能確定11.根據(jù)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號的命名方法可知，3DG6為（B）。A．C．12．輸入（A．NPN型低頻小功率硅晶體管B.NPN型高頻小功率硅晶體管PNP型低頻小功率鍺晶體管D.NPN型低頻大功率硅晶體管C）時，可利用H參數(shù)小信號電路模型對放大電路進行交流分析。正弦小信號B.低頻大信號C.低頻小信號13.在絕對零度（0K）時，本征半導(dǎo)體中B—載流子。數(shù)D.高頻小信號A.有B.沒有C.少數(shù)D.多14?在熱激發(fā)條件下，少數(shù)價電子獲得足夠激發(fā)能，進入導(dǎo)帶，產(chǎn)生DA.負離子B.空穴C.正離子D.半導(dǎo)體中的載流子為D___。A.電子N型半導(dǎo)體中的多子是___^A

P型半導(dǎo)體中的多子是—B。A.電子.。A.電子電子-空穴對B.空穴B.空穴B.空穴C.正離子C.正離子C.正離子D.電子和空穴D.負離子當PN結(jié)外加正向電壓時，擴散電流A當PN結(jié)外加反向電壓時，擴散電流漂移電流。A.大于B—漂移電流。A.大于B.D.小于B.小于在單級共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則u。和ui的相位_B。A.同相B.負離子C.等與C.等于反相C.相差90度D.不確定21、在單級共基放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則u。和uii的相位—A_。A.同相B.反相C.相差90度D.不確定°U22、既能放大電壓，也能放大電流的是__4_組態(tài)放大電路。A.共射B.共集C.共基D.不確定23、在單級共集放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則uo和uii的相位_A。A.同相B.反相C.相差90度D.不確定24、可以放大電壓，但不能放大電流的是_C_組態(tài)放大電路。A.共射不確定B.共集C.共基D.25、可以放大電流，但不能放大電壓的是—B—組態(tài)放大電路。A.共射B.共集C.共基D.不確定26、27、28、29、在共射、A.共射在共射、A.共射在共射、A.共射在共射、A.共射共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數(shù)小于1的是__B___組態(tài)。B.共集C.共基D.不確定共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最大的是___B___組態(tài)。B.共集C.共基D.不確定共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最小的是___C組態(tài)。B.共集C.共基D.不確定共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸出電阻最小的是__B組態(tài)。B.共集30、三極管是_D_器件。C.共基D.不確定

電壓控制電壓電流控制電壓.測量某放大電路負載開路時輸出電壓為3V，接入2kQ的負載后的輸出電阻為（D）kQ。A.0.5B.1.0C.2.0D..為了獲得反相電壓放大，則應(yīng)選用（A）放大電路。.共發(fā)射極.電壓控制電流D測得輸出電壓為1V4．共集電流控制電流

則該放大電路電極.共基極.共柵極.為了使高內(nèi)阻的信號源與低阻負載能很好配合，可以在信號源與負載之間接入（B）放大電路。A.共發(fā)射極B.共集電極C.共基極D.共源極.放大電路如圖T3.1所示，已知Rs=Rd，且電容器容量足夠大，則該放大電路兩輸出電壓u0l與u02之間的大小關(guān)系為（B）。A.u0l=u02BU0l=-u02Cu0l>u02D.u0i<u02.在晶體三極管放大電路中，晶體三極管最高電位的一端應(yīng)該是（E）。A.PNP型的基極；B.PNP型的集電極；C.NPN型的基極；D.NPN型的發(fā)射極E.PNP型的發(fā)射極；F.NPN型的基極.在NPN型晶體三極管放大電路中，如果基極與發(fā)射極短路，則（B）。A.晶體三極管將深度飽和；B.晶體三極管將截止；C.晶體三極管的集電.在NPN型晶體三極管放大電路中，如果集電極與基極短路，則（A）。A.晶體三極管將深度飽和；B.晶體三極管將截止；C.晶體三極管的集電結(jié)將是正偏。.在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設(shè)置太低將產(chǎn)生（B）。A.飽和失真；B.截止失真；C.不失真.在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設(shè)置太高將產(chǎn)生（A）。A.飽和失真；B.截止失真.C.不失真.晶體三極管低頻小信號放大器能（A）。A.放大交流信號；B.放大直流信號；C.放大交流與直流信號.在晶體三極管放大電路中，出現(xiàn)截止失真的原因是工作點（B）A.偏高；B.偏低；C.適當.畫放大器直流通道時，電容應(yīng)視為（B）A.短路；B.開路；C.不變.在晶體三極管低頻電壓放大電路中，輸出電壓應(yīng)視為uo=（B）。A.icRc；B.-RciC；C.-IcRcD.IbRc.為了使晶體三極管工作于飽和區(qū)，必須保證（A）。A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；B.發(fā)時結(jié)正偏，集電結(jié)反偏；C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)零偏.共發(fā)射極放大器的輸出電壓和輸入電壓在相位上的關(guān)系是（C）。A.同相位B.相位差90°;C.相位共為180°；D.不能確定.在阻容耦合多級級大器中，在輸入信號一定的情況下，為了提高級間耦合的效率，必須（C）。A.電阻的阻值盡可能??；B.提高輸入信號的頻率；C.加大電容以減小容抗；D.盡可能減小時間常數(shù)。.為了使工作于飽和狀態(tài)的晶體三極管進入放大狀態(tài)，可采用（A）的方法。A.減小1bB.減小R°C.提高Ec的絕對值.為調(diào)整放大器的靜態(tài)工作點:使之上移，應(yīng)該使Rb電阻值（B）。A.增大B.減小；C.不變.如果晶體三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，當基極電流增大時，將使晶體三極管（C）。A.集電極電流減??；B.集電極電壓Uce上升；C.集電極電流增大.在晶體三極管放大電路中，當集電極電流增大時，將使晶體三極管（B）。A.集電極電壓Uce上升；B.集電極電壓U下降；C.基極電流不變.在室溫升高時，晶體三極管的電流放大系數(shù)伙A）。A.增大；b,減?。籆.不變.在室溫升高時