工藝員培訓(xùn)材料課件

刻蝕、去PSG、鍍膜段

工作介紹目錄刻蝕、去PSG、鍍膜的基本原理（簡(jiǎn)單介紹）四十八所、七星清洗機(jī)、Roth&Rau、Centrotherm設(shè)備（簡(jiǎn)單介紹）各項(xiàng)工藝參數(shù)對(duì)結(jié)果的影響（重點(diǎn)介紹）刻蝕、清洗、鍍膜常見問題以及控制方法（重點(diǎn)介紹）本段中的工藝關(guān)注點(diǎn)（重點(diǎn)）工作中應(yīng)該特別注意的細(xì)節(jié)（簡(jiǎn)單介紹）工作流程，出現(xiàn)不合格的處理（簡(jiǎn)單介紹）刻蝕的目的刻蝕結(jié)果的檢驗(yàn)清洗的反應(yīng)清洗結(jié)果的檢驗(yàn)親水清洗前硅片表面Si大部分以O(shè)鍵為終端結(jié)構(gòu)，形成一層自然氧化膜，呈親水性。疏水清洗后硅片最外層的Si幾乎是以H鍵為終端結(jié)構(gòu)，表面呈疏水性。鍍膜的反應(yīng)SiH4+NH3—→SixNyHz+H2↑硅烷和氨氣在微波激勵(lì)下形成等離子體，在硅片表面沉積成氮化硅層薄膜的檢測(cè)48所刻蝕機(jī)的介紹主要用于多晶硅、氮化硅、二氧化硅薄膜的刻蝕，屬干法腐蝕。利用高頻輝光放電產(chǎn)生的活性基團(tuán)與被腐蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性產(chǎn)物使樣品表面原子從晶格中脫落。技術(shù)特點(diǎn)：1、采用大面積淋浴式送氣方式使氣體放電均勻2、氣路系統(tǒng)采用全金屬密封，抗腐蝕性強(qiáng)，污染小3、工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制，工藝穩(wěn)定性、重復(fù)性好4、手動(dòng)/自動(dòng)控制系統(tǒng)，方便操作、維修5、敞開式鐘罩開啟方式，方便裝片Roth&Rau的介紹常壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）

低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）

等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）等離子體類型：Direct等離子體和Romote等離子體等離子激發(fā)頻率：低頻、射頻、微波反應(yīng)室：管式與平板式傳輸類型：batch方式和inline方式Roth&Rau的介紹Direct：等離子體產(chǎn)生于兩平行電極之間，晶圓被固定在一個(gè)電極上，在這種情況下，晶圓一般處于等離子體中。典型代表：Centrotherm，島津。Romote：晶圓處于等離子體以外。典型代表Roth&Rau.Roth&Rau的介紹Roth&Rau的介紹Roth&Rau的介紹Roth&Rau的介紹等離子體在化學(xué)氣相沉積中有如下作用：⑴將反應(yīng)物中的氣體分子激活成活性離子，降低反應(yīng)所需的溫度；⑵加速反應(yīng)物在基片表面的擴(kuò)散作用（表面遷移作用），提高成膜速度；⑶對(duì)于基體表面及膜層表面具有濺射清洗作用，濺射掉那些結(jié)合不牢的粒子，從而加強(qiáng)了形成的薄膜和基片的附著力；⑷由于反應(yīng)物中的原子、分子、離子和電子之間的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度均勻。Centrotherm的介紹Centrotherm的介紹Centrotherm的介紹

Centrotherm的介紹Centrotherm的介紹Centrotherm的介紹刻蝕機(jī)參數(shù)設(shè)定時(shí)間參數(shù)（秒）工藝參數(shù)預(yù)抽主抽送氣輝光清洗充氣壓力Pa功率W氧氣CF4mL/min12060180820120401005000180刻蝕機(jī)參數(shù)設(shè)定功率太高，離子的能量較高會(huì)對(duì)硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能變差從而使電池的性能下降。因此，人們通常傾向于采用功率相對(duì)較低而時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)的刻蝕工藝。等離子體刻蝕過程中，載能離子也會(huì)對(duì)硅片邊緣附近的正反表面區(qū)域造成影響?？涛g過程越長(zhǎng)，這種影響越嚴(yán)重。刻蝕參數(shù)的影響功率：小，氣體利用不完全，刻蝕不夠；大，鉆蝕，對(duì)邊緣的轟擊加劇時(shí)間：短，刻蝕不夠；長(zhǎng)，過度刻蝕壓力：與氣體流量相關(guān)，決定氣體的利用率反射功率：影響有效功率清洗機(jī)參數(shù)設(shè)定槽號(hào)123456溶液DI5%～10%HF5%～10%HFDIDIDI時(shí)間（s）90～18090～18090～18090～18090～18090～180清洗參數(shù)的影響HF濃度：小，洗不干凈，大，浪費(fèi)酸，沒用清洗時(shí)間：短，洗不干凈，大，沒必要甩干機(jī)轉(zhuǎn)速甩干機(jī)時(shí)間甩干機(jī)氣體壓力Roth&Rau參數(shù)設(shè)定線號(hào)NH3SiH4功率壓強(qiáng)溫度117428582400-34000.124002133366701551745755015Centrotherm參數(shù)設(shè)定程序時(shí)間NH3SiH4壓強(qiáng)功率5mono9005.3380170029005monov9005.3380170029006mono9005.13477170029006monov9005.13477170029006multi6955.13477170037006multiv7205.338017003800刻蝕的關(guān)注點(diǎn)硅片邊緣是否對(duì)齊裝片后是否夾緊入射功率、反射功率、壓力、輝光顏色刻蝕后硅片周邊顏色下片后是否有崩邊清洗的關(guān)注點(diǎn)硅片脫水情況甩干效果鍍膜的關(guān)注點(diǎn)操作人員操作規(guī)范板內(nèi)均勻性片內(nèi)均勻性折射率、厚度；光程碎片率設(shè)備運(yùn)行狀況鍍膜的關(guān)注點(diǎn)

鍍膜的關(guān)注點(diǎn)鍍膜的關(guān)注點(diǎn)鍍膜的關(guān)注點(diǎn)刻蝕的常見問題反射功率過大、功率波動(dòng)大輝光顏色偏暗檢驗(yàn)結(jié)果不符合要求刻蝕出現(xiàn)異常的處理對(duì)不齊：保證兩個(gè)邊緣對(duì)齊輝光顏色偏紅，其它參數(shù)正常：檢查氣體供應(yīng)入射功率波動(dòng)大，反射功率大：調(diào)節(jié)、設(shè)備報(bào)修檢驗(yàn)結(jié)果異常：補(bǔ)刻清洗的常見問題水痕甩干效果不好甩干時(shí)發(fā)現(xiàn)碎片較多清洗出現(xiàn)異常的處理水痕：檢查配酸時(shí)間、濃度甩干不良：檢查參數(shù)，調(diào)整甩干時(shí)間、轉(zhuǎn)速鍍膜的常見問題板內(nèi)不均片內(nèi)不均鍍膜后表面有小白點(diǎn)沿著傳輸方向一列突然偏紅鍍膜出現(xiàn)異常的處理板內(nèi)色差：調(diào)節(jié)功率片內(nèi)色差：更換石英管、清理氣孔折射率偏差大：檢查石墨板、檢查氣流量、壓強(qiáng)波動(dòng)表面有小白點(diǎn)：驗(yàn)證是鍍膜原因還是清洗原因還是前面工序的原因卡盤、設(shè)備急停造成的色差、彩