GB/T 11297.9-2015熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的測試方法

ICS31020

L90.

中華人民共和國國家標準

GB/T112979—2015

代替.

GB/T11297.9—1989

熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的

測試方法

Testmethodfordielectrictangentoflossangleofpyroelectricmaterials

2015-12-31發(fā)布2016-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的

測試方法

GB/T11297.9—2015

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20162

*

書號

:155066·1-52306

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T112979—2015

.

前言

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切δ的測試方法本部分與

GB/T11297.9—1989《tan》。

相比主要技術(shù)變化如下

GB11297.9—1989,:

修改了適用的頻率范圍見第章

———(1);

修改了試樣尺寸要求見第章年版

———(6,19893.2);

增加了測量引線的要求見第章

———(7);

修改了頻率最大允許誤差見第章年版

———(7,19894.2);

修改了δ值的測量最大允許誤差見第章年版

———tan(7,19894.1);

修改了試樣處理見年版

———(8.1,19895.1);

增加了先將樣品盒放入恒溫器內(nèi)再將樣品夾具接入樣品盒內(nèi)和通過儀器的開路和短路校

———“,”

準直接測得試樣的介質(zhì)損耗角正切δ見

,tan[8.2b)~f)]。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院歸口

。

本部分起草單位中國科學院上海硅酸鹽研究所

:。

本部分主要起草人姚春華曹菲董顯林王根水王永齡

:、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11297.9—1989。

Ⅰ

GB/T112979—2015

.

熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的

測試方法

1范圍

本部分規(guī)定了熱釋電陶瓷晶體和有機材料在范圍的介質(zhì)損耗角正切δ的測

、100Hz~100kHztan

量方法

。

本部分適用于測量鈦酸鉛鋯鈦酸鉛鈦酸鍶鋇鉭鈧酸鉛等熱釋電陶瓷材料和鈮鎂酸鉛鉭酸鋰

、、、、、

三甘氨酸硫酸鹽族等熱釋電晶體材料的介質(zhì)損耗角正切δ也適用于測量其他類似陶瓷晶體及有

tan,、

機熱釋電材料的介質(zhì)損耗角正切δ

tan。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

紅外探測材料中半導體光電材料和熱釋電材料常用名詞術(shù)語

SJ/T11067

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

SJ/T11067。

31

.

介質(zhì)損耗dielectricloss

任何電介質(zhì)包括熱釋電材料在交變電場作用下由于發(fā)熱而產(chǎn)生的電能損耗

()。

4測量原理

衡量這種損耗大小的因子是δ稱為介質(zhì)損耗角δ的正切值是一個無量綱物理量介質(zhì)損耗

tan,(),。

角δ表示為有功功率P與無功功率Q的比值見式

()()(),(1)。

P

δ=

tanQ…………(1)

介質(zhì)損耗角正切δ的測量和計算方法有兩種等效電路圖分別表示這兩種等效電路及其矢

(tan),1

量圖解

。

由圖可見并聯(lián)損耗角正切可表示為式

1,(2):

I

δ=R=1