有機(jī)發(fā)光二極管專利態(tài)勢(shì)發(fā)布

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)

專利態(tài)勢(shì)電學(xué)發(fā)明審查部2011.122主要內(nèi)容專利運(yùn)用管理分析專利文獻(xiàn)數(shù)據(jù)全球?qū)＠l(fā)展態(tài)勢(shì)中國(guó)專利發(fā)展態(tài)勢(shì)主要申請(qǐng)人分析重點(diǎn)技術(shù)分析產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r3研發(fā)始于歐美；顯示產(chǎn)業(yè)化集中在韓國(guó)、日本、中國(guó)大陸和臺(tái)灣。

“863計(jì)劃”中“高清晰度平板顯示專項(xiàng)”《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南》《國(guó)務(wù)院關(guān)于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r大陸主要集中在長(zhǎng)三角、珠三角以及京津地區(qū)?！秶?guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃綱要》《鼓勵(lì)進(jìn)口技術(shù)和產(chǎn)品目錄（2011版）》《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）》5個(gè)19個(gè)40個(gè)10個(gè)技術(shù)分解項(xiàng)目有機(jī)材料無機(jī)材料……基板結(jié)構(gòu)有源基板TFT…………光學(xué)輔助層結(jié)構(gòu)增加色純結(jié)構(gòu)濾光層顏色轉(zhuǎn)換層………………應(yīng)用……顯示像素結(jié)構(gòu)像素排列OLED材料基板材料結(jié)構(gòu)封裝工藝和設(shè)備中國(guó)總量：10153件全球總量：70423項(xiàng)專利文獻(xiàn)數(shù)據(jù)量6區(qū)域分析.技術(shù)構(gòu)成分析總量趨勢(shì)分析二一三四申請(qǐng)人分析全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)7年份柯達(dá)US4769292雙層出光興產(chǎn)JP2672325B2小分子旭硝子JP2790353B2多層CDTWO9013148高分子柯達(dá)EP71749有源矩陣三洋EP732868全彩精工愛普生JP10050124背光源西門子DE29621618柔性光源ForrestWO9828767磷光先鋒商品化維信諾2.7英寸PMOLED索尼24英寸LTBS面板飛利浦13英寸高分子AM三星40英寸a-SiAM奇美25英寸

LTPsAM索尼銷售電視SMD成立LG15英寸電視柯達(dá)US4356429蒽出光興產(chǎn)JP6223970蒸鍍工藝全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)8全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)專利年申請(qǐng)量總體呈快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，日本和美國(guó)前期專利布局較多，韓國(guó)增長(zhǎng)最快全球申請(qǐng)99％在中國(guó)、日本、韓國(guó)、美國(guó)和歐洲9專利申請(qǐng)流向圖全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)美國(guó)市場(chǎng)最受全球申請(qǐng)人重視美國(guó)和日本最重視中國(guó)市場(chǎng)10申請(qǐng)目的地申請(qǐng)量發(fā)展趨勢(shì)全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)11全球OLED各技術(shù)分支發(fā)展趨勢(shì)全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)專利申請(qǐng)逐漸由上游專利向下游專利轉(zhuǎn)移12全球OLED主要申請(qǐng)人排名排名前20名前10名前30名占總量比例53％42％23％全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)大型跨國(guó)企業(yè)申請(qǐng)量大，集中趨勢(shì)明顯13申請(qǐng)人多邊申請(qǐng)量國(guó)別起始年度07年比例08年比例09年比例分支主要流向國(guó)家三星3912韓國(guó)199612.1%12.2%10.5%結(jié)構(gòu)、封裝、應(yīng)用、工藝和設(shè)備美國(guó)、日本、中國(guó)半導(dǎo)體能源2085日本19957.2%6.7%6.5%結(jié)構(gòu)、材料美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)精工愛普生1849日本19969.9%11.7%10.2%結(jié)構(gòu)、封裝、應(yīng)用、工藝和設(shè)備美國(guó)、中國(guó)LG1184韓國(guó)199714.3%12.2%12.0%封裝、應(yīng)用、工藝和設(shè)備美國(guó)、中國(guó)、日本索尼897日本199517.3%19.4%10.8%結(jié)構(gòu)、封裝美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)富士701日本199510.1%13.9%12.3%材料、應(yīng)用美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)伊斯曼柯達(dá)669美國(guó)198010.7%4.8%0.5%材料、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用日本、中國(guó)、韓國(guó)飛利浦633歐洲199410.3%9.4%11.2%應(yīng)用中國(guó)、美國(guó)、日本佳能630日本199618.8%16.1%13.4%結(jié)構(gòu)、材料美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)出光興產(chǎn)507日本198815.8%9.1%6.5%材料美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)、歐洲先鋒496日本19916.8%4.4%3.8%材料、結(jié)構(gòu)美國(guó)、中國(guó)友達(dá)光電481中國(guó)19986.8%3.6%5.8%結(jié)構(gòu)美國(guó)夏普465日本199110.8%12.7%15.8%結(jié)構(gòu)美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)松下343日本19937.6%11.6%18.6%材料、美國(guó)、中國(guó)西門子（歐司朗）306歐洲199614.8%14.2%7.4%應(yīng)用美國(guó)、日本、中國(guó)松下、夏普、索尼、佳能等申請(qǐng)人保持高度活躍全球?qū)＠麘B(tài)勢(shì)綜合技術(shù)實(shí)力居前企業(yè)有三星、精工愛普生和LG14技術(shù)構(gòu)成分析.申請(qǐng)人分析總體趨勢(shì)分析二一三四區(qū)域分析中國(guó)專利態(tài)勢(shì)15國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)人發(fā)明申請(qǐng)量發(fā)展趨勢(shì)中國(guó)專利態(tài)勢(shì)總體申請(qǐng)發(fā)展迅速，中國(guó)申請(qǐng)發(fā)展穩(wěn)定16OLED專利申請(qǐng)量構(gòu)成類型國(guó)內(nèi)國(guó)外合計(jì)申請(qǐng)授權(quán)有效申請(qǐng)授權(quán)有效申請(qǐng)授權(quán)有效發(fā)明專利量275812281088706133943303981946224391發(fā)明構(gòu)成28.1%26.6%24.8%71.9%73.4%75.2%實(shí)用新型專利量32232224412122334334246實(shí)用新型構(gòu)成96.4%96.4%99.2%3.6%3.6%0.8%專利總量3080155013327073340633051015349564637專利構(gòu)成30.3%31.3%28.7%69.7%68.7%71.3%

中國(guó)專利態(tài)勢(shì)在中國(guó)專利申請(qǐng)中外國(guó)申請(qǐng)人申請(qǐng)量占優(yōu)。中國(guó)總申請(qǐng)中，發(fā)明比例接近97%。17各國(guó)在中國(guó)申請(qǐng)量發(fā)展趨勢(shì)中國(guó)專利態(tài)勢(shì)日韓申請(qǐng)人重視在中國(guó)的專利布局18各技術(shù)分支申請(qǐng)量發(fā)展趨勢(shì)中國(guó)專利態(tài)勢(shì)各技術(shù)分支總體穩(wěn)定中國(guó)材料技術(shù)分支申請(qǐng)近期發(fā)展較快19材料技術(shù)點(diǎn)申請(qǐng)量發(fā)展趨勢(shì)中國(guó)專利態(tài)勢(shì)發(fā)光層材料屬于技術(shù)熱點(diǎn)之一結(jié)構(gòu)（2629）基板結(jié)構(gòu)（955）光學(xué)輔助層結(jié)構(gòu)（697）增強(qiáng)色純結(jié)構(gòu)（185）增強(qiáng)亮度結(jié)構(gòu)（229）增強(qiáng)對(duì)比度結(jié)構(gòu)（58）黑矩陣(58)偏振結(jié)構(gòu)(40)顏色轉(zhuǎn)化層（68）濾光層（128）精工愛普生；三洋；三星出光興產(chǎn)富士電機(jī)錸寶科技三星；松下；精工愛普生半導(dǎo)體能源；三星；LG三星；友達(dá)光電；LG索尼；三星；精工愛普生光散射層（30）光增強(qiáng)層（130)……2011年度專利分析普及推廣項(xiàng)目21中國(guó)大陸申請(qǐng)量集中區(qū)域圖濟(jì)南北京天津合肥福州江蘇南寧貴陽(yáng)昆明武漢重慶蘭州銀川呼和浩特西寧上海烏魯木齊太原北京沈陽(yáng)吉林廣東四川陜西申請(qǐng)量排名北京上海廣東江蘇吉林四川陜西中國(guó)專利態(tài)勢(shì)22中國(guó)專利申請(qǐng)OLED主要申請(qǐng)人中國(guó)專利態(tài)勢(shì)大型跨國(guó)企業(yè)在中國(guó)具有量、質(zhì)優(yōu)勢(shì)23中國(guó)專利申請(qǐng)中國(guó)內(nèi)申請(qǐng)人排名中國(guó)專利態(tài)勢(shì)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)企業(yè)具有產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)具有相當(dāng)技術(shù)實(shí)力24戰(zhàn)略研究---韓國(guó)三星.布局研究---日本出光興產(chǎn)申請(qǐng)人主體是企業(yè)，是技術(shù)發(fā)展的主要推動(dòng)力量。研究主要申請(qǐng)人，學(xué)習(xí)其發(fā)展規(guī)律和成功經(jīng)驗(yàn)。主要申請(qǐng)人25韓國(guó)三星--全球?qū)＠暾?qǐng)全球布局各領(lǐng)域均衡發(fā)展主要市場(chǎng)以美國(guó)、中國(guó)、日本為重點(diǎn)區(qū)域技術(shù)面廣，產(chǎn)業(yè)鏈齊全主要申請(qǐng)人26韓國(guó)三星--中國(guó)專利申請(qǐng)中國(guó)布局量大面廣技術(shù)方面以材料和結(jié)構(gòu)為重主要申請(qǐng)人27主要申請(qǐng)人—韓國(guó)三星現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移進(jìn)行全球合作全領(lǐng)域開發(fā)生產(chǎn)戰(zhàn)略布局完善發(fā)展競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略主要申請(qǐng)人28日本出光興產(chǎn)--全球?qū)＠暾?qǐng)全球布局：合作優(yōu)先本土為重，主要市場(chǎng)美國(guó)、中國(guó)、日本、歐洲均衡布局技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要在材料技術(shù)主要申請(qǐng)人29日本出光興產(chǎn)--中國(guó)專利申請(qǐng)中國(guó)布局總量不大近五年數(shù)量逐年下降技術(shù)布局主要為材料技術(shù)，近年材料比例增大主要申請(qǐng)人30主要申請(qǐng)人—日本出光興產(chǎn)

索尼(2005年)東芝(2008年)

松下(2011年)UDC(2006年)GOT(2011年)出光興產(chǎn)LG(2009年)主要申請(qǐng)人31關(guān)鍵技術(shù)研究?jī)?nèi)容.重點(diǎn)技術(shù)-多晶硅TFT前沿技術(shù)-氧化物TFT關(guān)鍵技術(shù)突破是技術(shù)進(jìn)步、行業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路。研究關(guān)鍵技術(shù)，有助于業(yè)內(nèi)企業(yè)明晰技術(shù)發(fā)展方向。關(guān)鍵技術(shù)關(guān)鍵技術(shù)有機(jī)材料無機(jī)材料……基板結(jié)構(gòu)有源基板…………光學(xué)輔助層結(jié)構(gòu)增加色純結(jié)構(gòu)濾光層顏色轉(zhuǎn)換層………………應(yīng)用……顯示像素結(jié)構(gòu)像素排列OLED材料基板材料結(jié)構(gòu)封裝工藝和設(shè)備TFT33技術(shù)的專利現(xiàn)狀TFT技術(shù)申請(qǐng)量分布關(guān)鍵技術(shù)TFT申請(qǐng)量構(gòu)成TFT技術(shù)中日本申請(qǐng)量和質(zhì)均居領(lǐng)先地位。多晶硅技術(shù)為量產(chǎn)熱點(diǎn)技術(shù)，氧化物技術(shù)為前沿技術(shù)。34四種TFT主要申請(qǐng)人分布序號(hào)a-SiP-SiOTFT氧化物申請(qǐng)人國(guó)別申請(qǐng)人國(guó)別申請(qǐng)人國(guó)別申請(qǐng)人國(guó)別1三星韓國(guó)三星韓國(guó)三星韓國(guó)半導(dǎo)體能源日本2夏普日本精工愛普生日本柯尼卡日本三星韓國(guó)3LG韓國(guó)夏普日本理光日本精工愛普生日本4精工愛普生日本索尼日本精工愛普生日本夏普日本5索尼日本日立顯示器日本住友化學(xué)日本LG韓國(guó)關(guān)鍵技術(shù)主要TFT技術(shù)申請(qǐng)量日韓企業(yè)占領(lǐng)先地位35熱點(diǎn)技術(shù)--多晶硅TFT技術(shù)主要涉及方向多晶硅的形成方法與有源層配套的部件結(jié)構(gòu)多晶硅有源層性能的改進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)中國(guó)專利申請(qǐng)集中于多晶硅有源層的形成工藝和方法。國(guó)外專利申請(qǐng)廣泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及適用結(jié)構(gòu)。如CN102082098A；KR100721957B1；US7524728B2等如JP3894441B2;CN1941298A;CN101131964A等例如US7297980B2;KR20110053041A;EP1939933A3等36前沿技術(shù)--氧化物TFT技術(shù)主要涉及方向關(guān)鍵技術(shù)國(guó)內(nèi)外研發(fā)方向一致：氧化物有源層材料的開發(fā)或形成有源層的方法。有源層材料有源層配套的部件氧化物形成方法如CN101615582A；US7804231B2等如CN102064109A;JP2010278412A等如CN101488459A;US8017513B等37從多晶硅TFT專利技術(shù)來看，國(guó)外的申請(qǐng)人研發(fā)方向具有前瞻性。從氧化物TFT專利技術(shù)來看，國(guó)外的產(chǎn)學(xué)研結(jié)合較為緊密。關(guān)鍵技術(shù)專利運(yùn)用管理分析專利引進(jìn)交叉許可專利訴訟豐田、昭和電工、