標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14015-1992 硅-藍(lán)寶石外延片》作為一項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了硅-藍(lán)寶石外延片的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求。然而,您提供的對(duì)比對(duì)象不完整,無(wú)法直接進(jìn)行詳細(xì)的變更對(duì)比分析。為了提供有用的信息,我將概述一般情況下技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)更新時(shí)可能涉及的幾個(gè)常見(jiàn)變更方向,盡管這并不特指與《GB/T 14015-1992》相比的具體另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn):

  1. 技術(shù)指標(biāo)提升:新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)硅-藍(lán)寶石外延片的物理、化學(xué)性能提出更嚴(yán)格的要求,如提高材料純度、降低缺陷密度、改進(jìn)晶格匹配度等,以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用需求的增加。

  2. 生產(chǎn)工藝規(guī)范:隨著生產(chǎn)技術(shù)和工藝的進(jìn)步,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入新的制備方法或優(yōu)化現(xiàn)有工藝流程,以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量,同時(shí)減少環(huán)境污染。

  3. 測(cè)試與檢驗(yàn)方法:更新的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)采用更先進(jìn)、精確的測(cè)試手段和儀器設(shè)備來(lái)評(píng)估外延片的質(zhì)量,包括但不限于表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性等方面的檢測(cè)方法。

  4. 環(huán)保與安全要求:考慮到環(huán)境保護(hù)和生產(chǎn)安全的重要性日益增強(qiáng),新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)增設(shè)或加強(qiáng)對(duì)外延片生產(chǎn)過(guò)程中環(huán)保材料使用、廢棄物處理及安全生產(chǎn)的操作規(guī)范。

  5. 分類與標(biāo)識(shí)系統(tǒng):為便于管理和應(yīng)用,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)調(diào)整產(chǎn)品的分類體系,并對(duì)產(chǎn)品標(biāo)識(shí)、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求進(jìn)行細(xì)化或標(biāo)準(zhǔn)化,以提高供應(yīng)鏈的效率和透明度。

  6. 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌:隨著全球化貿(mào)易的發(fā)展,新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)參考或等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),以促進(jìn)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的互認(rèn)與交流,增強(qiáng)產(chǎn)品的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1992-12-28 頒布
  • 1993-08-01 實(shí)施
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UDC621.382.032.9L.90中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14015-92硅一藍(lán)寶石外延片Silicononsapphireepitaxialwafers1992-12-28發(fā)布1993-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號(hào)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)一藍(lán)寶石外延片GB/T14015-92中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼:100045電話:63787337、637874471993年8月第一版2004年12月電子版制作書(shū)號(hào):155066·1-9656版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話:(010)68533533

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14015-92硅一藍(lán)寶石外延片Silicononsapphireepitaxialwafers主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的單品硅外延片的技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件用藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的單品硅外延片。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB6624硅單品地光表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法(B2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB/T13843藍(lán)寶石單品拋光襯底片SJ2446非本征半導(dǎo)體單晶蛋爾遷移率的測(cè)試方法硅外延層厚度,層錯(cuò)密度,硅片上的缺陷和治污觀察標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)程術(shù)語(yǔ)。。見(jiàn)附錄A。3技術(shù)要求3.1襯底藍(lán)寶石拋光襯底片的技術(shù)要求應(yīng)符合GB'T138433.2摻雜劑及導(dǎo)電類型3.2.1摻雜劑為鋁、硼或磷。3.2.2導(dǎo)電類型為P型或N型。3.3外延層厚度3.3.1外延層厚度為0.4~5um.3.3.2徑向厚度不均勾性:<±6%。3.4電阻率電阻率為0.05~2000cm。3.5遷移率數(shù)值:>40cm2/V·s。3.66載流子濃度范圍:10*~10"at/cm。3.7表面缺陷的最大允許值應(yīng)符合表1的要業(yè)。最大允許值層錯(cuò)蜜度25個(gè)/r

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