標準解讀

GB/T 14112-1993 是一項中國國家標準，全稱為《半導體集成電路 塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范》。該標準詳細規(guī)定了半導體集成電路中使用的塑料雙列封裝（DIP，Dual In-line Package）的沖制型引線框架的技術要求、檢驗方法以及標志、包裝、運輸和儲存條件。具體要點包括：

  1. 適用范圍：本標準適用于半導體集成電路塑料封裝中，采用沖壓工藝制造的雙列引線框架。這類引線框架是集成電路封裝的關鍵部件之一，用于支撐并連接芯片與外部電路板。

  2. 技術要求：

    • 材料：規(guī)定了引線框架應選用的金屬材料及其性能要求，如銅合金，需具備良好的導電性、耐蝕性和成型性。
    • 尺寸與公差：詳細列出了引線框架的尺寸規(guī)格，包括外形尺寸、引腳間距、引腳長度等，并給出了相應的公差范圍，確保封裝的標準化和互換性。
    • 表面處理：要求引線框架表面需進行適當?shù)奶幚?，如鍍錫、鍍鎳金等，以提高焊接可靠性和防氧化能力。
    • 機械強度：規(guī)定了引線框架在彎曲、扭力測試下的強度要求，確保封裝過程及使用中的機械穩(wěn)定性。

  3. 檢驗方法：描述了對引線框架進行質(zhì)量檢驗的具體方法，包括外觀檢查、尺寸測量、材料分析、電氣性能測試等，確保產(chǎn)品符合標準規(guī)定。

  4. 標志、包裝、運輸和儲存：

    • 標志：要求在包裝上清晰標注產(chǎn)品型號、批號、生產(chǎn)日期等信息。
    • 包裝：規(guī)定了引線框架的包裝方式和防護措施，以防止運輸和儲存過程中的物理損傷和腐蝕。
    • 運輸：提出了運輸過程中應避免的極端溫度、濕度條件及劇烈震動的要求。
    • 儲存：說明了引線框架的理想儲存環(huán)境，如溫濕度控制，以防潮、防塵和防腐蝕。

此標準旨在統(tǒng)一和提升半導體集成電路塑料雙列封裝引線框架的質(zhì)量水平，促進其在電子制造業(yè)中的標準化應用，確保產(chǎn)品的互換性、可靠性和長期穩(wěn)定性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 14112-2015
  • 1993-01-21 頒布
  • 1993-08-01 實施
?正版授權
GB/T 14112-1993半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范_第1頁
GB/T 14112-1993半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范_第2頁
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GB/T 14112-1993半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC621.382L55中華人民共和國國家標準GB/T14112-93半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范SemiconductorintegratedcircuitsSpecificationforstampedleadframesofplasticDIP1993-01-21發(fā)布1993-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14112-93SemiconductorintegratedcircuitsSpeciticationforstampedleadtramesofplasticDIP1主題內(nèi)容與適用范圍本規(guī)范規(guī)定了半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規(guī)則。本規(guī)范適用于雙列(DIP)沖制型引線框架，單列沖制型引線框架亦可參照使用。2引用標準GB4719半導體集成電路新產(chǎn)品定型鑒定的程序規(guī)則GB7092半導體集成電路外形尺寸GB/T14113半導體集成電路封裝術語IEC410計數(shù)檢查抽樣方案和程序技術要求3.1引線框架尺寸引線框架的尺寸應符合GB7092的有關規(guī)定，并符合引線框架設計圖紙的要求。3.2引線框架形狀和位置公差3.2.1側彎小于0.05mm/150mm(見本規(guī)范附錄A1)3.2.2卷曲小于0.5mm/150mm(見本規(guī)范附錄A2)。3.2.3橫彎小于標稱條寬的0.5%(見本規(guī)范附錄A3)。3.2.4框架扭曲小于0.5mm(見本規(guī)范附錄A4)。3.2.5引線扭曲不超過3°30，即在距離內(nèi)引線端點0.25mm處測得扭曲值不大于0.02mm(見本規(guī)范附錄A5)。3.2.6在保證精壓寬度不小于引線寬度80%的條件下，精壓深度不大于材料厚度的30%（見本規(guī)范附錄A6）3.2.7材料厚度為0.25mm時，相鄰兩精壓區(qū)端點間的間隔及精壓區(qū)端點與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.15mm(見本規(guī)范附錄A7)。3.2.8材料厚度為0.25mm時，精壓區(qū)共面性(見本規(guī)范附錄A8)應符合表1的規(guī)定加m引線框架條寬精

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