GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１４１４１—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３

硅外延層、擴散層和離子注入層

薄層電阻的測定直排四探針法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１４１４１—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３《硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探

針法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３相比，主要有如下改動：

———修改了被測薄層電阻的最小直徑（由１０．０ｍｍ改為１５．９ｍｍ）、薄層電阻阻值的測量范圍及

精度；

———增加了規(guī)范性引用文件；

———增加了引入與試樣幾何形狀有關(guān)的修正因子計算薄層電阻；

———增加了干擾因素；

———刪除了三氯乙烯試劑；

———修改了薄層電阻范圍，增加了“直流輸入阻抗不小于１０９Ω”；

———刪除了三氯乙烯漂洗；

———修改仲裁測量探針間距，由１ｍｍ改為１．５９ｍｍ；

———增加了修正因子和溫度修正系數(shù)表格。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：寧波立立電子股份有限公司、南京國盛電子有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量

監(jiān)督檢驗中心。

本標準主要起草人：李慎重、許峰、劉培東、諶攀、馬林寶、何秀坤。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１４１—２００９

硅外延層、擴散層和離子注入層

薄層電阻的測定直排四探針法

１范圍

本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標準適用于測量直徑大于１５．９ｍｍ的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄

層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于０．２μｍ的薄層，方

塊電阻的測量范圍為１０Ω～５０００Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量，但其測量精

確度尚未評估。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１１０７３硅片徑向電阻率變化的測量方法

３方法提要

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探針，測量兩內(nèi)探針之間的電位差，引入與

試樣幾何形狀有關(guān)的修正因子，計算出薄層電阻。

４干擾因素

４．１探針材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點電流源注入條件會影響測試精度。

４．２電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。

４．３硅片幾何形狀、表面沾污等會影響測試結(jié)果。

４．４光照、高頻、震動、強電磁場及溫濕度等測試環(huán)境會影響測試結(jié)果。

５試劑

５．１氫氟酸，優(yōu)級純。

５．２純水，２５℃時電阻率大于２ＭΩ·ｃｍ。

５．３甲醇，９９．５％。

５．４干燥氮氣。

６測量儀器

６．１探針系統(tǒng)

６．１．１探針為具有４５°～１５０°角的圓錐形碳化鎢探針，針尖