標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14619-2013 厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片》相比于《GB/T 14619-1993 厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整:
-
技術(shù)指標(biāo)的修訂:2013版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)氧化鋁陶瓷基片的機(jī)械性能、尺寸精度、表面質(zhì)量及電性能等關(guān)鍵指標(biāo)提出了更嚴(yán)格或更具體的要求,以適應(yīng)近年來集成電路封裝技術(shù)的快速發(fā)展和對(duì)基片性能的更高需求。
-
測(cè)試方法的改進(jìn):新標(biāo)準(zhǔn)引入了更為先進(jìn)和精確的測(cè)試方法,如采用更精密的儀器設(shè)備進(jìn)行尺寸測(cè)量、引入新的電性能檢測(cè)手段等,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
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分類與分級(jí)的細(xì)化:2013版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)氧化鋁陶瓷基片的分類和質(zhì)量分級(jí)進(jìn)行了細(xì)化,增加了新的類別或等級(jí),以便更好地滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)匦缘牟町惢枨蟆?/p>
-
新增內(nèi)容:考慮到技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)變化,新版標(biāo)準(zhǔn)加入了對(duì)新型氧化鋁陶瓷基片材料及其制備工藝的要求,可能包括對(duì)特定用途(如高頻、高功率器件)基片的特殊要求。
-
標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的調(diào)整:雖然基本保持了原有適用范圍,但根據(jù)技術(shù)發(fā)展,可能對(duì)某些特定應(yīng)用或規(guī)格的基片明確了更明確的適用或不適用條件。
-
環(huán)保與安全要求:鑒于全球?qū)﹄娮赢a(chǎn)品生產(chǎn)過程中環(huán)保與安全的重視,2013版標(biāo)準(zhǔn)可能增添了關(guān)于材料環(huán)保性、生產(chǎn)過程中的有害物質(zhì)限制以及產(chǎn)品廢棄處理的相關(guān)規(guī)定。
-
術(shù)語和定義的更新:為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映行業(yè)最新進(jìn)展,標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)部分專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了修訂或新增,確保了術(shù)語使用的準(zhǔn)確性和通用性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-11-12 頒布
- 2014-04-15 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS31030
L90.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T14619—2013
代替
GB/T14619—1993
厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片
Aluminaceramicsubstratesforthickfilmintegratedcircuits
2013-11-12發(fā)布2014-04-15實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
中華人民共和國(guó)
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片
GB/T14619—2013
*
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號(hào)
2(100013)
北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)
16(100045)
網(wǎng)址
:
服務(wù)熱線
/p>
年月第一版
20141
*
書號(hào)
:155066·1-48007
版權(quán)專有侵權(quán)必究
GB/T14619—2013
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)替代厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片與相比主
GB/T14619—1993《》,GB/T14619—1993
要的技術(shù)變化如下
:
增加了術(shù)語和產(chǎn)品標(biāo)識(shí)見第章和第章
———(34);
增加了對(duì)采用標(biāo)稱氧化鋁含量表示基片類型時(shí)實(shí)際氧化鋁含量值的要求見
———,(4.3);
增加了凹坑的直徑見表
———(1);
增加了非氧化鋁瓷的分類并給出了指標(biāo)見表
———96%,(5);
增加了孔的要求見
———(5.2.2);
細(xì)化了劃線后基片尺寸指標(biāo)的要求見
———(5.2.3);
對(duì)基片翹曲度的測(cè)試進(jìn)行了詳細(xì)說明見附錄
———(A)。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口
。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹易李曉英
:、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T14619—1993。
Ⅰ
GB/T14619—2013
厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的要求測(cè)試方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和
、、、、、
貯存
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的生產(chǎn)和采購采用厚膜工藝的片式元件用氧化鋁
,
陶瓷基片以下簡(jiǎn)稱基片也可參照使用
()。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范形狀和位置偏差檢測(cè)規(guī)定
GB/T1958(GPS)
壓電陶瓷材料體積密度測(cè)量方法
GB/T2413
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T2828.11:(AQL)
周期檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表適用于生產(chǎn)過程穩(wěn)定性的檢查
GB/T2829()
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料
GB/T5593
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法
GB/T5594.3
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試
GB/T5594.4
方法
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法
GB/T5594.5
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法透液性測(cè)試方法
GB/T5594.7
氧化鈹瓷導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定方法
GB/T5598
產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法接觸觸針式儀器的標(biāo)稱特性
GB/T6062(GPS)()
精細(xì)陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法
GB/T6569
鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
GB/T6900
電子陶瓷零件技術(shù)條件
GB/T9531.1—1988
精細(xì)陶瓷室溫硬度試驗(yàn)方法
GB/T16534—2009
微電子器件試驗(yàn)方法和程序
GJB548B—2005
固體材料高溫?zé)釘U(kuò)散率測(cè)試方法
GJB1201.1—1991
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件
。
31
.
氧化鋁陶瓷基片aluminaceramicsubstratealuminasubstrate
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