數(shù)字電路MOS邏輯門電路

3.1MOS邏輯門3.1.1數(shù)字集成電路簡介3.1.2邏輯門的一般特性3.1.3

MOS開關(guān)及其等效電路3.1.4

CMOS反相器3.1.5

CMOS邏輯門電路3.1.6

CMOS漏極開路門和三態(tài)輸出門電路3.1.7

CMOS傳輸門3.1.8

CMOS邏輯門電路的技術(shù)參數(shù)1、邏輯門:實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路。2、邏輯門電路的分類二極管門電路三極管門電路TTL門電路MOS門電路PMOS門CMOS門邏輯門電路分立門電路集成門電路NMOS門3.1.1數(shù)字集成電路簡介1.CMOS集成電路:廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模、甚大規(guī)模集成電路4000系列74HC74HCT74VHC74VHCT速度慢與TTL不兼容抗干擾功耗低74LVC74VAUC速度加快與TTL兼容負(fù)載能力強(qiáng)抗干擾功耗低速度兩倍于74HC與TTL兼容負(fù)載能力強(qiáng)抗干擾功耗低低(超低)電壓速度更加快與TTL兼容負(fù)載能力強(qiáng)抗干擾功耗低

74系列74LS系列74AS系列

74ALS2.TTL集成電路:廣泛應(yīng)用于中大規(guī)模集成電路3.1.1數(shù)字集成電路簡介扇出數(shù)：是指其在正常工作情況下，所能帶同類門電路的最大數(shù)目。（a)帶拉電流負(fù)載當(dāng)負(fù)載門的個(gè)數(shù)增加時(shí)，總的拉電流將增加，會引起輸出高電壓的降低。但不得低于輸出高電平的下限值，這就限制了負(fù)載門的個(gè)數(shù)。

高電平扇出數(shù):IOH:驅(qū)動(dòng)門的輸出端為高電平電流IIH:負(fù)載門的輸入電流為。(b)帶灌電流負(fù)載當(dāng)負(fù)載門的個(gè)數(shù)增加時(shí)，總的灌電流IOL將增加，同時(shí)也將引起輸出低電壓VOL的升高。當(dāng)輸出為低電平，并且保證不超過輸出低電平的上限值。IOL：驅(qū)動(dòng)門的輸出端為低電平電流 IIL：負(fù)載門輸入端電流之和 電路類型電源電壓/V傳輸延遲時(shí)間/ns靜態(tài)功耗/mW功耗－延遲積/mW-ns直流噪聲容限輸出邏輯擺幅/VVNL/VVNH/VTTLCT54/74＋510151501.22.23.5CT54LS/74LS＋57.52150.40.53.5HTL＋158530255077.513ECLCE10K系列－5.2225500.1550.1250.8CE100K系列－4.50.7540300.1350.1300.8CMOSVDD=5V＋5455×10－3225×10－32.23.45VDD=15V＋151215×10－3180×10－36.59.015高速CMOS＋581×10－38×10－31.01.55

各類數(shù)字集成電路主要性能參數(shù)的比較3.1.3

MOS開關(guān)及其等效電路：MOS管工作在可變電阻區(qū)，輸出低電平:MOS管截止，輸出高電平當(dāng)υI

<VT當(dāng)υI

>VTMOS管相當(dāng)于一個(gè)由vGS控制的無觸點(diǎn)開關(guān)。MOS管工作在可變電阻區(qū)，相當(dāng)于開關(guān)“閉合”，輸出為低電平。MOS管截止，相當(dāng)于開關(guān)“斷開”輸出為低電平。當(dāng)輸入為低電平時(shí)：當(dāng)輸入為高電平時(shí)：3.1.4

CMOS反相器1.工作原理AL1+VDD+10VD1S1vivOTNTPD2S20V+10VvivGSNvGSPTNTPvO0V0V-10V截止導(dǎo)通10V10V10V0V導(dǎo)通截止0VVTN=2VVTP=-2V邏輯圖邏輯表達(dá)式vi(A)0vO(L)1邏輯真值表10P溝道MOS管輸出特性曲線坐標(biāo)變換輸入高電平時(shí)的工作情況輸入低電平時(shí)的工作情況作圖分析：2.電壓傳輸特性和電流傳輸特性電壓傳輸特性3.CMOS反相器的工作速度在由于CMOS管導(dǎo)通電阻較小，充放電回路的時(shí)間常數(shù)較小。平均延遲時(shí)間：10ns。

帶電容負(fù)載A

BTN1TP1

TN2TP2L00011011截止導(dǎo)通截止導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止導(dǎo)通截止截止截止截止導(dǎo)通導(dǎo)通1110與非門1.CMOS與非門vA+VDD+10VTP1TN1TP2TN2ABLvBvLAB&(a)電路結(jié)構(gòu)(b)工作原理VTN=2VVTP=-2V0V10V3.1.5CMOS邏輯門或非門2.CMOS或非門+VDD+10VTP1TN1TN2TP2ABLA

BTN1TP1TN2TP2L00011011截止導(dǎo)通截止導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止導(dǎo)通截止截止截止截止導(dǎo)通導(dǎo)通1000AB≥10V10VVTN=2VVTP=-2V3.異或門電路=A⊙B4.輸入保護(hù)電路和緩沖電路采用緩沖電路能統(tǒng)一參數(shù)，使不同內(nèi)部邏輯集成邏輯門電路具有相同的輸入和輸出特性。（1）輸入端保護(hù)電路:(1)0<vA<VDD+vDF(2)vA

>

VDD+vDF

二極管導(dǎo)通電壓：vDF(3)vA

<

-

vDF

當(dāng)輸入電壓不在正常電壓范圍時(shí),二極管導(dǎo)通，限制了電容兩端電壓的增加,保護(hù)了輸入電路。D1、D2截止D1導(dǎo)通,D2截止vG

=

VDD+vDFD2導(dǎo)通,D1截止vG=

-

vDFRS和MOS管的柵極電容組成積分網(wǎng)絡(luò)，使輸入信號的過沖電壓延遲且衰減后到柵極。

D2---分布式二極管(iD大)（2）CMOS邏輯門的緩沖電路輸入、輸出端加了反相器作為緩沖電路，所以電路的邏輯功能也發(fā)生了變化。增加了緩沖器后的邏輯功能為與非功能1.CMOS漏極開路門1.）CMOS漏極開路門的提出輸出短接，在一定情況下會產(chǎn)生低阻通路，大電流有可能導(dǎo)致器件的損毀，并且無法確定輸出是高電平還是低電平。3.1.6CMOS漏極開路（OD）門和三態(tài)輸出門電路+VDDTN1TN2AB+VDDAB01（2）漏極開路門的結(jié)構(gòu)與邏輯符號(c)可以實(shí)現(xiàn)線與功能;+VDDVSSTP1TN1TP2TN2ABL電路邏輯符號(b)與非邏輯不變漏極開路門輸出連接(a)工作時(shí)必須外接電源和電阻;(2)上拉電阻對OD門動(dòng)態(tài)性能的影響Rp的值愈小，負(fù)載電容的充電時(shí)間常數(shù)亦愈小，因而開關(guān)速度愈快。但功耗大,且可能使輸出電流超過允許的最大值IOL(max）

。電路帶電容負(fù)載10CLRp的值大，可保證輸出電流不能超過允許的最大值IOL(max）、功耗小。但負(fù)載電容的充電時(shí)間常數(shù)亦愈大，開關(guān)速度因而愈慢。最不利的情況：只有一個(gè)OD門導(dǎo)通，110為保證低電平輸出OD門的輸出電流不能超過允許的最大值IOL(max)且VO=VOL(max），RP不能太小。當(dāng)VO=VOL+VDDIILRP&&&&n…&m&…kIIL（total)IOL（max)當(dāng)VO=VOH+VDDRP&&&&n…&m&…111IIH（total)I0H（total)為使得高電平不低于規(guī)定的VIH的最小值，則Rp的選擇不能過大。Rp的最大值Rp(max)：

2.三態(tài)(TSL)輸出門電路10011截止導(dǎo)通111高阻

×0輸出L輸入A使能EN001100截止導(dǎo)通010截止截止X1邏輯功能：高電平有效的同相邏輯門013.1.7CMOS傳輸門(雙向模擬開關(guān))

1.CMOS傳輸門電路電路邏輯符號υI

/υO(shè)υo/υIC等效電路2、CMOS傳輸門電路的工作原理

設(shè)TP:|VTP|=2V，TN:VTN=2VI的變化范圍為0V到+5V。

0V+5V0V到+5VGSN<VTN,TN截止GSP=5V(0V到+5V)=(5到0)V開關(guān)斷開，不能轉(zhuǎn)送信號GSN=0V(0V到+5V)=(0到-5)VGSP>0,TP截止1）當(dāng)c=0，c=1時(shí)c=0=0V，c

=1=+5V

C

TP

vO/vI

vI/vO

+5V

0V

TN

C

+5V0VGSP=0V

(2V~+5V)=-

2V~5VGSN=5V(0V~+3V)=(5~2)Vb、I=2V~5VGSN>VTN,TN導(dǎo)通a、I=0V~3VTN導(dǎo)通，TP導(dǎo)通GSP>|VT|,TP導(dǎo)通C、I=2V~3V2）當(dāng)c=1，c=0時(shí)傳輸門組成的數(shù)據(jù)選擇器C=0TG1導(dǎo)通,TG2斷開

L=XTG2導(dǎo)通,TG1斷開L=YC=1傳輸門的應(yīng)用CMOS邏輯集成器件發(fā)展使它的技術(shù)參數(shù)從總體上來說已經(jīng)達(dá)到或者超過TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出數(shù)大，噪聲容限大，靜態(tài)功耗小，動(dòng)態(tài)功耗隨頻率的增加而增加。參數(shù)系列傳輸延遲時(shí)間tpd/ns(CL=15pF)功耗(mW)延時(shí)功耗積(pJ)4000B751(1MHz)10574HC101.5(1MHz)1574HCT131(1MHz)13BiCMOS2.90.0003~7.50.00087~223.1.8CMOS邏輯門電路的技術(shù)參數(shù)CMOS門電路各系列的性能比較特點(diǎn):功耗低、速度快、驅(qū)動(dòng)力強(qiáng)3.2.6BiCMOS門電路I為高電平:MN、M1和T2導(dǎo)通，MP、M2和T1截止，輸出O為低電平。工作原理:M1的導(dǎo)通,迅速拉走T1的基區(qū)存儲電荷;M2截止,MN的輸出電流全部作為T2管