GB/T 29507-2013硅片平整度、厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29507—2013

硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試

、

自動(dòng)非接觸掃描法

Testmethodformeasurinflatnessthicknessandtotalthicknessvariation

g,

onsiliconwafers—Automatednon-contactscanning

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29507—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位上海合晶硅材料有限公司有研半導(dǎo)體材料股份有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人徐新華王珍孫燕曹孜

:、、、。

Ⅰ

GB/T29507—2013

硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試

、

自動(dòng)非接觸掃描法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑不小于厚度不小于的切割研磨腐蝕拋光外延或其他表面

50mm,100μm、、、、

狀態(tài)的硅片平整度厚度及總厚度變化的測(cè)試

、。

本標(biāo)準(zhǔn)為非破壞性無(wú)接觸的自動(dòng)掃描測(cè)試方法適用于潔凈干燥硅片的平整度和厚度測(cè)試且不

、,、,

受硅片的厚度變化表面狀態(tài)和硅片形狀的影響

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注明日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

31界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

.GB/T14264。

32硅片平整度參數(shù)的縮寫(xiě)及定義見(jiàn)表

.1。

表1硅片平整度參數(shù)的縮寫(xiě)及定義

測(cè)試基準(zhǔn)面

縮寫(xiě)基準(zhǔn)面測(cè)試參數(shù)

方法基準(zhǔn)面構(gòu)成區(qū)域

GBIR質(zhì)量

總的背表面理想背表面

(globalflatnessbacksidereferenceplane合格區(qū)TIR

idealrange)

GF3R

總的正表面三點(diǎn)構(gòu)成的基準(zhǔn)面

(globalflatnessfrontsidereferenceplaneTIR

3pointsrange)

GF3D

總的正表面三點(diǎn)構(gòu)成的基準(zhǔn)面

(globalflatnessfrontsidereference3FPD

pointsdeviation)

GFLR質(zhì)量

總的正表面最小二乘法構(gòu)成的基準(zhǔn)面

(globalflatnessfr