標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷圖譜》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一,該標(biāo)準(zhǔn)主要針對硅材料中可能出現(xiàn)的原生缺陷進行分類和描述,并提供了相應(yīng)的圖譜作為參考。這類缺陷通常是在硅晶體生長過程中形成,包括但不限于位錯、空洞、沉淀物等。
在內(nèi)容上,標(biāo)準(zhǔn)首先定義了硅材料中原生缺陷的相關(guān)術(shù)語與定義,明確了討論范圍內(nèi)的具體對象。接著,根據(jù)缺陷形態(tài)特征及其對硅材料性能影響的不同,將這些原生缺陷進行了詳細的分類。例如,按其物理性質(zhì)可以分為點缺陷(如空位)、線缺陷(如位錯)以及面缺陷(如晶界);按照產(chǎn)生原因又可進一步細分為生長過程中的熱應(yīng)力引起的缺陷、雜質(zhì)引入導(dǎo)致的缺陷等。
對于每種類型的缺陷,《GB/T 30453-2013》還給出了典型示例圖像及說明文字,幫助讀者更直觀地理解各種缺陷的特點。此外,該標(biāo)準(zhǔn)也介紹了使用電子顯微鏡、X射線衍射等現(xiàn)代檢測技術(shù)來識別和分析這些缺陷的方法論指導(dǎo)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-12-31 頒布
- 2014-10-01 實施
文檔簡介
ICS29045
H80.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T30453—2013
硅材料原生缺陷圖譜
Metallographscollectionfororiginaldefectsofcrystallinesilicon
2013-12-31發(fā)布2014-10-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T30453—2013
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
硅多晶結(jié)構(gòu)的不完整性
4…………………1
硅單晶晶體缺陷
5…………………………4
硅片加工缺陷
6……………9
硅外延片缺陷
7…………………………11
附錄資料性附錄氫致缺陷圖
A()………………………76
索引
…………………………79
Ⅰ
GB/T30453—2013
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照制定的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司東方電氣集團峨眉半導(dǎo)體材料有限公司南京國
:、、
盛電子有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司萬向硅峰電子股份有限公司四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任
、、、
公司陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕曹孜翟富義楊旭譚衛(wèi)東黃笑容樓春蘭王飛堯石宇劉云霞陳赫
:、、、、、、、、、、、
梁洪羅莉萍李詠梅齊步坤李慧向磊
、、、、、。
Ⅲ
GB/T30453—2013
硅材料原生缺陷圖譜
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)給出了硅多晶硅單晶硅片和硅外延片等硅材料的各種原生缺陷及其密切相關(guān)誘生缺陷的
、、
術(shù)語及其形貌特征圖譜分析了其產(chǎn)生的原因和消除方法
。。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅多晶硅單晶硅片和硅外延片等硅材料生產(chǎn)研究中各種缺陷的檢驗硅器件集
、、。、
成電路的生產(chǎn)研究也可參考本標(biāo)準(zhǔn)
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法
GB/T1554
硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T4058
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4硅多晶結(jié)構(gòu)的不完整性
41晶粒粗大
.
411特征
..
由三氯氫硅或四氯化硅氫還原法和硅烷熱分解法生長的硅多晶表面致密
(SiHCl3)(SiCl4)(SiH4),
度和晶粒大小與合格多晶明顯有差異見圖圖
,(1~4)。
412產(chǎn)生原因
..
多晶生長時沉積速率過快溫度過高易產(chǎn)生顆粒粗大
,,。
413對單晶制備的影響
..
給單晶制備前多晶料的清潔處理帶來困難并成為單晶中雜質(zhì)的污染源
,。
414消除方法
..
合理控制沉積速率控制進料配比調(diào)節(jié)氣流速度
,,。
42溫度圈
.
4
溫馨提示
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