GB/T 30701-2014表面化學(xué)分析硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面元素的化學(xué)收集方法和全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

表面化學(xué)分析硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面

元素的化學(xué)收集方法和全反射X射線

熒光光譜法TXRF測定

()

Surfacechemicalanalysis—Chemicalmethodsforthecollectionofelements

fromthesurfaceofsilicon-waferworkingreferencematerialsandtheir

determinationbtotal-reflectionX-rafluorescenceTXRFsectrosco

yy()ppy

(ISO17331:2004,IDT)

2014-06-09發(fā)布2014-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

縮略語

4……………………2

試劑

5………………………2

儀器設(shè)備

6…………………5

試樣制備及其測量環(huán)境

7…………………5

校準(zhǔn)試樣的制備

8…………………………6

繪制校準(zhǔn)曲線

9……………7

工作標(biāo)準(zhǔn)樣品上鐵和或鎳的收集

10/……………………8

工作標(biāo)準(zhǔn)樣品上所收集鐵和或鎳的測定

11/……………9

精密度

12……………………9

測試報告

13…………………9

附錄資料性附錄國際實驗室間試驗項目結(jié)果

A()……………………11

附錄資料性附錄國際實驗室間試驗項目的和測量結(jié)果

B()GF-AASICP-MS……14

Ⅰ

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面元素的化學(xué)

ISO17331:2004《

收集方法和全反射射線熒光光譜法測定

X(TXRF)》。

本標(biāo)準(zhǔn)納入了的修正內(nèi)容這些修正內(nèi)容涉及的條款已通過在其外

ISO17331:2004/Amd.1:2010,

側(cè)頁邊空白位置的垂直雙線進(jìn)行了標(biāo)示

(‖)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國計量科學(xué)研究院

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王海宋小平王梅玲高思田馮流星

:、、、、。

Ⅲ

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

引言

在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域普遍采用全反射射線熒光光譜法測量硅片表面的金屬雜質(zhì)

,X(TXRF)。

規(guī)定了測量硅片表面金屬雜質(zhì)原子表面密度介于102142

ISO147061×10atoms/cm~1×10atoms/cm

范圍的方法也規(guī)定了原子表面密度介于82122范圍的氣相

TXRF,5×10atoms/cm~5×10atoms/cm

分解方法

(VPD)。

在超大規(guī)模集成電路制造中目前需要對硅片表面非常低含量低于102的金

(ULSI),(10atoms/cm)

屬雜質(zhì)進(jìn)行測量

。

低含量金屬雜質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)樣品在分析中很重要見但是標(biāo)準(zhǔn)樣品的使用壽命有

TXRF(ISO14706),

限尤其在考慮到表面污染時因此需要對工作標(biāo)準(zhǔn)樣品的制備方法進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化

,。,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于計算標(biāo)準(zhǔn)硅片和試驗硅片表面的金屬雜質(zhì)含量在不同國家的個實驗室間完成的

。9

試驗表明本標(biāo)準(zhǔn)方法具有良好的復(fù)現(xiàn)性和重復(fù)性

,。

Ⅳ

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

表面化學(xué)分析硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面

元素的化學(xué)收集方法和全反射X射線

熒光光譜法TXRF測定

()

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面元素鐵和或鎳的化學(xué)收集方法氣相分解法或直接酸性液滴

/(

分解法和全反射射線熒光光譜法測定

)X(TXRF)。

注可采用石墨爐原子吸收光譜法或電感耦合等離子體質(zhì)譜法代替全反射射線熒光光譜法來測定所收集的

:X

元素

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于原子表面密度介于92112范圍的鐵和或鎳

6×10atoms/cm~5×10atoms/cm/。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度正確度與精密度第部分確定標(biāo)準(zhǔn)測量方

GB/T6379.2—2004()2:

法重復(fù)性和復(fù)現(xiàn)性的基本方法

(ISO5725-2:1994,IDT)

潔凈室和相關(guān)控制環(huán)境第部分空氣潔凈度的分級

ISO14644-1:19991:(Cleanroomsand

associatedcontrolledenvironments—Part1:Classificationofaircleanliness)

表面化學(xué)分析硅片表面元素污染的全反射射線熒光光譜法測定

ISO14706:2000X(TXRF)

[Surfacechemicalanalysi