GB/T 30868-2014碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定化學(xué)腐蝕法

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30868—2014

碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定

化學(xué)腐蝕法

Testmethodformeasuringmicropipedensityofmonocrystallinesilicon

carbidewafers—Chemicallyetching

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定

化學(xué)腐蝕法

GB/T30868—2014

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

書號(hào)

:155066·1-49957

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T30868—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁麗周智慧郝建民藺嫻何秀坤劉筠馮亞彬裴會(huì)川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30868—2014

碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定

化學(xué)腐蝕法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測(cè)定碳化硅單晶微管密度的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶微管密度的測(cè)定

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用標(biāo)準(zhǔn)其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示微管缺陷用光學(xué)顯微鏡或其他儀器如掃描電子顯微鏡觀察碳化硅

,()

單晶表面的微管計(jì)算單位面積上微管的個(gè)數(shù)即得到微管密度

,,。

5試劑和材料

本方法需要下列試劑和材料

:

氫氧化鉀優(yōu)級(jí)純

a)(KOH):;

硅溶膠小于

b):150nm;

去離子水電阻率大于

c):2MΩ·cm。

6儀器設(shè)備

本方法需要下列儀器和設(shè)備

:

光學(xué)顯微鏡或其他儀器放大倍數(shù)為倍

a):20~500;

鎳坩堝直徑Φ

b):60mm~150mm;

控溫加熱器可加溫到以上

c):800℃。

7試樣制備

71拋光

.

711將切割好的厚度適當(dāng)?shù)耐暾奶蓟鑶尉昧叫∮?/p>