GB/T 35003-2018非易失性存儲(chǔ)器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35003—2018

非易失性存儲(chǔ)器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)方法

Testmethodsforenduranceanddataretentionofnon-volatilememory

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35003—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司中國(guó)電子科技

:、、

集團(tuán)公司第五十八研究所北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司深圳國(guó)微電子有限公司成都華微電子科

、、、

技有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人羅曉羽董藝郭曉宇高碩劉妙謝休華

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T35003—2018

非易失性存儲(chǔ)器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非易失性存儲(chǔ)器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器以及內(nèi)嵌上述存儲(chǔ)器

(EEPROM)、(Flash)

的集成電路以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T17574—1998。

31

.

耐久endurance

器件經(jīng)受連續(xù)多次數(shù)據(jù)重寫(xiě)編程擦除循環(huán)的能力

(/)。

32

.

數(shù)據(jù)保持dataretention

在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)器件存儲(chǔ)單元在非偏置狀態(tài)下保持?jǐn)?shù)據(jù)的能力

,。

4設(shè)備

溫度試驗(yàn)箱可以將溫度穩(wěn)定在規(guī)定溫度的之內(nèi)

±3℃。

夾具應(yīng)可放入溫度試驗(yàn)箱中并提供可靠的電連接

,。

5程序

51通則

.

器件耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)應(yīng)按表規(guī)定的程序進(jìn)行

1。

如數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)的目的是驗(yàn)證器件在未經(jīng)過(guò)耐久試驗(yàn)時(shí)的數(shù)據(jù)保持能力則采用程序如果數(shù)

,Ⅰ。

據(jù)保持試驗(yàn)的目的是驗(yàn)證器件經(jīng)過(guò)耐久試驗(yàn)后的數(shù)據(jù)保持能力則采用程序

,Ⅱ。

表1耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)程序

程序要求

耐久試驗(yàn)和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)采用不