標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 36356-2018 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》是由中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會發(fā)布的一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對功率型LED芯片的技術(shù)要求進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以氮化鎵（GaN）基材料為代表的藍(lán)光、綠光以及基于此通過熒光粉轉(zhuǎn)換得到的白光LED芯片。

根據(jù)文件內(nèi)容，其覆蓋了從術(shù)語定義到測試方法等多個(gè)方面的要求。在術(shù)語與定義部分，明確了功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片及其相關(guān)概念的確切含義；而在技術(shù)要求章節(jié)，則具體列出了包括但不限于電性能、光性能、熱特性等方面的指標(biāo)限制，例如正向電壓、反向漏電流、光通量輸出等關(guān)鍵參數(shù)的具體數(shù)值范圍或變化趨勢要求。此外，還涉及到了可靠性實(shí)驗(yàn)條件及評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，如高溫存儲壽命測試、冷熱沖擊循環(huán)試驗(yàn)等，用以評估產(chǎn)品在不同環(huán)境條件下長期工作的穩(wěn)定性。

對于制造商而言，遵循本標(biāo)準(zhǔn)能夠確保所生產(chǎn)的產(chǎn)品滿足一定的質(zhì)量基準(zhǔn)，同時(shí)也有利于推動(dòng)整個(gè)行業(yè)內(nèi)技術(shù)水平的一致性和可比性。而對于消費(fèi)者來說，則可以通過參考這些技術(shù)指標(biāo)來選擇更加適合自己需求的產(chǎn)品。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-06-07 頒布
  • 2019-01-01 實(shí)施
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GB/T 36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范_第3頁
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GB/T 36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36356—2018

功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

Technicalspecificationforpowerlight-emittingdiodechips

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36356—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

檢驗(yàn)方法

4…………………4

檢驗(yàn)規(guī)則

5…………………5

包裝運(yùn)輸和儲存

6、…………………………9

附錄規(guī)范性附錄功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的目檢

A()……………11

附錄規(guī)范性附錄人體模式和機(jī)器模式的靜電放電敏感度分級及標(biāo)志

B()…………14

GB/T36356—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所國家半導(dǎo)體器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國

:、、

電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院廈門市三安光電科技有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張瑞霞趙敏黃杰趙英劉秀娟蔡偉智彭浩劉東月張晨朝

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36356—2018

功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品以下簡稱芯片的技術(shù)要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則

()、、、

包裝運(yùn)輸和儲存等

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)交變濕熱

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循環(huán)

12h)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加

GB/T2423.15—20082:Ga:

速度

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分總則

GB/T4937.1—20061:

半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法

SJ/T11394—2009

半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測試方法

SJ/T11399—2009

所有部分半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical

andclimatictestmethods)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分芯片剪切強(qiáng)度

IEC60749-19:201019:(Semicon-

ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鍵合強(qiáng)度

IEC60749-22:200222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

3要求

31通則

.

311優(yōu)先順序

..

芯片應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的要求本標(biāo)準(zhǔn)的要求與相關(guān)詳細(xì)規(guī)范不一致時(shí)應(yīng)以相關(guān)詳

。,

細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)

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