GB/T 37049-2018電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

ICS7704030

H17..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37049—2018

電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定

電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Testmethodforthecontentofmetalimpurityinelectronicgradepolysilicon—

Inductivelycoupled-plasmamassspectrometrymethod

2018-12-28發(fā)布2019-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37049—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分

:、

公司有研半導(dǎo)體材料有限公司宜昌南玻硅材料有限公司新特能源股份有限公司洛陽(yáng)中硅高科技有

、、、、

限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人魯文鋒劉曉霞秦榕孫燕趙而敬王桃霞趙玉王忠慧柳德發(fā)張園園

:、、、、、、、、、、

銀波邱艷梅劉強(qiáng)

、、。

Ⅰ

GB/T37049—2018

電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定

電感耦合等離子體質(zhì)譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜儀測(cè)定電子級(jí)多晶硅中痕量基體金屬雜質(zhì)含量的

(ICP-MS)

方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于中在基體金屬雜質(zhì)小于范圍內(nèi)鐵鉻鎳銅鋅鈉含量的

GB/T129635ng/g、、、、、

測(cè)定

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子級(jí)多晶硅

GB/T12963

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20101:

四級(jí)桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀校準(zhǔn)規(guī)范

JJF1159

液體化學(xué)品分析指南

SEMIC1(Guidefortheanalysisofliquidchemicals)

半導(dǎo)體加工用超純水指南

SEMIF63(Guideforultrapurewaterusedinsemiconductorprocess-

ing)

3術(shù)語(yǔ)和定義

及界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264JJF1159。

31

.

分辨率resolution

以某元素質(zhì)量峰高處的峰寬表示

10%。

32

.

檢出限detectionlimit

質(zhì)譜儀在一定的置信度內(nèi)所能測(cè)定的某元素的最低極限質(zhì)量濃度

。

33

.

儀器檢出限instrumentdetectionlimit

空白試劑純水信號(hào)平均值的三倍標(biāo)準(zhǔn)偏差所對(duì)應(yīng)的濃度值

()。

34

.

方法檢出限定量下限mothoddetectionlimit

()

給定的分析方法在特定條件下能以合理的置信水平檢出被測(cè)物的最小濃度

。

35

.

背景噪聲backgroundnoise

未引入某元