標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 37049-2018 電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法（ICP-MS）測定電子級多晶硅中特定基體金屬雜質(zhì)含量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于電子工業(yè)用多晶硅材料的質(zhì)量控制和檢測。

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了樣品準(zhǔn)備、儀器條件設(shè)定、校準(zhǔn)曲線制作以及數(shù)據(jù)分析的具體步驟。首先，在樣品制備過程中，需要將多晶硅樣品溶解于適當(dāng)?shù)乃崛芤褐幸孕纬删鶆虻囊后w樣本。這一步驟對于確保后續(xù)分析結(jié)果準(zhǔn)確性至關(guān)重要。

接著，標(biāo)準(zhǔn)指出了進(jìn)行ICP-MS測試時推薦使用的參數(shù)設(shè)置，包括射頻功率、載氣流量等關(guān)鍵因素。正確調(diào)整這些參數(shù)有助于獲得穩(wěn)定且可靠的測量信號。

此外，《GB/T 37049-2018》還提供了關(guān)于如何通過一系列已知濃度的標(biāo)準(zhǔn)溶液來建立校準(zhǔn)曲線的信息。這種校準(zhǔn)過程是定量分析的基礎(chǔ)，能夠幫助研究人員準(zhǔn)確地確定未知樣品中目標(biāo)元素的實(shí)際濃度。

最后，本標(biāo)準(zhǔn)還包括了數(shù)據(jù)處理方法，如背景扣除、內(nèi)標(biāo)法的應(yīng)用等內(nèi)容，這些都是為了提高分析精度而采取的重要措施。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的程序和技術(shù)要求，可以有效地對電子級多晶硅中的多種微量金屬雜質(zhì)進(jìn)行定性和定量分析，從而保證產(chǎn)品的純度符合行業(yè)需求。


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  • 現(xiàn)行
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  • 2018-12-28 頒布
  • 2019-04-01 實(shí)施
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GB/T 37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法_第1頁
GB/T 37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法_第2頁
GB/T 37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法_第3頁
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GB/T 37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS7704030

H17..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37049—2018

電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定

電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Testmethodforthecontentofmetalimpurityinelectronicgradepolysilicon—

Inductivelycoupled-plasmamassspectrometrymethod

2018-12-28發(fā)布2019-04-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T37049—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分

:、

公司有研半導(dǎo)體材料有限公司宜昌南玻硅材料有限公司新特能源股份有限公司洛陽中硅高科技有

、、、、

限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人魯文鋒劉曉霞秦榕孫燕趙而敬王桃霞趙玉王忠慧柳德發(fā)張園園

:、、、、、、、、、、

銀波邱艷梅劉強(qiáng)

、、。

Ⅰ

GB/T37049—2018

電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定

電感耦合等離子體質(zhì)譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜儀測定電子級多晶硅中痕量基體金屬雜質(zhì)含量的

(ICP-MS)

方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于中在基體金屬雜質(zhì)小于范圍內(nèi)鐵鉻鎳銅鋅鈉含量的

GB/T129635ng/g、、、、、

測定

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子級多晶硅

GB/T12963

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20101:

四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀校準(zhǔn)規(guī)范

JJF1159

液體化學(xué)品分析指南

SEMIC1(Guidefortheanalysisofliquidchemicals)

半導(dǎo)體加工用超純水指南

SEMIF63(Guideforultrapurewaterusedinsemiconductorprocess-

ing)

3術(shù)語和定義

及界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264JJF1159。

31

.

分辨率resolution

以某元素質(zhì)量峰高處的峰寬表示

10%。

32

.

檢出限detectionlimit

質(zhì)譜儀在一定的置信度內(nèi)所能測定的某元素的最低極限質(zhì)量濃度

。

33

.

儀器檢出限instrumentdetectionlimit

空白試劑純水信號平均值的三倍標(biāo)準(zhǔn)偏差所對應(yīng)的濃度值

()。

34

.

方法檢出限定量下限mothoddetectionlimit

()

給定的分析方法在特定條件下能以合理的置信水平檢出被測物的最小濃度

。

35

.

背景噪聲backgroundnoise

未引入某元

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