中文版意大利薄膜設(shè)備有限公司產(chǎn)品介紹

ThinFilmEquipmentsrl

ProductsIntroductionBySunnyYANG

TFEsrl介紹TLCSRL–TFE公司1998–2001最初從事收購，翻新和重新出售二手真空沉積工具-Eclipse和MRCbatch濺射系統(tǒng)今天該公司的產(chǎn)品組合，延伸到各種高技術(shù)薄工藝設(shè)備產(chǎn)品范圍包括batch濺射系統(tǒng)，客戶應(yīng)用程序特定的真空和超高真空系統(tǒng)，和零部件的種潔凈室設(shè)備公司有專門的銷售人員，客戶服務(wù)人員，和一支現(xiàn)場服務(wù)工程師和工藝工程師。TFE公司是總部設(shè)在米蘭，意大利TFEsrl支持TFE是通過網(wǎng)絡(luò)化的多個(gè)組織提供本地服務(wù)支持。辦公地點(diǎn)有德國，法國，英國，西班牙，意大利......TFE天津代表處TFE天津代表處2009TFE翻新的MRCEclipsesputter工具在中國的業(yè)務(wù)代表一群小型的總部歐洲的全新的和翻新的設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)行銷售以及技術(shù)支持我們專注于為前端客戶提供半導(dǎo)體和太陽能電池薄膜加工設(shè)備TFE天津代表處的優(yōu)勢多年的設(shè)備管理，薄膜的前端工藝設(shè)備專家尤其是sputter（PVD）設(shè)備和應(yīng)用為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)支獲得聲譽(yù)。經(jīng)驗(yàn)豐富的銷售和支持團(tuán)隊(duì)TFE天津代表處TFE天津代表處2009TFE翻新的MRCEclipsesputter工具在中國的業(yè)務(wù)代表一群小型的總部歐洲的全新的和翻新的設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)行銷售以及技術(shù)支持我們專注于為前端客戶提供半導(dǎo)體和太陽能電池薄膜加工設(shè)備TFE天津代表處的優(yōu)勢多年的設(shè)備管理，薄膜的前端工藝設(shè)備專家尤其是sputter（PVD）設(shè)備和應(yīng)用為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)支獲得聲譽(yù)。經(jīng)驗(yàn)豐富的銷售和支持團(tuán)隊(duì)ThinFilmEquipmentsrl

TFE濺射設(shè)備分為:

翻新改造類:-MRC600:

：垂直配置-MRC900::水平配置

-MRCEclipse:單片濺射設(shè)備:垂直配置

全新的設(shè)備::BHF3F/S;BH4F/SMRCBatch產(chǎn)品客戶：Semileds–1xMRC943-Refurbished–2011/5SolarSCI–1xMRC643and1xMRC943–refurbished-2012/3Institute55–1xMRC603–Saw–Refurbished-2011/8Solorein–1xMRC943–Refurbished-2011/11Corenergy:1xMRC603-Refurbished–2014/06Institute55:1xTFE644–YZGuoyu-2013/12Institute55:1xBH4F-Brandnew–WBG-2014/08MRCEclipse產(chǎn)品客戶：Dongguang–2xEclipseStar–Refurbished–2011/3ThinFilmEquipmentsrl成功案例：ThinFilmEquipmentsrl垂直配置的設(shè)備配置三個(gè)陰極+加熱和刻蝕功能承載腔配備機(jī)械泵負(fù)載腔配備冷泵MRC603MRC600:ThinFilmEquipmentsrlThinFilmEquipmentsrlMRC643垂直配置的設(shè)備三個(gè)陰極+加熱和刻蝕功能

負(fù)載腔和濺射腔均配置冷泵MRC903:

水平配置的設(shè)備配置三個(gè)陰極+加熱和刻蝕功能負(fù)載腔配置機(jī)械泵濺射腔配置冷泵MRC943:水平配置的設(shè)備配置三個(gè)陰極+加熱和刻蝕功能負(fù)載腔和濺射腔均配置冷泵ThinFilmEquipmentsrlMRC943:ThinFilmEquipmentsrlMRC900:ThinFilmEquipmentsrl900和600系列配置比較表濺射面積配置形式負(fù)載腔泵體種類刻蝕功能靶材數(shù)量及尺寸60313”x13”垂直配置機(jī)械泵YES標(biāo)配35”x15”90312”x12”水平配置機(jī)械泵YES標(biāo)配35”x15”64313”x13”垂直配置機(jī)械泵+冷泵+壓縮機(jī)+加熱YES標(biāo)配35”x15”94312”x12”水平配置機(jī)械泵+冷泵+空壓機(jī)+加熱YES標(biāo)配35”x15”ThinFilmEquipmentsrl濺射面積與產(chǎn)能濺射面積基片尺寸75mm基片尺寸100mm基片尺寸150mm基片尺寸200mm60313”x13”1694190312”x12”1694164313”x13”1694164312”x12”16941MRCEclipseThinFilmEquipmentsrl三個(gè)型號:Star,Mark2,Mark4區(qū)別:Star和Mark2適用于4”,5”,6”的基片.Mark4適用于8”基片Star配備5個(gè)冷泵.Mark2配備6個(gè)冷泵.特點(diǎn)：垂直配置的設(shè)備；三個(gè)獨(dú)立的濺射腔；一個(gè)獨(dú)立的承載腔（1.5L）；一個(gè)獨(dú)立的刻蝕腔；邊緣限制：2.5mm（標(biāo)準(zhǔn)）1.5mm（可選）

可以連續(xù)作業(yè)的設(shè)備高產(chǎn)能的設(shè)備：48WPH(1umAl沉積)基片傳送連續(xù)作業(yè)程序化控制真空隔離的作業(yè)腔體可旋轉(zhuǎn)的磁性陰極特別的隔離設(shè)計(jì)與N2和O2反應(yīng)的濺射能力具有GaAs和背面工藝處理ThinFilmEquipmentsrlMRCEclipse減少維護(hù)

快速夾具交換

迅速更換靶材On-BoardCTI快速再生低溫泵ICPSoftEtch*ProcessModuleProcessModuleProcessModuleLoadlockEquipeRobotOpticalPre-AlignerPreprocessCassetteCassetteNest“A”CassetteNest“B”LoadArmVerticalWaferTransportModuleHorizontalWaferHandler*OptionalprocessmoduleinlieuofICPSoftEtchEclipseSputteringSystemSchematicThinFilmEquipmentsrl全新的產(chǎn)品包括：TFEBH3FTFEBH4FTFEBH3STFEBH4SThinFilmEquipmentsrlCOMPANYCONFIDENTIALThinFilmEquipmentsrl濺射面積型式濺射方向靶材數(shù)量和尺寸裝片方向TFEBH3F13”X13”批式水平3個(gè)5”x17”正面TFEBH3S13”X13”批式水平3個(gè)5”x17”側(cè)面TFEBH4F13”X13”批式水平3個(gè)5”x17”正面TFEBH4S13”X13批式水平3個(gè)5”x17”側(cè)面配置比較ThinFilmEquipmentsrl全新的設(shè)備：TFEBH3F

特點(diǎn)?水平配置的設(shè)備?三個(gè)陰極+加熱和刻蝕功能?負(fù)載腔和濺射腔配置冷泵?托盤尺寸330x330mm?通過PLC&PC全自動的操作，并且可以

通過網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行遙控

?濺射金屬類沉積使用直流磁場；濺射絕

緣材料使用射頻磁場靶材類型靶材利用率RFDiode30%平面式標(biāo)準(zhǔn)厚度：6mm20-25%插入式標(biāo)準(zhǔn)厚度：12mm40-60%ThinFilmEquipmentsrl平面式靶材:-適用于RFM/DC磁性濺射-絕緣體和金屬的濺射-用于研發(fā)和生產(chǎn)型均可嵌入式靶材：

高效的靶材利用率

只能用于金屬材料的濺射

只能用于DCM

靶材形狀取決于材料的要求靶材利用率

ThinFilmEquipmentsrl材料嵌入式

平面式配置均一性防護(hù)罩DCM金屬靶材±5%±5%±3-5%RFM絕緣體靶材NA±7.5-10%±5%RFDIODE絕緣體靶材NA±7.5-10%±5%產(chǎn)品的均一性MoveblefingerThinFilmEquipmentsrl均一性防護(hù)罩示意圖D.C.MAGNETRON(7kW)RFDIODE(1.5kW)RFMAGNETRON(1.5kW)AngstromsAngstromsAngstromsAg18,800Au1,000Al2O3300Al6,000Cr300Cr/SiO600Au15,500Cu700MgO130Be4,400InSn600Si500C1,700Ni400SiO2500Cr7,200NiCr330Cu14,500Fe/Ni300Mo5,800Pt600MoSi25,500Rh450Nb3,600Ta200NiCr7,000Ti180NiV5,000TiW300InSn10,000at1kWTiN1,700reactiveOs5,000Pd13,300Pt10,000Re5,800Rh8,300Ta4,000Th3,900Ti3,700TiW5,000W3,300Zr4,150DCMAGNETRONINSETAl(8.5Kw)5,000SPUTTERINGRATES

FilmThicknessgivenforascanspeedof6’’/minutePlanartargets:2’’anodetocathodedistanceRFDIODE&MAGNETRONCANBEOPERATEDTO3kW