GB/T 7993-2003用在腐蝕條件下的搪玻璃設(shè)備的高電壓試驗方法

ICS71.120.99:25.220.50G94中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T7993-2003代替GB/T7993—1987用在腐蝕條件下的塘玻璃設(shè)備的高電壓試驗方法Vitreousandporcelainenamel-Enamelledarticlesforserviceunderhighlycorrosiveconditions-Highvoltagetest（ISO2746:1998,MOD)2003-06-16發(fā)布2004-01-01實施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

GB/T7993—2003前本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ISO2746：1998《塘玻璃用于強(qiáng)腐蝕條件下的塘玻璃設(shè)備高電壓試驗方法》（英文版）。本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)ISO2746：1998重新起草本標(biāo)準(zhǔn)在采用ISO2746:1998時做了以下修改·有關(guān)技術(shù)性差異已編入正文中并在它們所涉及的條款的頁邊空白處用垂直單線標(biāo)識：本標(biāo)準(zhǔn)6.2中，塘玻璃設(shè)備在高電壓試驗時要求塘玻璃層的最高溫度ISO2746：1998規(guī)定為30℃,考慮到我國夏季氣溫，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為40C。如電壓相同,在40C下檢測將較30C時更為嚴(yán)格。為便于使用,對于ISO2746:1998本標(biāo)準(zhǔn)還做了下列編輯性修改：“本國際標(biāo)準(zhǔn)"一詞改為"本標(biāo)準(zhǔn)”：-刪除ISO2746:1998的前言。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T7993—1987《用在強(qiáng)腐蝕條件下的塘玻璃設(shè)備的高電壓試驗方法》.本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T7993—1987相比主要變化如下：增加了最低電壓和最小塘玻璃層厚度的要求(見第1章）允許高電壓發(fā)生器發(fā)出的直流電壓的誤差由一10%～十5%修改為士5%（見4.1).本標(biāo)準(zhǔn)由中國石油和化學(xué)工業(yè)協(xié)會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國塘玻璃設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：天華化工機(jī)械及自動化研究設(shè)計院、沈陽市東華檢測儀器廠、天津市工業(yè)塘瓷廠本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張品、楚賢成、桑臨春、梁彩霞。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T7993-1987。

GB/T7993—2003用在腐蝕條件下的塘玻璃設(shè)備的高電壓試驗方法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用在腐蝕條件下的塘玻璃設(shè)備的高電壓試驗方法高電壓試驗的目的在于檢測和定位塘玻璃層中延伸至金屬基體的缺陷和塘玻璃層中的薄弱點(diǎn)本試驗方法適用于電壓不低于2kV且塘玻璃層的厚度不小于660m的檢測。術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)21薄弱點(diǎn)Wcalkspots是指塘玻璃層中由于氣泡、夾雜物、裂紋等的存在而使塘玻璃層的厚度低于高電壓擊穿的厚度的區(qū)域。3原理用高電壓發(fā)生器的正電極給塘玻璃層施加一個規(guī)定的不低于2kV的直流電壓。通過火花放電和高電壓發(fā)生器同時發(fā)出的光和(或)聲的信號探測出塘玻璃層中的缺陷和薄弱點(diǎn)。4裝置高高電壓發(fā)生器高電壓發(fā)生器能給出不低于2kV的滿足試驗要求的直流電壓(見6.1),其允許誤差為士5%高電壓發(fā)生器的總內(nèi)阻要足夠的高.以使短路電流的算術(shù)平均值最大為2mA至3mA.在火花放電過程中峰值電流的最大伯應(yīng)在10mA至50mA之間，而每個脈沖放電量的最大值為25C。高電壓發(fā)生器的負(fù)極應(yīng)保證可靠接地，正極應(yīng)用一長度適宜的屏蔽高壓電纜與試驗電極相連接4.2試驗電極4.2.1絕緣把手具有一個接地的金屬外套。4.2.2電刷由(適合制作試驗電刷的)金屬絲制成，應(yīng)完全不受火花放電的影響.且在掃過塘玻璃面時能覆蓋盡可能大的面積。4.2.3保護(hù)電阻在把手和電刷之間設(shè)置一個保護(hù)電阻,用來限制在電火花放電時的峰值電流(10mA至50mA為最大值)。并應(yīng)考慮不會因為粉塵等污染