數(shù)字電路第7章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器課件

第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器§7.1概述§7.2只讀存儲(chǔ)器（ROM）§7.3讀寫存儲(chǔ)器（RAM）§7.4存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展§7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)2/6/20231阜師院數(shù)科院§7.1概述

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)二值數(shù)字信息的大規(guī)模集成電路。在電子計(jì)算機(jī)以及其他一些數(shù)字系統(tǒng)的工作過程中，都需要對(duì)大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)。因此，存儲(chǔ)器也就成了這些數(shù)字系統(tǒng)不可缺少的組成部分。

因?yàn)榘雽?dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元數(shù)目極其龐大而器件的引腳數(shù)目有限，所以在電路結(jié)構(gòu)上就不可能像寄存器那樣把每個(gè)存儲(chǔ)單元的輸入輸出直接引出。為了解決這個(gè)矛盾，在存儲(chǔ)器中給每個(gè)存儲(chǔ)單元編了一個(gè)地址，只有被輸入地址代碼指定的那些單元才能與公共的輸入/輸出引腳接通，進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出和寫入。由于計(jì)算機(jī)處理的數(shù)據(jù)量越來越大，運(yùn)算速度越來越快，這就要求存儲(chǔ)器具有更大的存儲(chǔ)容量和更快的存取速度。所以通常把存儲(chǔ)量和存取速度作為衡量存儲(chǔ)器性能的重要指標(biāo)。（如109位/片，10ns）2/6/20232阜師院數(shù)科院

存儲(chǔ)器實(shí)際上是將大量存儲(chǔ)單元按一定規(guī)律結(jié)合起來的整體，它可以被比喻為一個(gè)由許多房間組成的大旅館。每個(gè)房間有一個(gè)號(hào)碼(地址碼)，每個(gè)房間內(nèi)有一定內(nèi)容(一個(gè)二進(jìn)制數(shù)碼，又稱一個(gè)“字”)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的種類很多，從存儲(chǔ)功能上講，可分為只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory，簡(jiǎn)稱ROM）和隨機(jī)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，簡(jiǎn)稱RAM）兩大類。

從構(gòu)成元件來說，又分為雙極型和MOS型。但鑒于MOS電路具有功耗低，集成度高等優(yōu)點(diǎn)，目前大容量的存儲(chǔ)器都是采用MOS電路制作的。2/6/20233阜師院數(shù)科院A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端存儲(chǔ)矩陣輸出電路位線字線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0譯碼器2/6/20235阜師院數(shù)科院A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端假設(shè)：A1A0＝1110001100二極管或門2/6/20236阜師院數(shù)科院A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端1100二極管或門1當(dāng)某一字線被選中時(shí)，這個(gè)字線與位線間若接有二極管，則該位線輸出為1。2/6/20237阜師院數(shù)科院假設(shè)：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端0101A1A0＝012/6/20239阜師院數(shù)科院假設(shè)：A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端0011A1A0＝002/6/202310阜師院數(shù)科院000101111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0內(nèi)容位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端字線輸入任意一個(gè)地址碼，譯碼器就可使與之對(duì)應(yīng)的某條字線為高電平，進(jìn)而可以從位線上讀出四位輸出數(shù)字量。2/6/202311阜師院數(shù)科院

7.2.2可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)有一種可編程序的ROM，在出廠時(shí)全部存儲(chǔ)“1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫為“0”,然而只能改寫一次，稱其為PROM。若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“0”。顯然，一旦燒斷后不能再恢復(fù)。前兩種存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)內(nèi)容在出廠時(shí)已被完全固定下來，使用時(shí)不能變動(dòng)，稱為固定ROM。2/6/202313阜師院數(shù)科院圖7.2.5PROM管的結(jié)構(gòu)原理圖

編程時(shí)首先應(yīng)輸入地址代碼，找出要寫入0的單元地址。然后使VCC和選中的字線提高到編程所要求的高電位，同時(shí)在編程單元的位線上加入編程脈沖（幅度約20V，持續(xù)時(shí)間約十幾微秒）。這時(shí)寫入放大器AW的輸出為低電平，低內(nèi)阻狀態(tài)，有較大的脈沖沖擊電流流過熔絲，將其熔斷。2/6/202314阜師院數(shù)科院PROM中的內(nèi)容只能寫一次，有時(shí)仍嫌不方便，于是又發(fā)展了一種可以改寫多次的ROM，簡(jiǎn)稱EPROM。它所存儲(chǔ)的信息可以用紫外線或X射線照射檫去，然后又可以重新編制信息。存儲(chǔ)容量：是ROM的主要技術(shù)指標(biāo)之一，它一般用[存儲(chǔ)字?jǐn)?shù)：2N]·[輸出位數(shù)：M]來表示(其中N為存儲(chǔ)器的地址線根數(shù))。例如：128(字)·8(位)，1024(字)·8(位)等等。

圖7.2.5是一個(gè)16×8的PROM。這里16×8是指其存儲(chǔ)矩陣的容量。2/6/202315阜師院數(shù)科院2)疊柵型EPROM工作原理圖7.2.9中寫入數(shù)據(jù)時(shí)漏極和控制柵極的控制電路沒有畫出。這是一個(gè)256×1位的EPROM，256個(gè)存儲(chǔ)單元排列成16×16矩陣。輸入地址的高4位加到行地址譯碼器上，從16行存儲(chǔ)單元中選出要讀的一行。輸入地址的低4位加到列地址譯碼器上，再?gòu)倪x中的一行存儲(chǔ)單元中選出要讀的一位。浮置柵上注入了電荷的SIMOS管相當(dāng)于寫入了1，未注入電荷的相當(dāng)與存入了0。出廠時(shí)，全部單元存“1”。2/6/202317阜師院數(shù)科院3)EPROM實(shí)例介紹（2716）結(jié)構(gòu)及引腳…...…...A0A1A2A3行地址譯碼器行地址緩沖器列地址譯碼器列地址緩沖器讀出放大器輸出緩沖器片選,功耗降低和編程邏輯CS__PD/PGMVppA4A5A6A7A8A9A10D7D6D5D4D3D2D1D02/6/202318阜師院數(shù)科院2716的工作方式out2/6/202319阜師院數(shù)科院當(dāng)隧道區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度大到一定的時(shí)候，便在漏區(qū)和浮置柵之間出現(xiàn)導(dǎo)電隧道，電子可以雙向通過，形成電流。這種現(xiàn)象稱為隧道效應(yīng)。

為了提高擦、寫的可靠性，并保護(hù)隧道區(qū)超薄氧化層，在EEPROM的存儲(chǔ)單元中除Flotox管外還附加了一個(gè)選通管，如圖7.2.11所示。根據(jù)Flotox管的浮置柵上是否存有電荷來區(qū)分單元的1或0狀態(tài)。EEPROM在出廠時(shí)各存儲(chǔ)單元均為1狀態(tài)。2/6/202321阜師院數(shù)科院圖7.2.12E2PROM存儲(chǔ)單元的三種工作狀態(tài)（a）讀出狀態(tài)（b）擦除（寫1）狀態(tài)（c）寫入（寫0）狀態(tài)在讀出狀態(tài)下，GC上加3V電壓，字線Wi給出5V的正常高電平，如圖7.2.12(a)所示。這時(shí)選通管T2導(dǎo)通，如果Floatox管的浮置柵上充有負(fù)電荷，則T1截止，Bi上讀出1。

在擦除狀態(tài)下，F(xiàn)lotox管的控制柵GC上加20V左右、寬度約10ms的脈沖電壓，漏區(qū)接0電平。這時(shí)經(jīng)GC-Gi間電容和Gi-漏區(qū)電容分壓在隧道區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)，吸引漏區(qū)的電子通過隧道區(qū)到達(dá)浮置柵，形成存儲(chǔ)電荷，使Flotox管的開啟電壓提高到7V以上，成為高開啟電壓管（表示寫了1）。讀出時(shí)GC上的電壓只有3V，F(xiàn)lotox管不會(huì)導(dǎo)通。2/6/202322阜師院數(shù)科院

在寫入狀態(tài)下，應(yīng)使寫入0的那些存儲(chǔ)單元的Flotox管浮置柵放電。為此，在寫入0時(shí)令控制柵GC為0電平，同時(shí)在字線Wi和位線Bi上加20V左右、寬度約10ms的脈沖電壓。這時(shí)浮置柵上的存儲(chǔ)電荷將通過隧道區(qū)放電，使Flotox管的開啟電壓降為0V左右，成為低開啟電壓管（表示寫了0）。讀出時(shí)，GC上加3V電壓，F(xiàn)lotox管為導(dǎo)通狀態(tài)。EEPROM是按字節(jié)寫入或擦除的。

雖然EEPROM改用電壓信號(hào)擦除了，但由于擦除和寫入時(shí)需要加高壓脈沖，而且擦、寫的時(shí)間仍叫長(zhǎng)，所以在系統(tǒng)正常工作狀態(tài)下，EEPROM仍然只能工作在它的讀出狀態(tài)，作ROM使用。

3、快閃存儲(chǔ)器（FlashMemory）從上面對(duì)EEPROM的介紹中可以看出，為了提高擦除和寫入的可靠性，EEPROM的存儲(chǔ)單元用了兩只MOS管。這無疑將限制了EEPROM的集成度的進(jìn)一步提高。快閃存儲(chǔ)器采用了類似于EPROM的單管疊柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元，制成了新一代用電可擦可編程ROM。2/6/202323阜師院數(shù)科院閃存儲(chǔ)器中僅為10~15mm。而且浮置柵與源區(qū)重疊的部分是由源區(qū)的橫向擴(kuò)散形成的，面積極小，因而浮置柵-源區(qū)間的電容要比浮置柵-控制柵間的電容小得多。當(dāng)控制柵和源極間加上電壓時(shí)，大部分電壓都將降在浮置柵與源極之間的電容上。這有利于提高擦、寫速度?？扉W存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元就是用這樣一只管子組成的。

在讀出狀態(tài)下，字線給出5V的邏輯高電平，存儲(chǔ)單元公共端VSS為0電平。如果浮置柵上沒有充電，則疊柵MOS管導(dǎo)通，位線上輸出低電平；如果浮置柵上充有負(fù)電荷，則疊柵MOS管截止，位線上輸出高電平。2/6/202325阜師院數(shù)科院

快閃存儲(chǔ)器的寫入方法和EPROM相同，即利用雪崩注入的方法使浮置柵充電。在寫入狀態(tài)下，疊柵MOS管的漏極經(jīng)位線接至一個(gè)較高的正電壓（一般為6V），VSS接0電平，同時(shí)在控制柵加一個(gè)幅度12V左右、寬度約10μS的正脈沖。這時(shí)D-S間將發(fā)生雪崩擊穿，一部分速度高的電子便穿過氧化層到達(dá)浮置柵，形成浮置柵充電電荷。浮置柵充電后，疊柵MOS管的開啟電壓為7V以上，字線為正常電平時(shí)不會(huì)導(dǎo)通。

快閃存儲(chǔ)器的擦除操作是利用隧道效應(yīng)進(jìn)行的，在這一點(diǎn)上又類似于EEPROM寫入0時(shí)的操作。在擦除狀態(tài)下，令控制柵處于0電平，同時(shí)在源極VSS加入幅度為12V左右、寬度約100ms的正脈沖。這時(shí)在浮置柵與源區(qū)間極小的重疊部分產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使浮置柵上的電荷經(jīng)隧道區(qū)釋放。浮置柵放電后，疊柵MOS管的開啟電壓在2V以下，在它的控制柵上加5V的電壓時(shí)一定會(huì)導(dǎo)通。由于片內(nèi)所有疊柵MOS管的源極是連在一起的，所以全部存儲(chǔ)單元同時(shí)被擦除。這也是它不同于EEPROM的一個(gè)特點(diǎn)。2/6/202326阜師院數(shù)科院§7.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)讀寫存儲(chǔ)器又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。讀寫存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：在工作過程中，既可從存儲(chǔ)器的任意單元讀出信息，又可以把外界信息寫入任意單元，因此它被稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱RAM。RandomAccessMemory...RAM按功能可分為靜態(tài)、動(dòng)態(tài)兩類；RAM按所用器件又可分為雙極型和MOS型兩種。為了便于連接成為小系統(tǒng)，它的輸出都采用三態(tài)方式，由片選端控制。2/6/202327阜師院數(shù)科院圖7.3.210244位RAM（2114）的結(jié)構(gòu)框圖2/6/202329阜師院數(shù)科院二、靜態(tài)存儲(chǔ)單元WiDD符號(hào)圖7.3.3六管NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元2/6/202330阜師院數(shù)科院介紹基本存儲(chǔ)單元的工作原理:VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線VCCT2T1T3T4由增強(qiáng)型NMOS管T1和T2、T3和T4構(gòu)成一個(gè)基本R-S觸發(fā)器，它是存儲(chǔ)信息的基本單元。2/6/202331阜師院數(shù)科院VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線T5和T6是門控管，由字線Wi控制其導(dǎo)通或截止：Wi＝1，否則就截止。T5T6兩管導(dǎo)通；門控管T5和T6導(dǎo)通時(shí)可以進(jìn)行“讀”或“寫”的操作：2/6/202332阜師院數(shù)科院VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6T1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線

R/W的控制作用：=0時(shí)，R/W而門2處于高阻狀態(tài)，0三態(tài)門1、3接通，00使I/O信號(hào)得以經(jīng)過門1、3送到數(shù)據(jù)線上，以便寫入。2/6/202333阜師院數(shù)科院VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6T1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線

R/W的控制作用：R/W＝1時(shí)，門1、3處于高阻狀態(tài)，1門2接通，1將數(shù)據(jù)線上電位送到I/O，以便讀出。12/6/202334阜師院數(shù)科院7.3.2動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)

靜態(tài)RAM存儲(chǔ)單元所用的管子多，功耗大，集成度受到限制，為了克服這些缺點(diǎn)，人們研制了動(dòng)態(tài)RAM。動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理是基于MOS管柵極電容存儲(chǔ)效應(yīng)。由于漏極電流的存在，電容上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不能長(zhǎng)久保存，因此必須定期給電容補(bǔ)充電荷，以避免存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的丟失，這種操作稱為再生或刷新。一、DRAM存儲(chǔ)單元電路（四管、三管和單管三種）1、三管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元電路2/6/202335阜師院數(shù)科院在三管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元電路中，信號(hào)以電荷形式存儲(chǔ)在T2管的柵極電容C之中。電容上的電壓VC控制著T2的開關(guān)狀態(tài)，給出位線上的高、低電平?？刂谱x和寫的字線和位線是分開的。讀的字選線控制著T3管的開關(guān)狀態(tài)，寫的字選線控制著T1管的開關(guān)狀態(tài)。T4是同一列存儲(chǔ)單元公用的預(yù)充電MOS管。

進(jìn)行讀操作時(shí)，首先將讀位線預(yù)充到高電平，然后令讀字線為高電平，使T3管導(dǎo)通。如果C上充有正電荷，而且VC大于T2的開啟電壓，則T2管導(dǎo)通，讀位線上的電容CB經(jīng)T3和T2放電，使位線輸出低電平。如果C上沒有充電，則T2截止，CB沒有放電通路，位線維持預(yù)充的高電平。位線的高、低電平經(jīng)讀出放大器反相放大后送到輸出端，即讀出的數(shù)據(jù)。2/6/202336阜師院數(shù)科院進(jìn)行寫操作時(shí)，令寫字線為高電平，于是T1管導(dǎo)通，輸入的數(shù)據(jù)加到寫位線上，通過T1與T2管的柵極電容C接通，于是便將輸入的高、低電平信號(hào)存儲(chǔ)到C上面。在讀出時(shí)位線上的電壓信號(hào)與電容C上的電壓信號(hào)相位相反，而在寫入時(shí)位線上的電壓信號(hào)與C上的電壓信號(hào)同相。為了周期性地對(duì)存儲(chǔ)單元刷新，必須先將C上存儲(chǔ)的電壓信號(hào)讀出，反相后再重新寫入。2、單管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元電路2/6/202337阜師院數(shù)科院?jiǎn)喂軇?dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元電路由一只N溝道增強(qiáng)型MOS管T和一個(gè)電容CS組成。在進(jìn)行寫操作時(shí)，字線給出高電平，使T導(dǎo)通，位線上的數(shù)據(jù)便經(jīng)過T被存入CS中。在進(jìn)行讀操作時(shí)，字線同樣應(yīng)給出高電平，并使T導(dǎo)通。這時(shí)CS經(jīng)T向位線上的電容CB提供電荷，使位線獲得讀出的信號(hào)電平。設(shè)CS上原來存有電荷，電壓VCS為高電平，而位線電位VB=0，則執(zhí)行讀操作以后位線電平將上升為因?yàn)樵趯?shí)際的存儲(chǔ)電路中位線上總是同時(shí)接有很多存儲(chǔ)單元，使CB>>CS，所以位線上讀出的電壓信號(hào)很小。2/6/202338阜師院數(shù)科院例如讀出操作前VCS=5V，CS/CB=1/50，則位線上的讀出信號(hào)將僅有0.1V。而且在讀出以后CS上的電壓也只剩下0.1V，所以這是一種破壞性讀出。因此，需要在DRAM中設(shè)置靈敏的讀出放大器，一方面將讀出信號(hào)加以放大，另一方面將存儲(chǔ)單元里原來存儲(chǔ)的信號(hào)恢復(fù)。二、靈敏恢復(fù)/讀出放大器DRAM中的單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元也是按行、列排成矩陣式結(jié)構(gòu)的，并且在每根位線上接有靈敏恢復(fù)/讀出放大器。2/6/202339阜師院數(shù)科院靈敏恢復(fù)/讀出放大器包含一個(gè)由T1~T4組成的鎖存器和三個(gè)控制管T5、T6和T7放大器的一個(gè)輸出端與位線B和存儲(chǔ)單元相連，另一輸出端接至一個(gè)虛單元上。虛單元的存儲(chǔ)電容CF上存入一個(gè)介于高、低電平之間的參考電平VR.圖7.3.10靈敏恢復(fù)/讀出放大器的讀出過程

（a）讀出0的情況（b）讀出1的情況讀出過程是在一組順序產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)控制下進(jìn)行的。首先ΦR、ΦF給出正脈沖，使T5、T6和T7導(dǎo)通，位線B、B’和CF均被充電至VR。當(dāng)字線選通脈沖ΦW到達(dá)后，存儲(chǔ)單元的開關(guān)管TS和虛單元的開關(guān)管TF同時(shí)都導(dǎo)通。如果CS上沒有存儲(chǔ)電荷，則CB經(jīng)TS向CS放電，vCs上升，而位線B的電位逐漸下降。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)ΦS到達(dá)后，位線B和B’間的電位差被T1和T3組成的正反饋電路放大。最后ΦL脈沖使T2和T4導(dǎo)通，將B’提升至高電平，而B降為低電平。Φw消失后，CS恢復(fù)0.2/6/202340阜師院數(shù)科院三、DRAM的總體結(jié)構(gòu)2/6/202341阜師院數(shù)科院7.4存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管腳圖2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管腳圖A2A711112141324A8D5D6D7RDWR2/6/202342阜師院數(shù)科院7.4.1.擴(kuò)大RAM(如2114)的位數(shù)A9A0R/WCSD1D3D2D0A9A0R/WCSD1D3D2D0......2114(1)2114(2)...A0A9D7D6D5D4D1D3D2D0CSR/W控制端當(dāng)然應(yīng)該連接好用兩片2114(1024×4)構(gòu)成1024×8只要把各片地址線對(duì)應(yīng)連接在一起，要達(dá)到這個(gè)目的方法很簡(jiǎn)單，而數(shù)據(jù)線并聯(lián)使用即可，示范接線如下圖：2/6/202343阜師院數(shù)科院7.4.2.增加RAM(如2114)的字?jǐn)?shù)思路：(1).訪問4096個(gè)單元，必然有12根地址線；(2).訪問RAM2114，只需10根地址線，尚余2根地址線；(3).設(shè)法用剩余的2根地址線去控制4個(gè)2114的片選端。通過用1024×4(4片2114)構(gòu)成4096×4為例，介紹解決這類問題的辦法。2/6/202344阜師院數(shù)科院D3D2D1D0CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D32114(1)2114(2)2114(3)2114(4)R/WY024譯碼器A11A10Y3A9A0~用四片RAM2114構(gòu)成40964的存儲(chǔ)容量2/6/202345阜師院數(shù)科院A11A10選中片序號(hào)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元001110012114(1)2114(2)2114(3)2114(4)0000~10231024~20472048~30713072~4095CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D32114(1)2114(2)2114(3)2114(4)2/6/202346阜師院數(shù)科院7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)由ROM的電路結(jié)構(gòu)圖可以看出,它的譯碼器輸出包含了輸入變量全部的最小項(xiàng),而每一位數(shù)據(jù)輸出又都是若干個(gè)最小項(xiàng)之和,因而任何形式的組合邏輯函數(shù)均能通過向ROM中寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)。000101111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0內(nèi)容例如，左表是一個(gè)ROM的數(shù)據(jù)表。如果將地址輸入A1和A0視為輸入變量B和A，把輸出數(shù)據(jù)D3、D2、D1和D0視為輸出變量Y3、Y2、Y1和Y0，則該ROM就實(shí)現(xiàn)了一組兩變量的多輸出組合邏輯函數(shù)。Y3=BA，Y2=BA+BAY1=BA+BA，Y0=BA+BA+BA2/6/202347阜師院數(shù)科院例7.5.1試用ROM設(shè)計(jì)一個(gè)八段字符顯示譯碼器,其真值表由表7.5.2給出。解：由給定的真值表可見，應(yīng)取輸入地址為4位，輸出數(shù)據(jù)為8位的（16×8位）的ROM來實(shí)現(xiàn)。圖中以接入二極管表示存入0，未接入二極管表示存入1。2/6/202348阜師院數(shù)科院例7.5.2試用ROM產(chǎn)生如下的一組多輸出邏輯函數(shù)解:將表達(dá)式化為最小項(xiàng)之