半導體器件-二極管-三極管

2、

半導體材料硅（Si）鍺（Ge）的原子結構與共價鍵外層電子（價電子）數(shù)4個，價電子受原子核的束縛力最小，決定其化學性質3、

本征半導體、空穴、及其導電作用本征半導體：完全純凈、結構完整的半導體晶體。純度：99.9999999%，“九個9”它在物理結構上呈單晶體形態(tài)。T=0K且無外界激發(fā)，只有束縛電子，沒有自由電子，本征半導體相當于絕緣體T=300K，本征激發(fā)，少量束縛電子擺脫共價鍵成為自由電子共價鍵內(nèi)的電子稱為束縛電子掙脫原子核束縛的電子稱為自由電子本征半導體半導體導電的兩個方面自由電子的運動束縛電子的運動與金屬導電相比，金屬導電只有自由電子的運動，因為金屬沒有共價鍵，而半導體有共價鍵,所以有兩個方面空穴直接描述束縛電子的運動不太方便用我們假想的（自然界不存在的）、帶正電的、與束縛電子反方向運動的那么一種粒子來描述束縛電子的運動比較方便，這種粒子起名叫做“空穴”半導體中的載流子自由電子空穴本征半導體中的自由電子和空穴成對出現(xiàn)本征半導體的特性：（1）熱敏特性（2）光敏特性（3）攙雜特性三種方式都可使本征半導體中的載流子數(shù)目增加，導電能力增強，但是并不是當做導體來使用，因為與導體相比，導電能力還差得遠。雜質半導體摻入雜質的本征半導體。摻雜后半導體的導電率大為提高摻入三價元素，如B形成P型半導體，也稱空穴型半導體摻入五價元素，如P形成N型半導體，也稱電子型半導體4、雜質半導體

一、N型半導體在本征半導體中摻入五價元素如P自由電子是多子（雜質、熱激發(fā)）空穴是少子（熱激發(fā)）

由于五價元素很容易貢獻電子，因此將其稱為施主雜質。施主雜質因提供自由電子而帶正電荷成為正離子

二、P型半導體在本征半導體中摻入三價元素如B自由電子是少子（熱激發(fā)）空穴是多子（雜質、熱激發(fā)）因留下的空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。雜質半導體雖然比本征半導體中的載流子數(shù)目要多得多，導電能力增強，但是也并不能象導體那樣被用來傳導電能，而是用來形成PN結二、PN結1、PN結的形成

2、PN結的單向導電性P區(qū)N區(qū)濃度差－－擴散運動（多子）載流子從濃度大向濃度小的區(qū)域擴散,稱擴散運動形成的電流稱為擴散電流內(nèi)電場—漂移運動（少子）內(nèi)電場阻礙多子向對方的擴散即阻礙擴散運動同時促進少子向對方漂移即促進了漂移運動擴散運動=漂移運動時達到動態(tài)平衡1、PN結的形成1.PN結加正向電壓時的導電情況外電場方向與PN結內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。動態(tài)平衡被打破。于是內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響。空間電荷區(qū)變窄，P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；內(nèi)外2、PN結的單向導電性PN結呈現(xiàn)低阻性電壓的真實方向2.PN結加反向電壓時的導電情況外電場與PN結內(nèi)電場方向相同，增強內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴散運動阻礙增強，擴散電流大大減小。少子在內(nèi)電場的作用下形成的漂移電流加大。此時PN結區(qū)少子漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流。但是漂移電流本身就很小，因為是少子形成的ＰＮ結變寬P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏；內(nèi)外PN結呈現(xiàn)高阻性電壓的真實方向由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。PN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。線性電阻具有雙向導電性三、半導體二極管1、半導體二極管的結構2、二極管的伏安特性3、二極管的參數(shù)

1、半導體二極管的結構

在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結構分為點接觸型、面接觸型和平面型三大類。(1)點接觸型二極管

PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(a)點接觸型

二極管的結構示意圖(3)平面型二極管

往往用于集成電路制造工藝中。PN結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。(2)面接觸型二極管

PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型(c)平面型(4)二極管的代表符號1.正向起始部分存在一個死區(qū)或門坎，稱為門限電壓。硅：Vr=0.5-0.6v;鍺：Vr=0.1-0.2v2.加反向電壓時，反向電流很小即Is硅(nA)<Is鍺(A)

硅管比鍺管穩(wěn)定3.當反壓增大VBR時再增加，反向電流激增，發(fā)生反向擊穿，VBR稱為反向擊穿電壓。①②③二極管的伏安特性可用下式表示2、二極管的伏安特性當溫度升高時特性曲線左移注意參考方向問題直流理想模型正偏時導通，管壓降為0V，電流決定于外電路反偏時截止，電流為0，兩端電壓決定于外電路3、二極管的參數(shù)(1)最大整流電流IF：管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流(2)反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓VRM(3)反向電流IR(4)正向壓降VF(5)極間電容CB1個PN結:二極管,單向導電性,開關作用2個PN結:三極管,電流控制作用,開關作用3個PN結:晶閘管,可控整流四、雙極型三極管兩個PN結,每個有正偏和反偏兩種狀態(tài),組合起來,共有4種狀態(tài):發(fā)射結正偏,集電結反偏:放大區(qū)，在模擬放大電路中使用發(fā)射結正偏,集電結正偏:飽和區(qū)發(fā)射結反偏,集電結反偏:截止區(qū)發(fā)射結反偏,集電結正偏:倒置狀態(tài),基本上沒有什么用處在數(shù)字電路中使用1、BJT的結構簡介半導體三極管的結構示意圖如下圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。兩種類型的三極管發(fā)射結(Je)

集電結(Jc)

基極，用B或b表示（Base）

發(fā)射極，用E或e表示（Emitter）；集電極，用C或c表示（Collector）。

發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)三極管符號

結構特點(對NPNPNP型均適用)

發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；

集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。管芯結構剖面圖（1）要使三極管具有電流放大作用所必須提供的條件：外部條件：外加直流電壓源保證發(fā)射結正偏，集電結反偏。內(nèi)部條件:發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。2、BJT的電流分配與放大原理（2）三極管具有電流放大作用時在三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程（以NPN管為例介紹）①發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入自由電子（對NPN管子為自由電子，對PNP管子為空穴）②自由電子在基區(qū)擴散與復合（對NPN管子為自由電子，對PNP管子為空穴）在基區(qū)內(nèi)自由電子繼續(xù)向集電結方向擴散一部分與基區(qū)空穴復合，形成基極復合電流

IB'

絕大部分擴散到集電結邊緣三極管制成后二者分配比例就已經(jīng)確定③集電結反偏，集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的載流子（對NPN管子為自由電子，對PNP管子為空穴）

以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導電，故稱為雙極型三極管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。

3、電流分配關系根據(jù)傳輸過程可知IE=IB+IC(1)共基極直流電流放大系數(shù)(2)共射極直流電流放大系數(shù)

半導體三極管的型號第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、

G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管國家標準對半導體器件型號的命名舉例如下：3DG110B2/7/2023BJT的特性曲線BJT非線性器件，所以電壓、電流之間的關系只能用曲線才能描述清楚從使用三極管的角度看，了解特性曲線比了解內(nèi)部載流子的運動更重要，所以我們現(xiàn)在作為使用者，而不是制造者，我們要對特性曲線進行更深入的分析，而內(nèi)部載流子的運動規(guī)律可以幫助我們解釋為什么特性曲線是這樣。特性曲線的分類輸入特性曲線輸出特性曲線共射接法特性曲線共基接法特性曲線共集接法特性曲線NPN管特性曲線PNP管特性曲線我們只研究NPN共射特性曲線（輸入、輸出）+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE規(guī)定電壓和電流的參考方向如圖所示：注意電壓變量、電流變量的寫法：小寫的字母，大寫的下標

iB=f(vBE)

vCE=constiC=f(vCE)

iB=constvCE=0V

iB=f(vBE)

vCE=const(2)當vCE≥1V時，vCB=vCE-vBE>0，集電結已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復合減少，同樣的vBE下IB減小，特性曲線右移。vCE=0VvCE

1V(1)當vCE=0V時，相當于發(fā)射結的正向伏安特性曲線。（飽和區(qū)）1、NPN共射輸入特性曲線NPN共射輸入特性曲線的特點描述（1）當vCE=0V時，相當于正向偏置的兩個二極管并聯(lián)，所以與PN結的正向特性相似（2）vCE≥1V的特性曲線比vCE=0V的右移。原因：vCE≥1V時集電結反偏，集電結吸引自由電子的能力增強，從發(fā)射區(qū)注入的自由電子更多地流向集電區(qū)，對應于相同的vBE（即發(fā)射區(qū)發(fā)射的自由電子數(shù)一定）

，流向基極的電流減小，曲線右移（3）vCE>1V與vCE=1V的曲線非常接近，可以近似認為重合（4）有一段死區(qū)（5）非線性特性（6）溫度上升，曲線左移（7）陡峭上升部分可以近似認為是直線，即iB與vBE成正比，線性區(qū)（8）放大狀態(tài)時，NPN的vBE=0.7V,PNP的vBE=-0.2V飽和區(qū)：iC明顯受vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般vCE＜0.3V(硅管)。此時，發(fā)射結正偏，集電結正偏或反偏電壓很小。iC=f(vCE)

iB=const2、NPN共射輸出特性曲線截止區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相當iB=0的曲線的下方。此時，vBE小于死區(qū)電壓。放大區(qū)：iC平行于vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時，發(fā)射結正偏，集電結反偏。+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCENPN共射輸出特性曲線的特點描述截止區(qū):的區(qū)域:三個電極上的電流為0,發(fā)射結和集電結均反偏,相當于開關打開,在數(shù)字電路中作為開關元件的一個狀態(tài)。

飽和區(qū)：直線上升和彎曲的部分，

發(fā)射結電壓0.7V(硅管)或0.2V(鍺管)；發(fā)射結和集電結均正偏,相當于開關閉合,在數(shù)字電路中作為開關元件的一個狀態(tài)。

放大區(qū)：曲線近似水平的區(qū)域，曲線隨vCE增加略有上翹，基區(qū)寬度調(diào)制效應，發(fā)射結正偏,集電結反偏。集電極電流主要決定于基極電流。有關三個區(qū)的幾個簡單結論截止區(qū):三極管的三個電極所在的支路中的電流為0,任意兩個極之間的電壓是多少，決定于外電路，滿足電路方程。飽和區(qū)：NPN的vBE=0.7V,PNP的vBE=-0.2V，沒有?，三極管的三個電極所在的支路中的電流決定于外電路，滿足電路方程。放大區(qū)：NPN的vBE=0.7V,PNP的vBE=-0.2V，有?，三極管的三個電極所在的支路中的電流決定于外電路，滿足電路方程。判斷三極管工作狀態(tài)的依據(jù)：飽和區(qū):發(fā)射結正偏，集電結正偏截止區(qū)：發(fā)射結反偏，集電結反偏或：Vbe0.5V（Si)|Vbe|

0.2V（Ge)放大區(qū):發(fā)射結正偏，集電結反偏但是用這種判據(jù)不方便判斷三極管工作狀態(tài)的解題思路：1、把三極管從電路中拿走，在此電路拓撲結構下求三極管的發(fā)射結電壓：若發(fā)射結反偏或零偏或小于死區(qū)電壓值：則三極管截止.若發(fā)射結正偏：則三極管可能處于放大狀態(tài)或處于飽和狀態(tài)，需要進一步判斷。進入步驟22、把三極管放入電路中，電路的拓撲結構回到從前；假設三極管處于臨界飽和狀態(tài)（三極管既可以認為是處于飽和狀態(tài)也可以認為是處于放大狀態(tài)，在放大區(qū)和飽和區(qū)的交界區(qū)域，此時三極管既有飽和時的特征VCES=0.3V又有放大的特征IC=?IB）,求此時三極管的集電極臨界飽和電流ICS，進而求出基極臨界飽和電流IBS是三極管的集電極可能流過的最大電流（在三極管狀態(tài)改變的前提下，VCC和RC保持不變）3、在原始電路拓撲結構基礎上，求出三極管的基極支路中實際流動的電流iB4、比較iB和IBS的大小:若iB>IBS，則三極管處于飽和狀態(tài);或者?IB>ICS若iB<IBS，則三極管處于放大狀態(tài)；或者?IB<

ICS例題:判斷下面電路中三極管的狀態(tài)例題1Rb=2k,RC=2K,VCC=12V例題2Rb=20k,RC=2K,VCC=12V，?=50例題3Rb=200k,RC=2K,VCC=12V，?=50例1圖例2、3圖如何改變?nèi)龢O管的狀態(tài)只要改變iB和IBS的比較關系即可保持IBS不變，通過改變Rb可改變iB

或保持iB

不變，通過改變RC可改變IBS場效應管出現(xiàn)的歷史背景1947年貝爾實驗室的科學家發(fā)明的雙極型三極管代替了真空管，解決了當時電話信號傳輸中的放大問題。但是這種放大電路的輸入電阻還不夠大，性能還不夠好。因此，貝爾實驗室的科學家繼續(xù)研究新型的三極管，在1960年發(fā)明了場效應管。場效應管的輸入電阻比雙極型三極管要大得多,場效應管的工作原理與雙極型三極管不同。場效應管的用途場效應管又叫做單極型三極管，共有三種用途：一是當作電壓控制器件用來組成放大電路；二是在數(shù)字電路中用做開關元件。三是當作壓控可變電阻，即非線性電阻來使用；雙極型三極管只有兩種用途：一是當作電流控制器件用來組成放大電路；二是在數(shù)字電路中用做開關元件。場效應管的學習方法學習中不要把場效應管與雙極型三極管割裂開來，應注意比較它們的相同點和不同點。場效應管的柵極、漏極、源極分別與雙極型三極管的基極、集電極、發(fā)射極對應。場效應管與雙極型三極管的工作原理不同,但作用基本相同。場效應管還可以當作非線性電阻來使用,而雙極型三極管不能。N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道場效應管FET結型JFETIGFET(MOSFET)絕緣柵型場效應管的分類一、結型場效應管（JFET)結構P+P+NGSD導電溝道N+N+PGSDN溝道JFETP溝道JFET柵極漏極源極2/7/2023二、結型場效應管（JFET)的工作原理參考方向做如下約定:電壓參考方向的約定一樣。但是漏極電流的參考方向約定方向相反。（1）電壓源VGS和電壓源VDS都不起作用，電壓值均為0；（2）只有電壓源VGS起作用，電壓源VDS的電壓值為0；（3）只有電壓源VDS起作用，電壓源VGS的電壓值為0；（4）電壓源VGS和電壓源VDS同時起作用。在給出各種情況下的結型場效應管的工作狀態(tài)時，同時畫出對應的輸出特性曲線。特別注意:電壓參考方向和電流參考方向的約定方法。參考方向可以任意約定,不同的約定方法得到不同樣式的特性曲線.書上的特性曲線是按如下的方法來約定參考方向的。按照如下的思路來講解：（1）VDS=0伏、VGS=0伏時JFET的工作狀態(tài)導電溝道從漏極到源極平行等寬。最寬這時導電溝道的電阻記為R1。（2）在VDS=0伏的前提下：│VGS│從0伏逐漸增加過程中，JFET的工作狀態(tài)（2.1）VDS=0伏：│VGS│逐漸增加VGS=-1伏

此時導電溝道從漏極到源極平行等寬這時的導電溝道的電阻用R2表示。R2要大于R1VGS給PN結施加的是一個反偏電壓（2.2)VDS=0伏:│VGS│逐漸增加至VGS=Vp（夾斷電壓）當│VGS│逐漸增加至VGS=Vp時（不妨取Vp=-3伏），由VGS產(chǎn)生的PN結左右相接，使導電溝道完全被夾斷。這時的結型場效應管處于截止狀態(tài)。Vp是結型場效應管的一個參數(shù)，稱為夾斷電壓。

（2.3）

VDS=0伏:│VGS│繼續(xù)增加，結型場效應管進入擊穿狀態(tài)VGS增加使PN結上的反偏電壓超過V（BR）DS時，結型場效應管將進入擊穿狀態(tài)。（3）在VGS=0伏的前提下，分別討論VDS由小變大的過程中JFET的幾種工作狀態(tài)（3.1）VGS=0伏:VDS的值比較小時

VDS給PN結施加的是一個反偏電壓導電溝道不再是上下平行等寬，而是上窄下寬。當VDS比較小時

，導電溝道不會被夾斷。在導電溝道沒有被夾斷之前，可以近似地認為導電溝道的電阻均為R1，此時導電溝道可以認為是一個線性電阻。（3.2)VGS=0伏、VDS的值增加至│Vp│時

PN結在靠近漏極的一點最先相接，導電溝道被預夾斷。對應輸出特性曲線中的A點。此時溝道中的電流為可能的最大的電流，稱為飽和漏極電流，記作IDSS。（3.3)VGS=0伏、VDS繼續(xù)增加

當電壓源VDS增加時，可以近似認為漏極電流不隨VDS的增加而增加。此時的電流仍然是IDSS，JFET管的狀態(tài)稱為恒流狀態(tài)（放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)）。此時場效應管可當作電壓控制器件用來組成放大電路。（3.4)VGS=0伏、VDS繼續(xù)增加至V（BR）DS

PN結上的反偏電壓超過某值時，結型場效應管將進入擊穿狀態(tài)，如圖中的B點所示。此時的VDS值為最大漏源電壓，記為V（BR）DS。(4)在VGS=-1伏（即│VGS│<│Vp│的某個值）的前提下，當VDS由小變大時，JFET的狀態(tài)(4.1)VGS=-1伏、VDS的值比較小時導電溝道不再是上下平行等寬，而是上窄下寬。近似地認為導電溝道的電阻均為R2，導電溝道呈現(xiàn)線性電阻的性質。(4.2)VGS=-1伏、VDS的值增加至某值開始出現(xiàn)預夾斷

如圖所示，當VDS的值增加至某值（此值比│Vp│小）時，兩邊的PN結在靠近漏極的某點最先相接，導電溝道被預夾斷,在此點有│VGS│+VDS=│Vp│。JFET的狀態(tài)對應輸出特性曲線中的M點。M點對應的VDS值比A點對應的VDS值小，因為VDS=│Vp│-│VGS│<│Vp│。(4.3)VGS=-1伏、VDS的值繼續(xù)增加

當VDS繼續(xù)增加時，兩邊PN結相接的區(qū)域繼續(xù)向源極方向擴展，此時導電溝道在靠近源極的區(qū)域依然存在，導電溝道對應的電阻比較小。漏極電流不隨VDS的增加而增加。(4.4）VGS=-1伏、VDS繼續(xù)增加至出現(xiàn)PN結擊穿VGS和VDS電壓源分別使PN結反偏，它們共同作用使靠近漏極的PN結承受最大的反偏電壓，VDS增加使PN結上的反偏電壓過大時，在靠近漏極的區(qū)域首先出現(xiàn)反向擊穿。結型場效應管進入反向擊穿狀態(tài)，此時的VDS值比VGS=0時出現(xiàn)反向擊穿的VDS小。(5)當VGS≤VP時，JFET處于截止狀態(tài)當VGS≤VP時，導電溝道全部被夾斷，JFET處于截止狀態(tài)，在數(shù)字電路中作為開關元件的一個狀態(tài),對應于開關斷開。

不同VGS下預夾斷點相連成一條曲線，此曲線與縱軸相夾的區(qū)域稱為可變電阻區(qū)。此時場效應管當作壓控可變電阻，即非線性電阻來使用?？勺冸娮鑵^(qū)在數(shù)字電路中作為開關元件的一個狀態(tài)，相當于開關閉合，此時的VDS記為VDS（sat），

VDS（sat）≤│Vp│。JFET的三個狀態(tài)恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)）可變電阻區(qū)截止區(qū)小結溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導電，所以場效應管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制。預夾斷前iD與vDS呈近似線性關系；預夾斷后，iD趨于飽和。思考：為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？JFET柵極與溝道間的PN結是反向偏置的，因此iG0，輸入電阻很高。JFET是利用PN結反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。場效應管的應用小結

一是當作壓控可變電阻，即非線性電阻來使用，VGS的絕對值越大，導電溝道就越窄，對應的導電溝道電阻越大，即電壓VGS控制電阻的大小，管子工作在可變電阻區(qū)，當作壓控可變電阻使用時，導電溝道還沒有出現(xiàn)預夾斷；

二是當作電壓控制器件用來組成放大電路，VGS電壓控制漏極電流的大小，控制比例系數(shù)為gm,VGS電壓的絕對值越大，漏極電流越小，管子工作在恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)），此時導電溝道已經(jīng)出現(xiàn)預夾斷，夾斷區(qū)域向漏極方向延伸，但是仍然留存一部分導電溝道；

三是在數(shù)字電路中用做開關元件，管子工作在可變電阻區(qū)和截止區(qū)，有兩個明確、穩(wěn)定的狀態(tài)。漏極和源極相當于開關的兩個觸點，在可變電阻區(qū)，相當于開關閉合，在截止區(qū)，相當于開關斷開，場效應管相當于一個無觸點的開關。金屬-氧化物-半導體場效應管增強型MOS場效應管耗盡型MOS場效應管MOS場效應管N溝道增強型的MOS管P溝道增強型的MOS管N溝道耗盡型的MOS管P溝道耗盡型的MOS管MOS場效應管分類一、N溝道增強型MOS場效應管結構漏極D→集電極C源極S→發(fā)射極E絕緣柵極G→基極B襯底B電極—金屬絕緣層—氧化物基體—半導體因此稱之為MOS管P溝道增強型MOS場效應管結構按照如下的思路來講解：（1）電壓源VGS和電壓源VDS都不起作用，電壓值均為0；（2）只有電壓源VGS起作用，電壓源VDS的電壓值為0；（3）只有電壓源VDS起作用，電壓源VGS的電壓值為0；（4）電壓源VGS和電壓源VDS同時起作用。在給出各種情況下的MOS場效應管的工作狀態(tài)時，同時畫出對應的輸出特性曲線。二、N溝道增強型MOS的工作原理（1）電壓源VGS和電壓源VDS都不起作用，電壓值均為0；當VGS=0V，VDS=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的PN結（2）只有電壓源VGS起作用，電壓源VDS的電壓值為0；（2.1）當VDS=0V，VGS較小時，雖然在P型襯底表面形成一層耗盡層，但負離子不能導電。（2.2）當VDS=0V，當VGS=VT時，在P型襯底表面形成一層電子層，形成N型導電溝道（