第一部分表面與界面基礎(chǔ)演示文稿

第一部分表面與界面基礎(chǔ)演示文稿當(dāng)前1頁，總共45頁。優(yōu)選第一部分表面與界面基礎(chǔ)當(dāng)前2頁，總共45頁。1理想表面結(jié)構(gòu)

理想表面是一種理論的結(jié)構(gòu)完整的二維點陣平面。模型忽略：忽略晶體內(nèi)部周期性勢場在晶體表面中斷的影響；忽略表面上原子的熱運動以及出現(xiàn)的缺陷和擴散現(xiàn)象；忽略表面外界環(huán)境的物理和化學(xué)作用等等內(nèi)外因素。二維結(jié)晶學(xué)基本概念

◆發(fā)展簡介晶體的點陣學(xué)說是十九世紀(jì)開始出現(xiàn)的。最早的學(xué)說是布拉菲的“空間點陣說”。認(rèn)為晶體是一些全同的點子在空間周期性地排列而成。這些點子可以是原子、離子、分子及其集團重心，統(tǒng)稱為格點，其總體稱為點陣。點陣學(xué)說的正確性，由晶體的x射線衍射實驗證實，1912年勞埃正式提出：晶體的X射線衍射斑點是因晶體內(nèi)部原子周期性列陣的衍射所致。

當(dāng)前3頁，總共45頁。◆三維結(jié)晶學(xué)[已知的知識]◆二維結(jié)晶學(xué)主要內(nèi)容：對稱性點陣類型二維例易點陣◆二維點陣的對稱性：三種對稱操作：平移對稱操作、點對稱操作、鏡線滑移對稱操作。對稱操作的特點：宏觀上，每一種對稱操作都可以使晶體自身重合；微觀上，對稱操作后所得到的格點均全同于初始格點。

幾個概念每一種對稱操作都是由對稱操作要素(元素)構(gòu)成的；對稱操作要素的集合稱為對稱操作群(簡稱對稱群)。二維點陣的對稱群包括：平移群點群滑移群三種當(dāng)前4頁，總共45頁。(一)平移群

平移操作：點陣中格點相對于某一點沿點陣平面作周期性平行移動

平移群：平移操作要素的集合。在二維點陣中，所有格點均可由其中任一初始格點平移而得。平移矢量由

T＝na十mb(1.1—1)決定。其中a，b為點陣基矢，是相應(yīng)方向的平移周期矢量；

n，m為任意整數(shù)，n，m＝0，±1，±2．．．．

對于所有可能的平移操作元素T，其逆元素為(-T)。由式(1.1—1)所概括的全部平移操作的總和稱為平移群。平移群是二維點陣的基本對稱操作。

平移群完整地描述了二維點陣的周期性。當(dāng)前5頁，總共45頁。

圖1.1—1標(biāo)出了二維點陣的平移元素T2,1及其逆元素-T2,1(或T-2,-1)。當(dāng)前6頁，總共45頁。(二)點群

二維點陣中的點群是點對稱操作的集合。包括：旋轉(zhuǎn)對稱操作鏡線反映對稱操作。

旋轉(zhuǎn)對稱操作指圍繞某一固定點，沿點陣平面垂直軸旋轉(zhuǎn)的對稱操作。旋轉(zhuǎn)角：θ=2π/n。其中n為非零正整數(shù)，——旋轉(zhuǎn)的度數(shù)。

n的不同取值構(gòu)成不同的n度旋轉(zhuǎn)對稱操作。

由于二維點陣的周期性，旋轉(zhuǎn)對稱操作要受到平移群的限制，二維點陣的周期性決定了旋轉(zhuǎn)對稱操作的度數(shù)只能取：

n＝1，

2，

3，

4，

6

即，二維旋轉(zhuǎn)對稱只存在五種可能的操作．

旋轉(zhuǎn)對稱操作的符號和圖形如表1.1—1所示。當(dāng)前7頁，總共45頁。Table1.1—1二維點陣中n度旋轉(zhuǎn)對稱操作的符號及圖形當(dāng)前8頁，總共45頁。

鏡線反映操作

操作：指對于某一條固定的線作鏡像反映使格點具有鏡線對稱性。在二維點陣中只存在一種鏡線反映操作要素，以m表示。其圖形以直線標(biāo)出。

鏡線反映對稱操作同旋轉(zhuǎn)對稱操作結(jié)合可組合成十種點對稱操作群。這十種點群的圖形和符號表示列于圖1.1—2中。

當(dāng)前9頁，總共45頁。

以上十種點群，每一種都可以獨立地表現(xiàn)二維晶體的對稱性。任何一種點操作均可以得到全部格點，在宏觀上晶體不發(fā)生任何改變。

圖中數(shù)字表示旋轉(zhuǎn)度數(shù)（n），m表示鏡線。在偶次旋轉(zhuǎn)度操作中，標(biāo)出的兩個m，其含意略有區(qū)別：前一個m表示一個鏡線操作符號，經(jīng)操作后，得到該鏡線的對稱格點：后一個m并不表識操作，而是由于前一個m操作而相伴產(chǎn)生的另一方向的鏡線對稱性，是經(jīng)偶階旋轉(zhuǎn)并進(jìn)行一個鏡線操作后必然伴生的鏡線。所以兩個m并不意味著點群中有兩種鏡線反映操作。

．當(dāng)前10頁，總共45頁。

二維布拉菲點陣由于平移群與點群已基本上決定了二維點陣的結(jié)構(gòu)類型，所以，首先了解二維布拉菲格子的分類及特點，然后進(jìn)一步認(rèn)識鏡像滑移對稱性是有益的。鏡像滑移操作并不影響二維結(jié)構(gòu)類型。

二維點群與平移群的結(jié)合構(gòu)成了二維布拉菲格子，二線點陣類型是以上面種對稱群互相制約的結(jié)果。

前面已討論過二維點群受到平移群的限制。同樣點群對點陣的平移周期性也將加以限制，表現(xiàn)為對平移基矢a,b的限制。

由于點群的限制，二維點陣的基矢只能存在五種情況；它們組合成五種布位菲格子；屬于四大晶系。此五種布拉菲格子中基矢a，b的關(guān)系和特點列于表2.1—2中。當(dāng)前11頁，總共45頁。

從表中可以看到，只有1、2度旋轉(zhuǎn)對稱操作對點陣基矢無任何限隊從而允許一種斜方點陣的存在

而3、6度旋轉(zhuǎn)對稱操作則必須要求點陣為六方點陣；

對于二維點陣中的任一格點，如果存在一種4度旋轉(zhuǎn)對稱操作，則必然要求點陣具有正交點陣的形式。當(dāng)前12頁，總共45頁。(三)二維空間群

鏡像滑移群操作：對于某一直線作鏡像反映后，再沿此線平行方向,滑移平移基矢的半個周期而完成的對稱操作。此直線稱為鏡像滑移線，符號為“g”，在圖中以虛線‘……”表示。二維點陣中只存在一條鏡像滑移線。

2號點為1號、5號點的鏡像滑移點[AB為鏡像滑移線]；當(dāng)前13頁，總共45頁。

二維空間群二維空間群：鏡像滑移群同點群結(jié)合，構(gòu)成的十七種二維對稱群。

△這十七種不同的空間群，不是點陣格子的化身，而是五種二維布拉菲格子所具有的不同對稱性的體現(xiàn)?？臻g群通過其對稱要素來確定不同布拉菲格子中格點的位置。

．

△空間群完整地描述了二維點陣的對稱性。其中點群反映了點陣的宏觀對稱性而鏡像滑移群反映了點陣的微觀對稱性。顯然，“g”的存在并未改變點陣的宏觀對稱性，不影響點陣的晶系類型，只反映了點陣原胞中格點的微觀排列規(guī)律。

二維空間群類型列示表2.1—3中。當(dāng)前14頁，總共45頁。

二維空間群類型其中符號P表示簡單格子、C表示有心格子。當(dāng)前15頁，總共45頁。2清潔表面結(jié)構(gòu)

清潔表面指不存在任何污染的化學(xué)純表面，即不存在吸附、催化反應(yīng)或雜質(zhì)擴散等一系列物理化學(xué)效應(yīng)的表面。

表面結(jié)構(gòu)特征：弛豫和重排由于表面上電子波函數(shù)的畸變，使原子處于高能態(tài)，容易發(fā)弛豫和重排，所以其結(jié)構(gòu)偏離理想的二維點陣結(jié)構(gòu)，形成新的、較為復(fù)雜的二紹結(jié)構(gòu)。

標(biāo)志：清潔表面結(jié)構(gòu)的特征就是表面原于弛豫和重排，而弛豫的機理比鉸復(fù)雜，最簡單的規(guī)律是解理面上斷鍵的飽和趨勢。

清潔表面結(jié)構(gòu)，以偏離理想解理面的程度來標(biāo)志。

研究方法是實驗與模型相結(jié)合的“自洽法”。根據(jù)表面原于的靜電狀態(tài)、電子波函數(shù)等理論上的分析，提出初步模型，再經(jīng)過微觀分析，證實模型并進(jìn)一步作數(shù)據(jù)處理，從而修正模型得到比較接近實際的模型。

當(dāng)前16頁，總共45頁?！舯砻娼Y(jié)構(gòu)的表述方法

表面結(jié)構(gòu)TLK模型(Terrace–Ledge–Kinkstructure)平臺-臺階-扭折

臺階表面通用的表述符號為E(s)-[m(hkl)×n(h’k’l’)](2.2-1)其中：E代表化學(xué)元素符號，s為臺階結(jié)構(gòu)的標(biāo)志；

m為臺面寬度，以臺面上的原子列數(shù)表示，標(biāo)志了臺面的周期；

(hkl)為構(gòu)成臺面的晶面指數(shù)；

n為臺階高度，以臺階所跨的原子層數(shù)表示；

(h’k’l’)為構(gòu)成臺階的晶面指數(shù)。

圖2.2—1中列舉了兩種臺階結(jié)構(gòu)。其中(a)為Pt(s)—[4(111)×(100)]，

(b)為Pt(s)—〔7(111)×(3l0)〕當(dāng)前17頁，總共45頁。

平坦表面△表述方法：一般采用Wood(1963)方法。這種方法主要是以理想的二維點陣為基，表述發(fā)生了點陣畸變的清潔表面點陣結(jié)構(gòu)?；兒蟮谋砻嫱ǔ７Q為再構(gòu)表面，再構(gòu)是由原子的重排和弛豫所致。

’△簡單再構(gòu)表面以理想解理面作為襯底，平移群為：T＝ma十nb

其中：a，b為襯底點陣基矢。

再構(gòu)表面形成的二維點陣，達(dá)到穩(wěn)定時也同樣具有平移群：

Ts＝m’as．十n’bs

其中：as,bs為再溝表面點陣基矢。

表面再構(gòu)后，其點陣結(jié)構(gòu)同理想二維點陳的偏離主要通過再構(gòu)點陣基矢as、

bs相對于襯底點陣基矢a、b的改變來表述。基矢方向不改變，僅改變大小。此時再構(gòu)點與襯底點陣無相對旋轉(zhuǎn)，其基矢兩兩平行，其長度關(guān)系滿足，

|as|＝p|a|，

|bs|＝q|b|

此處，p，q為整數(shù)，表示基矢倍數(shù)，即

p=|as|/|a|，q=|bs|/|b|

當(dāng)前18頁，總共45頁。

△再構(gòu)表面的表述方式為

E{hkl}p×q

其中:E為襯底元素符號，{hkl}為再構(gòu)表面的晶面指數(shù)。

例如Si{111}2×2表示Si{111}晶面族表面再構(gòu)基矢as，bs相對于襯底a，b無偏轉(zhuǎn)，只有長度變化，|as|/|a|=|bs|/|b|＝2?！髟贅?gòu)表面點陣相對于襯底點陣有偏轉(zhuǎn)偏轉(zhuǎn)角為:

α=∠as,a，a＝∠bs,b

再構(gòu)表面點陣基矢與襯底點陣基矢之間已不是簡單的倍數(shù)關(guān)系，而有

as＝p1a+q1b，

bs＝p2a+q2b

對于這種再構(gòu)獲面，可表述為

E{kkl}p×q一α

有吸附原子：E{kkl}p×q一α—DD:吸附原子

有心結(jié)構(gòu)：在再構(gòu)符號（p×q）前冠以“C”字母表示有心結(jié)構(gòu)。如C(2×1)表示有心2×1再構(gòu)等。當(dāng)前19頁，總共45頁。（2×1）298K10-10Torr（7×7）1000K10-10Torr（1×1）退火組織當(dāng)前20頁，總共45頁?！舯砻嬖映谠?/p>

△表面原子由于在某一方向失去相鄰原于可導(dǎo)致偏離平衡位置的弛豫。弛豫可以發(fā)生在表面以下幾個原子層的范圍內(nèi)。表面第一層原子的弛豫主要表現(xiàn)為縱向弛豫。一般說來，某一原子在某一方向的弛豫，必然引起其它原子以及鄰層原子的弛豫。

△表面原子的弛豫，不僅造成了晶體宏觀上的膨脹與壓縮，而且導(dǎo)致了表面二維點陣的變化，成為再構(gòu)表面。△原子的弛豫分為以下幾種類型：壓縮效應(yīng)、馳張效應(yīng)、起伏效應(yīng)、雙電層效應(yīng)。當(dāng)前21頁，總共45頁。(一)壓縮效應(yīng)表面原子失去空間方向的相鄰原子后，體內(nèi)原子對表面原子階作用，產(chǎn)生了一個指向體內(nèi)的合力，導(dǎo)致表面原于向體內(nèi)的縱向弛豫。如圖2.2—2所示，圖中圓圖表示“作用球”。在金屬晶體表面比較常見，其致豫一般不超過晶格常數(shù)的5~15％。如Al(111)，F(xiàn)e(100)表面等，尤其是在Mo(100)表面可觀察到比較大的縱向弛豫。這種明顯的壓縮效應(yīng)目前尚沒有滿意的解釋．當(dāng)前22頁，總共45頁。壓縮效應(yīng)有時并不是均勻地發(fā)生的，例如在TLK臺面上一般發(fā)生非均勻弛豫。圖2.2—3中示出了Ge臺面的非內(nèi)勻弛豫。

1號原子無縱向弛豫，2號原子向體內(nèi)弛豫＜0.22埃，

3號原子向體內(nèi)弛豫0.22埃，

4號原子向體內(nèi)弛豫0.46埃，次外層的5號原于向內(nèi)弛豫0.15埃。當(dāng)前23頁，總共45頁。(二)馳張效應(yīng)

在少數(shù)晶體的某些表面發(fā)生原子向體外移動的縱向弛豫，造成了晶體的膨脹，例如Al(111)面的層間距可以增加正常間距的25％左右。

這種情況多由于內(nèi)層原子對表層原子的外推作用，有時也由于表面的松散結(jié)構(gòu)所致。即表面層內(nèi)各原子間的距離普遍增加，并且可波及表面內(nèi)幾個原子展，造成晶體總體在某一方向的膨脹。圖示2.2—4。

一般的弛張效應(yīng)多出現(xiàn)在金屬晶體及其化合物表面。當(dāng)前24頁，總共45頁。(三)起伏效應(yīng)

對于半導(dǎo)體材料如Ge，Si等具有金剛石結(jié)構(gòu)的晶體，可以在（111）表面上觀察到，有的原子向體外方向弛豫，有的原子向體內(nèi)弛豫。而且這兩種方向相反的縱向弛豫是有規(guī)律地間隔出現(xiàn)的。即有起有伏，稱之為起伏效應(yīng)。當(dāng)前25頁，總共45頁。圖為Ge(111)表面原子弛豫的起伏現(xiàn)象。當(dāng)前26頁，總共45頁。(四)雙電層效應(yīng)

對于多原子晶體，弛豫情況將更加復(fù)雜。在離子晶體中，表層離子失去外層離子后，破壞了靜電平衡，由于極化作用，造成了雙電層效應(yīng)。在LiF及NaCl晶體表面均明顯地出現(xiàn)雙電層結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)以NaCl晶體為例說明雙電層效應(yīng)。如圖2．2—6。當(dāng)前27頁，總共45頁。當(dāng)表面離子失去外層相鄰離于后，破壞了靜電平衡，離子半徑較大的負(fù)離子，由于體內(nèi)相鄰正離子的極化作用，造成負(fù)離子電子云偏向體內(nèi)的畸變，形成偶極子，使負(fù)電中心移向體內(nèi)。為了達(dá)到表面層的靜電乎構(gòu)，降低表面能，負(fù)離子必須向表面上方移動，而同時表面層正離子由于第二層負(fù)離子的吸引向體內(nèi)移動以達(dá)到結(jié)構(gòu)上的穩(wěn)定。正負(fù)離子反向移動的結(jié)果，形成了雙電后表面。在NaCl晶體表面第一層的上子層由負(fù)離子Cl—構(gòu)成，具有負(fù)電性；下子層由正離子Na+構(gòu)成。所以表面層變成了分別帶有正、負(fù)電的電偶極層，使晶體的表面具有負(fù)電性。當(dāng)前28頁，總共45頁?！舯砻嬖贅?gòu)模型△表面原子的弛豫，使原子脫離了正常的點陣位置，影響了表面結(jié)構(gòu)的變化，其二維點陣與體內(nèi)原子層的正常二維點陣不同，這種重新排列的二維點陣，稱之為再構(gòu)表面的點陣結(jié)構(gòu)。

△由于原子弛豫可以發(fā)生在表面以下幾個原子層范圍，所以表面再構(gòu)也可以涉及到幾個原子層。但是最明顯的再構(gòu)只表現(xiàn)在表面最外層原子平面上。以下各層原子平面可近似認(rèn)為屬于理想的點陣結(jié)構(gòu)。

△表面原子的弛豫取決于表面斷鍵的情況，首先需要了解各種典型結(jié)構(gòu)的解理表面上斷鍵形成的情況。然后討論斷鍵對原子弛豫的影響及再構(gòu)類型。當(dāng)前29頁，總共45頁。(一)解理面斷鍵的形成

斷鍵又稱“懸鍵”，是由表面原子在空間方向失去相鄰原子而形成的。斷鍵的形成情況，同晶體結(jié)構(gòu)類型、晶面點陣結(jié)構(gòu)有關(guān).

現(xiàn)以立方晶系為例，討論斷鍵形成情況。

△面心立方晶體，原子配位數(shù)為12，指數(shù)簡單的三個晶面族為：{100}、{110}、{111}，其中原子密度最大的晶面是{111}，最容易解理。

{100}解理面呈正方結(jié)構(gòu)，失去解理面上方位于相鄰原胞面心上的4個原子，形成4個斷鍵。

{111}解理面呈六角形二維平移周期性結(jié)構(gòu)；

{111}解理面上每個原子失去3個原子，形成3個斷鍵。

{110}解理面呈長方結(jié)構(gòu)，在解理晶面上每個原子，失去解理上方相鄰二原胞的五個晶面面心上的原子，共5個，形成5個斷鍵。

當(dāng)前30頁，總共45頁。

△體心立方晶體：配為數(shù)為8，指數(shù)簡單的晶面族為{100}、{110}、{111}。其中原子密度最大的晶面是{110}，最容易解理。

{110}解理面呈有心長方結(jié)構(gòu)，其原胞中心的原子，失去上方兩個體心原胞頂角原子，形成2個斷鍵。

{100}解理面上可形成4個體心斷鍵。△金剛石結(jié)構(gòu)，是結(jié)晶學(xué)研究中最感興趣的一種結(jié)構(gòu)，其配位數(shù)為4，最容易解理的晶面是{111}晶面族，也是在表面研究中具有重要意義的解理面。單鍵解理面：解理層A位于單鍵結(jié)合鏈上三鍵解理面：解理層B位于三鍵結(jié)合鏈上（111）解理面當(dāng)前31頁，總共45頁。(二)空鍵模型

△

空鍵模型是在研究硅、鍺等具有金剛石結(jié)構(gòu)的共份晶體時提出來的。Hamman(1968)等根據(jù)硅、鍺{111}單鍵解理面的一系列實驗，推算并加以證實面逐步完善了這種模型，又稱為H模型。△空健模型比較成功地解釋了Si{111}2x1的清潔表面再構(gòu)，現(xiàn)在用最簡單的、不涉及更精確的表面態(tài)白洽勢計算的方法來說明這種模型。

△Si{111}解理面具有結(jié)晶學(xué)的六角平面點陣，如圖2.2—8所示。圖中忽略再構(gòu)中鍵長的變化，并且末標(biāo)出第二層原子的水平移動。當(dāng)前32頁，總共45頁。當(dāng)前33頁，總共45頁。

△通過電子云結(jié)構(gòu)可以簡單說明表面第一層原子的縱向弛豫機理。

Si(14)的核外電子組態(tài)為2S22P63S23P2，當(dāng)結(jié)合成硅晶體時，原子最外層電子云兩兩重疊構(gòu)成共價結(jié)合。飽和共價鍵呈P3雜化電子云結(jié)構(gòu)。理想晶體S的體內(nèi)原于是由sp3雜化電子云重疊而結(jié)合的。sp3雜化電子云在空間的分布具有四面體結(jié)構(gòu)，在每一方向的電子云由(1／4)S電子云和(3／4)P電子云組成．

表面Si原子失去一個相鄰原子，形成一個斷鍵；sp3電子云在空間方向處于自由原子的環(huán)境，必然需要恢復(fù)純P電子云或純S電子云，不可能以雜化形式存在。

如果表面上原子的電子云由1/4sp3恢復(fù)為純P電子云，則體內(nèi)另三支sp3電子云將獻(xiàn)出一部分P電子云，演變?yōu)閟p2雜化電子云。己知sp2電子云具有平面結(jié)構(gòu)，夾角為120°。

當(dāng)前34頁，總共45頁。此平面結(jié)構(gòu)的sp2電子云將力圖把體內(nèi)的三個原來處于四面體頂角的原子拉向同一平面。因此，使此三個原子互相移開，在健長基本不改變的情況下，這種趨勢造成了具有P電子云的表層原子向體內(nèi)的縱向弛豫。如圖2.2—9中標(biāo)有P的原子。當(dāng)表面某原子的雜化電子云退化為純P電子云時，該原于與沿平面中某一晶列方向的相鄰原于電子云兩兩重合，二者均具有P電子云結(jié)構(gòu)。同時，另一方向的晶列中的相鄰原子，其電子云必退化為S電子云，如圖2.2—10所示。當(dāng)前35頁，總共45頁。(三)空位模型

△

2×1再構(gòu)表面是一種亞穩(wěn)表面，鍺(3×1)表面在400K的溫度下退火后，可變成(2×8)結(jié)構(gòu)，硅(2×1)表面在650K退火后可變成(7×7)結(jié)構(gòu)。

△關(guān)于Si(111)7×7平衡結(jié)構(gòu)，是大家關(guān)注的也是爭議較大的模型。比較成功的模型是Lander和Morrison(1963年)提出的一種“空位模型”，又稱LM模型。

△空位模型主要說明了：在一定的高溫下，表面第一子層的原子，有可能脫離原來位置，因而出現(xiàn)了具有周期性分布的空位。

△這種模型比較成功地解釋了Si(111)7×7結(jié)構(gòu)。因中劃出—個7×7原胞，原胞個包括13個空格點(空位)。如圖2.2—11所示。當(dāng)前36頁，總共45頁。當(dāng)前37頁，總共45頁。3實際表面結(jié)構(gòu)

△純凈的清潔表面是難以制備的。在實際的表面上，普遍存在雜質(zhì)及吸附物的污染影響了表面結(jié)構(gòu)。因此，研究實際表面結(jié)構(gòu)具有重要的現(xiàn)實意義。

△由于表面原于斷鍵的形成以及各種面缺陷的存在等，使表面易于富集各種雜質(zhì)物質(zhì)，這里具有重要意義的是吸附物質(zhì)的存在。△吸附物質(zhì)可以是表面環(huán)境中的氣相分子、原子，及其化合物，也可以是來自體內(nèi)擴散出來的元素物質(zhì)等。它們可以簡單地被吸附在晶體表面，也可以外延生長在晶體表面構(gòu)成新的表面層。或者，進(jìn)入表面層一定深度同表面原子形成有序的表面臺金等等。

△研究實際表面結(jié)構(gòu)，首先要研究表面吸附所形成的吸附覆蓋層及其對表面結(jié)構(gòu)的影響。當(dāng)前38頁，總共45頁?！舯砻嫖筋愋臀筋愋停何锢砦交瘜W(xué)吸附：外來原子在襯底表面簡單地結(jié)合，形成吸附覆蓋層；外來原子進(jìn)入襯底表面層內(nèi)部，形成：替位式填隙式臺金型結(jié)構(gòu)。◆吸附覆蓋層

覆蓋度當(dāng)吸附原子在襯底表面達(dá)到一定數(shù)量時，即可形成覆蓋層，對于單原子覆蓋層，引入θ表示單原子吸附的覆蓋度，以標(biāo)志吸附的程度。θ定義為：

d＝N’/N其中:N為吸附原子緊密排列于襯底表面對應(yīng)有的原子總數(shù)；N’為襯底表面實際吸附的原子數(shù)。

θ=0是清潔表面的情況，而θ＝1是飽和吸附的情況。在一般情況下，

0＜θ＜1當(dāng)前39頁，總共45頁。

覆蓋表面結(jié)構(gòu)的描述△覆蓋表面這些對參數(shù)的表述，可沿用Wood表示法：

E{hkl}p×g—α—m×n—β—D

式中前面部分與前相同，其它定義如下：

M，n為覆蓋點陣基矢與襯底再構(gòu)表面基矢的長度比，β為覆蓋層點陣基矢與襯底點陣基矢之間的偏轉(zhuǎn)角，D為吸附物元素符號。

△為簡單起見，通常將式(2．3—3)中的前半部分：p×q省略，只表現(xiàn)吸附