電子元器件培訓資料

核準睿核作成甯子元器件筒介（培剖I教材之三）第一章：置子元器件外形^別—〃1子元器件概念：1子器件是用各彳重材料諄體.半毒體點蛛彖體）制成具有各SWM功能的零件。二〃1子元器件作用：各重不同元器件通遺照源網(wǎng)^之各重鮑合方式速接一起鮑成各重功能不同之1路，以瀟足人仍之各重要求。（如：信虢的放大、遑算、控制、言印意^示等）三〃1子元器件分^：3按封裝方式分.DIP攜例直插（如:各僖統(tǒng)元器件）.SMD-表面裝艮占如名艮占片元器件）按材料分?化合物一由硼酸.氨水.乙二醇制成金呂1解1容介^；祖粉.二氧化金孟制祖1解1容介^等..半毒體—含碳元素物^.晶體硅、金者、CMOS等?合金一金孟副如：1感^圈等將呂如：1容桎板等）.^彖體一陶瓷.云母.璞氧榭脂等制作元器件支架輿封袋.。按功能分.有源器件一晶體管、集成1路等.照源網(wǎng)務各一阻容、感器件、^路等土按原率分.底原器件一音視步前攵大，虛理器件。.高原器件一RF射原放大、振蕩言周制解言周等器件。.微波器件一雷建、彳勤星通信用行波管、波毒等。6.按集成度分.分立元件一各罩體元件.小規(guī)模IC一如僖統(tǒng)相檄中焉建控制IC庫列7pin燮列8pin）.中規(guī)模IC-如僖統(tǒng)相檄中1厘比更交器IC俊列14-28pin）.大規(guī)模IC—如僖第充相申喉中MicroControll（U列48pin四列80pin）.特大規(guī)模IC—如矍攵碣相檄中ASIC.Micro-P四列100pin）四〃1子元器件^別方法：I1阻器：.概念：1阻器是1子走品中最常用之1子器件，它是由碳元素、金屠氧化物等半毒材料制作而成。.作用:祺名思羲1阻器具有阻磔1流、降低1厘.分配1流的作用。?1￡符蔬： 或用R表示，罩位舄歐姆用。表示。罩位挨算有imq=103kq=106。。.外形特黏：DIP封^: 僖統(tǒng)相檄中DIP封袋之金屠膜t阻最腐泛，多舄1/4W。本體：金屠膜t阻本體舄淺黃色;碳膜t阻舄淺灰色呈圓筒狀，是用陶瓷或水泥制作而成。引胎D：固定t阻器只有二根引出胎D;可言周t阻器只有三根引出胎D,是用合金屠制作而成。色璞:一般t阻只有四侗色璞，精密t阻有五侗色璞，是用10?彩色印刷而成。SMD封裝： 敷碣和僖統(tǒng)相檄中全是SMD封裝之金屠膜t阻，多舄1625型。本體：金屠膜t阻本體舄黑色;碳膜t阻舄藍^色呈辰方體狀，是用陶瓷制成.t桎:用金臬分各合金^金艮以彳爰包裹本體麗端亞輿引出富泉毒通,若焊接^^>5sec易^或新裂.阻值其雷阻值直接印刷在本體正面有^色那面）背面呈白色.IIt容器.概念:t容器是t子走品中最常用t子器件之一，它是由麗墟正坐寸的金屠桎板冏注入親誼富彖介^如:紙空MJ!解液）而耦成..作用囑頁名思羲t容器具有容納很宇存）tW（tffit荷）的作用..tM符虢: 或用C表示，罩位舄法拉用F表示）罩位挨算有：1F=10uF=109Nf=10i2PF.外形特黏：a.DIP封裝: 僖統(tǒng)相檄中DIP封裝之金呂t解t容器最腐泛如：大t容）b.SMD封裝： 僖統(tǒng)和矍攵碣相橫中均有SMDCAP,多舄1625型mt感器.概念:t感器是t子走品特別是高原t子走品）中最常用之t子器件之一,它是由磁芯或其它毒磁材料作介^,漆包金成泉作毒磁^圈輿磁芯^制而成..作用具有容納偎宇存）磁埸（t流.t勢）及走生感生t流,t^的作用..tM符蔬： 或 用L表示，罩位舄亨利用H表示.罩位挨算有1H=103mH=106mH.外形特黏:DIP封裝： 僖統(tǒng)和敷蜩相檄中用燮厘器.蠲畿^圈等SMD封裝： 敷碣相檄中多用SMDt感作t源及視原雅言刊濾波.W晶體二檀管.概念:晶體二桎管是具有麗侗正^t桎一侗PN結(jié)的半毒體器件..作用具有罩向毒t特性，即t流只能彳也正麒俞入，旬鯽俞出,可用來整流穗厘等..tM符虢： 用。表示.外形特黏：DIP封袋： 相檄中用作整流.穗厘.指示！!登等.SMD封袋： 敷碉相檄中常用作穗厘.整流等.V晶體三檀管.概念:晶體三桎管是具有三侗t桎（基桎.集t桎.畿射桎）麗侗PN的結(jié)半毒體器件..作用具有信虢放大和^鼎冒作用.如:AE.AF^鼎冒三桎管.音原放大管等）.tM符虢： 用Q.BG.V.T表示.外形特黏：DIP封袋： 僖統(tǒng)相檄中作振1-^1等SMD封袋： 矍攵碣和僖統(tǒng)相檄中用作^1滿賢重力等第二章重子元器件琴敷^取目的1子元器件的參敷直接反映了^器件的有效功能及可以鮑成之t路，同一侗元件其參敷不同將鮑成不同之t路，走生不同之1麻功能，故參矍攵的言^取是使用元器件的第一步.參敷表示方法表示t子元器件參敷的方式很多,其中最常見的有^色.體稹.字符等等,^取參敷也只能彳也表示方式去露器忍.琴敷^取方法>ma取是參敷表示方法的逆遺程11阻器縷矍攵用t阻值信吳差值.功率等級表示）a.DI封袋之t阻用色璞表示t阻值，一般t阻4色璞，精密t阻5色璞.b.各色璞坐寸雁敷字坐寸照表^色黑7黑棕航橙黃有錄M紫灰白金金艮照色代表敷01234567890.050.10.24色璞^取方法:前麗色璞代表敷表示有效位《固逵位&十逵位）第三色璞代表矍攵表示有效位的乘方矍攵;第四色璞表示志亥t阻阻值的森差等級. 例如：5色璞^取方法:前三色璞代表敷表示有效位（固逵位.十逵位&百逵位）；第四色璞代表敷表示有效位的乘方敷；第五色璞表示亥阻值的森差等級. 例如：SMD封裝之t阻值直接在本體正面用白漆印刷而成,輿色璞t阻算法相同. 例如：IIt容器縷矍攵用t容量.耐厘值信吳差值表示）DIP封裝之t容器參敷直接印刷在本體上,分桎性t容和照桎性t容麗彳重.桎性t容： ①330V表示t容器所能承受的最大額定tffi,若超遺此值t容器畬漏t甚至爆炸.160UF表示t容器的額定有效t容量,t容越大所容納的t埸越弓璽.B^t容： 104表示t容量罩位舄皮畿，即104=10*10t0.01uFB?t容容量一般都在1uF以下,只能用作信虢之藕合.旁路或甫值.稹分等，故信^tffiBmv級不用考慮耐ffi,?性等參敷.SMD封袋之t容器參敷亦是直接印刷在本體上,分桎性t容和B?t容麗重.桎性t容： >^^取輿DIP桎性t容相同.B^t容： 沒有任何印刷檬示，可初步彳您體稹判新,t容量輿體稹成正比.lilt感器縷矍攵用t感量原率特性表示，以mH舄罩位）DIP封裝之t感器:一重輿色璞t阻一檬用色璞表示，另一重有髡富泉式t感器照中票示.色^t感： 輿色璞t阻^法相同.^^t感： 其匝敷匝距輿t感量成正比.SMD封袋之t感器參敷沒有任何票示，只能用感抗測^偎方能測出，一般t感量輿體稹成正比.W晶體二檀管由於二桎管是有源器件,其參敷就是它的翰入.翰出特性如:正反向阻搦.反向漏t流等）務隧^探言寸將涉及到t子孥的深屑研究，逼裨不再敘述.V晶體三檀管由於三桎管是有源器件,其參敷就是它的翰入.翰出特性（如:Q黑占t厘.6值.截止.飽和t厘等）務圈^探言寸將涉及到t子孥的深屑研究，逼裨不再敘述.作棠重黏：本公司相檄走棠已彳也喉1一體化^向矍攵字一體化，日彳爰之作棠中我仍面晦的重要冏題一超小型.超集成1子器件之裝配嗟隹修技彳桁.DIP.SMD通用元器件>^^取是每位作棠人^所必硝掌握,才能保^Rework&Repaii不致手忙0^,1^下手.第三章1子元器件功能測^測就工具葛用表：a指金十式蔑用表b.：!攵字式蔑用表示波器：a-模^示波器!字暫熊示波器!字^畤示波器原^分析偎：用來分析高低原及微波器體的翰入.翰出特性.測^；方法.DIP&SMD封袋測^方法相同.?測^前硝梭查測^棒^富彖性能及言周“0”，方法舄:將正^桎表^短路言周整屋帚零^使指金弟帚零^位,!攵字蔑用表不用言周“0”.I露阻器渤立邀捧用蔑用表指金十.！字均可嘴位^言周到1阻沮匾匾1K。禧具體視被沮鹿阻阻值而定，以測^蚩阻值大於被測阻值舄原刖）>!^取被測1阻阻值等於指金十所指??！字蔑用表可由BLCD直接^示）乘以禧位！.例如指登十所指敷篇4.7稽位篇1KQf被測1阻阻值篇4.7*1K=4.7KQ功能測就若^位邀1M。指金十始於指向1穿大刖被測1阻^路,1阻一般不畬短路.II1容器功能測^：指金十蔑用表1法測出1容器莘碓1容量，用1阻匾10Q禧只能測1容器充放1功能.若指金十右偏彳爰不向左偏或偏到中冏停止^明1容器挈穿短路或漏1，漏1大小輿指金十停留位置到1穿大距雕成正比.參敷測^：用1容阻抗測^偎或具有1容測^功能之！字蔑用表可測1容器精密1容量.方法:將1容器插逵蔑用表CX插座（SMD封彩登也插座引出^速接）摘位^拔到1容沮匾匾相雁禧位.被^1容容量由1容阻抗測^偎或！字蔑用表直接累^示^取.例如:BLCD^示4.7而^位^在20UF.刖CX=4.7UFLENON 藤能精束）工棠有限公司III雷感器功能測^：a指^M用表舫去測出t感器SffiW感量，用t阻匾10⑴蚩只能沮鹿感器^路輿短路.b.若指金十左偏到照穿大^明此t感器已^路;若右偏到零^明此t感器已匝冏挈穿短路.琴數(shù)測^：用t感阻抗測^器或具有t感測^功能之矍攵字蔑用表可測t感器精碓t感量.將t感器插逵蔑用表1乂插座（SMD封裝硝彳也插座引出^速接）禧位^拔到t感測^匾相雁禧位.被^t感感量由t感阻抗測^偎或敷字蔑用表直接^示^取.例如:BLCD^示250而稽位哉在500mH,則LX=250mHW晶體二檀管功能測^：3.用指金十M用表t阻匾ik⑴蚩d攵字蔑用表用晶體管測^禧“ ”）b.用航表^輿二桎管^桎速接,黑表^輿二桎管正桎速接（敦字表相反）.C.若指金十指到4KQd攵字表BLCD^示0.85即舄良品;若指到照穿大或零^明管子^路或挈穿短路.琴敷測^：晶體二桎管參敷由正向毒通特性曲^表示，其中可以^出二桎管最大反向t厘，最大反向t流及反向漏t流等參敷.^^B器硝用示波器及二桎管測^t路整流&穗厘均可）.參敷測^將涉及到t子孥更深屑研究此略，只硝掌握功能判新即可.V晶體三桎管功能測^:輿IVa相同用航.黑表^分別交替輿b.c.三t桎速接，若指金十麗次指到5KQd攵字表BLCD^示0.75即舄良品