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文檔簡介
Dynamicaloriginoftopologicaledge:Born-OppenheimerApprox.&GaugefieldTopologicalinsulatingphaseincommonlyusedTIQuantumdot,HHG&PhotothermalPhys.Rev.Lett.106,Phys.Rev.Lett.106,Phys.Rev.B83081402(R)Phys.Rev.Lett.106,Phys.Rev.Lett.109,Phys.Rev.B87,161115(R)Phys.Rev.Lett.110,Phys.Rev.Lett.111,Phys.Rev.Lett.112,NatureMaterials11,294
L.K.Shi,D.Zhang,F.Cheng,W.K.Lou(IOS)Prof.S.C.Zhang(Stanford)Dr.D.B.Zhang(CSRC)相對 量子力朗道費米液體理朗道相變理物理與
它主導了這一切。—柏拉圖 純粹的思想便足以理解實在。愛因斯坦TopologicalHSO4m2c2(Vp)ChernC F Fd2iT 2iT 1 2 FdAdn|dnAAdk1 2
Kane&MelePBernevig,Kane&MelePBernevig,HughRMP(2010)Zhang,aneRMP(2011)Qi&
nce
Spin-orbit SpinMoore’s
Spin-orbit PRB67,235202(2003)NaturePhysics3,770(2007)
TopologicalQuantumIntegerQuantumHallEffectTopologicalinvirant:TKNNnumber(Chernnumber)NobelChernBerry
Berry7QuantumSpinHallEffectBandInvertedbyProtectedTime-reversalHgTe/CdTequantumKane&MelePRLBHZScienceWuertzburgScience8QuantumHallQuantumspinHallQuantumHalleffect&QuantumHallQuantumspinHallMagneticMagneticHSO4m2c2(Vp)Dynamicaloriginoftopologicaledge:Born-OppenheimerApprox.&GaugefieldTopologicalinsulatingphaseincommonlyusedTIQuantumdot,HHG&PhotothermalPhys.Rev.Lett.106,Phys.Rev.Lett.109,Phys.Rev.B87161115(R)Phys.Rev.Lett.111,
L.K.Shi,D.Zhang,L.B.Zhang,F.Cheng,W.K.Lou(IOS)S.C.ZhangDynamicsofGaussianPhys.Rev.B87,161115(R)(2013)LKS,SCZ,EffectiveGaugeFromtheHeisenbergusualgroup ProjectH0toElectronpositonEffectiveGaugeAdiabaticApproximation:Decouplingfast&slow Eeffetive whichisexactlyequaltotheBerryexactlytheBerryexactlytheBerryvelocityoperatortofirstorderinadiabaticBerryconstructingawavepacketusingtheBlochfunction,whichissharplydistributedinBrillouinzonevelocityforthecenter-of-massofthewavetheanomalousvelocitycausedbytheBerryEeffetive whichisexactlyequaltotheBerryNumerical yticalFasttremblingandorbitalSpin-upandspin-downelectronsbendtotheoppositeedges.Phys.Rev.B87,161115(R)(2013)LKS,SCZ,AnomalousElectronPhys.Rev.B87,161115(R)(2013)LKS,SCZ,MisakeyparameterM>0,Noedgestates!M<0,Edgestatesappear!Zitterbewegung:arelativisticquantumArapidtremblingmotionofForelectronobeyingDirac Thefrequencyofthistrembling
ZB:arapid
E.InTheradiusofelectronposition
KersonHuang,AJPPossibleoriginofelectronspin!UndetectableusingthecurrentZBofTrapedZBofTrapedionsSemiconductors:atestbedforelectron DynamicalcontroloftheorbitalOrbitalmotioninanexternalACelectricMicrowave
numericalresult)QuantumSideSnakeSpin-flipinducedQuantumSideJumpandSnakeOrbit:MicrowaveACelectricfielddrivenQuantumAnomalousHall JSJ(ZSZ1(SS Zeeman Spin-flip HsdJS
Keypoint:howtotheFMwithoutcarriers?Phys.Rev.B87,161115(R)(2013);LKS,SCZ,KCHowtocontroledgestatesQuantumPointSwitchingPRB83081402(R)(2011);L.B.Zhang,F.Cheng,F.Zhai,Coulombcorrelation:ahelicalLuttingerF.Cheng,KC(tobeChargeSpine-e ctionsuppressThephasedifferenceinducescharge orspinpum
Dynamicaloriginoftopologicaledge:Born-OppenheimerApprox.&GaugefieldTopologicalinsulatingphaseincommonlyusedTIQuantumdot,HHG&PhotothermalPhys.Rev.Lett.106,Phys.Rev.Lett.109,Phys.Rev.B87161115(R)Phys.Rev.Lett.111,
L.K.Shi,D.Zhang,L.B.Zhang,F.Cheng,W.K.Lou(IOS,Beijing)S.C.ZhangTopologicalInsulatorMembersofTI2DTIs:HgTe,
cond-mat.3DTIs:BiSe,BiTe,……HeuslerHgTeQW(Science2005; InAs/GaSbQW(PRL2008;PRLHeusleralloysCanwedrivetheconventionalsemiconductorsintotopologicalinsulatingKeyBandRequirement:hugeelectricfieldsZero-gaptransitioninaGaN/InN/GaNInnce!H.Kroemer,Rev.Mod.Phys.73,783 2000NobelPrzePhys.Rev.Lett.109,Bandinversion:abinitioPhys.Rev.Lett.109,HSEhybridiedfunctional HSEhybridiedfunctional
ExperimentalSamplegrowth:
SmokingCircularphotogalvanicGaN:InN:GaN:InN:A.YoshikawaSampleFromProf.B.Shen&X.Q.Wang’sgroupatPekingTheelectrostaticfieldwithintheInNincreaseslightlywithbarrierfrom~?12.5MV/cmforthe5-nm-thickto~?14.0MV/cmforthe20-nm-thickInterfacepolarizedfield10-LatticeConstantsofBandinversioninGaAs/Ge/GaAsabinitio
Phys.Rev.Lett.111,156402EdgeStates:kp30-bandkptheoryforGaAs/Ge/GaAsReducedHamiltoniantoeffective2DPhys.Rev.Lett.111,156402Experiments:SamplePRB84,Half-metalphaseinRecentProgressin2D ne2D lVanderWaalsA.K.Geim&I.V.Nature499,Science343,163(2014)G.GuUniv.Half-metalgrapheneY.W.Son,M.L.Cohen&S.G.Nature444,1,NotObservedexperimentally2,RequiredhugeE=4.5MV/cm3,Danglingbondsatedges;or ctionwithCitedwidely1951Half-metalphasein2D l1,Five-typeinterface2,Towofthem:E=10MV/cm;3,NoDanglingbondsatedges;orin ctionwithsubstrate M.S.Miao H.Q. Half-metalphaseinBN/graphene/BNla 1,Half-metalphase;2,Gapopening;3,EdgeMagnetismDynamicaloriginoftopologicaledgestates&AnomalousTrajectoryTopologicalinsulatingphaseincommonlyusedTIQuantumdot,HHG&PhotothermalPhys.Rev.Lett.106,
W.K.H.Q.
TIQuantumPhys.Rev.Lett.106,206802(2011)KC1,ElectronWhisperingGalleryEquallyspacingedgestates2,Long-livedopticallydarkstates;3,ABeffect:detectionofEdge1,ElectronWhisperingGalleryEquallyspacingedgestates2,Long-livedopticallydarkstates;3,ABeffect:detectionofEdgeHigh-orderharmonicgenerationNonlinearOptical1987:McPhersonetal,17-orderLaserpower>1015W/cm2typicalefficiency:10-8-10-High-orderharmonicgenerationinω0,3ω0,5ω0,7ω0,9ω0,11ω0HarmonicgenerationinTITheequationofPopulation,emissionspectrumandPopulation,emissionspectrumandS()os()(ifEmissionspectrum&quantumLaserpower:102W/cm21015W/cm210-4》10-8-10-D
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