劃片設備個精度影響說明

劃片設備個精度影響說明：1.X的直線度解釋：x的直線度（平坦度）主要測量的是X水平方向移動過程中的震動，主要檢測絲杠是否有問題。大家都可以想象的，如圖：從簡單的圖上可以看出來，在X的運行中我們的切割刀片在A點突然受到了斜向上的扭力然后突然有變成斜向下的扭力。刀片在A很容易造成輕微的變形，造成刀痕變粗，如果比較嚴重的可以在WAFER上發(fā)現(xiàn)規(guī)則的垂直的2條不是很多的產(chǎn)品由于刀痕突然變化，而產(chǎn)生的背面后正面的繃角。2.XY的垂直度解釋：確保X的水平度平坦度的前提下進行Y關于X方向的垂直度測量。主要的要求是主軸的刀片投影要與X軸平行不能。主要的質(zhì)量表現(xiàn)是：1.刀痕變粗CPK超標準2．刀片扭曲變形3．嚴重的造成產(chǎn)品正面的裂縫（很微小在200倍的顯微鏡都很難發(fā)現(xiàn)）4．背面的碎角，正背面的繃邊3?BASE基座的水平度解釋：基座的水平度，基座相對于主軸的水平度。包括直線移動中的水平，還有THETA的旋轉中的水平。這個水平是當你在做陶瓷盤水平等無法達到目標以后做的最后一項調(diào)整。而且設備的基座下面是陶瓷的，要極其的小心，如果有不水平的，需要墊墊片，墊片也不能找現(xiàn)成的，一般都是自己手磨的，帶2500#以上的白玉油石或紅玉油石。困難最大的調(diào)整。。直接的影響就是，這個不調(diào)整好，你的設備永遠也別想弄水平了，陶瓷盤是標準的，劃片后就出現(xiàn)刀痕一邊深一邊淺了。出現(xiàn)劃不透的話，那么背面嚴重的繃邊，裂角就來了，這個不要多解釋。4．陶瓷，金屬切割盤的水平度，和表面粗糙平坦度解釋：這個是檢測你與產(chǎn)品接觸的承載介質(zhì)的表面質(zhì)量的。主要目的是檢查出陶瓷盤是否由于使用年限磨

損的厲害，已經(jīng)產(chǎn)生了表面陶瓷粉末化，并出現(xiàn)部分高高底底的現(xiàn)象，甚至是出現(xiàn)不規(guī)則的小坑。影響：對IC大的產(chǎn)品和厚度較大的產(chǎn)品影響不是很大，但是TR分立器件的產(chǎn)品影響很大。主要表現(xiàn)是前面提到的出現(xiàn)局部劃不透劃不穿的問題，造成背面的崩裂，還有就是容易在切割過程中造成掉芯片，打壞刀片，大面積的造成產(chǎn)品表面擦傷報廢。。5．主軸與底盤的垂直度，平行度解釋：這是以水平的工作底盤為標準參考面，主軸的投影是否與工作底盤的水平面垂直。圖形表示：劃片后結果影響如圖：切割不規(guī)則，容易崩邊。刀片極其容易扭曲變形損壞。造成大規(guī)模的刀痕異常產(chǎn)品四周的破損變多。6．主軸的徑向跳動解釋：這個是檢測的主軸軸心的旋轉時候的振動，也就是主軸旋轉的穩(wěn)定性。主要影響：是嚴重的涉及了所有的異常表現(xiàn)，由于主軸的不穩(wěn)定工作連帶了刀片的不穩(wěn)定工作，將出現(xiàn)大面積的質(zhì)量異常。7．主軸法蘭表面的粗糙度解釋：主要是檢查刀片法蘭端面表面的平整度，粗糙度，由于刀片的使用更換，法蘭的使用比較頻繁般使用3各月就要測量并修復了。主要影響：涉及所有的質(zhì)量異常。.L|—t數(shù)據(jù)切割深度一般是刀寬/2+10UM即可刀片破損的原因1、芯片松動或飛晶?？赡艿脑颍?藍膜的粘性太低。冷卻水流量或壓力太大。由于藍膜的粘膠彌塞刀片或刀片中金剛石含量太低，使得切割時阻力增大。由于背面蝕刻或磨片不良，造成圓片背面不平整。貼膜時有氣泡。由于刀片沒有充分預切割，切割時阻力太大。2、冷卻水不夠。3、去離子水中CO2含量太多。由于它的餓含量的升高，導致了PH的降低,導致了酸化速度，會使刀片破損4、進刀速度太快。5、藍膜的粘膠彌塞刀片。6、藍膜的粘性太強。7、組成刀片的金剛石顆粒太小。8、刀片安裝不當。9、主軸或機器振動太大刀痕比倍率1：1.1這個晶圓代工廠就是這樣,EE最苦最累,機臺down了,半夜就要起來加班面對的困難和煩惱最多,接觸危險的機器和化學品也最多身體收到的損害最大,但是相對來說,付出和回報最不成正比當你再FAB內(nèi)修機器十幾個小時甚至幾天幾夜的時候當你在FAB內(nèi)只有氧氣和氮氣沒有水分的環(huán)境下口干舌燥的時候當你當你被高溫烘烤,化學品腐蝕的時候當你面對機臺一些很瑣碎但是很花費時間和精力的事情的時候當你在機臺down機絕望痛苦而沒有人能夠幫助你的時候當你辛苦修好機臺功勞卻被其他人搶去的時候當別人和老大對你呼喝指斥的時候當你半夜冒著風雪去修理機臺第二天還要拖著疲憊身體上班的時候當你發(fā)現(xiàn)天天這么辛苦的修機器其實能力和技術沒有什么長進,甚至根本就不懂電路的時候當你發(fā)現(xiàn)自己再努力不如公司掏錢買一個parts換上去的時候當你發(fā)現(xiàn)這個工作剛畢業(yè)的學生培訓幾個月就能上的時候當你的個人興趣和理想被淹沒在無盡的加班和報告中的時候在掛著高科技新興產(chǎn)業(yè)的幌子的半導體晶圓代工廠,有太多的血淚和心酸CVD晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個無塵室，為何需要無塵室答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷何謂半導體？答：半導體材料的電傳特性介于良導體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導體材料是硅及鍺。半導體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應用電場來控制其之導電性。常用的半導體材料為何答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa)何謂VLSI答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大規(guī)模集成電路在半導體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺答：介電質(zhì)(Dielectrie)薄膜區(qū)機臺主要的功能為何答：沉積介電質(zhì)層及金屬層何謂CVD(ChemicalVaporDep.)答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學沉積的制程CVD分那幾種？答：PE-CVD(電漿增強型)及Thermal-CVD(熱耦式)為什幺要用鋁銅(AlCu)合金作導線？答：良好的導體僅次于銅介電材料的作用為何？答：做為金屬層之間的隔離何謂PMD(Pre-MetalDielectrie)答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個金屬層的介電質(zhì)何謂IMD(Inter-MetalDielectrie)答：金屬層間介電質(zhì)層。何謂USG?答：未摻雜的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)何謂FSG?答：摻雜氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)何謂BPSG?答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)何謂TEOS?答：Tetraethoxysilane用途為沉積二氧化硅TEOS在常溫時是以何種形態(tài)存在？答：液體二氧化硅其K值為3.9表示何義答：表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的3.9倍氟在CVD的工藝上，有何應用答：作為清潔反應室(Chamber)用之化學氣體簡述Endpointdetector之作用原理.答：clean制程時，利用生成物或反應物濃度的變化，因其特定波長光線被detector偵測到強度變強或變?nèi)?，當超過某一設定強度時,即定義制程結束而該點為endpoint.機臺使用的管件材料主要有那些？答：有不銹鋼制(StainlessSteal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.機器維修時要放置停機維修告示牌目的為何？答：告知所有的人勿操作機臺，避免危險機臺維修至少兩人配合，有何目的？答：幫忙拆卸重物，并隨時警戒可能的意外發(fā)生更換過任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動作？答：用氦氣測漏機來做測漏維修尚未降至室溫之反應室(Chamber)，應配帶何種手套答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在80攝式度下始可動作何為真空(Vacuum)?半導體業(yè)常用真空單位是什幺？答：半導體業(yè)通常用Torr作為真空的壓力單位，一大氣壓相當760Torr,低于760Torr壓力的環(huán)境稱為真空.真空Pump的作用？答：降低反應室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力何謂內(nèi)部連鎖(Interlock)答：機臺上interlock有些屬于保護操作人員的安全,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號，用以保護機臺.機臺設定許多interlock有何作用？答：機臺上interlock主要避免人員操作錯誤及防止不相關人員動作.WaferScrubber的功能為何？答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何謂蝕刻(Etch)?答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。蝕刻種類：答：⑴干蝕刻⑵濕蝕刻蝕刻對象依薄膜種類可分為：答：poly,oxide,metal半導體中一般金屬導線材質(zhì)為何？答：鵭線（W）/鋁線（Al）/銅線（Cu）何謂dielectrie蝕刻（介電質(zhì)蝕刻）？答：Oxideetchandnitrideetch半導體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何？答：氧化硅/氮化硅何謂濕式蝕刻答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除何謂電漿Plasma?答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài)?帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子，正離子,負離子，中性分子，活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓.何謂干式蝕刻？答：利用plasma將不要的薄膜去除何謂Under-etching（蝕刻不足）？答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留何謂Over-etching（過蝕刻）答：蝕刻過多造成底層被破壞何謂Etchrate（蝕刻速率）答：單位時間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度何謂Seasoning（陳化處理）答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy）晶圓進行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。Asher的主要用途：答：光阻去除Wetbenchdryer功用為何？答：將晶圓表面的水份去除列舉目前Wetbenchdry方法：答：（1）SpinDryer（2）Marangonidry（3）IPAVaporDry何謂SpinDryer答：利用離心力將晶圓表面的水份去除何謂MaragoniDryer答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除何謂IPAVaporDryer答：利用IPA（異丙醇）和水共溶原理將晶圓表面的水份去除測Particle時,使用何種測量儀器？答：TencorSurfscan測蝕刻速率時，使用何者量測儀器？答：膜厚計,測量膜厚差值何謂AEI答：AfterEtchingInspection蝕刻后的檢查AEI目檢Wafer須檢查哪些項目：答：（1）正面顏色是否異常及刮傷（2）有無缺角及Particle（3）刻號是否正確金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理？答：清機防止金屬污染問題金屬蝕刻機臺asher的功用為何？答：去光阻及防止腐蝕金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進行清洗？答：因為金屬線會溶于硫酸中"HotPlate〃機臺是什幺用途？答：烘烤HotPlate烘烤溫度為何？答：90~120度C何種氣體為PolyETCH主要使用氣體？答：Cl2,HBr,HCl用于Al金屬蝕刻的主要氣體為答：Cl2,BCl3用于W金屬蝕刻的主要氣體為答：SF6何種氣體為oxidevai/contactETCH主要使用氣體？答：C4F8,C5F8,C4F6硫酸槽的化學成份為：答：H2SO4/H2O2AMP槽的化學成份為：答：NH40H/H202/H20UVcuring是什幺用途？答：利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度"UVcuring"用于何種層次？答：金屬層何謂EMO？答：機臺緊急開關EMO作用為何？答：當機臺有危險發(fā)生之顧慮或已不可控制，可緊急按下濕式蝕刻門上貼有那些警示標示？答：（1）警告?內(nèi)部有嚴重危險?嚴禁打開此門（2）機械手臂危險.嚴禁打開此門（3）化學藥劑危險.嚴禁打開此門遇化學溶液泄漏時應如何處置？答：嚴禁以手去測試漏出之液體.應以酸堿試紙測試.并尋找泄漏管路.遇IPA槽著火時應如何處置?？答：立即關閉IPA輸送管路并以機臺之滅火器滅火及通知緊急應變小組BOE槽之主成份為何？答：HF（氫氟酸）與NH4F（氟化銨）.BOE為那三個英文字縮寫？答：BufferedOxideEtcher。有毒氣體之閥柜（VMB）功用為何？答：當有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出電漿的頻率一般13.56MHz,為何不用其它頻率？答：為避免影響通訊品質(zhì)，目前只開放特定頻率，作為產(chǎn)生電漿之用，如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等何謂ESC（electricalstaticchuck）答：利用靜電吸附的原理，將Wafer固定在極板（Substrate）上Asher主要氣體為答：02Asher機臺進行蝕刻最關鍵之參數(shù)為何？答：溫度簡述TURBOPUMP原理答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR熱交換器（HEATEXCHANGER）之功用為何？答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸，以達到溫度控制之目地簡述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理？答：藉由氦氣之良好之熱傳導特性，能將芯片上之溫度均勻化ORIENTER之用途為何？答：搜尋notch邊，使芯片進反應腔的位置都固定，可追蹤問題簡述EPD之功用答：偵測蝕刻終點；Endpointdetector利用波長偵測蝕刻終點何謂MFC?答：massflowcontroler氣體流量控制器;用于控制反應氣體的流量GDP為何？答：氣體分配盤（gasdistributionplate）GDP有何作用？答：均勻地將氣體分布于芯片上方何謂isotropicetch?答：等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率均等何謂anisotropicetch?答：非等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率少何謂etch選擇比？答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值何謂AEICD?答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小，特征尺寸（CriticalDimension）何謂CDbias?答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD簡述何謂田口式實驗計劃法？答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計歸納分析何謂反射功率？答：蝕刻過程中，所施予之功率并不會完全地被反應腔內(nèi)接收端所接受，會有部份值反射掉，此反射之量，稱為反射功率LoadLock之功能為何？答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進出反應腔，確保反應腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.廠務供氣系統(tǒng)中何謂BulkGas?答：BulkGas為大氣中普遍存在之制程氣體，如N2,O2,Ar等.廠務供氣系統(tǒng)中何謂InertGas?答：InertGas為一些特殊無強烈毒性的氣體，如NH3,CF4,CHF3,SF6等.廠務供氣系統(tǒng)中何謂ToxicGas?答：ToxicGas為具有強烈危害人體的毒性氣體，如SiH4,Cl2,BCl3等.機臺維修時，異常告示排及機臺控制權應如何處理？答：將告示牌切至異常且將機臺控制權移至維修區(qū)以防有人誤動作冷卻器的冷卻液為何功用？答：傳導熱Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理？答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽何謂RPM?答：即RemotePowerModule,系統(tǒng)總電源箱.火災異常處理程序答：（1）立即警告周圍人員.（2）嘗試3秒鐘滅火.（3）按下EMO停止機臺.（4）關閉VMBValve并通知廠務.（5）撤離.一氧化碳（CO）偵測器警報異常處理程序答：（1）警告周圍人員.（2）按Pause鍵，暫止Run貨.（3）立即關閉VMB閥,并通知廠務.（4）進行測漏.高壓電擊異常處理程序答：（1）確認安全無慮下，按EMO鍵（2）確認受傷原因（誤觸電源，漏水等）（3）處理受傷人員T/C（傳送TransferChamber）之功能為何?答：提供一個真空環(huán)境，以利機器手臂在反應腔與晶舟間傳送Wafer,節(jié)省時間.機臺PM時需佩帶面具否答：是，防毒面具機臺停滯時間過久run貨前需做何動作答：Seasoning（陳化處理）何謂日常測機答：機臺日常檢點項目，以確認機臺狀況正常何謂WAC（WaferlessAutoClean）答：無wafer自動干蝕刻清機何謂DryClean答：干蝕刻清機日常測機量測etchrate之目的何在？答：因為要蝕刻到多少厚度的film,其中一個重要參數(shù)就是蝕刻率操作酸堿溶液時，應如何做好安全措施？答：（1）穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護目鏡（2）操作區(qū)備有清水與水管以備不時之需（3）操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶如何讓chamber達到設定的溫度？答：使用heater和chillerChiller之功能為何？答：用以幫助穩(wěn)定chamber溫度如何在chamber建立真空？答：（1）首先確立chamberparts組裝完整（2）以drypump作第一階段的真空建立（3）當圧力到達100mTD寺再以turbopump抽真空至1mT以下真空計的功能為何？答：偵測chamber的壓力，確保wafer在一定的壓力下processTransfermodule之robot功用為何？答：將wafer傳進chamber與傳出chamber之用何謂MTBC?（meantimebetweenclean）答：上一次wetclean到這次wetclean所經(jīng)過的時間RFGenerator是否需要定期檢驗？答：是需要定期校驗；若未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的組成為何需要對etchchamber溫度做監(jiān)控？答：因為溫度會影響制程條件;如etchingrate/均勻度為何需要注意drypumpexhaustpresure(pump出口端的氣壓)？答：因為氣壓若太大會造成pump負荷過大;造成pump跳掉，影響chamber的壓力，直接影響到run貨品質(zhì)為何要做漏率測試？(Leakrate)答：⑴在PM后PUMPDown1~2小時后;為確保chamberRun貨時，無大氣進入chamble影響chamberGAS成份(2)在日常測試時，為確保chamber內(nèi)來自大氣的泄漏源，故需測漏機臺發(fā)生Alarm時應如何處理？答：(1)若為火警，立即圧下EMO(緊急按鈕)，并滅火且通知相關人員與主管(2)若是一般異常，請先檢查alarm訊息再判定異常原因，進而解決問題，若未能處理應立即通知主要負責人蝕刻機臺廢氣排放分為那幾類？答：一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放蝕刻機臺使用的電源為多少伏特(v)?答：208V三相干式蝕刻機臺分為那幾個部份？答：(1)Load/Unload端(2)transfermodule(3)Chamberprocessmodule(4)真空系統(tǒng)(5)GASsystem(6)RFsystemPHOTOPHOTO流程？答：上光阻一曝光一顯影一顯影後檢查一CD量測一Overlay量測何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負光阻。何為正光阻？答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。何為負光阻？答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。什幺是曝光？什幺是顯影？答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂Photo?答：Photo二Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。Photo主要流程為何？答：Photo的流程分為前處理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，顯影，HardBake等。何謂PHOTO區(qū)之前處理？答:在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作,以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結合。何謂上光阻？答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴(Nozzle)被噴涂在高速旋轉的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。何謂SoftBake?答：上完光阻之后，要進行SoftBake，其主要目的是通過SoftBake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘余內(nèi)應力釋放。何謂曝光？答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。何謂PEB(PostExposureBake)?答：PEB是在曝光結束后對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化。何謂顯影？答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。何謂HardBake?答：HardBake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何謂I-line?答：曝光過程中用到的光，由MercuryLamp（汞燈）產(chǎn)生，其波長為365nm,其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應用在次重要的層次。何謂DUV?答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。I-line與DUV主要不同處為何？答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進制程（0.35微米以下）的Non-Criticallayer。DUV則用在先進制程的Criticallayer上。何為ExposureField?答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域何謂Stepper?其功能為何？答：一種曝光機，其曝光動作為Stepbystep形式，一次曝整個exposurefield,—個一個曝過去何謂Scanner?其功能為何？答：一種曝光機，其曝光動作為Scanningandstep形式，在一個exposurefield曝光時，先Scan完整個field,Scan完後再移到下一個field.何為象差？答：代表透鏡成象的能力，越小越好.Scanner比Stepper優(yōu)點為何？答：ExposureField大，象差較小曝光最重要的兩個參數(shù)是什幺？答：Energy（曝光量），F(xiàn)ocus（焦距）。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數(shù)對于不同的產(chǎn)品會有不同。何為Reticle?答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。何為Pellicle?答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的圖形面上的一層保護膜。何為OPC光罩？答：OPC（OpticalProximityCorrection）為了增加曝光圖案的真實性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩。何為PSM光罩？答：PSM（PhaseShiftMask）不同于Crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都應用在contactlayer以及較小CD的Criticallayer（如AA,POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。何為CRMask？答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩，只是利用光訊0與1干涉成像，主要應用在較不Critical的layer光罩編號各位代碼都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA,0037代表產(chǎn)品號，00代表Specialcode,156代表layer,A代表客戶版本，后一個A代表SMIC版本，1代表FAB1,D代表DUV（如果是J,則代表I-line）,A代表ASML機臺（如果是C，則代表Canon機臺）光罩室同時不能超過多少人在其中？答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。存取光罩的基本原則是什幺？答：（1）光罩盒打開的情況下，不準進出MaskRoom,最多只準保持2個人（2）戴上手套（3）輕拿輕放如何避免靜電破壞Mask?答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導出。光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應該保持多遠距離？答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。何謂Track?答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過程。In-lineTrack機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？答：均為4個機臺上亮紅燈的處理流程？答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處于異常狀態(tài)，此時已經(jīng)不能RUN貨，因此應該及時CallE.E進行處理。若EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機臺掛DOWN。何謂WEE?其功能為何？答：WaferEdgeExposureo由于Wafer邊緣的光阻通常會涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此將WaferEdge的光阻曝光，進而在顯影的時候?qū)⑵淙コ@樣便可以消除影響。何為PEB？其功能為何？答：PostExposureBake,其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standingwaves）PHOTOPOLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負光阻答：目前正負光阻都有，SMICFAB內(nèi)用的為負光阻。RUN貨結束后如何判斷是否有wafer被reject?答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進一步查看機臺是否有Reject記錄。何謂Overlay?其功能為何？答：迭對測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對準精度，如果對準精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的對準精度進行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應措施調(diào)整processcondition.何謂ADICD?答：CriticalDimension,光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復制在Wafer上,通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。何謂CD-SEM?其功能為何？答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通?？梢杂糜跍y量CD以及觀察圖案。PRS的制程目的為何？答：PRS（ProcessReleaseStandard）通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的processcondition。何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些？答：AfterDevelopInspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機臺對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：LayerID,LockingCorner,Vernier,PhotoMacroDefect何為OOC,OOS，OCAP？答：OOC=outofcontrol,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcontrolactionplan當需要追貨的時候，是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來？答：需要。因為通常是process出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回損失。PHOTOADI檢查的SITE是每片幾個點？答：5點，Wafer中間一點，周圍四點。PHOTOOVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？答：20PHOTOADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？答：#1,#6,#15,#24;統(tǒng)計隨機的考量何謂RTMS，其主要功能是什幺？答：RTMS(ReticleManagementSystem)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,andInformation以便于光罩管理PHOTO區(qū)的主機臺進行PM的周期？答：一周一次PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型答：(1)Particle:作為Particlemonitor用的芯片，使用前測前需小於10顆(2)ChuckParticle:作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高(3)Focus:作為ScannerDailymonitorbest的wafer(4)CD:做為photo區(qū)dailymonitorCD穩(wěn)定度的wafer(5)PRthickness:做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM:做為photodefectmonitor的wafer當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？答：有少量光阻當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？答：有少量光阻WAFERSORTER有讀WAFER刻號的功能嗎？答：有光刻部的主要機臺是什幺？它們的作用是什幺？答：光刻部的主要機臺是：TRACK(涂膠顯影機)，Sanner(掃描曝光機)為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技術答：Track把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機就是一臺最咼級的照相機.光罩上的電路圖形就是〃人物〃.通過對準，對焦，打開快門，讓一定量的光照過光罩，其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上，曝光后的芯片被送回Track的顯影槽，被顯影液浸泡，曝光的光刻膠被洗掉，圖形就顯現(xiàn)出來了.光刻技術的英文是什幺答：PhotoLithography常聽說的.18或點13技術是指什幺？答：它是指某個產(chǎn)品，它的最小〃CD〃的大小為0.18umor0.13um.越小集成度可以越高，每個芯片上可做的芯片數(shù)量越多，難度也越大?它是代表工藝水平的重要參數(shù).從點18工藝到點13工藝到點零9.難度在哪里？答：難度在光刻部，因為圖形越來越小，曝光機分辨率有限.曝光機的NA是什幺？答：NA是曝光機的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值.最大是1；先進的曝光機的NA在0.5 0.85之間.曝光機分辨率是由哪些參數(shù)決定的？答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數(shù)值孔徑；k1是標志工藝水準的參數(shù)，通常在0.4—0.7之間.如何提高曝光機的分辨率呢？答：減短曝光的光波長，選擇新的光源；把透鏡做大，提高NA.現(xiàn)在的生產(chǎn)線上，曝光機的光源有幾種，波長多少？答:有三種：高壓汞燈光譜中的365nm譜線，我們也稱其為I-line;KrF激光器，產(chǎn)生248nm的光；ArF激光器，產(chǎn)生193nm的光；下一代曝光機光源是什幺？答：F2激光器.波長157nm我們可否一直把波長縮短，以提高分辨率？困難在哪里？答：不可以.困難在透鏡材料.能透過157nm的材料是CaF2,其晶體很難生長.還未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？答：因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光，所以采用黃光；就象洗像的暗房采用暗紅光照明.什幺是SEM答：掃描電子顯微鏡(ScanElectronicMicroscope)光刻部常用的也稱道CDSEM.用它來測量CD如何做Overlay測量呢？答：芯片(Wafer)被送進Overlay機臺中.先確定Wafer的位置從而找到OverlayMARK.這個MARK是一個方塊IN方塊的結構?大方塊是前層，小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.生產(chǎn)線上最貴的機器是什幺答：曝光機；5-15百萬美金/臺曝光機貴在哪里？答:曝光機貴在它的光學成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15到20個直徑在200300MM的透鏡組成?波面相位差只有最好象機的5%.它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺)激光工作臺的定位精度有多高？答：現(xiàn)用的曝光機的激光工作臺定位的重復精度小于10nm曝光機是如何保證Overlay<50nm答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度<50nm.它首先要有一個精準的激光工作臺，它把wafer移動到準確的位置.再就是成像系統(tǒng)，它帶來的圖像變形<35nm.在WAFER上，什幺叫一個Field?答：光罩上圖形成象在WAFER上,最大只有26X33mm—塊（這一塊就叫一個Field），激光工作臺把WAFER移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片WAFER上有約100左右Field.什幺叫一個Die?答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片。一個Field可包含多個Die;為什幺曝光機的綽號是“印鈔機”答：曝光機很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer：答：機器人手臂（robot）.Scanner的ROBOT有真空（VACCUM）來吸住WAFER.TRACK的ROBOT設計獨特，用邊緣HOLDWAFER.可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光答：絕對禁止;強光對眼睛會有傷害為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應用Foundation（底座）答：Scanner曝光對穩(wěn)定性有極高要求（減震）近代光刻技術分哪幾個階段？答：從80'S至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的；高壓水銀燈的G-line（438nm）,I-line（365nm）;excimerlaserKrF（248nm）,ArFlaser（193nm）I-linescanner的工作范圍是多少？答：CD>0.35um以上的圖層（LAYER）KrFscanner的工作范圍是多少？答：CD>0.13um以上的圖層（LAYER）ArFscanner的工作范圍是多少？答：CD>0.08um以上的圖層（LAYER）什幺是DUVSCANNER答：DUVSCANNER是指所用光源為DeepUltraVoliet,超紫外線.即現(xiàn)用的248nm,193nmScannerScanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：答：Scanner是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很咼的同步性?在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位置<10nm.相當于兩架時速1000公里/小時的波音747飛機前后飛行，相距小于10微米光罩的結構如何？答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）.在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形(把部分鉻膜刻掉，透光).在距鉻膜5mm的地方覆蓋一極薄的透明膜(叫pellicle)，保護鉻膜不受外界污染.在超凈室(cleanroom)為什幺不能攜帶普通紙答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產(chǎn)生大量微小塵埃(particle).進cleanroom要帶專用的CleanroomPaper.如何做CD測量呢？答：芯片(Wafer)被送進CDSEM中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同；處理此信號可的圖像.對圖像進行測量得CD.什幺是DOF答：DOF也叫DepthOfFocus,與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會在透鏡的另一側的某個平面成像，我們稱之為像平面(ImagePlan),只有將像平面與光阻平面重合(InFocus)才能印出清晰圖形.當離開一段距離后，圖像模糊.這一可清晰成像的距離叫DOF曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形(Pattern)的作用是什幺？答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應，被吃掉.去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上.另一作用是充當例子注入的模板.光阻種類有多少？答：光阻種類有很多.可根據(jù)它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻光阻層的厚度大約為多少？答：光阻層的厚度與光阻種類有關.I-line光阻最厚，0.7umto3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？答：光阻厚度與芯片(WAFER)的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度有關.哪些因素影響光阻厚度的均勻度？答：光阻厚度均勻度與芯片(WAFER)的旋轉加速度有關，越快越均勻，與旋轉加減速的時間點有關.當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的CSDS(ChemicalSafetyDataSheet),把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療作者：core-logic回復日期：2006-1-22 10:00:11FAC根據(jù)工藝需求排氣分幾個系統(tǒng)?答：分為一般排氣(General)、酸性排氣(Scrubbers)、堿性排氣(Ammonia)和有機排氣(Solvent)四個系統(tǒng)。高架地板分有孔和無孔作用?答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，保證潔凈房內(nèi)的潔凈度;防靜電；便于HOOK-UP。離子發(fā)射系統(tǒng)作用答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電SMIC潔凈等級區(qū)域劃分答：MaskShopclass1&100Fab1&Fab2Photoandprocessarea:Class100Cu-lineAl-LineOS1L3OS1L4testingClass1000什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于80kpa)和流量，每天24小時運行什幺是MAU(MakeUpAirUnit),新風空調(diào)機組作用答：提供潔凈室所需之新風，對新風濕度，溫度，及潔凈度進行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。HouseVacuumSystem作用答：HV(HouseVacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開運轉電源。此系統(tǒng)之運用可減低清潔時的污染。FilterFanUnitSystem(FFU)作用答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風速和潔凈度，由Fan和Filter(ULPA)組成。什幺是CleanRoom潔凈室系統(tǒng)答：潔凈室系統(tǒng)供應給制程及機臺設備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境要求。Cleanroomspec:標準答：Temperature23°C±1°C(Photo:23°C±0.5°C)Humidity45%±5%(Photo:45%±3%)Class100Overpressure+15paAirvelocity0.4m/s±0.08m/sFab內(nèi)的safetyshower的日常維護及使用監(jiān)督由誰來負責答：Fab內(nèi)的AreaOwner(若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請廠務水課(19105)協(xié)助)工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑(如IPA等)進入純水回收系統(tǒng)中，這是因為：答：酸會導致conductivity(導電率)升高，有機溶劑會導致TOC升高。兩者均會影響并降低純水回收率。若在Fab內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報答：先檢查是否為機臺漏水或做PM所致，若為廠務系統(tǒng)則通知廠務中控室(12222)機臺若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通答：通知廠務主系統(tǒng)水課的值班(19105)廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不銹鋼管(SUS)若機臺內(nèi)的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題?答：將會導致后端處理的主系統(tǒng)相關指標處理不合格，從而可能導致公司排放口超標排放的事故。公司做水回收的意義如何?答：(1)節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。(2)符合ISO可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境保護暨安全衛(wèi)生政策。何種氣體歸類為特氣(SpecialtyGas)?答：SiH2Cl2何種氣體由VMBStick點供到機臺?答：H2何種氣體有自燃性?答：SiH4何種氣體具有腐蝕性?答：ClF3當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器?答：PH3名詞解釋GC,VMB,VMP答：GC-GasCabinet氣瓶柜VMB-ValveManifoldBox閥箱，適用于危險性氣體。VMP-ValveManifoldPanel閥件盤面，適用于惰性氣體。標準大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不適？答：21%19%什幺是氣體的LEL?H2的LEL為多少？答：LEL-LowExplosiveLevel氣體爆炸下限H2LEL-4%.當FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級警報(既LeakHiHi)，氣體警報燈(LAU)會如何動作？FAB內(nèi)工作人員應如何應變？答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散?；瘜W供應系統(tǒng)中的化學物質(zhì)特性為何?答：(1)Acid/Caustic酸性/腐蝕性(2)Solvent有機溶劑(3)Slurry研磨液有機溶劑柜的安用保護裝置為何?答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測器(2)CO2extinguisher;二氧化碳滅火器答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鎬設備機臺總電源是幾伏特?答：208VOR380V欲從事生產(chǎn)/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎?答：不可以如何選用電器器材?答：使用電器器材需采用通過認證之正規(guī)品牌機臺開關可以任意分/合嗎?答：未經(jīng)確認不可隨意分/合任何機臺開關,以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.欲從事生產(chǎn)/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對嗎?答：對假設斷路器啟斷容量為16安培導線線徑2.5mm2,電源供應電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設備會產(chǎn)生何種情況?答：斷路器跳閘當供電局供電中斷時，人員仍可安心待在FAB中嗎？答：當供電局供電中斷時,本廠因有緊急發(fā)電機設備,配合各相關監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.在半導體程制中,濕制程(wetprocessing)分那二大頪？答：(1)晶圓洗凈(wafercleaning)⑵濕蝕刻(wetetching).晶圓洗凈(wafercleaning)的設備有那幾種？答：(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype(2)Singlewafertype(spraytype)晶圓洗凈(wafercleaning)的目的為何？答：去除金屬雜質(zhì),有機物污染及微塵.半導體制程有那些污染源？答：(1)微粒子(2)金屬(3)有機物(4)微粗糙(5)天生的氧化物RCA清洗制程目的為何？答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圓,并做到酸堿中和,使晶圓可進行下一個制程.洗凈溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O的目的為何？答：去除微粒子及有機物洗凈溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O的目的為何？答：去除有機物洗凈溶液HPM(SC-2)-->HCL:H2O2:H2O的目的為何？答：去除金屬洗凈溶液DHF-->HF:H20(1:100?1:500)的目的為何？答：去除自然氧化膜及金屬洗凈溶液FPM-->HF:H2O2:H2O的目的為何？答：去除自然氧化膜及金屬洗凈溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F的目的為何？答：氧化膜濕式蝕刻洗凈溶液熱磷酸-->H3PO4的目的為何？答：氮化膜濕式蝕刻0.25微米邏輯組件有那五種標準清洗方法？答:(1)擴散前清洗⑵蝕刻后清洗(3)植入后清洗(4)沉積前洗清⑸CMP后清洗超音波刷洗(ultrasonicscrubbing)目的為何？答：去除不溶性的微粒子污染何謂晶圓盒(POD)清洗？答：利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的污染.高壓噴灑(highpressurespray)或刷洗去微粒子在那些制程之后？答：(1)鋸晶圓(wafersaw)(2)晶圓磨薄(waferlapping)(3)晶圓拋光(waferpolishing)(4)化學機械研磨晶圓濕洗凈設備有那幾種？答：(1)多槽全自動洗凈設備(2)單槽清洗設備(3)單晶圓清洗設備.單槽清洗設備的優(yōu)點？答：(1)較佳的環(huán)境制程與微粒控制能力.(2)化學品與純水用量少.(3)設備調(diào)整彈性度高.單槽清洗設備的缺點？答：(1)產(chǎn)能較低.(2)晶圓間仍有互相污染單晶圓清洗設備未來有那些須要突破的地方？答：產(chǎn)能低與設備成熟度(disco)1.0 TitleDiscoAutomaticDicingSaw2.0 PurposeTheDiscoAutomaticDicingSawisaprecisionmachineusedtocutsemiconductorwafersintoindividualchipsordice.Wafersareheldtothechucktablebymeansofvacuumandthechuckcanaccommodatewaferswithdiametersfrom2"to6".Themaximumtablestroke(left-rightmovementofthechucktable)is160mm(65/16").Thecuttingrangeis20.4mmto153mmin1mmincrements(0.8"to6"in0.025"increments).Thecuttingfeedspeedisvariablefrom0.3to10mm/sec.(0.012"to12"/sec).Thedicingwheelismountedonahighfrequencyair-bearingspindlewithanaveragerotationspeedof30,000rpm.Therangeofdepthleftuncutisvariable,andrangesfrom0.005mmto19.995mm(0.0002"to0.7872")instepsof0.005mm(0.0002")increments.(DonotuseaZ-indexoflessthan0.07mmwithoutconsultingasuperuser.)Followingeachcut,theDiscousesstoredparameterstoautomaticallyindexthewaferalongtheY-axis.Themaximumspindlestroke(forward-backwardmovementofspindle)is160mm(65/16"),andthevariablespindleindexrangesfrom0.002mmto99.998mm(0.0001"to4")inindexingstepsof0.002mm(0.0001")increments.3.0ScopeTherearefourfixedsawingmodesavailable:MODEAThecutismadeonlyinonedirectionasthechuckmovesfromrighttoleft(downcut).MODEBThecutismadeinbothdirectionsalongtheX-axis(downcut/upcut).MODECThismodealsocutsinbothdirectionsalongtheX-axis,butthebladedescendswithintherangeof0.005-19.995mmalongtheZ-axiswhenthechucktablemovesfromlefttoright.Usethismodeforcutsdeeperthan650microns.MODEDThismodeisconstructedwithaDRESS,whichusesadressboard,andaPRE-CU,Twhichusesadummywafer.DicingtapeandhoopsareavailableintheMicrolab.Tapecanbefoundonadispenserin432b,andhoopsarestoredbeneaththediscosaw.Dicingtapeisrecommendedforalldicingoperationsandisrequiredforthroughwafercuts.4.0 ApplicableDocuments5.0 DefinitionsandProcessTerminology6.0 Safety7.0 Statistical/ProcessData8.0 AvailableProcess,Gases,ProcessNotesCuttingBladesInUseSiliconBladeSemitecCorp.PNS2525kerf(widthofcut)=.64micronsor.0025”Maximumdepthofcut=640micronsor.025”Ceramics,saphire,crystalsubstrateDicingTechnology,PNCX-004-270-040-Hkerf.004”,50-70micronabrasive,1mmor.040”exposureRecommendedcuttingspeed,bestcut:..25mm/sec,Z-index:.7,.04Maximumcuttingspeed:.5mm/sec(morechipping)GlassDicingTechnology,PNCX-010-600-060Jkerf.010”,22-36micronabrasive,1.5mmor.060”exposureRecommendedcuttingspeed,bestcut:.5mm/sec,Z-index:.7,.04Maximumcuttingspeed:1mm/sec9.0 EquipmentOperationOperatingPrecautionsSiliconparticles(shippedpieces)producedbydicingoperationwillcoatyoursamples,ifyoudonotuseaprotectivelayer.Thesearesharpedgedparticles,whichcaneasilypenetratetheunderlyingstructure,andareverydifficultorimpossibletoremove.Itishighlyrecommendedthatyoucoatyourwaferswith1-2micrometersofphotoresistasasacrificiallayerthatcantrapandlaterremoveparticles(postdicingoperation).Youcanusethemanualspinner(headway)ortheautomatedtracksystems(SVG)toperformthiscoating.Chapter1.3ofthemanual,module6(MOD6)providesandoverviewoftheresistcoatingprocedure,ifyouarenotfamiliarwiththisprocess.PleasenotethatthereisnoneedforHMDStreatmentofwaferssurface(skipSectionA).OncewaferisdicedyoucaneasilyremoveyourresistlayeralongwiththeparticlesinaacetonebathfollowedbyisopropanolandaDIrinse/drysteps(soaksamplesfor2minutesinacetone,DIrinse,then2minutesinisopropanolfollowedbyDIrinse).Beforeoperatingthesaw,besuretoverifythefollowing:Thebladeisintact.Ifyouattempttocutawaferwithadamagedblade,itmaycauseseveredamagetothespindle.Youmaychangethebladebyfollowingtheprocedurepostedonthewall.Becarefulnottoapplyexcessiveforcetothespindle.Usethetorquedriverthatiskeptbythesaw.9.1.2TheAUTOBREAKERCONTROLswitch(locatedontherightsideofthemainbody)isturnedon(intheUPposition).9.1.2Theairisonandisbeingsuppliedat80psi(ormore).Thewaterison.TheSTANDBYlightison.Duringoperation,makesure:Yourwaferisnomorethan550umthick.Ifyouarecuttingthickwafers,waferstacks,etc.,youmustuseMODEC.Otherwise,thesawbladewillscrapealongyourwaferonthereturnstroke,damagingyourwafer,theblade,andpossiblythespindle.Similarly,neverattempttomakeacutthatisdeeperthantheexposedamountofsawblade,sincethiswillplaceahighloadonthespindleandpossiblydamageit.Dicingbladesaremadeofthinmaterialandcannotbeusedforsidegrinding.Ifyouaredicingasample(ahalfwafer,etc),whichhasapre-existingflatedgeparalleltothecuttingdirection,beverycarefulnottoletthebladeindexoverandtrytocutrightalongtheedgeofthesample.Thelateralforcesthatareinducedinthebladewilleasilypeelitoffthebladeholder.Coolingwaterisbeingsuppliedtothecuttingarea,ataflowrateofatleast0.3lpm.AlwaysperformaSetupafterchangingtheblade.Otherwise,ifthenewbladeisatalllargerthantheoldblade,itmaycutintothechuck.Note:SpindleShutdownTherearetwowaystostopthespindlefromrotating.PressingthebuttonSPINDLEwillturnoffthespindleandpreservetheheightsetting.PressingtheEMSTOPwillstopthespindle,raiseit,returnittothehomepositionanderasetheheightinformation.Ifabladeistobechanged,itisimperativetouseEMSTOPratherthanspindletostoprotationsonewheightinformationisprogrammedfollowingthebladechange.NEVERTURNOFFTHEDISCOWHILETHESPINDLEISTURNING.FIRSTSTOPTHESPINDLEROTATIONWITHONEOFTHEABOVEMETHODS.InitialSet-UpBeforebeginningtheactualoperation,thesawmustbe"set-up".ThisallowsthemachinetoverifythezeroreferencepointalongtheZ-axis(i.e.verifiesthechuckheight).Thisprocedureisdonewithoutawaferonthechucktableasthepresenceofawafermaycausedamagetoeitherthebladeorthewa.ferBesurethatthereisnowaterpresentonthesurfaceofthechucktable.Theprocedureisasfollows:Checkthatthespindlecoverisontightly.PresstheSPINDLEbutton(theLEDshouldnowbelit).Verifythatthespindleisrotating.PresstheILLUMINATIONbuttontoturnonthelightstothemicroscope.PresstheVACUUMbutton(theLEDshouldnowbelit).PresstheSETUPbutton.ThiswillcausethebladetorisealongtheZ-axisandstopatthelimitoftravelalongtheZ-axis.ThechucktablewillnowmovetoandstopatapproximatelythecenteroftheY-axis.ThechucktablewillthenmovealongtheX-axisfromthelefttotheSETUPpositionandstop.ThebladewilldescendalongtheZ-axisandtouchthesurfaceofthechucktable,thenimmediatelyrisestoformagapequaltotheamountenteredintotheZINDEX.ThechucktablewillnowmovealongtheX-axistothepositionofthemicroscopeandstop.TheSETUPlampwillnowcomeontoindicatethecompletionoftheSETUPoperation.ProgrammingThereisspaceavailableforstoring10differentprograms(Prog.#0-#9).Programmableparametersinclude:?MODEofcutting?CUTSTRK:lengthofthecuttingstroke?CUTSPD:speedofcut(seeTableIforsettings)?Y-IND:steppingindexi