布線教程中興電路設(shè)計(jì)

CDMA設(shè)計(jì)開發(fā)部在原理圖設(shè)計(jì)中需要注意的一些事項(xiàng)，目的是使設(shè)計(jì)規(guī)范化，并通過將經(jīng)驗(yàn)為規(guī)范的方式，避免設(shè)計(jì)過程中錯(cuò)誤的發(fā)生，最終提高產(chǎn)品質(zhì)量。CadenceConceptHDL原理圖工具為依據(jù)，但其大部分內(nèi)容不局限于該Ctrl–左鍵點(diǎn)擊可以到相應(yīng)位置。建議在閱讀條目的同時(shí)，對(duì)詳細(xì)說明進(jìn)行閱讀，理解檢查項(xiàng)的意變更庫中提文檔故障，選擇3G硬件平臺(tái)，解決。目第一部分檢查條 原理圖制圖規(guī) 電路設(shè) 通用要 邏輯器件應(yīng) 時(shí)鐘設(shè) 保護(hù)器件應(yīng) 可編程邏輯器 電源設(shè) 其他應(yīng)用經(jīng) 可靠性設(shè) 信號(hào)完整性/電源完整性設(shè) 系統(tǒng)相關(guān)設(shè) 可生產(chǎn)性設(shè) 可測試性設(shè) 測試 電路可測試 系統(tǒng)可測試 第二部分詳細(xì)說 原理圖制圖規(guī) 電路設(shè) 通用要 邏輯器件應(yīng) 時(shí)鐘設(shè) 保護(hù)器件應(yīng) 可編程邏輯器 電源設(shè) 其他應(yīng)用經(jīng) 可靠性設(shè) 信號(hào)完整性/電源完整性設(shè) 系統(tǒng)相關(guān)設(shè) 可生產(chǎn)性設(shè) 可測試性設(shè) 測試 電路可測試 系統(tǒng)可測試 附 附錄1部門相關(guān)資源列 參考文 編后 12345原理圖首頁放置ZTE_Cover_A46原理圖除首頁之外，一律采用ZTEframeA4或者ZTEframeA4plus圖框。只有在元器件符號(hào)很大，無法在圖框中擺放的情況下方可以選用ZTE789 放置一個(gè)Standard庫中的ZTE_frameA4plus圖框，以用戶變量的形式正確填頁放置2個(gè)Contents框，左側(cè) 原理圖各頁內(nèi)容依次為：封面 原理圖上所有的文字方向應(yīng)該統(tǒng)一，文字的上方應(yīng)該朝向原理圖的上方（放文字）或左方（側(cè)放文字電纜層（雙絞線的-采用CadencePCB原理圖打印為PDF文件時(shí)，推薦使用Arial 頁模塊電路使用Standardinport，outport和ioport1234567差分信號(hào)應(yīng)考慮Failsafe8PerformanceExceeds100mAPerJESD78,ClassII91234567要且不受上電復(fù)位控制（例如單片機(jī)ISP模塊中的背板復(fù)位信號(hào)和89對(duì)使能內(nèi)部上拉的ISPMACH4000型EPLDCycloneFPGA塊電路OE/CE只放置1個(gè)上下拉電阻。若件全部放置在同一頁面，在頁面放PCI總線設(shè)計(jì)中FRAME#,TRDY#,IRDY#,DEVSEL#,STOP#,電三態(tài)、關(guān)斷電流控制10K100歐姆。背板輸入信號(hào)緩沖器輸入先下拉再經(jīng)過串阻，設(shè)計(jì)123平面。該電容缺省不焊，如果EMC測試高頻輻射，可以焊上調(diào)試4567891TVS管的最大鉗位電壓VCMAX234對(duì)于高速鏈路，需要考慮TVS5注意單向和雙向TVS6RS-232鏈路中必須采用雙向TVS管。TVS78TVS9對(duì)于需要出機(jī)框的信號(hào)線（例如勤 123456789FPGA的Done指示管腳（包括ConfDone和InitDone信號(hào)）需要被不要用特殊管腳當(dāng)做普通的IO可在nConfigRC電路。RCFPGA對(duì)于采用AS模式的設(shè)計(jì)，要保證nConfig的上升沿落在3.3V電源穩(wěn)可能的話提供一定的慢速時(shí)鐘給EPLD/FPGA123LDO輸出端濾波電容選取時(shí)注意參照手冊(cè)要求的最小電容、電容的456789電源控制JTAG口單獨(dú)引出電源?？?感應(yīng)端在布局時(shí)應(yīng)采用開爾文方式1么必須選擇OUT2反饋、OUT12345用ADM706R器件，采用MAX706避免此問題。6MPC860的TRST*設(shè)計(jì)時(shí)接/PRESET78下拉，那么MPC860的數(shù)據(jù)總線不能使用帶總線保持功能的驅(qū)動(dòng)器。9另外考慮上啟動(dòng)、鎖相環(huán)時(shí)鐘配置、輸出阻抗等與MOSFET柵極并聯(lián)的電容可能會(huì)振蕩，要將其連接到柵極串阻的MOSFET并聯(lián)應(yīng)用時(shí)的不平最大值對(duì)應(yīng)IF40％左右），(VCC-VIL)/(CTR（min）*IF-II)RL（VCC–VIH）/(ICEO+II)態(tài)工作電流，從而降低單板或系統(tǒng)的EMI1234567面板線纜必須加入防靜電保護(hù)電路（調(diào)用部門模塊電路8用912345678912背板插座上本板沒有使用的PIN，34567891234567812口管腳低/拉高（注意內(nèi)部的上/下拉電阻34567設(shè)計(jì)中TRST*8電源控制JTAG口單獨(dú)引出9123456123123次確保切換至公司統(tǒng)一庫，以保證料單的正確性和后續(xù)的可性。A4A3A4幅面紙頁上打印后字符無法分辨，難以進(jìn)行走查、評(píng)審。故規(guī)定無特殊需要一律采用A4幅面圖框進(jìn)行設(shè)計(jì)。準(zhǔn)化管理人員咨詢正確的內(nèi)容。ADRAWN為繪圖者的，采用漢語拼音標(biāo)示，全部使用大寫字母，TextCustomText選項(xiàng)可以在封面、各頁圖框放置變量。當(dāng)前頁碼和總頁數(shù)采用變量CURRENT_DESIGN_SHEET和TOTAL_DESIGN_SHEETS變量放置。原理圖必須署名。多人設(shè)計(jì)原理圖應(yīng)在相應(yīng)頁碼署各自的，封面署單板的。如ADRAWN1，ADRAWN2……以此類推。在分配任務(wù)先約定，在各自完成的部分分開填寫相應(yīng)的用戶變量，實(shí)現(xiàn)分開署名。封面頁的署名為單板的署名。文字都向上或者向左，符合規(guī) 意將相應(yīng)位號(hào)的電容擺放在需要去耦的附近。全局去耦電容主要分布在單板上沒有去耦電容的部時(shí)鐘信號(hào)為了方便信號(hào)完整性分析和布線約束制定，不引起歧義，時(shí)鐘信號(hào)必須以規(guī)定的CLK后綴例如：FPGA1_8K_CLK，F(xiàn)PGA2_33M_CLK，OIB0_52CHIP_TCLK都是符合規(guī)范名。串聯(lián)端接時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)名參見串聯(lián)端接網(wǎng)絡(luò)的繪制和命名注：CHIPCDMA中常用的時(shí)鐘速率，1xCHIP1.2288MHzPCB進(jìn)行布線布局時(shí)，就可以對(duì)相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行特定的約束和檢查，確保布線滿足設(shè)絡(luò)信號(hào)名定義為PLUG-S，實(shí)際和GNDD相連，就可以使用Alias進(jìn)行連接，不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤。Alias連接的網(wǎng)絡(luò)，必須使用網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)的方式進(jìn)行連接，不能使用連線(wire)進(jìn)行連接，否則在參考文獻(xiàn)《Q/ZX04.104.2-2002CADENCE平臺(tái)的設(shè)計(jì)要求》中，說明了一種采用定義SIZE屬性放置多個(gè)相同連接關(guān)系器件的方法，例如去耦電容、MARK點(diǎn)等。T型的網(wǎng)絡(luò)，必須將遠(yuǎn)見引腳引出后連接，不得直接在器件管腳連出分叉，RulesCheckerAllegroProjectManagerTools–RulesCheckerLogicRules一項(xiàng)中選擇net_name_checks.rle中的single_node_net和Property_checks.rle中的unconnected_instance選項(xiàng)（根據(jù)需要可以繼續(xù)選擇nets_shorted等選項(xiàng)RulesChecker。器件接口之間的電平應(yīng)該匹配，尤其要注意不壓/電平類型邏輯進(jìn)行接口的場合轉(zhuǎn)電平處于0.8~2.0V中間的某一個(gè)電壓，但是設(shè)計(jì)必須保障輸入電平不會(huì)處于兩個(gè)閾值之間。（VCXO范圍，長期工作可能對(duì)CDCV304的鉗位電路或VCXO的驅(qū)動(dòng)電路造成損傷。Xilinx的SpartanIII器件采用2.5V的電源Vccaux作為接口電源，直接連接線會(huì)對(duì)器件造成損傷。廠家推薦的做法是采用電阻限流保護(hù)管腳中的鉗位二極管，并在Vccaux上接對(duì)地的電阻據(jù)流直流平衡的方式下使用，否則無法正常工作。Agilent公司1032/1034組的CIMT編碼、802.3交流耦合的參考電路如下圖所示：R1和R2為提供正確的直流偏置電平，并為傳輸線提供PECL信號(hào)電源電壓為5V，在和LVPECL進(jìn)行接口時(shí)直流偏置工作點(diǎn)不滿足要求。對(duì)于數(shù)設(shè)計(jì)說明參見公司模塊化中“硬件設(shè)計(jì)指南－專題技術(shù)部分”專題中“PECL電平匹配設(shè)計(jì)持OE控制、Ioff、PU3S的器件。這部分可以參考邏輯器件應(yīng)用章節(jié)關(guān)于熱拔插要求的說明。差分信號(hào)的熱拔插要求參見“差分信號(hào)應(yīng)考慮Failsafe功能”章節(jié)。XilinxFPGA應(yīng)電平的場合等，這是一般必須采用串聯(lián)電阻柵極不會(huì)受到過壓損壞。計(jì)算的范例可以參考Xilinx文檔XAPP653《3.3VPCIDesignFailsafe功能。IMLVDS器件在我們系統(tǒng)應(yīng)用中，在無驅(qū)動(dòng)狀態(tài)下會(huì)因?yàn)楦蓴_而輸出亂碼，低電平，造成UART接收到錯(cuò)誤的碼，需要進(jìn)行上拉或下拉處理。CMOS器件的閂鎖（Latch-up）CMOS工藝結(jié)構(gòu)所造成的。CMOS器件在生產(chǎn)過程中，Rectifier輸出電壓高于電源或者低于地、ESD放電等情況出現(xiàn)時(shí)，就有可能觸發(fā)閂鎖。SCR被觸發(fā)，形成從電源到地的電流直通通路，產(chǎn)生大量熱導(dǎo)致關(guān)于閂鎖原理的詳細(xì)介紹，可以找到很多參考文檔。TISLYA014《Latch-up,ESDand然可以工作，但是性能不能再得到上的保證。性能EMC模塊電路/參考設(shè)計(jì)一般都由相關(guān)領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的員工開發(fā)，經(jīng)過了較多的應(yīng)用驗(yàn)證和嚴(yán)格的設(shè)計(jì)3.3V3.3V5V的環(huán)境下。當(dāng)設(shè)計(jì)進(jìn)行器件選型時(shí)，必須要求對(duì)一個(gè)代碼下UART、很多都有的復(fù)位管腳，F(xiàn)PGA在設(shè)計(jì)中一般也會(huì)設(shè)計(jì)復(fù)位管腳用來對(duì)全片進(jìn)例如某接口單板，有多片F(xiàn)PGA存在。如果部分FPGA已經(jīng)并開始工作，而其他沒有正常工作時(shí)，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)輸出一些錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。通過讓已的FPGA處于復(fù)位狀態(tài)可以避免這個(gè)問題。如電復(fù)位信號(hào)上，如果寫FLASH過程中程序跑飛或被復(fù)位，則FLASH不能再次寫入，必須前臺(tái)斷CPU、DSP、ASIC等器件的實(shí)際應(yīng)用情況并不了解，完全依賴于器件廠（Errata例如某型號(hào)DSP器件，對(duì)器件手冊(cè)的勘誤表有多次升級(jí)，說明了在當(dāng)前版本中的各種問題，器件手冊(cè)和2004從網(wǎng)上的器件手冊(cè)在一些說明中存在差異。860TRST*HRESET上，后續(xù)的勘誤表要求不能這樣連接，TI公LVT1998年之前是含有總線保持功能的。1998TI將總線保持器件改名為Conversion，200但是其他很多廠商采用LVT命名總線保持器件。這些信息都需要注意，避免設(shè)計(jì)和實(shí)際。0PCB實(shí)現(xiàn)不同配置設(shè)計(jì)的可調(diào)部分，為避免風(fēng)險(xiǎn)而設(shè)計(jì)多種器件方案，最終只采用1種的情況、為了調(diào)試方便設(shè)計(jì)的一些跳線和上下拉等。來很大的。MOSFET的柵極一般是在一層非常薄的硅氧化物擊穿而損壞器件。ESD防護(hù)二極管的可以防狀態(tài)，甚至處于震蕩狀態(tài)消耗功率，減少器件。左上圖就是當(dāng)器件中一個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸入電平和電流的關(guān)系（TI文檔SCBA004）可以看到，當(dāng)并不大，但是需要注意的是，這個(gè)電流完全耗散在器件上，每個(gè)門的功耗大約為13mW。器件上的電壓降約為0.2V左右，每個(gè)門的功耗約為2mW。16個(gè)門同時(shí)處于中間狀CMOS/BiCMOS器件管腳進(jìn)行處理，通過一個(gè)電阻TI公SCBA004《ImplicationsofSloworFloatingCMOSInputs》和劉春杰的文檔《普通邏輯器件輸上節(jié)已經(jīng)說明了CMOS器件輸入懸空的問題。另外，還有一些控制信號(hào)，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中只要ICT測試，需要通過探針對(duì)單板上的器件施加激勵(lì)并測量或使能，否則無法各個(gè)器件定位問題，如下圖所示。AA點(diǎn)也必須上拉或復(fù)位控制（例如單片機(jī)ISP模塊中的背板復(fù)位信號(hào)和使能信號(hào)，則必須采用電阻置初始EPLDIO在上拉電阻作用下緩慢上升。當(dāng)電源電壓上升到閾值時(shí)，EPLD開始工作，244OE端被EPLD150uS之后，244脫離上電三態(tài)，EPLD輸入端呈現(xiàn)出正確的低背板驅(qū)動(dòng)器處于關(guān)閉狀態(tài)，故應(yīng)改對(duì)OE端進(jìn)行上拉或下拉處理，采用電阻設(shè)置為輸出無效狀態(tài)。ReadyDetectedSend在具有自動(dòng)流控制功能的器件（TL15C55xA）中，如果使能自動(dòng)流控制功能，CTSUART（TX，RX，GNDPCIPCIPCILocalBus實(shí)際已經(jīng)高于信號(hào)，器件再次發(fā)生翻轉(zhuǎn)，VCC通LPCLLP上產(chǎn)生壓降，器件件將耗散很大的功率，嚴(yán)重影響器件的，并1OEEPLD、FPGA未下載時(shí)單板上各驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉不發(fā)生，一方面是在EPLD、FPGA邏輯代碼中確?？刂菩盘?hào)的互斥，即時(shí)驅(qū)動(dòng)總線，也要避免在單板/系統(tǒng)上電過程中、單板上電后邏輯完成之前或者初始化完成之前同完成前可能出現(xiàn)的總線，一般考慮通過對(duì)各器件的OE端進(jìn)行上拉或下拉處理來避免，另外就是在邏輯編寫和約束設(shè)定中，正確設(shè)置復(fù)位初始值，確保不會(huì)發(fā)生。244，就要關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器，防止發(fā)生總線沖標(biāo)準(zhǔn)總線等（TISLLD009《LVDSApplicationandDataHandbook。一般情況下，多stateinliveinsertionapplicationswithafocusonGTLP。TTL/CMOS電平的驅(qū)動(dòng)推薦采3GTLP可能使單片機(jī)端口被拉死為低電平，所以在MCS-51單片機(jī)電路使用總線保持器件驅(qū)動(dòng)。保持”特性》和In的MCS-51單片機(jī)手冊(cè)。LVTHMPC860不能啟動(dòng)的案例，請(qǐng)參見參考文獻(xiàn)《CDMA2004年度BUSHOLDBUSHOLD特性一直有效。對(duì)于雙向器件，其兩個(gè)方向端口在輸出高阻態(tài)下輸入BusHold特性一直有效BusHold特性是對(duì)于器件輸入端而言的，當(dāng)器件OE使能信號(hào)無效，輸出為高阻態(tài)時(shí)，BusHoldLVTH16245OEDIR信號(hào)為何狀態(tài)，兩個(gè)端口都有BusHold特性，這一點(diǎn)在應(yīng)用中需要注意。電阻上的壓降不能多于3.3V-2.4V=0.9V，選擇下拉電阻時(shí)，電阻上的壓降不能多于0.4V。TTLIIHIIL較大，加之輸入低電平時(shí)電阻上允一樣，低電平的電流達(dá)到了5uA。這樣，每個(gè)管腳容許的最大下拉電阻為80K，上拉電阻180K。對(duì)不用的輸入管腳進(jìn)行下拉處理時(shí)，少于8個(gè)管腳的處理都可以通過一個(gè)10K電阻實(shí)現(xiàn)。阻時(shí)的漏電流，例如LVT16244B器件，其管腳輸出漏電流為5uA。拉，那么漏電流應(yīng)以5uA+4uA=9uA計(jì)算，上拉電阻取值不得大于100K。應(yīng)大于40K。多個(gè)器件共用上拉或下拉電阻，參照上面的計(jì)算進(jìn)行計(jì)算。EPLDFPGA內(nèi)部都可能左右的功率。在復(fù)雜的系統(tǒng)中，1001.1W的功率，還是相當(dāng)可觀的。我們?cè)谠O(shè)計(jì)33mA的電流也可能影響上下拉電阻還要考慮器件對(duì)上升下降沿斜率的要求。對(duì)于目前的高速器件，緩慢的上升沿會(huì)導(dǎo)致器件停留在不確定電平的時(shí)間增加，為系統(tǒng)帶來不好的影響（CMO/BICMOS。上下拉電阻連接在一個(gè)網(wǎng)絡(luò)上，當(dāng)網(wǎng)絡(luò)上驅(qū)動(dòng)器停止驅(qū)動(dòng)時(shí)，開始對(duì)所有門輸入端、驅(qū)動(dòng)器RC（RCCR24B11.32010K歐姆左右的電阻時(shí)，上升斜率10K（OE端、懸空管腳等；選擇1K。ISPMACH4000系列EPLD和CycloneFPGA的下拉電阻對(duì)于ISPMACH4000型EPLD，我們推薦使能全局上拉以簡化設(shè)計(jì)CycloneFPGA在未加載時(shí)，內(nèi)部弱上拉使能。內(nèi)部上拉強(qiáng)度隨著溫度的變化會(huì)有較大的變化，Cyclone10K的電阻下拉，確保未邏輯時(shí)輸出低電平（復(fù)位無效。在低溫試驗(yàn)中，復(fù)位該主控單板會(huì)導(dǎo)致全框受控單板復(fù)位，經(jīng)分析確定為低溫下內(nèi)置上拉電流增大，導(dǎo)致10K電阻不能夠?qū)⑿盘?hào)線拉低。采用10K電阻下拉，在FPGA重新配置時(shí)內(nèi)置上拉電阻導(dǎo)致主備狀態(tài)信號(hào)輸出高電平所致。以信號(hào)完整性優(yōu)先33歐姆電阻導(dǎo)致信號(hào)上升沿緩慢，系5~103G系統(tǒng)基帶射頻接33歐姆串阻放在了背板上，在射頻接口板中驅(qū)動(dòng)器電路33歐姆串阻之后?。ㄉ献髨D的電路。因?yàn)檩敵鲵?qū)動(dòng)器進(jìn)行源端端接之后，輸出后串阻DigitalDesign–AHandbookofBlackMagic》第六章“端接。阻的大小為100歐姆，下拉電阻的大小為10K。101K的下拉電阻對(duì)于驅(qū)動(dòng)端不會(huì)當(dāng)背板信號(hào)線為懸空時(shí)，輸入‘1’，當(dāng)背板接地時(shí)，輸入‘0’。系統(tǒng)，進(jìn)而可能導(dǎo)致整個(gè)單板的EMI指標(biāo)。電容，0.1uF陶瓷電容和1000pF陶瓷電容提供較寬頻段內(nèi)的低阻抗。會(huì)有所增強(qiáng)，部分頻率（500MHz以上）諧波成分減少。對(duì)電源的沖擊是否有改善尚待驗(yàn)證。0.7WPP2S1.4WEMI測試的角度來看，實(shí)際上是對(duì)一段時(shí)間內(nèi)的EMI進(jìn)試，低頻信號(hào)切換頻率低，相應(yīng)的輻射也會(huì)較小。該方法主要針對(duì)500MHz以上的分量，故低頻時(shí)鐘不需要考慮。阻的放置應(yīng)該緊靠器件放置，并且就近通過過孔連接平面。如果引線長了有可能會(huì)使問題。同時(shí)功耗較小。實(shí)際根據(jù)EMI情況可進(jìn)行調(diào)整。EMI等多種問題，實(shí)際應(yīng)用中可能焊接也可能不時(shí)鐘信號(hào)在系統(tǒng)中至關(guān)重要，時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)往往是EMI的主要，所以時(shí)鐘信號(hào)的網(wǎng)絡(luò)必須恰當(dāng)?shù)囊?guī)劃拓?fù)洳⑦M(jìn)行恰當(dāng)?shù)亩私?，確保信號(hào)質(zhì)量，減少EMI。T型源端端接方式。該端接方式會(huì)使得接收端的波形變緩，在對(duì)時(shí)鐘邊沿上升時(shí)間最小值有要求的場合（例如器件要求Tr>3nS，可以使用該電路延緩上升沿。EMI問題?？赡軙?huì)產(chǎn)生不衰減振蕩。所以這個(gè)拓?fù)洳煌扑]使用。其環(huán)路濾波器、VCO和鑒相器幾個(gè)部分的傳遞函數(shù)都可能存在零極點(diǎn)。此時(shí)整個(gè)鎖相環(huán)的傳遞函數(shù)中可能存在諧振點(diǎn)，即對(duì)某些頻率分量的增益大于1，該頻率分量上的相噪將被放大。關(guān)于這方面更詳細(xì)的說明，請(qǐng)參考《PerfectTimingBookBounceVCXOTVSTransientVoltageSuppressor，是專門設(shè)計(jì)用來吸收信號(hào)線或者電源上出現(xiàn)的瞬態(tài)過壓VBR：指器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗(yàn)電流條件下所測得的器件兩端的值。通常取：VRWM=(0.8～0.9)VBR，在這個(gè)電壓下，器件的功率消耗很小。TVS管或者鉗位二極管陣列。當(dāng)電壓高于擊穿電壓時(shí)或者正向?qū)NDPGNDD之間存在較大的電位差時(shí)，DS108SGNDP上面的過壓瀉放到信號(hào)線上，導(dǎo)致被保護(hù)器件損壞。在這里，DS108SGNDPGNDDPTC與TVS配合使用時(shí)，PTC要?jiǎng)幼?，?duì)TVS進(jìn)行過流保護(hù)，同時(shí)，PTC本身也要試驗(yàn)驗(yàn)證，采用了RUSB120/RUSB185型PTC配合TPN3021型TVS管進(jìn)行第一級(jí)保護(hù)。RUSB120/RUSB185是為USB保護(hù)設(shè)計(jì)的PTC，耐壓為6V，設(shè)計(jì)未考慮電源搭接等異常情況。TVS即已經(jīng)失效。對(duì)于失效模式呈短路態(tài)的電路，miniSMD075PTC在承受過壓一段時(shí)間后燒毀E1/T1模塊電路不能防止電源搭接（包括-48V搭接和）等異常情況，如果需要避免這種情況的發(fā)生，需要重新考慮選取PTC。如果不需要考慮此種異常（認(rèn)為在工程現(xiàn)場可以排除此類異常出現(xiàn)的可能PTC器件。DSP100%50%80%則FPGA的輸入必須要有一個(gè)本地時(shí)鐘，保證在熱插拔、系統(tǒng)故障的時(shí)候，邏輯還有時(shí)鐘可以工作。IOIO進(jìn)行上拉或下拉處理空時(shí)，編譯器會(huì)將管腳處理成恒‘0’、恒‘1’、高阻等狀況。3G1PCB對(duì)應(yīng)多種料單，實(shí)現(xiàn)不同功能對(duì)于邏輯的O態(tài)的輸出緩沖器和一個(gè)輸入緩沖器構(gòu)成。當(dāng)定義為高阻態(tài)時(shí)，輸入緩沖器仍然連接在管腳上。所以以上各種情況，必須確保這些管腳在實(shí)際應(yīng)用AlCyclone系列每個(gè)管腳的可以編程為上拉或者懸空；有一些邏輯器件具有全局可編程的設(shè)置，例如Lattice公司的ISP全溫度范圍確保穩(wěn)定的低電平輸入？ISPMACH4000系列只有全局可編程的上拉或下拉，一旦編程則LatticeISPMach400010K1K設(shè)計(jì)我們的系統(tǒng)中大量應(yīng)用LatticeISPMach4000系列EPLD。如上一節(jié)所屬，LatticeISPMach4000系列器件只有全局可編程的上下拉熔絲。我們推薦使用全局ISPLever軟件中缺省設(shè)置中一般內(nèi)部上拉為使能狀態(tài)，推薦使用全局內(nèi)部上拉設(shè)置可以避免IO高阻態(tài)，內(nèi)部上拉；XilinxSpartanIIIFPGA，可以通過一個(gè)管腳設(shè)置未配置IOEPLD相連時(shí)，EPLD統(tǒng)一采用上拉設(shè)置通過FPGA的Done管腳，可以知道FPGA是否正常完成。Conf_Done跳高表示邏輯已經(jīng)配置完成，而Init_Done跳高表示邏輯內(nèi)部配置完成，進(jìn)入用戶模式，可以開始工作。應(yīng)該這兩個(gè)SectionVIConfiguration）都要保留，作為。GCLK0～3，這些管腳是連接到全局時(shí)鐘緩沖器上，如果不用時(shí)鐘，可以作為普通的輸?shù)南到y(tǒng)，不需要外部閾值電壓?？梢宰鳛槠胀↖/O。LDO采用線性電源（包括LDO）可以得到較低的噪聲，而且因?yàn)槭褂煤唵?，成本低，所以在單板上?yīng)后控制推動(dòng)管上的電壓降變化保證Voutput的穩(wěn)定。，保證系統(tǒng)的工作正常。（對(duì)于線性電源的原理參見參考文檔《TheArtofElectronics2ndEditionMicrel公司的參考文檔《DesigningWithLow-DropoutVoltageRegulators）LDO輸出電容為負(fù)載的變化提供瞬態(tài)電流，同時(shí)因?yàn)檩敵鲭娙萏幱陔妷悍答佌{(diào)節(jié)回路之中，在部ESRESL，提高電ESR太低，也可能會(huì)誘發(fā)環(huán)路穩(wěn)定裕量下在某試驗(yàn)板中，采用MIC39300-2.5BU型該試驗(yàn)板產(chǎn)生了高速SERDES在光纖較磁珠和電感的主要區(qū)別是，電感的Q值較高，而磁珠在高頻情況下呈阻性，不易發(fā)生諧振等現(xiàn)象。能夠滿足后級(jí)電路工作的要求。例如在某單板鎖相環(huán)路設(shè)計(jì)中采用了一階RC濾波器，濾波電阻選擇12VCXO30mA300mV3.3VSD（光檢測）信號(hào)上升緩慢，不能正確反映實(shí)際情況的問題。經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)濾波電感的直流在該型號(hào)光模塊上會(huì)出現(xiàn)SD上升緩慢的故障。濾波電路設(shè)計(jì)部分。在某單板上，采用了磁珠和0.1u電容為時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)提供濾波。經(jīng)過測試，時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)管腳上的紋波高達(dá)1V以上。采用多電容并聯(lián)的方式可以有效地為時(shí)鐘提供去耦。電容具有低的ESL和良好的頻率特性，其諧振點(diǎn)一般能夠到達(dá)數(shù)十至數(shù)百M(fèi)Hz（參見參考文獻(xiàn)兩端，電能轉(zhuǎn)化為磁場在L中，此時(shí)D1截LLD1向C0充電并向負(fù)載供電，得到一個(gè)高于輸入電壓的LD1LD1LD1電TMS320C6414TDSP，20055ErrataDVDDCVDDPCI/HPI數(shù)據(jù)錯(cuò)的問題。對(duì)于QDR、DDR內(nèi)存，其上電順序也有要求，否則可能導(dǎo)致閂鎖，造成器件燒毀的。情況，如上右圖所示，所以必須進(jìn)試驗(yàn)證。從電路最近處引給電路，以確確性。請(qǐng)參見《EPCOS0.1u100VMLCC電容（ PFI上拉。參見參考文獻(xiàn)《CDMA2004年度可靠性經(jīng)驗(yàn)案例集》。（CCM單板調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)當(dāng)使用熱拔插電電時(shí)，MPC860多數(shù)情況不能正常啟動(dòng)（有的單板100次，MPC860都能正常啟動(dòng)。該案例參見參考文獻(xiàn)《CDMA2004年度可靠性MPC860MPC860硬件復(fù)位配置字用到的部分?jǐn)?shù)據(jù)線通過硬件復(fù)MPC860MPC860的數(shù)據(jù)總線2004年度可靠性經(jīng)驗(yàn)案例集》和“原則上不推薦采用總線保持器件或者啟動(dòng)可編程器件的總線I=(VCC–VAK)/一般驅(qū)動(dòng)器的低電平驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)，另一方面，相當(dāng)部分器件內(nèi)置上拉電阻，例如FPGA未MCU只允許采用低電平方式點(diǎn)燈，否則必須經(jīng)過驅(qū)動(dòng)。MOSFET10有時(shí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)采用時(shí)分復(fù)用的方式讓多個(gè)單板或器件共根/一組信號(hào)線。當(dāng)一個(gè)設(shè)備需要C0G且阻值會(huì)隨著溫度變化，溫度系數(shù)約為數(shù)十ppm/℃。是因?yàn)椴糠謨?nèi)容實(shí)施有一些。低的器件相對(duì)于電壓擺幅較高的器件，較少EMI的問題。差分信號(hào)較之單端信號(hào)，較少EMI性和EMI問題。點(diǎn)到點(diǎn)的傳送比起總線、分叉等復(fù)雜的拓?fù)?，較少信號(hào)完整性問題。高速接口場合。LVDS、PECLTTLBLVDS而言，限制擺率的MLVDS速率較低，但是信號(hào)完整性的問題相對(duì)好一些，被ATCA架構(gòu)采用。162443316244FPGA上，接收信號(hào)呈現(xiàn)很和下沖下降到3.906V和-0.934V，明顯下降并且低于FPGA的電壓容限。同時(shí)無明顯振鈴。EPLD/FPGA都有管腳擺率（SlewRate）設(shè)置。CycloneFPGA還可以對(duì)驅(qū)和EMI問題。Cyclone總線讀寫信號(hào)一般都是單方向信號(hào)（DMA的系統(tǒng)例外，經(jīng)常變化，對(duì)于某些器件，對(duì)其沿某些接收端還會(huì)出現(xiàn)信號(hào)沿不單調(diào)的情況，導(dǎo)致系統(tǒng)工作異常。（參考文獻(xiàn)馬峰超《3G統(tǒng)一平臺(tái)單板PSN4VWE＃信號(hào)情況分析》）ESLMHzMHzKHzKHzMHz范圍上，需用示波器對(duì)的電源進(jìn)行紋波測試時(shí)，使用PI測試點(diǎn)，配上的電源測試探頭，可以避免地回路第1腳接GND，第2腳接需要測試的電源網(wǎng)絡(luò)。PI測試點(diǎn)在PCB上放在被測附近，I/O電源測試點(diǎn)分別放在的對(duì)邊。工具計(jì)算（SynaptCADTimingDiagrammerProForteTimingDesigner等TCO參數(shù)測試方法，當(dāng)負(fù)載不同時(shí)，TCO和手冊(cè)上可能有差異，當(dāng)時(shí)序裕量很小時(shí)，可能帶來時(shí)序問題。Xilinx的文檔《ForSynchronousSignals,TimingisEverytingPhilipNowe的短文《Timing(ysis)isEverything3GTTL時(shí)代的慣例，低電平表示信號(hào)有效（TTL器件當(dāng)管腳懸空時(shí)認(rèn)為是高電平。在上，一般采用上拉處背板信號(hào)在上電前應(yīng)處于高阻態(tài)，避免總線或者輸出錯(cuò)誤的狀態(tài)。對(duì)于TTL/CMOS器件，這PU3SOE端的上下拉電阻確保在單板上電，OE控制信號(hào)有效板上，我們一般都會(huì)很注意的規(guī)劃拓?fù)洌⒁釶CB走線延遲的控制，確保各個(gè)接口的建立保持時(shí)出去的數(shù)據(jù)。實(shí)際應(yīng)用中，AA’可能配備任何一個(gè)，也可能同時(shí)配備；B可以參照《High-speedDigitalDesign–AHandbookofBlackMagic》中源端端接的分析。作為補(bǔ)救，發(fā)送數(shù)據(jù)的串阻被移到了背板上，AA’共用串阻，并對(duì)整個(gè)鏈路的電纜、子卡等進(jìn)BTSMLVDS信號(hào)傳遞背板時(shí)鐘，總線方式，總線兩端在背板上端接。系統(tǒng)中可能BTS中，基帶框的時(shí)序裕量未按照最大最小值分析，并且沒有對(duì)每塊單板接口的建立保持時(shí)間進(jìn)一步使得系統(tǒng)時(shí)序裕量減小，理論上為負(fù)值。經(jīng)過全面和反復(fù)實(shí)驗(yàn)才能解決。負(fù)責(zé)基帶時(shí)鐘分發(fā)。當(dāng)主備切換時(shí)，如果系統(tǒng)時(shí)鐘發(fā)生擾動(dòng)，5000信道板將復(fù)位導(dǎo)致掉話。為避免此情況發(fā)生，RIM0采用了主備同時(shí)打開驅(qū)動(dòng)器的方法避免時(shí)鐘擾動(dòng)。對(duì)于系統(tǒng)時(shí)異常倒換時(shí)，不論GCM是否互鎖，都會(huì)發(fā)生系統(tǒng)時(shí)鐘擾動(dòng)，所以不在考慮范圍之內(nèi)。為插裝器件焊接帶來不便。雙面回流工藝的單板，一般對(duì)其B面（放置小器件面）先進(jìn)行回流焊接，B12x10x5mm8個(gè)的器件（05員工培訓(xùn)可生產(chǎn)性部分。一般認(rèn)為，B面的器件應(yīng)滿足單位面積上所承受的重量不超過一平方毫米上不得超過0.3克。在PCB布局時(shí)，請(qǐng)咨詢公司工藝技術(shù)人員保證單板的可加工性ESDESDESD防護(hù)設(shè)計(jì)的依據(jù)。射頻器件ESD特敏感，一般必須專線生產(chǎn)。ED，盡量使用對(duì)靜電不敏感的器件以及對(duì)所使用的靜電放電敏感)免D的S工藝是集成電路制造的主導(dǎo)技術(shù),化體為本S105pFS器件的輸入級(jí)中均設(shè)置了電阻-二極管防護(hù)網(wǎng)絡(luò)，串聯(lián)電阻能夠限制尖峰電流,二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器（RDD次itkn)區(qū)內(nèi)工作，不會(huì)受到D損傷，一旦外加電壓或電流過量(Overstress次(SecondryBrekdown元到損對(duì)的S器件最易受損的管腳處（cI/O管腳或如S器件、光耦等。ESD對(duì)器件的IIIIII無>,11111E/D11111級(jí)/2級(jí)11級(jí)/2級(jí)1ECL1級(jí)/2級(jí)111級(jí)/2級(jí)1級(jí)/2級(jí)/3級(jí)3光學(xué)定位點(diǎn)（MARK點(diǎn)）的放置（來源于參考文獻(xiàn)《Q/ZX04.104.2-2002電路原理圖設(shè)計(jì)規(guī)原理圖的末頁放適量的mark（光學(xué)定位點(diǎn)）符號(hào)。markK2*（管腳中心距≤0.5mm（20mil）QFP+中心距≤0.8mm（31mil）的BGA個(gè)數(shù)器件）K3；雙面貼裝器件時(shí)，K6雙面回流：1243168472548246時(shí)間（6小時(shí)2003213WEEE《關(guān)于報(bào)廢電子電氣設(shè)備指令》(2002/96/EC)、RoHS《關(guān)實(shí)際上現(xiàn)在很多采用有鉛、無鉛器件，用有鉛焊膏混合使用的情況和試驗(yàn)也在進(jìn)行。對(duì)于無鉛的BGACSP封裝的器件，不得使用有鉛焊料進(jìn)行焊接。BGA、CSP封裝的器件，XilinxSpartanIII器件使用了2.5V的VccAux為JTAG和部分供電。當(dāng)采用3.3V電源的信號(hào)接該在信號(hào)線上串聯(lián)電阻以避免鉗位二極管過應(yīng)力。手冊(cè)要求限制每個(gè)管腳的電流不要超過10mA。負(fù)載電流很小，且電源不具備電流回灌的能力，則2.5V電源會(huì)被拉高，可能對(duì)器件造成損傷。為了避8pin6PIN的情況。這種情況下，應(yīng)該將測如果提供了不安裝的插裝器件，將來PCB設(shè)計(jì)時(shí)就可以避免測試點(diǎn)打在插裝器件的管腿上。響信號(hào)的信號(hào)完整性。例如某單板在高溫下FPGA失敗，分析為加測試點(diǎn)導(dǎo)致信號(hào)線分岔，影響ICT測試點(diǎn)進(jìn)行建模分析，確保電路工作正常。CDMA設(shè)計(jì)開發(fā)部《SchematicChecklistV1.0CDMA設(shè)計(jì)開發(fā)部《SchematicChecklistV1.0CDMA設(shè)計(jì)開發(fā)部可靠性 CadenceAllegroSPB15.2參考文PaulHorowitzWinfield 《TheArtOfElectronics》2nd 《ElectricalCharacteristicsofLowVoltageDifferentialSignalingLVDS)InterfaceCircuits》TexasInstrumentSLLD009《LVDSApplicationandDataHandbookNationalSemiconductor資料《LVDSOwner’sManualTexasInstrument資料（TIA/EIA889標(biāo)準(zhǔn)）ElectricalCharacteristicsofMultipoint-Low-VoltageDifferentialSignaling(M-LVDS)InterfaceCircuitsforMultipointDataInterchange》TexasInstrumentSpecification,SISimulations,DesignandImplementationofanM_LVDSDemonstrationChassiswithBackneandLogicCards》