第9章半導體二極管和三極管

海南風光

下篇

電子技術(shù)模擬電子技術(shù)

晶體管基礎(chǔ)放大電路運算放大器電路直流電源數(shù)字電子技術(shù)

組合邏輯電路時序邏輯電路現(xiàn)在是1頁\一共有56頁\編輯于星期一下篇電子技術(shù)從20世紀初開始，人們相繼發(fā)現(xiàn)了真空和半導體電子器件，以檢波、放大及開關(guān)等功能為核心的電子技術(shù)得到迅速發(fā)展。從1948美國貝爾實驗室發(fā)明半導體晶體管以來，半導體電子器件逐步取代電子管而成為應用電子技術(shù)的主角，經(jīng)歷了分立器件、集成電路、大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路。其應用領(lǐng)域遍及廣播、通訊、測量、控制……；今天，計算機已經(jīng)以高技術(shù)的載體進入到各個領(lǐng)域，為人類文明的發(fā)展樹立了一座宏偉的里程碑?，F(xiàn)在是2頁\一共有56頁\編輯于星期一劃時代的發(fā)明——半導體電子學50年

今天,聽廣播、看電視已成為人們?nèi)粘Ｉ钪凶钇胀ǖ氖?。個人計算機正在進入尋常百姓家。人們在享用現(xiàn)代科技成果時，未必都能想到，就在身邊的收音機、電視機、計算機里，曾經(jīng)發(fā)生過幾次翻天覆地的大革命。現(xiàn)在是3頁\一共有56頁\編輯于星期一第一次大革命發(fā)生在1906年。那一年，美國人德福雷斯特發(fā)明了真空三極管。由這種真空三極管和其他一些元件（電阻、電容、電感等）組成放大電路，可以把收音機接收的信號放大十倍、百倍乃至千倍。這樣，收音機就能收到更遠的電臺，而且音量更大、音質(zhì)更好。真空是靠在真空中運動的電子來實現(xiàn)放大的，所以人們也把它稱為電子管。真空管體積大、耗電多，發(fā)熱量也大，壽命又不夠長，缺點不少。到了20世紀40年代，人們把收音機和其他電子設備做得小巧些，壽命更長、可靠性更高些，用真空管很難辦到。于是，電子學領(lǐng)域里的第二次革命爆發(fā)了。現(xiàn)在是4頁\一共有56頁\編輯于星期一

晶體管革命在20世紀30年代，美國的貝爾實驗室里有3位值得注意的人物：研究部主任默文·凱利、研究人員布拉頓和肖克利。凱利是一位富有創(chuàng)見的科技管理者，早在30年代中期，他已經(jīng)意識到用于電話交換機的機電繼電器動作速度太慢，如不淘汰勢必影響電話技術(shù)的進步。1936年，凱利明確地向肖克利表示，為了適應通信業(yè)務的增長，電話的機械交換必將被電子交換取代。真空管又存在許多致命的弱點，尋求建立在新材料、新原理基礎(chǔ)上的新型電子器件便成了當務之急。現(xiàn)在是5頁\一共有56頁\編輯于星期一1956年12月10日，肖克利、巴丁、布拉頓經(jīng)過20年的努力終于攻克了這一難題，研制出晶體管。為此他們從瑞典國王手中接過了諾貝爾物理獎的證書。他們?yōu)槿祟惙瞰I的，不僅是一項偉大的技術(shù)發(fā)明，而且是半導體物理學的劃時代的新發(fā)現(xiàn)。

晶體管的發(fā)明是電子學領(lǐng)域的一場革命。與電子管相比，晶體管體積僅為1/100，耗電量也僅為1/100，而壽命卻要長100倍。晶體管以咄咄逼“人”之勢占領(lǐng)了原被電子管占領(lǐng)的舞臺，到50年代末，采用晶體管的收音機、電視機已比比皆是了?，F(xiàn)在是6頁\一共有56頁\編輯于星期一到50年代末，人們越來越強烈地感到，一個個互相獨立的元件、器件的小型化之路，將走到盡頭。這是因為：一個復雜的電路，里面有大量的元器件，這些“零件”之間要用導線連接起來。大量的導線也限制了電路體積的縮小。在科學技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵時刻，往往需要富有想象力的科學家創(chuàng)造全新的觀念。1958年，就出現(xiàn)了兩位這樣的人物：基爾比和諾伊斯?，F(xiàn)在是7頁\一共有56頁\編輯于星期一1958年9月12日，基爾比的第一個集成電路實驗獲得成功。在這一年里，美國仙童公司的R·N·諾伊斯也研制出第一塊集成電路片。到今天，集成電路已走過40多年的歷程。在這40多年中，集成電路發(fā)生了巨大的變化?，F(xiàn)在是8頁\一共有56頁\編輯于星期一先說說在一個芯片上能集成多少個器件。1958年，集成電路誕生時，那個芯片上只有5個元器件；1971年發(fā)明的微處理器，上面集成了2，300個器件；1989年英特爾公司80486芯片，集成了120萬個晶體管；今天，一個高性能的微處理器上可集成2.5億個以上的器件。

現(xiàn)在是9頁\一共有56頁\編輯于星期一再看集成電路里半導體器件的尺寸：1959年大約是100微米，到1961年下降到25微米。1984年研制的1兆位半導體存儲器，線寬大約1微米；1990年的64兆位半導體存儲器，線寬降至0.3微米。到2004年，線寬就僅有0.1微米了。0.1微米約為一般原子尺度的100倍，集成電路與分子電路已經(jīng)很接近。此外，芯片的進步還表現(xiàn)在運算速度上。時鐘頻率決定著芯片完成一次運算的速度。目前，高性能微處理器運算速度高達每秒近10億次現(xiàn)在是10頁\一共有56頁\編輯于星期一第9章半導體二極管和三極管現(xiàn)在是11頁\一共有56頁\編輯于星期一9-1.半導體的導電特性9-2.半導體二極管9-3.穩(wěn)壓管9-4.半導體三極管第9章半導體二極管和三極管現(xiàn)在是12頁\一共有56頁\編輯于星期一導體、半導體和絕緣體導體：自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為導體，金屬一般都是導體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導體：另有一類物質(zhì)的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。§9-1.半導體的導電特性現(xiàn)在是13頁\一共有56頁\編輯于星期一半導體------導電能力介于導體和半導體之間的材料。常見的半導體材料有硅、鍺、硒及許多金屬的氧化物和硫化物等。半導體材料多以晶體的形式存在。半導體材料的特性：純凈半導體的導電能力很差；溫度升高——導電能力增強；光照增強——導電能力增強；摻入少量雜質(zhì)——導電能力增強。現(xiàn)在是14頁\一共有56頁\編輯于星期一完全純凈、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體一、本征半導體最常用的半導體為硅(Si)和鍺(Ge)。它們的共同特征是四價元素，每個原子最外層電子數(shù)為4。++SiGe現(xiàn)在是15頁\一共有56頁\編輯于星期一完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體，稱為本征半導體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu)共價健共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。

Si

Si

Si

Si價電子相鄰原子由外層電子形成共價鍵現(xiàn)在是16頁\一共有56頁\編輯于星期一SiSiSiSi價電子

價電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負電），同時共價鍵中留下一個空位，稱為空穴（帶正電）。本征半導體的導電機理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)?？昭囟扔?，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子在外電場的作用下，空穴吸引相鄰原子的價電子來填補，而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結(jié)果相當于空穴的運動（相當于正電荷的移動）?，F(xiàn)在是17頁\一共有56頁\編輯于星期一

當半導體兩端加上外電壓時，在半導體中將出現(xiàn)兩部分電流

(1)自由電子作定向運動電子電流

(2)價電子遞補空穴空穴電流注意：

(1)本征半導體中載流子數(shù)目極少,其導電性能很差；(2)溫度愈高，載流子的數(shù)目愈多,半導體的導電性能也就愈好。所以，溫度對半導體器件性能影響很大。自由電子和空穴都稱為載流子。自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時，又不斷復合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復合達到動態(tài)平衡，半導體中載流子便維持一定的數(shù)目。本征半導體的導電機理現(xiàn)在是18頁\一共有56頁\編輯于星期一

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為電子半導體或N型半導體。摻入五價元素SiSiSi

Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€電子變?yōu)檎x子在本征半導體中摻入微量的雜質(zhì)（某種元素）,形成雜質(zhì)半導體。

在N

型半導體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。二.N型半導體和P型半導體現(xiàn)在是19頁\一共有56頁\編輯于星期一

摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為空穴半導體或P型半導體。摻入三價元素SiSiSi

Si

在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個電子變?yōu)樨撾x子空穴無論N型或P型半導體都是中性的，對外不顯電性?，F(xiàn)在是20頁\一共有56頁\編輯于星期一1.在雜質(zhì)半導體中多子的數(shù)量與

（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。2.在雜質(zhì)半導體中少子的數(shù)量與（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。3.當溫度升高時，少子的數(shù)量（a.減少、b.不變、c.增多）。abc4.在外加電壓的作用下，P型半導體中的電流主要是

，N型半導體中的電流主要是。（a.電子電流、b.空穴電流）ba思考現(xiàn)在是21頁\一共有56頁\編輯于星期一三、PN結(jié)的形成PN空間電荷區(qū)P區(qū)N區(qū)多數(shù)載流子將擴散形成耗盡層；耗盡了載流子的交界處留下不可移動的離子形成空間電荷區(qū)；（內(nèi)電場）一塊晶片的兩邊分別為P型半導體和N型半導體。內(nèi)電場阻礙了多子的繼續(xù)擴散?，F(xiàn)在是22頁\一共有56頁\編輯于星期一空間電荷區(qū)P區(qū)N區(qū)載流子的運動有兩種形式：擴散

由于載流子濃度梯度引起的載流子從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的運動。漂移

載流子受電場作用沿電場力方向的運動。耗盡層中載流子的擴散和漂移運動最后達到一種動態(tài)平衡，這樣的耗盡層就是PN結(jié)。PN結(jié)內(nèi)電場的方向由N區(qū)指向P區(qū)。現(xiàn)在是23頁\一共有56頁\編輯于星期一多子的擴散運動內(nèi)電場少子的漂移運動濃度差P型半導體N型半導體內(nèi)電場越強，漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱PN結(jié)

擴散和漂移這一對相反的運動最終達到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空間電荷區(qū)一、PN結(jié)的形成現(xiàn)在是24頁\一共有56頁\編輯于星期一1.PN結(jié)加正向電壓（正向偏置）PN結(jié)變窄P接正、N接負外電場IF

內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強，形成較大的擴散電流。

PN結(jié)加正向電壓時，PN結(jié)變窄，正向電流較大，正向電阻較小，PN結(jié)處于導通狀態(tài)。內(nèi)電場PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–現(xiàn)在是25頁\一共有56頁\編輯于星期一2.PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場P接負、N接正內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+現(xiàn)在是26頁\一共有56頁\編輯于星期一PN結(jié)變寬2.PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場

內(nèi)電場被加強，少子的漂移加強，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。IRP接負、N接正溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。–+PN結(jié)加反向電壓時，PN結(jié)變寬，反向電流較小，反向電阻較大，PN結(jié)處于截止狀態(tài)。內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－現(xiàn)在是27頁\一共有56頁\編輯于星期一1.點接觸型2.面接觸型結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。

結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。3.平面型

用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中?！?-2.半導體二極管一、二極管的結(jié)構(gòu)和分類二極管的電路符號：PN現(xiàn)在是28頁\一共有56頁\編輯于星期一陰極引線陽極引線二氧化硅保護層P型硅N型硅

平面型金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼點接觸型鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線

面接觸型半導體二極管的結(jié)構(gòu)和符號

二極管的結(jié)構(gòu)示意圖陰極陽極

符號D現(xiàn)在是29頁\一共有56頁\編輯于星期一二、二極管的伏安特性硅管0.5V,鍺管0.1V。反向擊穿電壓U(BR)導通壓降

外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導通。外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦?。正向特性反向特性特點：非線性硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3VUI死區(qū)電壓PN+–PN–+反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。現(xiàn)在是30頁\一共有56頁\編輯于星期一三、二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流

IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。3.反向峰值電流IRM指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍?，F(xiàn)在是31頁\一共有56頁\編輯于星期一二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電壓（正向偏置，陽極接正、陰極接負）時，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。2.二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負、陰極接正）時，二極管處于反向截止狀態(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。

3.外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴?.二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大?，F(xiàn)在是32頁\一共有56頁\編輯于星期一二極管電路分析舉例定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導通截止否則，正向管壓降硅0.6~0.7V鍺0.2~0.3V分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負。若V陽>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導通若V陽<V陰或UD為負(反向偏置)，二極管截止若二極管是理想的，正向?qū)〞r正向管壓降為零，反向截止時二極管相當于斷開?，F(xiàn)在是33頁\一共有56頁\編輯于星期一電路如圖，求：UAB

V陽=－6VV陰=－12VV陽>V陰二極管導通若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V例1：

取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。在這里，二極管起鉗位作用。D6V12V3kBAUAB+–現(xiàn)在是34頁\一共有56頁\編輯于星期一兩個二極管的陰極接在一起取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。V1陽=－6V，V2陽=0V，V1陰=V2陰=－12VUD1=6V，UD2=12V

∵

UD2>UD1

∴D2優(yōu)先導通，D1截止。若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB

=0V例2:D1承受反向電壓為－6V流過D2

的電流為求：UAB在這里，D2起鉗位作用，D1起隔離作用。BD16V12V3kAD2UAB+–現(xiàn)在是35頁\一共有56頁\編輯于星期一ui>8V，二極管導通，可看作短路uo=8V

ui<8V，二極管截止，可看作開路uo=ui已知：二極管是理想的，試畫出uo

波形。8V例3：二極管的用途：整流、檢波、限幅、鉗位、開關(guān)、元件保護、溫度補償?shù)取i18V參考點二極管陰極電位為8VD8VRuoui++––現(xiàn)在是36頁\一共有56頁\編輯于星期一§9-3.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型二極管。它在電路中常用作穩(wěn)定電壓的作用，故稱為穩(wěn)壓管。一、穩(wěn)壓管的圖形符號：二、穩(wěn)壓管的伏安特性：U(V)0.400.8-8-4I(mA)204010-20-1030-12反向正向穩(wěn)壓管的伏安特性曲線與普通二極管類似，只是反向曲線更陡一些。伏安特性現(xiàn)在是37頁\一共有56頁\編輯于星期一UZIZIZMUZIZ穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓使用時要加限流電阻穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。_+UIO符號伏安特性現(xiàn)在是38頁\一共有56頁\編輯于星期一三、主要參數(shù)1.穩(wěn)定電壓UZ

穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿)時管子兩端的電壓。2.電壓溫度系數(shù)ｕ環(huán)境溫度每變化1C引起穩(wěn)壓值變化的百分數(shù)。3.動態(tài)電阻4.穩(wěn)定電流IZ、最大穩(wěn)定電流IZM5.最大允許耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好?，F(xiàn)在是39頁\一共有56頁\編輯于星期一四、光電二極管反向電流隨光照強度的增加而上升。IU照度增加符號發(fā)光二極管有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似，正向電壓較一般二極管高，電流為幾~幾十mA。光電二極管發(fā)光二極管現(xiàn)在是40頁\一共有56頁\編輯于星期一§9-4半導體三極管半導體三極管(晶體管)是最重要的一種半導體器件。廣泛應用于各種電子電路中。一.基本結(jié)構(gòu)晶體管最常見的結(jié)構(gòu)有平面型和合金型兩種。平面型都是硅管、合金型主要是鍺管。它們都具有NPN或PNP的三層兩結(jié)的結(jié)構(gòu)，因而又有NPN和PNP兩類晶體管。本節(jié)介紹晶體管的結(jié)構(gòu)、特性及參數(shù)的內(nèi)容?，F(xiàn)在是41頁\一共有56頁\編輯于星期一N型硅P型N型二氧化硅保護膜CBEN型鍺銦球銦球P型P型CEB平面型結(jié)構(gòu)合金型結(jié)構(gòu)NNP發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)EBCNPP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)EBCBECBEC現(xiàn)在是42頁\一共有56頁\編輯于星期一NNP基極發(fā)射極集電極NPN型BECBECPNP型PPN基極發(fā)射極集電極符號：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三極管PNP型三極管現(xiàn)在是43頁\一共有56頁\編輯于星期一結(jié)構(gòu)特點：基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極集電區(qū)：面積最大三層兩結(jié)的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是44頁\一共有56頁\編輯于星期一二、電流分配和放大原理1.三極管放大的外部條件BECNNPEBRBECRC發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏

PNP發(fā)射結(jié)正偏VB<VE集電結(jié)反偏VC<VB從電位的角度看：NPN

發(fā)射結(jié)正偏VB>VE集電結(jié)反偏VC>VB

現(xiàn)在是45頁\一共有56頁\編輯于星期一2.各電極電流關(guān)系及電流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05結(jié)論:1）三電極電流關(guān)系IE=IB+IC2）IC

IB

，

IC

IE

3）IC

IB

把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。

實質(zhì):用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，是CCCS器件。現(xiàn)在是46頁\一共有56頁\編輯于星期一3.三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO

基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。

進入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流IBE，多數(shù)擴散到集電結(jié)。從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。

集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO?，F(xiàn)在是47頁\一共有56頁\編輯于星期一3.三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律IC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE與IBE之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)集－射極穿透電流,溫度ICEO(常用公式)若IB=0,則

ICICE0現(xiàn)在是48頁\一共有56頁\編輯于星期一三、特性曲線即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線？？1.直觀地分析管子的工作狀態(tài)。2.合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設計性能良好的電路。

重點討論應用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線現(xiàn)在是49頁\一共有56頁\編輯于星期一

發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路測量晶體管特性的實驗電路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++現(xiàn)在是50頁\一共有56頁\編輯于星期一1.輸入特性特點:非線性死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。正常工作時發(fā)射結(jié)電壓：NPN型硅管

UBE0.6~0.7VPNP型鍺管

UBE0.2~0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO現(xiàn)在是51頁\一共有56頁\編輯于星期一2.輸出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大區(qū)輸出特性曲線