低頻電子電路

低頻電子電路第1頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.3元器件的模型研究與仿真的工程意義2.2場效應(yīng)管的電量制約關(guān)系2.1雙極型晶體管的電量制約關(guān)系第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)關(guān)注PN結(jié)的相互影響，以及制造要求對導(dǎo)電特性影響關(guān)注結(jié)構(gòu)對導(dǎo)電特性影響關(guān)注仿真模型對電路分析的重要價(jià)值《低頻電子電路》第2頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.1.2晶體管特性的進(jìn)一步描述2.1.1晶體管的導(dǎo)電原理2.1雙極型晶體管的電量制約關(guān)系第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)2.1.3晶體管應(yīng)用舉例與仿真模型基礎(chǔ)《低頻電子電路》第3頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)鑒于晶體管與場效應(yīng)管原理及電路的相似性，先講清晶體管導(dǎo)電原理，再講場效應(yīng)管的導(dǎo)電特性。因半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性提高，非線性導(dǎo)電的區(qū)域特性更為復(fù)雜。NPP+P+P+N概述第4頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

晶體管結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)發(fā)射極E基極BPNN+集電極C發(fā)射極E基極BNPP+集電極CBCEBCE發(fā)射結(jié)集電結(jié)第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第5頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

晶體管的特點(diǎn)1）發(fā)射區(qū)高摻雜。2）基區(qū)很薄。3）集電結(jié)面積大。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第6頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。飽和情況：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。截止情況：

注意：晶體管的導(dǎo)電特點(diǎn)是以內(nèi)部結(jié)構(gòu)保證為前提，外部電壓范圍差異為條件而變化的。

由于結(jié)構(gòu)和摻雜的不同，反向工作情況的特性不如放大等情況突出，因此該情況幾乎不被利用。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。放大或擊穿情況：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏。反向工作情況：2.1.1晶體管的導(dǎo)電原理第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第7頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

晶體管的伏安特性外部測試電路第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第8頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日1.

放大或擊穿情況（導(dǎo)電原理）PNN+-+-+V1V2R2R1iEniEpiBBiCnICBOiEiE=iEn+iEpiCiC=iCn+ICBOiBiB=iEp+iBB-ICBO=iEp+(iEn-iCn)-ICBO=iE-iC發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。放大或擊穿情況：第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第9頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

發(fā)射結(jié)正偏：保證發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子。發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū)：減少基區(qū)向發(fā)射區(qū)發(fā)射的多子，提高發(fā)射區(qū)向基區(qū)的多子發(fā)射效率。

窄基區(qū)的作用：保證發(fā)射區(qū)的多子到達(dá)集電結(jié)。基區(qū)很?。嚎蓽p少基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì)，保證發(fā)射區(qū)來的絕大部分載流子能擴(kuò)散到集電結(jié)邊界。

集電結(jié)反偏、且集電結(jié)面積大：保證擴(kuò)散到集電結(jié)邊界的基區(qū)載流子大部能漂移到集電區(qū)，形成受控的集電極電流。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第10頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

晶體管特性典型實(shí)測曲線晶體管的集電極電流iC

，主要受正向發(fā)射結(jié)電壓vBE控制，而與反向集電結(jié)電壓vCE近似無關(guān)。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第11頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

的物理含義：β

近似表示，基極電流iB對集電極正向受控電流iCn的控制能力，即

忽略ICBO，得ECBETICIB

稱β為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第12頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日ICEO的物理含義：

ICEO指基極開路時(shí)，集電極直通到發(fā)射極的電流。

∵

iB=0IEPICBOICnIEn+_VCENPN+CBEICEOIB=0

因此：第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第13頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

放大區(qū)（VBE0.7V，

VCE>0.3V）特點(diǎn)條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏VCE曲線略上翹具有正向受控作用滿足IC=IB+ICEO說明IC/mAVCE/V0VA上翹程度—取決于厄爾利電壓VA上翹原因—基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)（VCEIC略）WBEBC基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第14頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

α表示，電流iE對集電極正向受控電流iCn的控制能力。

為方便日后計(jì)算，由

稱α為共基極電流放大系數(shù)。

由式：

得：

定義：

可推得：第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第15頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

擊穿區(qū)特點(diǎn)：vCE增大到一定值時(shí)，集電結(jié)反向擊穿，iC急劇增大。集電結(jié)反向擊穿電壓，隨iB的增大而減小。注意：iB=

0時(shí)，擊穿電壓記為V(BR)CEOiE=

0時(shí)，擊穿電壓記為V(BR)CBOV(BR)CBO>V(BR)CEO第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第16頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.

飽和情況（導(dǎo)電原理）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。飽和情況：通常，飽和壓降VCE(sat)

硅管VCE(sat)0.3V鍺管VCE(sat)0.1V第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第17頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

飽和情況直流簡化電路模型若忽略飽和壓降（飽和區(qū)與放大區(qū)邊界），晶體管CE端近似短路。特點(diǎn)：條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。iC不但受iB控制，也受vCE影響。vCE略增，iC顯著增加。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第18頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

若忽略反向飽和電流，三極管iB0，iC

0。即晶體管工作于截止模式時(shí)，相當(dāng)于開關(guān)斷開。ECBETICIB共發(fā)射極直流簡化電路模型ECBEIC0IB03.

截止情況（導(dǎo)電原理）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。截止情況：第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第19頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10AiB=

-ICBO近似為0≤iB≤-ICBO的區(qū)域

通常，在工程上將截止區(qū)對應(yīng)在iB≤0的曲線的區(qū)域。第20頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

基于安全考慮的PCM限制基于性能一致性考慮ICM的限制2.1.2晶體管特性的進(jìn)一步描述第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第21頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.1.2晶體管安全工作區(qū)ICVCE0V(BR)CEOICMPCM

最大允許集電極電流ICM（若IC>ICM造成）

反向擊穿電壓V(BR)CEO（若VCE>V(BR)CEO

管子擊穿）VCE<V(BR)CEO

最大允許集電極耗散功率PCM（PC=ICVCE，若PC>PCM燒管）PC<PCM

要求ICICM第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第22頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日基于外加電量變化頻率考慮的電容效應(yīng)。制造的精密水平和工藝限制，往往不能滿足工程中對一批管子具有的同一性能要求，即管子存在分散性。注意：NPN型管與PNP型管工作原理相似，但由于它們形成電流的載流子性質(zhì)不同，結(jié)果導(dǎo)致加在各極上的電壓極性相反，各電極電流的方向相反。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第23頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

典型晶體管參數(shù)的溫度特性數(shù)據(jù)

溫度每升高1C，?

/

增大（0.5

1）%，即：

溫度每升高1C

，VBE(on)減?。?2.5）mV,即：

溫度每升高10C

，ICBO增大一倍，即：

第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第24頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.1.3晶體管應(yīng)用舉例與仿真模型基礎(chǔ)

晶體管特性展現(xiàn)

第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第25頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日處于放大區(qū)時(shí)，晶體管的大信號(hào)電壓電流函數(shù)關(guān)系式：

數(shù)學(xué)模型（指數(shù)模型）

其中，IEBS指發(fā)射結(jié)反向飽和電流。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第26頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

埃伯爾斯—莫爾模型是晶體管通用模型，它適用于除擊穿外的放大、飽和、截止、反向工作情況。iE=iF-RiRiC=FiF-iR

其中ECBiEiFRiRiCFiFiRiB第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)注：基于制造因數(shù)，F(xiàn)相對R較小。第27頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.2場效應(yīng)管

場效應(yīng)管是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。它體積小、工藝簡單，器件特性便于控制，是目前制造大規(guī)模集成電路的主要有源器件。場效應(yīng)管與晶體管主要區(qū)別：

場效應(yīng)管輸入電阻遠(yuǎn)大于晶體管輸入電阻。

場效應(yīng)管是單極型器件（晶體管是雙極型器件）。場效應(yīng)管分類：MOS場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第28頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.2.1絕緣柵型（MOS）場效應(yīng)管P溝道（PMOS）

N溝道（NMOS）

P溝道（PMOS）

N溝道（NMOS）

MOSFET增強(qiáng)型（EMOS）

耗盡型（DMOS）

N溝道MOS管與P溝道MOS管工作原理相似，不同之處僅在于它們形成電流的載流子性質(zhì)不同，因此導(dǎo)致加在各極上的電壓極性相反。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第29頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日N+N+P+P+PUSGDN溝道EMOSFET結(jié)構(gòu)示意圖源極漏極襯底極SiO2絕緣層金屬柵極P型硅襯底SGUD電路符號(hào)l溝道長度W溝道寬度第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第30頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第31頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

襯底U與源極S相連，在無外加電壓下，D、S之間已有導(dǎo)電溝道存在，vGS

的大小可以控制該導(dǎo)電溝道的大小。

N溝道DMOS管工作原理柵襯之間相當(dāng)于以SiO2為介質(zhì)的平板電容器。PP+N+N+SGDU第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第32頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

柵極電壓對溝道厚度的影響分析

N溝道DMOS管工作原理vGS=夾斷電壓VGS(off)，D、S之間已有導(dǎo)電溝道消失。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第33頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

恒定

vGS下的

vGS-iD

關(guān)系曲線分析

N溝道DMOS管工作原理第34頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

N溝道DMOS管工作原理第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第35頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日解析表達(dá)式：此時(shí)MOS管可看成阻值受VGS控制的線性電阻器：VDS較小的非飽區(qū)時(shí)，iD與vDS之間呈近似線性關(guān)系：其中：W、l為溝道的寬度和長度。COX

（=/OX）為單位面積的柵極電容量。注意：非飽和區(qū)類似于晶體管的飽和區(qū)。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第36頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日若vGS等于零，記iD的為IDSS，稱為飽和漏電流

處于飽和區(qū)時(shí)，管子具有正向受控作用，服從平方律關(guān)系，稱為轉(zhuǎn)移特性：第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第37頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日若考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則iD的修正方程：其中：稱溝道長度調(diào)制系數(shù)，其值與溝道l有關(guān)。通常=(0.005~0.03)V-1。VA為厄爾利電壓，其值較大。對式第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第38頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

N溝道EMOSFET導(dǎo)電原理VGS開啟電壓VGS(th)形成N型導(dǎo)電溝道表面層n>>pVGS越大，反型層中n

越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)。PP+N+N+SGDUVDS-+PP+N+N+SGDUVDS=0-+VGS第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第39頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日VDS對溝道的控制（假設(shè)VGS>VGS(th)

且保持不變）VDS很小時(shí)

→

VGDVGS。此時(shí)W近似不變，即Ron不變。由圖

VGD=VGS-VDS因此VDS→ID線性。

若VDS→則VGD→近漏端溝道→

Ron增大。此時(shí)Ron→ID變慢。PP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+PP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第40頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS(th)時(shí)→A點(diǎn)出現(xiàn)預(yù)夾斷

若VDS繼續(xù)→A點(diǎn)左移→出現(xiàn)夾斷區(qū)此時(shí)VAS=VAG+VGS=-VGS(th)+VGS（恒定）若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則近似認(rèn)為l

不變（即Ron不變）。因此預(yù)夾斷后：PP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+APP+N+N+SGDUVDS-+VGS-+AVDS→ID基本維持不變。

第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第41頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

特性曲線曲線形狀類似晶體管輸出特性。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第42頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

若考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)則VDS→溝道長度l→溝道電阻Ron略。因此

VDS→ID略。由上述分析可描繪出ID隨VDS變化的關(guān)系曲線：IDVDS0VGS–VGS(th)VGS一定曲線形狀類似晶體管輸出特性。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第43頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日解析表達(dá)式：此時(shí)MOS管可看成阻值受VGS控制的線性電阻器：VDS很小MOS管工作在非飽區(qū)時(shí)，ID與VDS之間呈線性關(guān)系：其中：W、l為溝道的寬度和長度。COX

（=/OX）為單位面積的柵極電容量。注意：非飽和區(qū)相當(dāng)于晶體管的飽和區(qū)。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第44頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日解析表達(dá)式：若考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則ID的修正方程：

工作在飽和區(qū)時(shí)，MOS管的正向受控作用，服從平方律關(guān)系式：可見，解析表達(dá)式與NDMOSFET管類似。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第45頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日MOS管僅依靠一種載流子（多子）導(dǎo)電，故稱單極型器件。

晶體管中多子、少子同時(shí)參與導(dǎo)電，故稱雙極型器件。

利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，通過柵源電壓VGS的變化，改變感生電荷的多少，從而改變感生溝道的寬窄，控制漏極電流ID。MOSFET工作原理：第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第46頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

截止區(qū)特點(diǎn)：相當(dāng)于MOS管三個(gè)電極斷開。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5V溝道未形成時(shí)的工作區(qū)條件：VGS<VGS(th)ID=0以下的工作區(qū)域。IG≈0，ID≈0

擊穿區(qū)VDS增大到一定值時(shí)漏襯PN結(jié)雪崩擊穿

ID劇增。VDS溝道l對于l較小的MOS管穿通擊穿。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第47頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

NEMOS管轉(zhuǎn)移特性曲線VGS(th)=3VVDS

=5V

轉(zhuǎn)移特性曲線反映VDS為常數(shù)時(shí)，VGS對ID的控制作用,可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5VVDS

=5VID/mAVGS/V012345

轉(zhuǎn)移特性曲線中,ID=0時(shí)對應(yīng)的VGS值,即開啟電壓VGS（th）。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第48頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日3.P溝道EMOS管+-

VGSVDS+-SGUDNN+P+SGDUP+N溝道EMOS管與P溝道EMOS管工作原理相似。即VDS<0、VGS<0外加電壓極性相反、電流ID流向相反。不同之處：電路符號(hào)中的箭頭方向相反。ID第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第49頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日4四種MOS場效應(yīng)管比較

電路符號(hào)及電流流向SGUDIDSGUDIDUSGDIDSGUDIDNEMOSNDMOSPDMOSPEMOS

轉(zhuǎn)移特性IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第50頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

飽和區(qū)（放大區(qū)）外加電壓極性及數(shù)學(xué)模型VDS極性取決于溝道類型N溝道：VDS>0，P溝道：VDS<0

VGS極性取決于工作方式及溝道類型增強(qiáng)型MOS管：

VGS

與VDS

極性相同。耗盡型MOS管：

VGS

取值任意。

飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型與管子類型無關(guān)

第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第51頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

臨界飽和工作條件

非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）工作條件|VDS|=|VGS–VGS(th)||VGS|>|VGS(th)|，|VDS|>|VGS–VGS(th)||VGS|>|VGS(th)|，

飽和區(qū)（放大區(qū)）工作條件|VDS|<|VGS–VGS(th)||VGS|>|VGS(th)|，

非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）數(shù)學(xué)模型第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第52頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日2.2.2結(jié)型場效應(yīng)管

JFET結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號(hào)SGDSGDP+P+NGSDN溝道JFETP溝道JFETN+N+PGSD第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第53頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

N溝道JFET管外部工作條件VDS>0(保證柵漏PN結(jié)反偏)VGS<0(保證柵源PN結(jié)反偏)JFET管工作原理P+P+NGSD

+

VGSVDS+-第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第54頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

VGS對溝道寬度的影響|VGS|

阻擋層寬度若|VGS|

繼續(xù)溝道全夾斷使VGS=VGS(off)夾斷電壓若VDS=0NGSD

+

VGSP+P+N型溝道寬度溝道電阻Ron第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第55頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日VDS很小時(shí)

→

VGDVGS由圖

VGD=VGS-VDS因此VDS→ID線性

若VDS→則VGD→近漏端溝道→

Ron增大。此時(shí)Ron→ID變慢

VDS對溝道的控制（假設(shè)VGS一定）NGSD

+VGSP+P+VDS+-此時(shí)W近似不變即Ron不變第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第56頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS(off)時(shí)→A點(diǎn)出現(xiàn)預(yù)夾斷

若VDS繼續(xù)→A點(diǎn)下移→出現(xiàn)夾斷區(qū)此時(shí)VAS=VAG+VGS=-VGS(off)+VGS（恒定）若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則近似認(rèn)為l

不變（即Ron不變）。因此預(yù)夾斷后：VDS→ID基本維持不變。

NGSD

+VGSP+P+VDS+-ANGSD

+VGSP+P+VDS+-A第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第57頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場效應(yīng)，通過柵源電壓VGS的變化，改變阻擋層的寬窄，從而改變導(dǎo)電溝道的寬窄，控制漏極電流ID。JFET工作原理：

綜上所述，JFET與MOSFET工作原理相似，它們都是利用電場效應(yīng)控制電流，不同之處僅在于導(dǎo)電溝道形成的原理不同。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第58頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

NJFET輸出特性

非飽和區(qū)(可變電阻區(qū))特點(diǎn)：ID同時(shí)受VGS與VDS的控制。條件：VGS>VGS(off)V

DS<VGS–VGS(off)2.伏安特性曲線線性電阻:ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第59頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

飽和區(qū)(放大區(qū))特點(diǎn)：ID只受VGS控制，而與VDS近似無關(guān)。ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V數(shù)學(xué)模型：條件：VGS>VGS(off)V

DS>VGS–VGS(off)

在飽和區(qū)，JFET的ID與VGS之間也滿足平方律關(guān)系，但由于JFET與MOS管結(jié)構(gòu)不同，故方程不同。第二章半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)第60頁，共66頁，2023年，2月20日，星期日

截止區(qū)特點(diǎn)：溝道全夾斷的工作區(qū)條件：VGS<VGS(off)IG≈0，ID=0

擊穿區(qū)VDS增大到一定值時(shí)近漏極PN結(jié)雪崩擊穿ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V造成