芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

1電源管理芯片樣品模組

結(jié)構(gòu)分析2017年4月芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)一電源管理芯片樣品結(jié)構(gòu)二擬研發(fā)的模組結(jié)構(gòu)三對(duì)比2芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)3正面底面激光打標(biāo)AGRG22-191未搜到芯片datasheet整版鍍錫后再切割一、電源管理樣片結(jié)構(gòu)1.外觀芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)4CT201205尺寸功率電感半導(dǎo)體IC2.內(nèi)部結(jié)構(gòu)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)53.底部焊盤(pán)結(jié)構(gòu)只有1層，16um厚，成分為錫；與銅電極界面無(wú)其他金屬工藝可能是電極顯露后直接鍍錫放大芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)64.內(nèi)部電極電路電極總厚200um，成分為銅，無(wú)層狀分界界面；形貌上有2個(gè)弧形，高度分別是130um/70um；推測(cè)是整版銅片正反兩次蝕刻形成；芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)75.封裝樹(shù)脂封裝樹(shù)脂為硅基，PCB電極平面處未發(fā)現(xiàn)層狀界面，推測(cè)為一次封裝成型；芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)8模組尺寸3.0*2.5*0.9mm功率電感尺寸2.0*1.2*0.5mm半導(dǎo)體IC尺寸（加引腳）1.4*0.9*0.3mm6.內(nèi)部器件及尺寸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)97.內(nèi)部功率電感端留邊0.12mm，側(cè)留邊0.14mm，電極寬0.2mm，電極厚0.02mm，產(chǎn)品高度＜0.5mm,有效圈數(shù)4.5（推測(cè)RDC在75-95mΩ）從引出端及連接點(diǎn)方式推測(cè)，疑似FDK的功率電感MIPSUZ2012GR47，0.47uH,RDC100mΩ±30%，Isat1.5A;3層夾層磁體為鎳銅鋅鐵氧體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)108.電感端頭及焊盤(pán)結(jié)構(gòu)沾銀層鎳層錫層焊接錫錫-銅層PCB銅電極內(nèi)部焊盤(pán)結(jié)構(gòu)推測(cè)：無(wú)專用焊盤(pán)，直接在銅電極上點(diǎn)錫焊接電感及半導(dǎo)體芯片；芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)119.半導(dǎo)體IC半導(dǎo)體IC尺寸（加引腳）1.4*0.9*0.26mm半導(dǎo)體部分：180um電極接口部分：15um電極引出部分：65um樹(shù)脂形貌相同，推測(cè)IC未做樹(shù)脂封裝，直接焊接在銅電極上樹(shù)脂有層界面，上邊無(wú)顆粒層應(yīng)為IC引出電路保護(hù)層；銅柱引出電極應(yīng)是與IC一體；半裸IC芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)12推測(cè)芯片焊接方式與電感一致，即將裸芯片放置在錫膏上，過(guò)回流焊爐完成焊接；10.半導(dǎo)體IC電極引出銅柱焊接Sn-Cu界面層Sn焊接樹(shù)脂有界面，推測(cè)上部無(wú)顆粒部分為IC引出電路保護(hù)層高純度Cu芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)12345671311.半導(dǎo)體IC電極引出封裝結(jié)構(gòu)IC半導(dǎo)體主體電極引出觸點(diǎn)——Al金屬層微電路——W金屬層隔層——Al金屬層隔層——Al金屬層微電路——W金屬層引出電路保護(hù)——碳層芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)141234PCB銅電極層PCB內(nèi)部焊接點(diǎn)——各層磨片尺寸器件層底部焊盤(pán)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)15一、電源管理樣片結(jié)構(gòu)12.總結(jié)銅片正反兩面蝕刻點(diǎn)錫貼器件回流焊塑封鍍底部