《計算機系統(tǒng)維護》第4章 內(nèi) 存

第4章內(nèi)存4.1內(nèi)存的分類4.1.1按內(nèi)存的工作原理分類1．ROM（1）MaskROM（掩模式只讀存儲器）（2）PROM（ProgrammableROM，可編程ROM）PROM芯片的外觀，如圖4-1所示。（3）多次擦寫可編程只讀存儲器這類ROM有三種類型。①EPROM（ErasableProgrammableROM，可擦可編程ROM），其外觀如圖4-2所示。②EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableROM，電可擦寫可編程ROM），其外觀如圖4-3所示。③FlashMemory（閃速存儲器），如圖4-4所示。2．RAM（1）SRAM（StaticRAM，靜態(tài)隨機存儲器）（2）DRAM（DynamicRAM，動態(tài)隨機存儲器）4.1.2按內(nèi)存在計算機中的用途分類1．主存儲器2．高速緩沖存儲器（Cache）3．BIOSROM4.1.3按內(nèi)存的外觀分類1．雙列直插封裝內(nèi)存芯片DIP芯片一般用于286以下的微機，現(xiàn)在只有在顯示卡上才能見到它們。其外觀如圖4-5所示。2．內(nèi)存條（內(nèi)存模塊）內(nèi)存條主要有兩種接口類型：SIMM；DIMM。4.1.4按內(nèi)存條的技術(shù)標準（接口類型）分類1．DDRSDRAM內(nèi)存條DDRSDRAM內(nèi)存條，其外觀如圖4-6所示。2．DDR2SDRAM內(nèi)存條DDR2內(nèi)存條的外觀如圖4-7所示。3．DDR3SDRAM內(nèi)存條DDR3的外觀如圖4-8所示。4.2內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)和封裝4.2.1DDR3SDRAM內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)下面以如圖4-9所示的DDR3SDRAM為例，介紹內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)。1．PCB板2．金手指3．內(nèi)存固定卡缺口4．金手指缺口5．內(nèi)存芯片6．SPD芯片7．內(nèi)存顆?？瘴?．電容9．電阻10．標簽內(nèi)存條上標簽的形式如圖4-10所示。11.散熱器帶有散熱片的內(nèi)存條如圖4-11所示。4.2.2內(nèi)存芯片的封裝1．TSOP封裝改進的TSOP技術(shù)TSOPII目前廣泛應(yīng)用于SDRAM、DDRSDRAM內(nèi)存的制造上，如圖4-12所示。2．BGA封裝DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA（FinepitchBallGridArray，BGA的改進型）封裝形式，如圖4-13所示。3．CSP封裝CSP（ChipScalePackage，芯片級封裝）DDR內(nèi)存，如圖4-14所示。4.3DRAM內(nèi)存的時間參數(shù)4.3.1DRAM內(nèi)存的參數(shù)設(shè)置1．CASLatency（CL或tCL）目前DDR內(nèi)存的CL值主要為2、2.5和3，DDR2的CL在3～6之間，DDR3的CL在5～8之間。DDR2與DDR3延遲時間對比如圖4-15所示。2．RAStoCASDelay（tRCD）可選值有2、3和4。3．RASPrecharge（tRP）可選值有2、3和4。4．RASActiveDelay（tRAS）可選值范圍為5～12。4.3.2DRAM內(nèi)存的參數(shù)標識通常按CL-tRCD-tRP-tRAS（有時省略tRAS）的順序列出這4個參數(shù)，如圖4-16所示。如圖4-17所示是BIOS設(shè)置選項。4.4內(nèi)存的選購4.4.1內(nèi)存的選購原則1．內(nèi)存條的品牌如圖4-18所示。2．內(nèi)存顆粒3．頻率要搭配4．容量4.4.2內(nèi)存產(chǎn)品介紹1.海盜船1GBDDR31333海盜船1GBDDR31333內(nèi)存條的外觀，如圖4-19所示。2.Kingmax2GBDDR2800Long-DIMMKingmax2GBDDR2800Lo