介質(zhì)損耗因數(shù)測試

供用電技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫主講：王運莉介質(zhì)損耗因數(shù)測試目錄CONTENTS1試驗的基本原理2試驗特點供用電技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫3三種非破壞性試驗方法對不同故障的有效性4試驗方法試驗的基本原理CONTENTS01part供用電技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫試驗的基本原理電介質(zhì)在電場作用下產(chǎn)生能量。P=U2ωCtanδ當外加電壓及頻率一定時，電介質(zhì)的損耗P與tgσ及C成正比；而對于一定結(jié)構(gòu)的試品來說，C為定值，故可直接由tgσ的大小來判斷試品絕緣的優(yōu)劣。測量tgδ值是判斷電氣設(shè)備絕緣狀態(tài)的一項靈敏有效的方法。試驗特點CONTENTS02part供用電技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫試驗特點當試品絕緣受潮、油或浸漬物臟污或劣化變質(zhì)、絕緣中有氣隙發(fā)生放電時，tanδ會大大增加。如絕緣良好時的油紙絕緣，tanδ=0.1%，但嚴重受潮時可達10%以上。（1）tanδ值能反映絕緣的缺陷試驗特點被試絕緣的體積越大，或集中性缺陷所占的體積越小，那么集中性缺陷處的介質(zhì)損耗占被試絕緣全部介質(zhì)損耗中的比重就越小。

（2）tanδ值不能有效地反映集中性缺陷原因試驗特點對于電機、電纜這類電氣設(shè)備，由于運行中故障多為集中性缺陷發(fā)展所致，而且被試絕緣的體積較大，不便做此項試驗。但對套管絕緣，tanδ試驗就是一項必不可少而且比較有效的試驗。對于可以分解成各個絕緣部分的被試品，常用分解進行tanδ

測量的方法來更有效地發(fā)現(xiàn)缺陷。試驗特點

若tanδ不高，但R∞低，K接近1，I泄漏大——出現(xiàn)？缺陷。若tanδ高，且R∞低，K接近1，I泄漏大——出現(xiàn)？缺陷。若tanδ不高，且R∞及K合格，但I泄漏大——出現(xiàn)？缺陷。（3）tanδ試驗應(yīng)與絕緣電阻吸收比及泄漏電流試驗一起綜合判斷練習(xí)試驗特點若tanδ不高，但R∞低，K接近1，I泄漏大——出現(xiàn)貫穿性的集中性缺陷。若tanδ高，且R∞低，K接近1，I泄漏大——出現(xiàn)分布性缺陷。若tanδ不高，且R∞及K合格，但I泄漏大——出現(xiàn)非貫穿的集中性缺陷。如果tanδ、R、K、I泄漏均合格，則表明絕緣良好。小結(jié)三種非破壞性試驗方法對不同故障的有效性CONTENTS03part供用電技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫三種非破壞性試驗方法對不同故障的有效性可發(fā)現(xiàn)貫穿性受潮、臟污及導(dǎo)電通道等缺陷。（貫穿的集中性缺陷）更靈敏地測出絕緣電阻測量中所發(fā)現(xiàn)的缺陷。（貫穿或非貫穿的集中性缺陷）能發(fā)現(xiàn)絕緣整體普遍劣化及大面積受潮。（分布性缺陷）絕緣電阻測量泄漏電流測量介質(zhì)損耗角測量試驗方法CONTENTS04part供用電技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫1）西林電橋

電橋的四個臂：

CN—標準電容器

ZX—被試品

C4—可調(diào)電容R3—可調(diào)電阻2）介質(zhì)損耗測量儀試驗方法正接法：被試品兩端對地絕緣，實驗室采用，安全。反接法：被試品一端固定接地，一般現(xiàn)場試驗采用，為了保證安全，使用絕緣桿操作。試驗方法試驗方法電橋平衡時：各橋臂復(fù)數(shù)阻抗值應(yīng)滿足取R4=104/п、f=50HZ→tgδ=100п*104/п*C4=106C4(法)=C4(微法)Zx?Z4=ZN?Z3可推導(dǎo)出tgσ=ωR4C4，Cx≈CNR4/R3即當電橋調(diào)到