物理學(xué)與新能源技術(shù)

關(guān)于物理學(xué)與新能源技術(shù)1第1頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2一、引言微電子技術(shù)：微型電子電路技術(shù)微電子：微型的電子電路實(shí)現(xiàn)某種特定功能的電子線路，集中制造在一塊小小的半導(dǎo)體芯片上。把由若干個(gè)晶體管電阻電容等器件組成半導(dǎo)體基片上第2頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3一、引言微電子技術(shù)是信息社會(huì)生活和工作的基礎(chǔ)。信息化的關(guān)鍵是計(jì)算機(jī)和通訊機(jī)，其基礎(chǔ)都是微電子技術(shù)。微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域，影響面極廣，發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題。微電子技術(shù)的核心是集成電路技術(shù)；集成電路的標(biāo)志性產(chǎn)品是CPU（即中央處理器）；它廣泛應(yīng)用于人類社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。如科技、經(jīng)濟(jì)、軍事、金融、文教乃至家庭生活。第3頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月41、微電子技術(shù)應(yīng)用微電子技術(shù)被廣泛應(yīng)用于社會(huì)的各個(gè)行業(yè)微電子技術(shù)與計(jì)算機(jī)技術(shù)相輔相成，推動(dòng)了信息技術(shù)的高速度發(fā)展傳統(tǒng)工業(yè)的行業(yè)改造和技術(shù)更新使商業(yè)領(lǐng)域的傳統(tǒng)賬冊(cè)產(chǎn)生了根本的變化與其他技術(shù)的結(jié)合和滲透發(fā)展成新的技術(shù)現(xiàn)代化的軍事與國(guó)防也離不開微電子技術(shù)深刻地、廣泛地影響著人們的生活

第4頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月5微電子無處不在：公共汽車IC卡、銀行儲(chǔ)蓄卡和信用卡、小區(qū)智能卡、電子手表、語言賀卡和玩具、電子琴、手機(jī)、洗衣機(jī)、電視機(jī)、電話機(jī)等等日常生活用品中都有芯片（微電子）。第5頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月6

1948年BELL實(shí)驗(yàn)室發(fā)明第一只晶體管——微電子技術(shù)第一個(gè)里程碑；

1959年硅平面工藝的發(fā)展和集成電路的發(fā)明——微電子技術(shù)第二個(gè)里程碑；

1971年微機(jī)的問世——微電子技術(shù)第三個(gè)里程碑。2、微電子技術(shù)發(fā)展及現(xiàn)狀第6頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月7人的頭發(fā)100微米

Intel803861.20微米工藝33MHzIntel804860.80微米工藝100MHzIntelPentium0.60微米工藝200MHzIntelPII0.35微米工藝500MHzIntelPIII0.25微米工藝800MHz最近已經(jīng)達(dá)到0.13微米2GMHz目前集成電路制造商進(jìn)軍≤0.1微米工藝

電子元器件和線路越來越小、細(xì)，集成度越來越高，芯片運(yùn)行的速度越來越高快。摩爾定律：集成度（容量）每1、2、1.5年（65、97年、媒體）翻一番，而價(jià)格保持不變甚至下降。大規(guī)模芯片生產(chǎn)已達(dá)到0.25微米工藝，0.06微米已應(yīng)用于顯示，目前最窄：32納米。第7頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月83、向微米工藝的極限挑戰(zhàn)

目前，由Intel為代表的多家公司正在開發(fā)“極端紫外”光刻技術(shù)，用氙燈將波長(zhǎng)降至0.01微米；IBM則致力于0.005微米波長(zhǎng)的X射線光刻技術(shù)研究工作。光刻技術(shù)大規(guī)模集成電路的集成度是微電子技術(shù)的重要標(biāo)志；單晶片的尺寸已經(jīng)從原來的5英寸發(fā)展到了今天的8英寸、12英寸。第8頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月9電子管晶體管場(chǎng)效應(yīng)管（厚膜）薄膜晶體管二、基本元件結(jié)構(gòu)第9頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月10電子管又稱“真空管”（VacuumTube）電子管擁有三個(gè)最基本的極陰極(Cathode,K)：釋放出電子流屏極(Plate，P)：吸引和收集陰極發(fā)射的電子（集極）柵極(Gird,G)：控制電子流的流量電子管的放大作用直熱式三極管燈絲（Filament）的制作材料鎢絲釷鎢合金氧化鹼土1．電子管第10頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月11第11頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月12第12頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月132．晶體管半導(dǎo)體是制造晶體管的基本材料本征半導(dǎo)體、自由電子和空穴共價(jià)電子與N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管和三極管極其工作原理

第13頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月14第14頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月15場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別1.晶體管是電流控制元件；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。2.晶體管參與導(dǎo)電的是電子—空穴，因此稱其為雙極型器件；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有一種載流子，因此稱其為單級(jí)型器件。3.晶體管的輸入電阻較低，一般102~104；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，可達(dá)109~1014場(chǎng)效應(yīng)管的分類結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFETMOS型場(chǎng)效應(yīng)管JFET3、場(chǎng)效應(yīng)管第15頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月16N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管漏極D→集電極C源極S→發(fā)射極E柵極G→基極B襯底B電極—金屬絕緣層—氧化物基體—半導(dǎo)體因此稱之為MOS管Sect第16頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月17N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管+++++++耗盡型MOS管存在原始導(dǎo)電溝道Sect第17頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月18結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET)結(jié)構(gòu)P+P+NGSDN溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第18頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月194、薄膜晶體管(TFT)ATO=Al2O3/TiO2超晶格第19頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月20Ga-dopedZnO第20頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月21第21頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月22“集成電路”(IntegratedCircuit，IC)

把由若干個(gè)晶體管、電阻、電容等器件組成的、實(shí)現(xiàn)某種特定功能的電子線路，集中制造在一塊小小的半導(dǎo)體芯片上集成度發(fā)展神速

1962：幾個(gè)、1965：近100個(gè)（IC）

1967：100~1000個(gè)（中規(guī)模IC）

1967-1973：1000—10000個(gè)（LSIC）

1978：達(dá)10萬~100萬個(gè)單元（VLSIC）

目前集成度已突破千萬單元三、集成電路第22頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月23100個(gè)晶體管以下的集成電路稱為小規(guī)模集成電路100—1000個(gè)晶體管的集成電路稱為中規(guī)模集成電路1000個(gè)晶體管以上的集成電路稱大規(guī)模集成電路10萬個(gè)晶體管以上的集成電路稱超大規(guī)模集成電路第23頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月24第一代（以厘米為尺度的電子管）電子管計(jì)算機(jī)（1946-1957）第二代（以毫米為尺度的半導(dǎo)體）晶體管計(jì)算機(jī)（1959-1964）第三代小規(guī)模集成電路計(jì)算機(jī)（1964-1970）第四代大規(guī)模集成電路計(jì)算機(jī)（1970-）第24頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月25第25頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月26超大規(guī)模集成電路

Intel386芯片1.2微米、幾十萬個(gè)晶體管

P40.09微米、4200萬個(gè)晶體管第26頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月27集成電路中的基本元件結(jié)構(gòu)陰極陽(yáng)極集電極基極發(fā)射極源極柵極漏極

NPNPN+N+

金屬N+

P型襯底P型襯底P型襯底P型阱

PN結(jié)二極管NPN晶體管nMOS晶體管半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體集成電路N+、P+，重?fù)诫s第27頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月28雙極集成電路工藝

砷注入SiO2SiO2

p-Si襯底

（a）埋層制備半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)舉例子第28頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月29雙極集成電路工藝

N外延層P襯底N+

埋層

(b)外延層制備半導(dǎo)體和半導(dǎo)體集成電路第29頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月30雙極集成電路工藝光致抗蝕劑鈍化層N外延層

N+

P

（c）隔離區(qū)窗口制備半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)第30頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月31雙極集成電路工藝溝道隔斷區(qū)硼離子注入

NNN+

P

(d)氧化物隔離區(qū)制備(1)半導(dǎo)體和半導(dǎo)體集成電路第31頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月32雙極集成電路工藝

NNSiO2P+N+P+

溝道隔斷區(qū)

P

(e)氧化物隔離區(qū)制備(2)

半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)第32頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月33雙極集成電路工藝基區(qū)硼離子注入

光致抗蝕劑

NSiO2P基區(qū)P+

N+埋層

(f)基區(qū)制備

半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)第33頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月34雙極集成電路工藝光致抗蝕劑

SiO2…

P+

N+埋層

(g)基區(qū)引線孔制備

半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)第34頁(yè)，課件共40頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月35雙極集成電路工藝砷離子注入發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)埋層