盛美上海研究報告-清洗設(shè)備龍頭平臺化初具規(guī)模

盛美上海研究報告：清洗設(shè)備龍頭，平臺化初具規(guī)模1.清洗設(shè)備龍頭，回歸科創(chuàng)上市1.1.半導體清洗設(shè)備龍頭，中美兩地上市盛美上海自設(shè)立以來專注于半導體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。1998年公司的控股股東美國ACMR成立，2005年美國ACMR與上海投資設(shè)立了公司前身盛美有限，2017年ACMR登陸納斯達克交易所，2021年盛美上海于科創(chuàng)板上市。清洗設(shè)備國內(nèi)龍頭，電鍍、先進封裝濕法設(shè)備陸續(xù)突破。在公司的技術(shù)和產(chǎn)品線中，半導體清洗設(shè)備首先實現(xiàn)了市場突破，2011年公司SAPS清洗設(shè)備首次取得海力士的正式訂單，2015年后順利取得了長江存儲、中芯國際及華虹集團等中國大陸領(lǐng)先客戶的訂單。在先進封裝濕法設(shè)備領(lǐng)域，公司于2013年過得了長電科技的訂單。此后，公司進一步豐富了公司的產(chǎn)品線，陸續(xù)推出了電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備和立式爐管設(shè)備等，并取得了相應(yīng)訂單。經(jīng)過15余年的發(fā)展，公司逐漸向設(shè)備平臺轉(zhuǎn)型。公司主要產(chǎn)品為半導體清洗設(shè)備、半導體電鍍設(shè)備和先進封裝濕法設(shè)備，覆蓋晶圓制造和先進封裝等領(lǐng)域。其中半導體清洗設(shè)備是公司拳頭產(chǎn)品，覆蓋單片清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備、單面背面清洗設(shè)備、前道刷洗設(shè)備以及全自動槽式清洗設(shè)備，產(chǎn)品齊全。1.2.股權(quán)結(jié)構(gòu)清晰，創(chuàng)始人為公司實控人股權(quán)結(jié)構(gòu)清晰，創(chuàng)始人王暉博士為公司實控人。盛美上海股東中僅美國ACMR持股超過5%，持有82.5%股權(quán)，王暉博士持有美國ACMR投票權(quán)不低于35%，并通過美國ACMR實際控制公司，負責公司整體戰(zhàn)略規(guī)劃，并作為核心技術(shù)人員為公司的技術(shù)研發(fā)方向提供指導和支持。此外，芯時咨詢、芯港咨詢是公司的兩個員工持股平臺，分別持股0.41%、0.17%。此外，根據(jù)公司2022年一季報新進股東諾安基金持股0.62%。美國ACMR設(shè)置了A類普通股和B類普通股，其中A類普通股合計為16,182,151股，B類普通股合計為1,862,608股。每股A類普通股擁有1票投票權(quán)，每股B類普通股擁有20票投票權(quán)。A、B類普通股除投票權(quán)差異外，無其他差異。王暉博士持有美國ACMR168,006股A類股股票和1,146,934股B類股股票，合計持有美國ACMR投票權(quán)不低于35%，并通過美國ACMR實際控制公司，負責公司整體戰(zhàn)略規(guī)劃，并作為核心技術(shù)人員為公司的技術(shù)研發(fā)方向提供指導和支持。1.3.營收大幅增長，盈利能力高于同行營業(yè)收入實現(xiàn)大幅增長，扣非歸母凈利潤扭虧為盈。2017-2021年，公司營業(yè)收入從5.54億元增至16.21億元，期間年復合增速達到58.94%；2018年公司扣非歸母凈利潤轉(zhuǎn)負為正，為0.71億元，2021年扣非歸母凈利潤達到1.95億元，3年CAGR達到40.14%，實現(xiàn)大幅增長。2022Q1，公司實現(xiàn)營業(yè)收入3.54億元，同比增長28.52%；實現(xiàn)扣非歸母凈利潤0.24億元，同比下滑24.98%。主要是間接投資

中芯國際股價變動導致。分產(chǎn)品來看，非清洗設(shè)備收入占比逐漸提升。2017年，公司清洗設(shè)備收入從2.15億元增至10.56億元，占比從84.98%降至65.10%；非清洗設(shè)備收入從0.34億元增至4.92億元，占比從13.44%增至30.33%，其中先進封裝濕法設(shè)備、電鍍設(shè)備占比均約為14%。從公司產(chǎn)品細分收入來看，公司所有產(chǎn)品均實現(xiàn)了營收增長，非清洗設(shè)備收入占比的快速提升彰顯了公司半導體其他設(shè)備的競爭力，開啟了公司營收的第二增長曲線。公司盈利能力高于同行。從盈利能力來看，公司毛利率維持在較高水平，2018-2021年毛利率分別為44.19%、45.14%、43.78%、42.53%；同期凈利率穩(wěn)定在16%以上。選取國內(nèi)設(shè)備公司北方華創(chuàng)、至純科技、芯源微作為對比，公司毛利率、凈利率均高于行業(yè)平均約5個百分點，公司盈利能力高于同行。從費用端來看，2018-2021年公司三費費用率穩(wěn)中有降，分別低于同行4.71%、6.60%、3.24%、5.46%，主要系公司營收實現(xiàn)大幅增長、成本控制能力較強。2.行業(yè)持續(xù)高景氣，國產(chǎn)替代迎曙光2.1.設(shè)備是產(chǎn)業(yè)鏈核心支撐，行業(yè)受建廠熱持續(xù)景氣半導體設(shè)備是制造半導體產(chǎn)品的專用設(shè)備，是半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游支撐環(huán)節(jié)。半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試，其中晶圓制造過程極其復雜艱難，是整個產(chǎn)業(yè)鏈的核心，需要半導體材料、設(shè)備的支持。根據(jù)Gartner統(tǒng)計數(shù)據(jù)，集成電路設(shè)備投資一般占IC制造領(lǐng)域資本性支出的70%-80%，且隨著工藝制程的提升，設(shè)備投資占比也將相應(yīng)提高——當集成電路制程達到16及14納米時，設(shè)備投資占比可達85%。典型的集成電路制造產(chǎn)線設(shè)備投資中，芯片制造及硅片制造設(shè)備投資占比約80%，系集成電路制造設(shè)備投資中的最主要部分。晶圓制造工藝復雜，專用設(shè)備種類較多。集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通常分為晶圓制造設(shè)備和封裝測試設(shè)備兩大類。其中，晶圓制造包括七大工藝步驟，分別為氧化/擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、清洗與拋光、金屬化，所對應(yīng)的專用設(shè)備包括氧化/擴散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機械拋光設(shè)備等。預(yù)計至2025年全球半導體設(shè)備市場規(guī)模為857億美元。根據(jù)Gartner，2020年全球半導體行業(yè)資本開支為1105億美元，設(shè)備市場規(guī)模也快速回升至649億美元。受益于缺芯潮、建廠熱，預(yù)計2022年全球半導體資本開支將達到頂峰、為1456億美元，同時全球半導體設(shè)備市場規(guī)模將達到851億美元；預(yù)計2023-2025年全球半導體資本開支維持在1400億美元，設(shè)備市場規(guī)模維持在800億美元以上。中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模+國產(chǎn)設(shè)備銷售額均處于高速增長，但設(shè)備國產(chǎn)化率仍然較低。2014-2020年，中國大陸半導體市場規(guī)模從268.45億元增至1291.61億元，期間CAGR為29.93%；國產(chǎn)半導體銷售額從41億元增至213億元，期間CAGR為31.6%。根據(jù)上述數(shù)據(jù)，我們推算出半導體國產(chǎn)化率在12%-17%之間，國內(nèi)半導體設(shè)備替代空間仍然較大。從半導體設(shè)備國產(chǎn)替代進度來看，去膠設(shè)備國產(chǎn)化率最高，超過90%；光刻設(shè)備及涂膠顯影設(shè)備替代率較低，但是目前進展較為順利，預(yù)計將有零的突破。就清洗設(shè)備而言，國內(nèi)清洗設(shè)備國產(chǎn)替代率為20%以上，主要是盛美上海、北方華創(chuàng)、至純科技、芯源微貢獻的設(shè)備收入占比。2.2.國產(chǎn)清洗設(shè)備發(fā)展迅速，替代空間仍然較大清洗工序可以降低雜質(zhì)對芯片良率、產(chǎn)品性能的影響。清洗是貫穿半導體產(chǎn)業(yè)鏈的重要工藝環(huán)節(jié)，用于去除半導體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能存在的雜質(zhì)，包括半導體制造過程中的顆粒、自然氧化層、金屬污染、有機物、犧牲層、拋光殘留物等雜質(zhì)。清洗步驟數(shù)量是芯片制造工藝步驟中占比最大的工序，并且隨著工藝進步不斷提升。清洗貫穿硅片制造、晶圓制造、封裝測試過程，其中清洗步驟數(shù)量約占所有芯片制造供需步驟的30%以上，是所有芯片制造工藝步驟中占比最大的工序，而且隨著技術(shù)節(jié)點的繼續(xù)進步，清洗工序的數(shù)量和重要性將繼續(xù)隨之提升，在實現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對清洗設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，單片清洗設(shè)備則是主流清洗設(shè)備。按照清洗介質(zhì)不同，半導體清洗技術(shù)分為濕法清洗和干法清洗。濕法清洗是針對不同的工藝需求，采用特定的化學藥液和去離子水，對晶圓表面進行無損傷清洗；干法清洗是指不使用化學溶劑的清洗技術(shù)，目前在28nm及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯產(chǎn)品和存儲產(chǎn)品有應(yīng)用。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的90%以上，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，構(gòu)建清洗方案。在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等，其中以單片清洗設(shè)備為主流，占比約為65%。根