巨磁電阻效應及其應用課件

巨磁電阻效應及其應用2007年諾貝爾物理學獎授予了巨磁電阻(Giantmagnetoresistance,簡稱GMR)效應的發(fā)現(xiàn)者，法國物理學家阿爾貝·費爾(AlbertFert)和德國物理學家彼得·格倫貝格爾(PeterGrunberg)。諾貝爾獎委員會說明:“這是一次好奇心導致的發(fā)現(xiàn)，但其隨后的應用卻是革命性的，因為它使計算機硬盤的容量從幾百兆，幾千兆，一躍而提高幾百倍，達到幾百G乃至上千G?！蹦蹜B(tài)物理研究原子，分子在構(gòu)成物質(zhì)時的微觀結(jié)構(gòu)，它們之間的相互作用力，及其與宏觀物理性質(zhì)之間的聯(lián)系。人們早就知道過渡金屬鐵、鈷、鎳能夠出現(xiàn)鐵磁性有序狀態(tài)。量子力學出現(xiàn)后，德國科學家海森伯(W.Heisenberg，1932年諾貝爾獎得主)明確提出鐵磁性有序狀態(tài)源于鐵磁性原子磁矩之間的量子力學交換作用，這個交換作用是短程的，稱為直接交換作用。巨磁簡介后來發(fā)現(xiàn)很多的過渡金屬和稀土金屬的化合物具有反鐵磁有序狀態(tài)，即在有序排列的磁材料中，相鄰原子因受負的交換作用，自旋為反平行排列，如圖1所示。則磁矩雖處于有序狀態(tài)，但總的凈磁矩在不受外場作用時仍為零。這種磁有序狀態(tài)稱為反鐵磁性。法國科學家奈爾(L.E.F.Neel)因為系統(tǒng)地研究反鐵磁性而獲1970年諾貝爾獎。在解釋反鐵磁性時認為，化合物中的氧離子(或其他非金屬離子)作為中介，將最近的磁性原子的磁矩耦合起來，這是間接交換作用。另外，在稀土金屬中也出現(xiàn)了磁有序，其中原子的固有磁矩來自4f電子殼層。相鄰稀土原子的距離遠大于4f電子殼層直徑，所以稀土金屬中的傳導電子擔當了中介，將相鄰的稀土原子磁矩耦合起來，這就是RKKY型間接交換作用。本實驗介紹多層膜GMG效應的原理，并通過實驗讓學生了解幾種GMR傳感器的結(jié)構(gòu)，特性，及應用領(lǐng)域。實驗目的了解GMR效應的原理測量GMR的磁阻特性曲線測量GMR模擬傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線測量GMR開關(guān)（數(shù)字）傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線用GMR傳感器測量電流用GMR梯度傳感器測量齒輪的角位移，了解GMR轉(zhuǎn)速（速度）傳感器的原理通過實驗了解磁記錄與讀出的原理實驗原理根據(jù)導電的微觀機理，電子在導電時并不是沿電場直線前進，而是不斷和晶格中的原子產(chǎn)生碰撞（又稱散射），每次散射后電子都會改變運動方向，總的運動是電場對電子的定向加速與這種無規(guī)散射運動的疊加。稱電子在兩次散射之間走過的平均路程為平均自由程，電子散射幾率小，則平均自由程長，電阻率低。電阻定律R=l/S中，把電阻率視為常數(shù)，與材料的幾何尺度無關(guān)，這是因為通常材料的幾何尺度遠大于電子的平均自由程（例如銅中電子的平均自由程約34nm），可以忽略邊界效應。當材料的幾何尺度小到納米量級，只有幾個原子的厚度時（例如，銅原子的直徑約為0.3nm），電子在邊界上的散射幾率大大增加，可以明顯觀察到厚度減小，電阻率增加的現(xiàn)象。電子除攜帶電荷外，還具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁場兩種可能取向。早在1936年，英國物理學家，諾貝爾獎獲得者N.F.Mott指出，在過渡金屬中，自旋磁矩與材料的磁場方向平行的電子，所受散射幾率遠小于自旋磁矩與材料的磁場方向反平行的電子。總電流是兩類自旋電流之和;總電阻是兩類自旋電流的并聯(lián)電阻，這就是所謂的兩電流模型。在圖2所示的多層膜結(jié)構(gòu)中，無外磁場時，上下兩層磁性材料是反平行（反鐵磁）耦合的。施加足夠強的外磁場后，兩層鐵磁膜的方向都與外磁場方向一致，外磁場使兩層鐵磁膜從反平行耦合變成了平行耦合。電流的方向在多數(shù)應用中是平行于膜面的。圖3是圖2結(jié)構(gòu)的某種GMR材料的磁阻特性。由圖可見，隨著外磁場增大，電阻逐漸減小，其間有一段線性區(qū)域。當外磁場已使兩鐵磁膜完全平行耦合后，繼續(xù)加大磁場，電阻不再減小，進入磁飽和區(qū)域。磁阻變化率ΔR/R達百分之十幾，加反向磁場時磁阻特性是對稱的。注意到圖2中的曲線有兩條，分別對應增大磁場和減小磁場時的磁阻特性，這是因為鐵磁材料都具有磁滯特性。有兩類與自旋相關(guān)的散射對巨磁電阻效應有貢獻。其一，界面上的散射。無外磁場時，上下兩層鐵磁膜的磁場方向相反，無論電子的初始自旋狀態(tài)如何，從一層鐵磁膜進入另一層鐵磁膜時都面臨狀態(tài)改變（平行－反平行，或反平行－平行），電子在界面上的散射幾率很大，對應于高電阻狀態(tài)。有外磁場時，上下兩層鐵磁膜的磁場方向一致，電子在界面上的散射幾率很小，對應于低電阻狀態(tài)。其二，鐵磁膜內(nèi)的散射。即使電流方向平行于膜面，由于無規(guī)散射，電子也有一定的幾率在上下兩層鐵磁膜之間穿行。無外磁場時，上下兩層鐵磁膜的磁場方向相反，無論電子的初始自旋狀態(tài)如何，在穿行過程中都會經(jīng)歷散射幾率?。ㄆ叫校┖蜕⑸鋷茁蚀螅ǚ雌叫校﹥煞N過程，兩類自旋電流的并聯(lián)電阻相似兩個中等阻值的電阻的并聯(lián)，對應于高電阻狀態(tài)。有外磁場時，上下兩層鐵磁膜的磁場方向一致，自旋平行的電子散射幾率小，自旋反平行的電子散射幾率大，兩類自旋電流的并聯(lián)電阻相似一個小電阻與一個大電阻的并聯(lián)，對應于低電阻狀態(tài)。多層膜GMR結(jié)構(gòu)簡單，工作可靠，磁阻隨外磁場線性變化的范圍大，在制作模擬傳感器方面得到廣泛應用。在數(shù)字記錄與讀出領(lǐng)域，為進一步提高靈敏度，發(fā)展了自旋閥結(jié)構(gòu)的GMR。如圖4所示。自旋閥結(jié)構(gòu)的SV-GMR(SpinvalveGMR)由釘扎層，被釘扎層，中間導電層和自由層構(gòu)成。其中，釘扎層使用反鐵磁材料，被釘扎層使用硬鐵磁材料，鐵磁和反鐵磁材料在交換耦合作用下形成一個偏轉(zhuǎn)場，此偏轉(zhuǎn)場將被釘扎層的磁化方向固定，不隨外磁場改變。自由層使用軟鐵磁材料，它的磁化方向易于隨外磁場轉(zhuǎn)動。這樣，很弱的外磁場就會改變自由層與被釘扎層磁場的相對取向，對應于很高的靈敏度。制造時，使自由層的初始磁化方向與被釘扎層垂直，磁記錄材料的磁化方向與被釘扎層的方向相同或相反（對應于0或1），當感應到磁記錄材料的磁場時，自由層的磁化方向就向與被釘扎層磁化方向相同（低電阻）或相反（高電阻）的方向偏轉(zhuǎn)，檢測出電阻的變化，就可確定記錄材料所記錄的信息，硬盤所用的GMR磁頭就采用這種結(jié)構(gòu)。實驗儀器實驗儀區(qū)域1區(qū)域2區(qū)域3圖5巨磁阻實驗儀操作面板圖5所示為巨磁阻實驗儀系統(tǒng)的實驗儀前面板圖。區(qū)域1——電流表部分：做為一個獨立的電流表使用。兩個檔位：2A檔和200mA檔，可通過電流量程切換開關(guān)選擇合適的電流檔位測量電流。區(qū)域2——電壓表部分：做為一個獨立的電壓表使用。兩個檔位：20V檔和200mV檔，可通過電壓量程切換開關(guān)選擇合適的電壓檔位。區(qū)域3——恒流源部分：可變恒流源。實驗儀還提供GMR傳感器工作所需的4V電源和電路工作所需的電源。為真空中的磁導率。采用國際單位制時，由上式計算出的磁感應強度單位為特斯拉（1特斯拉＝10000高斯）?；咎匦越M件圖6基本特性組件基本特性組件由GMR模擬傳感器，螺線管線圈及比較電路，輸入輸出插孔組成。用以對GMR的磁電轉(zhuǎn)換特性，磁阻特性進行測量。GMR傳感器置于螺線管的中央。螺線管用于在實驗過程中產(chǎn)生大小可計算的磁場，由理論分析可知，無限長直螺線管內(nèi)部軸線上任一點的磁感應強度為：B=μ0nI（1）式中n為線圈密度，I為流經(jīng)線圈的電流強度，電流測量組件圖7電流測量組件電流測量組件將導線置于GMR模擬傳感器近旁，用GMR傳感器測量導線通過不同大小電流時導線周圍的磁場變化，就可確定電流大小。與一般測量電流需將電流表接入電路相比，這種非接觸測量不干擾原電路的工作，具有特殊的優(yōu)點。角位移測量組件圖8角位移測量組件角位移測量組件用巨磁阻梯度傳感器作傳感元件，鐵磁性齒輪轉(zhuǎn)動時，齒牙干擾了梯度傳感器上偏置磁場的分布，使梯度傳感器輸出發(fā)生變化，每轉(zhuǎn)過一齒，就輸出類似正弦波一個周期的波形。利用該原理可以測量角位移（轉(zhuǎn)速，速度）。汽車上的轉(zhuǎn)速與速度測量儀就是利用該原理制成的。磁讀寫組件圖9磁讀寫組件磁讀寫組件用于演示磁記錄與讀出的原理。磁卡做記錄介質(zhì)，磁卡通過寫磁頭時可寫入數(shù)據(jù)，通過讀磁頭時將寫入的數(shù)據(jù)讀出來。實驗內(nèi)容與步驟一、GMR磁阻特性測量提供了兩種巨磁阻樣品供測試，比較。巨磁阻樣品1是由高靈敏度的巨磁阻材料構(gòu)成的，由圖3可見，一般的巨磁阻材料要在幾百高斯的磁場強度下才出現(xiàn)磁飽和，而高靈敏度巨磁阻材料的磁阻曲線斜率要大得多，在幾十高斯的外磁場強度下就已飽和。測試結(jié)果表明，這種材料的線性不如圖3所示材料，一般不能用它制造對線性度要求高的模擬傳感器，可用它制造高靈敏度的梯度傳感器。巨磁阻樣品2是制造模擬傳感器的巨磁阻材料，在制作模擬傳感器時將磁阻材料放在了磁通聚集器的磁聚集區(qū)中（見圖10及相應敘述），測試結(jié)果表明，采用這種結(jié)構(gòu)，既保證了線性，而且磁阻材料對外磁場的靈敏度比不用磁通聚集器的高靈敏度磁阻材料構(gòu)成的巨磁阻樣品1還高，說明在制造實用的器件時，材料的選擇與結(jié)構(gòu)的巧妙都是十分重要的。實驗裝置：巨磁阻實驗儀，基本特性組件。將GMR模擬傳感器置于螺線管磁場中，功能切換按鈕切換為“巨磁阻測量”實驗儀的4伏電壓源串連電流表后接至基本特性組件“巨磁電阻供電”，恒流源接至“螺線管電流輸入”。按表1數(shù)據(jù)，調(diào)節(jié)勵磁電流，逐漸減小磁場強度，記錄相應的磁阻電流于表格“減小磁場”列中。由于恒流源本身不能提供負向電流，當電流減至0后，交換恒流輸出接線的極性，使電流反向。再次增大電流，此時流經(jīng)螺線管的電流與磁感應強度的方向為負，從上到下記錄相應的輸出電壓。電流至－300mA后，逐漸減小負向電流，電流到0時同樣需要交換恒流輸出接線的極性。從下到上記錄數(shù)據(jù)于“增大磁場”列中。對巨磁阻樣品2，可按同樣的方法與類似的表格進行測量與記錄，由于樣品2對外磁場的靈敏度更高，電流變化范圍只需100mA，每次電流的變化量取表1的1/3。根據(jù)螺線管上標明的線圈密度，由公式（1）計算出螺線管內(nèi)的磁感應強度B。由歐姆定律R=U/I計算磁阻。以磁感應強度B作橫座標，磁阻為縱座標作出磁阻特性曲線。不同外磁場強度時磁阻的變化反映了GMR的磁阻特性，曲線的斜率表明磁靈敏度，同一外磁場強度下增加電流與減小電流時磁阻的差值反映了材料的磁滯特性。二、GMR模擬傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性測量在將GMR構(gòu)成傳感器時，為了消除溫度變化等環(huán)境因素對輸出的影響，一般采用橋式結(jié)構(gòu)，圖10是某型號傳感器的結(jié)構(gòu)。對于電橋結(jié)構(gòu)，如果4個GMR電阻對磁場的響應完全同步，就不會有信號輸出。圖10中，將處在電橋?qū)俏恢玫膬蓚€電阻R3、R4覆蓋一層高導磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁場對它們的影響，而R1、R2阻值隨外磁場改變。設(shè)無外磁場時4個GMR電阻的阻值均為R，R1、R2在外磁場作用下電阻減小ΔR，簡單分析表明，輸出電壓：UOUT=UINΔR/（2R-ΔR）（2）屏蔽層同時設(shè)計為磁通聚集器，它的高導磁率將磁力線聚集在R1、R2電阻所在的空間,提高了R1、R2的磁靈敏度。從圖10的幾何結(jié)構(gòu)還可見，巨磁電阻被光刻成微米寬度迂回狀的電阻條，以增大其電阻至kΩ數(shù)量級，使其在較小工作電流下得到合適的電壓輸出。圖11是某GMR模擬傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線。圖中的兩條曲線分別對應增加磁場和減小磁場時的磁電轉(zhuǎn)換特性。提供了兩種模擬傳感器供測試，比較。模擬傳感器1的磁電轉(zhuǎn)換特性與圖11相當。磁性材料的磁滯特性使磁電轉(zhuǎn)換特性有兩條曲線，增加磁場和減小磁場時的輸出是不同的，這給某些應用領(lǐng)域帶來不便。模擬傳感器2是用低磁滯材料制成的傳感器。實驗裝置：巨磁阻實驗儀，基本特性組件。將GMR模擬傳感器置于螺線管磁場中，功能切換按鈕切換為“傳感器測量”。實驗儀的5伏電壓源接至基本特性組件“試件供電”，恒流源接至“螺線管電流輸入”，基本特性組件“模擬信號輸出”接至實驗儀電壓表。將GMR模擬傳感器置于螺線管磁場中，功能切換按鈕切換為“傳感器測量”。實驗儀的4伏電壓源接至基本特性組件“巨磁電阻供電”，恒流源接至“螺線管電流輸入”，基本特性組件“模擬信號輸出”接至實驗儀電壓表。按表2數(shù)據(jù)，調(diào)節(jié)勵磁電流，逐漸減小磁場強度，記錄相應的輸出電壓于表格“減小磁場”列中。由于恒流源本身不能提供負向電流，當電流減至0后，交換恒流輸出接線的極性，使電流反向。再次增大電流，此時流經(jīng)螺線管的電流與磁感應強度的方向為負，從上到下記錄相應的輸出電壓。電流至－100mA后，逐漸減小負向電流，電流到0時同樣需要交換恒流輸出接線的極性。從下到上記錄數(shù)據(jù)于“增大磁場”列中。用同樣的方法和同樣的表格對模擬傳感器2進行測量。根據(jù)螺線管上標明的線圈密度，由公式（1）計算出螺線管內(nèi)的磁感應強度B。以磁感應強度B作橫座標，電壓表的讀數(shù)為縱座標作出磁電轉(zhuǎn)換特性曲線。不同外磁場強度時輸出電壓的變化反映了GMR傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性，同一外磁場強度下輸出電壓的差值反映了材料的磁滯特性。GMR開關(guān)（數(shù)字）傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線測量將GMR模擬傳感器與比較電路，晶體管放大電路集成在一起，就構(gòu)成GMR開關(guān)（數(shù)字）傳感器，結(jié)構(gòu)如圖12所示。比較電路的功能是，當電橋電壓低于比較電壓時，輸出低電平。當電橋電壓高于比較電壓時，輸出高電平。選擇適當?shù)腉MR電橋并結(jié)合調(diào)節(jié)比較電壓，可調(diào)節(jié)開關(guān)傳感器開關(guān)點對應的磁場強度。圖13是某種GMR開關(guān)傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線。當磁場強度的絕對值從低增加到12高斯時，開關(guān)打開（輸出高電平），當磁場強度的絕對值從高減小到10高斯時，開關(guān)關(guān)閉（輸出低電平）。實驗裝置：巨磁阻實驗儀，基本特性組件。將GMR模擬傳感器置于螺線管磁場中，功能切換按鈕切換為“傳感器測量”。實驗儀的4伏電壓源接至基本特性組件“巨磁電阻供電”，“電路供電”接口接至基本特性組件對應的“電路供電”輸入插孔，恒流源接至“螺線管電流輸入”，基本特性組件“開關(guān)信號輸出”接至實驗儀電壓表。從50mA逐漸減小勵磁電流，輸出電壓從高電平（開）轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖剑P(guān)）時記錄相應的勵磁電流于表3“減小磁場”列中。當電流減至0后，交換恒流輸出接線的極性，使電流反向。再次增大電流，此時流經(jīng)螺線管的電流與磁感應強度的方向為負，輸出電壓從低電平（關(guān)）轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖剑ㄩ_）時記錄相應的負值勵磁電流于表3“減小磁場”列中。將電流調(diào)至－50mA。逐漸減小負向電流，輸出電壓從高電平（開）轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖剑P(guān)）時記錄相應的負值勵磁電流于表3“增大磁場”列中，電流到0時同樣需要交換恒流輸出接線的極性。輸出電壓從低電平（關(guān)）轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖剑ㄩ_）時記錄相應的正值勵磁電流于表3“增大磁場”列中。表3GMR開關(guān)傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性測量高電平＝V低電平＝V減小磁場增大磁場開關(guān)動作勵磁電流/mA磁感應強度/高斯開關(guān)動作勵磁電流/mA磁感應強度/高斯關(guān)關(guān)開開根據(jù)螺線管上標明的線圈密度，由公式（1）計算出螺線管內(nèi)的磁感應強度B。以磁感應強度B作橫座標，電壓讀數(shù)為縱座標作出開關(guān)傳感器的磁電轉(zhuǎn)換特性曲線。利用GMR開關(guān)傳感器的開關(guān)特性已制成各種接近開關(guān)，當磁性物體（可在非磁性物體上貼上磁條）接近傳感器時就會輸出開關(guān)信號。廣泛應用在工業(yè)生產(chǎn)及汽車，家電等日常生活用品中，控制精度高，惡劣環(huán)境（如高低溫，振動等）下仍能正常工作。四、用GMR模擬傳感器測量電流從圖11可見，GMR模擬傳感器在一定的范圍內(nèi)輸出電壓與磁場強度成線性關(guān)系，且靈敏度高，線性范圍大，可以方便的將GMR制成磁場計，測量磁場強度或其它與磁場相關(guān)的物理量。作為應用示例，我們用它來測量電流。由理論分析可知，通有電流I的無限長直導線，與導線距離為r的一點的磁感應強度為：B=μ0I/2πr=2I×10-7/r（3）磁場強度與電流成正比，在r已知的條件下，測得B，就可知I。在實際應用中，為了使GMR模擬傳感器工作在線性區(qū)，提高測量精度，還常常預先給傳感器施加一固定已知磁場，稱為磁偏置，其原理類似于電子電路中的直流偏置。圖14模擬傳感器測量電流實驗原理圖實驗裝置：巨磁阻實驗儀，電流測量組件實驗儀的4伏電壓源接至電流測量組件“巨磁電阻供電”，恒流源接至“待測電流輸入”，電流測量組件“信號輸出”接至實驗儀電壓表。將待測電流調(diào)節(jié)至0。將偏置磁鐵轉(zhuǎn)到遠離GMR傳感器，調(diào)節(jié)磁鐵與傳感器的距離，使輸出約25mV。將電流增大到300mA，按表4數(shù)據(jù)逐漸減小待測電流，從左到右記錄相應的輸出電壓于表格“減小電流”行中。由于恒流源本身不能提供負向電流，當電流減至0后，交換恒流輸出接線的極性，使電流反向。再次增大電流，此時電流方向為負，記錄相應的輸出電壓。逐漸減小負向待測電流，從右到左記錄相應的輸出電壓于表格“增加電流”行中。當電流減至0后，交換恒流輸出接線的極性，使電流反向。再次增大電流，此時電流方向為正，記錄相應的輸出電壓。將待測電流調(diào)節(jié)至0。將偏置磁鐵轉(zhuǎn)到接近GMR傳感器，調(diào)節(jié)磁鐵與傳感器的距離，使輸出約150mV。用低磁偏置時同樣的實驗方法，測量適當磁偏置時待測電流與輸出電壓的關(guān)系。表4用GMR模擬傳感器測量電流

待測電流/mA3002001000－100－200－300輸出電壓/mV低磁偏置(約25mV)減小電流增加電流適當磁偏置(約150mV)減小電流增加電流以電流讀數(shù)作橫坐標，電壓表的讀數(shù)為縱坐標作圖。分別作出4條曲線。由測量數(shù)據(jù)及所作圖形可以看出，適當磁偏置時線性較好，斜率（靈敏度）較高。由于待測電流產(chǎn)生的磁場遠小于偏置磁場，磁滯對測量的影響也較小，根據(jù)輸出電壓的大小就可確定待測電流的大小。用GMR傳感器測量電流不用將測量儀器接入電路，不會對電路工作產(chǎn)生干擾，既可測量直流，也可測量交流，具有廣闊的應用前景。五、GMR梯度傳感器的特性及應用將GMR電橋兩對對角電阻分別置于集成電路兩端，4個電阻都不加磁屏蔽，即構(gòu)成梯度傳感器，如圖15所示。 這種傳感器若置于均勻磁場中，由于4個橋臂電阻阻值變化相同，電橋輸出為零。如果磁場存在一定的梯度，各GMR電阻感受到的磁場不同，磁阻變化不一樣，就會有信號輸出。圖16以檢測齒輪的角位移為例，說明其應用原理。將永磁體放置于傳感器上方，若齒輪是鐵磁材料，永磁體產(chǎn)生的空間磁場在相對于齒牙不同位置時，產(chǎn)生不同的梯度磁場。a位置時，輸出為零。b位置時，R1、R2感受到的磁場強度大于R3、R4，輸出正電壓。c位置時，輸出回歸零。d位置時，R1、R2感受到的磁場強度小于R3、R4，輸出負電壓。于是,在齒輪轉(zhuǎn)動過程中,每轉(zhuǎn)過一個齒牙便產(chǎn)生一個完整的波形輸出。這一原理已普遍應用于轉(zhuǎn)速（速度）與位移監(jiān)控，在汽車及其它工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛應用。實驗裝置：巨磁阻實驗儀、角位移測量組件。將實驗儀4V電壓源接角位移測量組件“巨磁電阻供電”，角位移測量組件“信號輸出”接實驗儀電壓表。逆時針慢慢轉(zhuǎn)動齒輪，當輸出電壓為零時記錄起始角度，以后每轉(zhuǎn)3度記錄一次角度與電壓表的讀數(shù)。轉(zhuǎn)動48度齒輪轉(zhuǎn)過2齒，輸出電壓變化2個周期。表5齒輪角位移的測量轉(zhuǎn)動角度/度輸