2023年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)考試考試歷年重點(diǎn)考核試題含答案

2023年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)考試考試歷年重點(diǎn)考核試題含答案（圖片大小可自由調(diào)整）第1卷一.參考題庫(kù)(共50題)1.設(shè)計(jì)一款4.5英寸，分辨率為960×640的顯示屏，能達(dá)到多少ppi？長(zhǎng)寬比為4：3的話，像素間距能達(dá)到多少？2.簡(jiǎn)述pn結(jié)的電致發(fā)光的過程。3.簡(jiǎn)述TFT制作中的各種薄膜采用的成膜方法。4.簡(jiǎn)述聚焦型FED的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)點(diǎn)。5.幾種常見的電子發(fā)射是什么？6.簡(jiǎn)述LED背光源技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。7.描述第一個(gè)液晶顯示器采用的顯示原理。8.簡(jiǎn)述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程的難點(diǎn)與特點(diǎn)。9.LED背光源采用的是白光LED，還是RGB三基色LED，哪種更有優(yōu)勢(shì)？10.簡(jiǎn)述氧化物薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED的優(yōu)勢(shì)，以及當(dāng)前的研究熱點(diǎn)？11.簡(jiǎn)述PDP顯示面臨的問題？適合應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？12.簡(jiǎn)述電流復(fù)制型和電流鏡電路的驅(qū)動(dòng)原理。13.試分析如何減少絕緣膜的針孔及工業(yè)上采用的方法。14.簡(jiǎn)述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程技術(shù)關(guān)鍵。15.簡(jiǎn)述TFT-LCD的工作原理。16.簡(jiǎn)述電容式觸摸屏的優(yōu)點(diǎn)。17.在一個(gè)演出的場(chǎng)合需要使用200英寸以上的顯示器，你選擇哪種顯示器？為什么？選18.簡(jiǎn)述底發(fā)射型OLED的優(yōu)點(diǎn)。19.簡(jiǎn)述彩色顯示的原理。20.源漏電極很多工廠采用的復(fù)層材料Mo/Al/Mo，試分析上下層Mo的作用。21.簡(jiǎn)述液晶顯示器的分類及英文縮寫。22.OLED如何實(shí)現(xiàn)彩色顯示？23.簡(jiǎn)述有機(jī)材料的光致發(fā)光的過程。24.簡(jiǎn)述MVA技術(shù)的顯示原理。25.簡(jiǎn)述背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。26.簡(jiǎn)述LED和OLED電致發(fā)光的發(fā)光原理的區(qū)別。27.簡(jiǎn)述鐵電液晶的工作原理。28.描述彩色光的3個(gè)基本參量是什么？各是什么含義？29.簡(jiǎn)述熱電子發(fā)射和冷發(fā)射的區(qū)別。30.描述無源矩陣的點(diǎn)陣式驅(qū)動(dòng)的原理。31.試分析在背溝道阻擋結(jié)構(gòu)的第二次光刻中，采用了背曝光為什么還要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行嗎？32.光度學(xué)中有哪幾個(gè)主要物理量？它們是如何定義的？各自的單位是什么？33.簡(jiǎn)述分子軌道理論。34.簡(jiǎn)述柔性顯示面臨的技術(shù)瓶頸。35.簡(jiǎn)述激光光閥顯示的結(jié)構(gòu)及顯示原理。36.簡(jiǎn)述FED與CRT顯示原理的異、同點(diǎn)。37.為什么用限流電阻可改善微尖型FED電子發(fā)射的均勻性和穩(wěn)定性？38.簡(jiǎn)述CRT顯示的原理。39.簡(jiǎn)述TFT在液晶顯示器中的作用。40.簡(jiǎn)述電阻式觸摸屏的工作原理。41.LED主要制作工藝是怎樣的？42.簡(jiǎn)述2T1C驅(qū)動(dòng)原理及面臨的問題。43.簡(jiǎn)述有源矩陣液晶顯示器的主要組成部件。44.簡(jiǎn)述a-Si：HTFT驅(qū)動(dòng)OLED面臨的困難，實(shí)現(xiàn)a-Si：HTFT驅(qū)動(dòng)的解決辦法？45.如何降低PDP工作電壓？46.為什么說AC-PDP具有存儲(chǔ)特性？存儲(chǔ)特性對(duì)圖象顯示有什么好處？47.簡(jiǎn)述自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。48.簡(jiǎn)述有源矩陣的驅(qū)動(dòng)原理。49.簡(jiǎn)述MOSFET的兩個(gè)電場(chǎng)。50.非晶硅是哪種半導(dǎo)體，其能帶的特點(diǎn)？第1卷參考答案一.參考題庫(kù)1.正確答案:2.正確答案:pn結(jié)是在一塊半導(dǎo)體兩側(cè)做不同的摻雜，一側(cè)摻雜為p型，另一側(cè)摻雜為n型，在界面處就構(gòu)成了pn結(jié)，形成空間電荷區(qū)。pn結(jié)在正向電壓下，p端加正，n端加負(fù)，非平衡少數(shù)載流子的電注入，在p側(cè)和n側(cè)注入少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合發(fā)光的現(xiàn)象。3.正確答案:柵電極、源漏電極的金屬材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoNx、Mo/Al/Mo等采用濺射；像素電極ITO透明氧化物材料采用濺射；柵極絕緣膜SiNx、SiOx采用PECVD；半導(dǎo)體層a-Si：H、歐姆接觸層n+a-Si材料采用PECVD；保護(hù)膜（鈍化膜）SiNx材料采用PECVD。4.正確答案:三極型FED中.發(fā)射電子的橫向速度很大，幾乎和縱向速度可以比擬。橫向速度導(dǎo)致電子發(fā)散角大，到達(dá)陽極后的束斑很大，限制了顯示器分辨率的提高。為了達(dá)到一定的分辨率，只有采用鄰近聚焦的方法，即將陽極靠近發(fā)射極。普通的FED中陰極和陽極間距在200-300m之間。為了防止電擊穿，陽極電壓往往在500V以下，因此只能采用低壓熒光粉。由于低壓熒光粉性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低下高壓熒光粉，低壓FED的顯示性能很不理想。 當(dāng)陰極電壓超過5000V時(shí)，可以采用中高壓焚光粉，其亮度效率和色度都可以達(dá)到理想的效果。要解決電擊穿問題，陰陽極間距需要加大到2mm以上。這么大的極間距，電子束發(fā)散問題將非常嚴(yán)重，分辨率會(huì)明顯降低。聚焦FED是解決高電壓工作的一種可行結(jié)構(gòu)，除了引出電子的柵極外，增加電子聚焦柵極，減小電子束的發(fā)散度，實(shí)現(xiàn)高陽極電壓工作。結(jié)構(gòu)主要有豎直同軸聚焦型和共面聚焦型。5.正確答案:所謂電子發(fā)射是指電子從陰極逸出進(jìn)入真空或其它氣體媒質(zhì)中的過程。 表面勢(shì)壘：克服阻礙其逸出物體表面的力。 電子發(fā)射按照其獲得外加能量的方式，即電子的受激發(fā)方式分為以下四種：熱電子發(fā)射，光電子發(fā)射，次級(jí)電子發(fā)射及場(chǎng)致電子發(fā)射。 1.熱電子發(fā)射：增加發(fā)射體內(nèi)部電子的能量使其獲得超過表面勢(shì)壘的能量的電子發(fā)射 2.光電子發(fā)射：即外光電效應(yīng)，電子靠光輻射吸收光量子能量而逸出物體產(chǎn)生的發(fā)射； 3.次級(jí)電子發(fā)射：界外獲得能量的電子穿入物體內(nèi)部，把能量傳遞給物體內(nèi)部的電子，使之逸出的發(fā)射方式； 4.場(chǎng)致電子發(fā)射：也稱冷發(fā)射，在物體表面外加電場(chǎng)降低表面勢(shì)壘而得到的電子發(fā)射。6.正確答案:1）減少LED背光源顆粒； 2）廉價(jià)直下式LED背光源。7.正確答案:動(dòng)態(tài)散射效應(yīng)顯示原理：在液晶材料上施加電場(chǎng)，外加電場(chǎng)直接對(duì)液晶分子作用，使液晶分子長(zhǎng)軸按照電場(chǎng)相應(yīng)地排列，如n型液晶垂直電場(chǎng)方向有序排列；液晶中微量雜質(zhì)的帶電粒子受電場(chǎng)作用后分別向兩極移動(dòng)，使離子所過之處液晶分子受到離子沖擊而轉(zhuǎn)動(dòng)，破壞液晶分子的有序排列；電場(chǎng)繼續(xù)增加，液晶分子處于不斷搖擺狀態(tài)，發(fā)生紊亂，造成液晶屏各部分折射率分布的不均勻。有光通過液晶屏，入射光會(huì)被散射掉。8.正確答案:5次光刻分別為源漏電極、有源島、柵極、過孔、ITO像素電極。 第一次光刻在玻璃基板上沉積一層基層薄膜，濺射源漏金屬層，光刻出源漏電極及信號(hào)線。第二次光刻用PECVD方法連續(xù)沉積介質(zhì)層、非晶硅層，利用高溫環(huán)境去氫處理，再激光晶化轉(zhuǎn)變成多晶硅薄膜。光刻出有源島圖形。第三次光刻先用PECVD方法沉積絕緣膜，相當(dāng)于第二層介質(zhì)層。再用濺射柵極金屬層，光刻出柵極及掃描線。利用柵極掩膜遮擋離子注入形成源區(qū)和漏區(qū)。 第四次光刻用PECVD方法沉積鈍化層，相當(dāng)于第三層介質(zhì)層，保護(hù)TFT。光刻形成需要的孔，讓下面金屬曝露出來及形成相應(yīng)的連接?？子袃煞N：第一種是需要連續(xù)刻蝕第三層介質(zhì)層、第二層介質(zhì)層、第一層介質(zhì)層，露出源漏金屬層；第二種是刻蝕第三層介質(zhì)層，露出柵極金屬層。 第五次光刻形成像素電極。并且用像素電極與多晶硅的源區(qū)和漏區(qū)接觸，與源漏電極相連。 存儲(chǔ)電容為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，由柵極金屬層和像素電極ITO，中間夾著第三介質(zhì)層構(gòu)成。9.正確答案:白色光LED背光源采用能發(fā)出白色光的LED光源代替原來的CCFL熒光管。結(jié)構(gòu)與CCFL背光源基本一致，主要差別是CCFL是線光源，而LED是點(diǎn)光源。優(yōu)點(diǎn)是：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、亮度可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)、容易實(shí)現(xiàn)區(qū)域控制、對(duì)比度很高。由于白光LED不涉及背光源的調(diào)光，在電路結(jié)構(gòu)方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺點(diǎn)是：在色彩顯示特性方面上不如RGB-LED電視，一般只能達(dá)到NTSC色域的70%左右。 RGB-LED背光源的優(yōu)點(diǎn)是： 1）高色彩表現(xiàn)力。采用RGB三原色獨(dú)立發(fā)光器件，能實(shí)現(xiàn)廣色域； 2）高動(dòng)態(tài)對(duì)比度。RGB-LED電視可以支持背光區(qū)域調(diào)光技術(shù)，亮度調(diào)節(jié)更容易實(shí)現(xiàn)，對(duì)比度能夠達(dá)到千萬：1級(jí)，提高了電視的圖像質(zhì)量。RGB-LED背光源的缺點(diǎn)是：成本高；需要單獨(dú)的調(diào)光電路和更好的散熱結(jié)構(gòu)；結(jié)構(gòu)復(fù)雜，難以做到輕薄化。 從性能上比RGB三基色LED更有優(yōu)勢(shì)，從成本上比白光LED更有優(yōu)勢(shì)。10.正確答案:優(yōu)點(diǎn)是載流子遷移率為10cm2/Vs左右，閾值電壓的變化與LTPS相當(dāng)，可以采用濺射方法制作，不受基板尺寸限制，對(duì)現(xiàn)在的TFTLCD生產(chǎn)線不需要較大改動(dòng)。 研究熱點(diǎn)在于：1）由于載流子有氧空位，制造過程和工作狀態(tài)下易受到影響，TFT特性穩(wěn)定性和工藝重復(fù)性差，成為量產(chǎn)前急需解決的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)難題。通過在成膜后施加熱處理，有望改善； 2）在相同體系中其他半導(dǎo)體材料的研發(fā)，減少貴金屬材料的使用，降低材料成本； 3）更為便宜的制造工藝的研發(fā)，如涂布和噴印技術(shù)。11.正確答案:面臨的問題：1）PDP顯示器中，存在等離子體對(duì)熒光粉的燒傷問題； 2）PDP顯示器中為防止像素間的放電干擾，必須采用障壁結(jié)構(gòu)； 3）PDP的等離子體是在高壓下產(chǎn)生的，某些像素要獲得高亮度還需要更高的瞬時(shí)功率，成本高； 4）PDP顯示器的單元像素變小時(shí)，發(fā)光效率會(huì)降低，亮度也會(huì)下降。PDP的發(fā)光效率較CRT明顯低很多。 應(yīng)用：只適用于比較大、清晰度較低的顯示器。12.正確答案:電流復(fù)制型驅(qū)動(dòng)原理可以分為兩步信號(hào)電流寫入和復(fù)制發(fā)光兩步，以p溝道TFT為例。信號(hào)電流寫入階段，信號(hào)線輸入信號(hào)電流，同時(shí)要將驅(qū)動(dòng)管T4流過的信號(hào)電流相應(yīng)的柵源電壓VGS，存儲(chǔ)在儲(chǔ)存電容里；重新復(fù)制一樣或成比例的電流流過OLED發(fā)光。電流鏡驅(qū)動(dòng)原理也是分為兩個(gè)過程，信號(hào)電流寫入、復(fù)制發(fā)光。13.正確答案:一般采用多層薄膜疊加的柵絕緣膜，還有許多采用連續(xù)生長(zhǎng)的辦法。還有在兩層絕緣膜之間加清洗的方法。14.正確答案:1）第一次光刻有源島； 2）第二次光刻?hào)艠O； 3）第三次光刻n-區(qū)和n+區(qū)摻雜； 4）第四次光刻p+區(qū)摻雜； 5）第五次光刻過孔及第六次光刻源漏電極； 6）第七次光刻金屬M(fèi)3層和第八次光刻過孔 7）第九次光刻像素電極。 技術(shù)關(guān)鍵是第三次光刻采用SiNx等材料作為溝道保護(hù)層，而在頂柵結(jié)構(gòu)中用柵極圖形自對(duì)準(zhǔn)掩膜部分阻擋摻雜。首先利用涂膠曝光顯影后形成光刻膠的圖形。光刻膠的圖形覆蓋n溝道TFT的溝道區(qū)域和Los區(qū)、驅(qū)動(dòng)部分p溝道TFT的有源島區(qū)域。用磷烷（PH3）通過離子摻雜（或離子注入）摻入磷P，除光刻膠覆蓋區(qū)域外形成了磷摻雜區(qū)域，摻雜濃度為1017~1018cm-3，為輕摻雜的電子導(dǎo)電的n-區(qū)。去膠后用柵極做掩膜，再進(jìn)行磷摻雜。有源島的Los區(qū)域輕摻雜了磷，而有源島的源區(qū)和漏區(qū)第二次摻雜磷后，形成重?fù)诫s區(qū)，摻雜濃度變?yōu)?020~1021cm-3。有源島形成了三種狀態(tài)，重?fù)诫s的電子導(dǎo)電區(qū)n+區(qū)、部分輕摻雜的n-區(qū)和未摻雜的多晶硅溝道區(qū)。輕摻雜的n-區(qū)主要用于形成LDD結(jié)構(gòu)的Los區(qū)。重?fù)诫s的n+區(qū)主要用于作n溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)。15.正確答案:TFT液晶顯示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行掃描和列尋址線，構(gòu)成一個(gè)矩陣，在其交點(diǎn)上制作出TFT有源器件和像素電極。同一行中與各像素串連的場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的柵極是連在一起的。而信號(hào)電極Y將同一行中各FET的漏極連在一起。而FET的源極則與液晶的像素電極相連。為了增加液晶像素的馳豫時(shí)間，還對(duì)液晶像素并聯(lián)上一個(gè)合適電容。 當(dāng)掃描到某一行時(shí)，掃描脈沖使該行上的全部FET導(dǎo)通。同時(shí)各列將信號(hào)電壓施加到液晶像素上，即對(duì)并聯(lián)電容器充電。這一行掃描過后，各FET處于開路狀態(tài)，不管以后列上信號(hào)如何變化，對(duì)未掃描行上的像素都無影響，即信號(hào)電壓可在液晶上保持接近一幀時(shí)間，使占空比達(dá)到百分之百，而與掃描行數(shù)無關(guān)。16.正確答案:1）操作新奇，電容式觸摸屏支持多點(diǎn)觸控，操作更加直觀、更具趣味性； 2）不易誤觸，電容式觸摸屏只感應(yīng)人體的電流，只有人才能進(jìn)行操作，其他物體碰觸時(shí)不會(huì)有反應(yīng)，避免了放在包內(nèi)或兜內(nèi)等誤觸的可能。 3）耐用度高，電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)較好，可以有效防止塵埃、污漬對(duì)計(jì)算觸點(diǎn)位置的影響，在防塵、防水、耐磨等方面更耐用。17.正確答案:擇發(fā)光二極管顯示器。因?yàn)榘l(fā)光二極管顯示器是采用無數(shù)個(gè)小發(fā)光二極管拼接組成的顯示器。不受組裝數(shù)量的限制，適合于大型、戶外顯。18.正確答案:優(yōu)點(diǎn)是： 1）陰極可以采用蒸鍍的金屬電極，器件性能好； 2）工藝簡(jiǎn)單，比較容易產(chǎn)業(yè)化。19.正確答案:液晶顯示器利用紅、綠、藍(lán)三色彩膜的加法混色法獲得各種色彩。背光源的白光射入液晶層，通過不同程度地控制每個(gè)像素上液晶分子的扭曲，照射到彩膜上紅、綠、藍(lán)三基色染料的光不同程度地通過，形成不同顏色的光在人眼混合形成彩色圖像。20.正確答案:1）下層Mo的作用：Al直接與a-Si接觸很容易向a-Si擴(kuò)散使漏電流增大，影響TFT的關(guān)態(tài)特性，所以在Al層下面要增加一層Mo。 2）上層Mo的作用：Al容易產(chǎn)生小丘，表面粗超度不好，且Al與上面層ITO直接接觸，容易還原ITO材料，降低ITO的電阻率，引起接觸不良，因此要在Al的上面增加一層Mo。21.正確答案:液晶顯示器主要分為無源矩陣和有源矩陣液晶顯示器。無源矩陣液晶顯示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、鐵電液晶、Ch-N相轉(zhuǎn)變模式等液晶顯示器。有源矩陣液晶顯示器又包括二端子和三端子器件兩類。二端子器件有MIM、MSI（SiNx硅氧化膜）、DR、BTB二極管、Pin二極管/（a-Si）等。三端子器件主要有MOSFET和TFT，TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT，CdSTFT、有機(jī)TFT（OTFT）等。 22.正確答案:23.正確答案:有機(jī)材料在光的激發(fā)下，入射光的能量與分子軌道的某個(gè)能級(jí)差一致時(shí)，有機(jī)材料吸收入射光的能量，使基態(tài)電子激發(fā)到更高的激發(fā)態(tài)能級(jí)上去，形成電子和空穴對(duì)，產(chǎn)生激子。激子可以輻射復(fù)合和非輻射復(fù)合退激發(fā)會(huì)到基態(tài)。當(dāng)吸收入射光能量產(chǎn)生的激子以輻射復(fù)合發(fā)出光的形式釋放能量的過程稱為光致發(fā)光，可以產(chǎn)生熒光和磷光的輻射復(fù)合，還有一部分能量以熱的形式釋放的非輻射復(fù)合。24.正確答案:不加電壓下，液晶分子在液晶屏內(nèi)并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界處液晶分子會(huì)偏向某一個(gè)角度；上下偏振片光軸垂直，從一個(gè)偏振片通過的偏振光，穿過液晶層，到另一個(gè)偏振片后與光軸垂直，不透光呈黑態(tài)。 當(dāng)加電壓后，n型液晶分子在電場(chǎng)下要垂直電場(chǎng)排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內(nèi)傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過各層，由于雙折射產(chǎn)生干涉，透光呈白態(tài)。在視覺觀察下，MVA技術(shù)上下基板交錯(cuò)的三角棱狀的凸起物，共同作用下兩個(gè)疇的液晶分子排列更加整齊有序，利用這種不同指向的液晶分子長(zhǎng)軸方向來實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償。25.正確答案:優(yōu)點(diǎn)是光刻次數(shù)少，材料成本低，工藝節(jié)拍短；缺點(diǎn)是刻蝕選擇比小，a-Si：H層相應(yīng)要做得厚些，一般為1500~2000?，工藝難度大，厚度控制要求嚴(yán)格。26.正確答案:發(fā)光原理的區(qū)別是： 1）LED常采用pn結(jié)和異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。OLED是單層或多層薄膜結(jié)構(gòu)； 2）LED用能帶模型解釋發(fā)光過程。OLED用激子模型解釋發(fā)光過程； 3）LED電注入的電子和空穴是自由載流子，直接復(fù)合發(fā)光。 激子的束縛能小于0.1eV，在室溫下的影響可以忽略。OLED電注入的電子和空穴形成激子，激子的結(jié)合能約0.4~1eV，接近帶隙的數(shù)量級(jí)，激子復(fù)合而發(fā)光。27.正確答案:當(dāng)對(duì)鐵電液晶的液晶屏加上直流電壓時(shí)，自發(fā)極化的偶極矩與電場(chǎng)相互作用，使液晶分子自極化方向指向電場(chǎng)方向，螺距變長(zhǎng)。當(dāng)電場(chǎng)超過一定值時(shí)，螺旋結(jié)構(gòu)消失。當(dāng)電場(chǎng)方向反向時(shí)，分子的極化方向也反向，液晶分子相對(duì)于層面法線的傾斜角也從θ變成-θ，即在基板面內(nèi)變化了角度2θ。在E＜-Ec時(shí)，通過下偏振片的光，通過鐵電液晶層，到上偏振片，與上偏振片光軸垂直，不能透光為暗態(tài)；當(dāng)E＞+Ec時(shí)，通過下偏振片的光，通過鐵電液晶層，剛好扭曲了2θ，與上偏振片光軸幾乎平常，光透過為亮態(tài)。28.正確答案:色調(diào)是指在物體反射的光線中以哪種波長(zhǎng)占優(yōu)勢(shì)來決定的，不同波長(zhǎng)產(chǎn)生不同顏色的感覺。色調(diào)是彩色最重要的特征，它決定了顏色本質(zhì)的基本特征。 顏色的飽和度是指一個(gè)顏色的鮮明程度。飽和度是顏色色調(diào)的表現(xiàn)程度，它取決于表面反射光的波長(zhǎng)范圍的狹窄性（即純度）。在物體反射光的組成中，白色光越少，則它的色彩飽和度越大。 明度是指刺激物的強(qiáng)度作用于眼睛所發(fā)生的效應(yīng)，它的大小是由物體反射系數(shù)來決定的，反射系數(shù)越大，則物體的明度越大，反之越小。明度是人眼直接感受到的物體明亮程度，可描寫人眼主觀亮度感覺。29.正確答案:熱電子發(fā)射是利用加熱物體提供能量使電子從物體表面逸出的過程。當(dāng)物體溫度升高，電子的無序熱運(yùn)動(dòng)能量隨之增大。升高到一定程度，電子克服體內(nèi)的束縛力從物體表面逸出，發(fā)射出來進(jìn)入真空。 冷陰極發(fā)射是一種場(chǎng)致電子發(fā)射的過程，又稱自發(fā)射。當(dāng)物體表面電場(chǎng)加強(qiáng)，不需要加熱，陰極體內(nèi)的電子在電場(chǎng)下獲得足夠的能量后，克服體內(nèi)的束縛力，利用隧道效應(yīng)從表面發(fā)射出來進(jìn)入真空。30.正確答案:1）行電極逐行選通； 2）列電極同時(shí)施加時(shí)序信號(hào)； 3）完成一幀后，重復(fù)上述過程。31.正確答案:背曝光是一種自對(duì)準(zhǔn)的光刻工藝，不需要掩膜版，利用柵線和柵極的金屬圖形做掩膜進(jìn)行曝光的工藝。柵線、柵極、存儲(chǔ)電容等有金屬薄膜的地方上面的光刻膠都沒有曝光，其他沒有遮擋的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻膠的性質(zhì)發(fā)生改變。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把柵線和存儲(chǔ)電容上面的光刻膠被一次曝光的紫外光照射到，留下阻擋層圖像。 為了形成精確對(duì)準(zhǔn)且能夠恰好在柵極上面的i/sSiNx阻擋層小圖形，采用連續(xù)兩次曝光，先背面曝光再一次曝光相結(jié)合的光刻工藝。僅采用一次曝光，對(duì)版精度和圖形的大小都要受到限制，工藝難度大。32.正確答案:33.正確答案:分子軌道理論概括為： 1）在分子中的任何電子，可以看成是在組成分子的所有原子核和其余電子所構(gòu)成的勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)； 2）每一個(gè)描述單個(gè)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的波函數(shù)就是一個(gè)分子軌道，是原子軌道的線性組合，且每個(gè)分子軌道對(duì)應(yīng)一個(gè)相應(yīng)的能量； 3）分子軌道中內(nèi)的電子是離域化的自由電子，但只局限在該分子之內(nèi)； 4）組成有機(jī)材料的多個(gè)分子構(gòu)成了多個(gè)能量相近的分子軌道，但彼此之間存在一定能量差。34.正確答案:面臨的技術(shù)瓶頸主要有： 1）性能差； 2）壽命低； 3）生產(chǎn)設(shè)備不成熟； 4）相關(guān)高科技技術(shù)還未匹配。35.正確答案:激光光閥顯示由液晶盒、激光尋址組件、光源部分、屏幕四部分組成。?顯示原理可以分為四個(gè)過程： 1）激光束尋址，激光器發(fā)出的激光經(jīng)調(diào)制后照射到分束鏡上，聚焦后投射到液晶盒上。 2）液晶分子的光學(xué)參數(shù)發(fā)生改變。光學(xué)參數(shù)與附近沒有受到激光照射部分的近晶相不同，被激光投射的部分呈現(xiàn)出液體的光散射狀態(tài)，沒有被激光束投射到的液晶分子仍保持垂直表面取向的透明結(jié)構(gòu)。光源的光透射狀態(tài)不一樣，因此控制激光束的掃描，在整個(gè)畫面上形成為穩(wěn)定的光散射部分和光透過部分，顯示出相應(yīng)的圖像。 3）圖像保持，激光束尋址掃描到下一點(diǎn)時(shí)，剛剛掃描的點(diǎn)液晶溫度開始下降，又出現(xiàn)相變過程。在降溫相變過程中，形成了一種光散射的焦錐結(jié)構(gòu)，會(huì)一直保持圖像到下一次激光照射掃描，也就是可以保持一幀的畫面，類似有源矩陣液晶顯示器中存儲(chǔ)電容的功能。 4）擦除過程，在液晶盒內(nèi)的透明電極上施加高于液晶分子閾值電壓的電場(chǎng)，迫使液晶分子恢復(fù)到初始的透明狀態(tài)，為圖像的擦除過程。36.正確答案:37.正確答案:場(chǎng)發(fā)射在空間上的均勻性和時(shí)間上的穩(wěn)定性方面較差，這是由發(fā)射原理決定的。在場(chǎng)發(fā)射中，為了產(chǎn)生有效發(fā)射，發(fā)射體表面電場(chǎng)非常強(qiáng)，不可能實(shí)現(xiàn)完全的空間電荷限制。發(fā)射電流不僅與陽極或柵極電壓有關(guān)，而且與發(fā)射體參數(shù)有關(guān)。微尖場(chǎng)發(fā)射過程中受表面形態(tài)變化、離子轟擊、氣體吸附等多種因素影響，造成發(fā)射電流起伏不定。 如果沒有自動(dòng)反饋控制，場(chǎng)發(fā)射陰極很難正常工作。提高發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性的一個(gè)常用方法是增加串聯(lián)電阻，其作用為： （1）限流作用。當(dāng)個(gè)別發(fā)射體發(fā)射過大時(shí)，由于電阻的分壓作用使電流受限，從而均衡了各發(fā)射體的發(fā)射能力； （2）當(dāng)個(gè)別發(fā)射微尖與柵極發(fā)射短路時(shí)，電阻承受了電壓降，其他微尖仍能正常工作。由于微尖數(shù)量極大，個(gè)別微尖的損失影響不大。如果沒有串聯(lián)電阻，整個(gè)發(fā)射陣列就會(huì)失效。38.正確答案:電子槍發(fā)射出電子束，用視頻信號(hào)調(diào)制電子束流，用電子透鏡的聚集系統(tǒng)來匯聚電子束，在熒光屏上將電子束聚焦。幾經(jīng)聚焦、調(diào)控的電子光束打在熒光粉上時(shí)，會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)。通過控制電子束的方向和強(qiáng)度，可產(chǎn)生不同的顏色與亮度。當(dāng)顯示器接收到由計(jì)算機(jī)顯示卡或由電視信號(hào)發(fā)射器所傳出來的圖像信號(hào)時(shí)，電子槍會(huì)從屏幕的左上角開始向右方掃描，然后由上至下依次掃射下來，如此反復(fù)的掃描即可構(gòu)成人們所看到的影像。39.正確答案:TFT在液晶顯示器中起著開關(guān)的作用，器件性能的優(yōu)劣直接影響圖像顯示的質(zhì)量。40.正確答案:電阻式觸摸屏采用分壓原理在特定方向上測(cè)定X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)，以四線電阻式觸摸屏為例說明工作原理。當(dāng)手指或觸摸筆觸碰屏幕時(shí)，上下兩個(gè)透明阻性層因壓力作用在某一點(diǎn)相互接觸，電阻性表面被分隔成兩個(gè)電阻。觸摸點(diǎn)坐標(biāo)的測(cè)定分為兩個(gè)過程。首先，當(dāng)在上層電極（X+，X-）上施加電壓，電壓從X+位置處的Vin變化到X-位置處的0V。下層電極（Y+，Y-）不施加電壓，但在觸點(diǎn)處上下層電極接觸而導(dǎo)通，測(cè)試下層觸點(diǎn)處的電壓就是觸點(diǎn)處的電壓。根據(jù)測(cè)試電壓的數(shù)值Vout確定觸點(diǎn)的（X+，X-）坐標(biāo)。觸點(diǎn)處相當(dāng)于一個(gè)分壓器，上下兩個(gè)電阻串聯(lián)，上面的電阻R1連接施加的電壓Vin，下面的電阻R2接地。41.正確答案:42.正確答案:驅(qū)動(dòng)原理： 1）當(dāng)掃描線掃描到某一行，掃描線給開關(guān)TFT的柵極加電壓，T1管導(dǎo)通； 2）信號(hào)線送入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，經(jīng)由T1管給驅(qū)動(dòng)TFT柵極加電壓，T2管導(dǎo)通； 3）信號(hào)電壓同時(shí)給存儲(chǔ)電容充電，把信號(hào)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容中； 4）信號(hào)電壓控制T2管導(dǎo)通后，電源線施加一個(gè)恒定的電壓，T2管工作在飽和區(qū)，像素處于點(diǎn)亮狀態(tài)。