GB/T 42838-2023半導(dǎo)體集成電路霍爾電路測(cè)試方法

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42838—2023

半導(dǎo)體集成電路

霍爾電路測(cè)試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

MeasuringmethodofHolzercircuit

2023-08-06發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42838—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院南京中旭電子科技有限公司合肥美菱物聯(lián)科技有

:、、

限公司北京微電子技術(shù)研究所東莞市國夢(mèng)電機(jī)有限公司

、、。

本文件主要起草人尹航劉芳何萬海唐食明張帆劉德廣

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T42838—2023

半導(dǎo)體集成電路

霍爾電路測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路霍爾電路以下稱為器件電特性測(cè)試方法

()。

本文件適用于半導(dǎo)體集成電路霍爾電路電特性的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

工作點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度magneticoperatepoint

Bop

在工作點(diǎn)上垂直穿過單位面積的磁力線的數(shù)量

。

32

.

釋放點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度magneticreleasepoint

BRP

在釋放點(diǎn)上垂直穿過單位面積的磁力線的數(shù)量

。

33

.

回差returndifference

BH

在儀表全部測(cè)量范圍內(nèi)被測(cè)量值上行和下行所得到的兩條特性曲線之間的最大偏差

,。

34

.

輸出上升時(shí)間outputrisetime

tr

電路輸出由低電平變?yōu)楦唠娖剿璧臅r(shí)間

。

35

.

輸出下降時(shí)間outputfalltime