GB/T 35307-2023流化床法顆粒硅

ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35307—2023

代替GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

Granularpolysiliconproducedbyfluidizedbedmethod

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35307—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替流化床法顆粒硅與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編

GB/T35307—2017《》,GB/T35307—2017,

輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了范圍見(jiàn)第章年版的第章

a)(1,20171);

更改了顆粒硅的牌號(hào)表示方法見(jiàn)第章年版的

b)(4,20174.1);

更改了顆粒硅的技術(shù)指標(biāo)要求見(jiàn)年版的

c)(5.1,20174.2);

更改了特級(jí)品顆粒硅的粒徑要求見(jiàn)年版的

d)(5.2.1,20174.3.1);

更改了顆粒硅的表面質(zhì)量要求見(jiàn)年版的

e)(5.3,20174.4);

更改了顆粒硅碳含量的測(cè)試方法見(jiàn)年版的

f)(6.3,20175.3);

更改了顆粒硅氫含量的測(cè)試方法見(jiàn)年版的

g)(6.4,20175.4);

更改了顆粒硅粒徑的測(cè)試方法見(jiàn)年版的

h)(6.6,20175.6);

更改了取樣方法見(jiàn)年版的

i)(7.4.1,20176.4.1)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司有色

:、、

金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司上海賽夫特半

、、

導(dǎo)體材料有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司樂(lè)山協(xié)鑫新能源科技有限公司宜昌南玻硅材料有

、()、、

限公司

。

本文件主要起草人朱共山蘭天石蔣立民賀東江王彬李素青徐夢(mèng)徐巖李朋飛劉輝付緒光

:、、、、、、、、、、、

秦榕劉曉霞宗冰王永亮謝巖田洪先劉文明

、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2017,。

Ⅰ

GB/T35307—2023

流化床法顆粒硅

1范圍

本文件規(guī)定了流化床法顆粒硅的牌號(hào)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和隨

、、、、、、、

行文件及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于以氯硅烷硅烷氣為原料采用流化床法生產(chǎn)的顆粒狀多晶硅以下簡(jiǎn)稱顆粒硅

、,()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

粒度分析圖像分析法第部分動(dòng)態(tài)圖像分析法

GB/T21649.22:

硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T31854

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T35306、

用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程

GB/T35309

流化床法顆粒硅氫含量的測(cè)定脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法

GB/T40566

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號(hào)

顆粒硅的牌號(hào)表示應(yīng)符合