SSD的現(xiàn)狀及發(fā)展前景

精品文檔-下載后可編輯SSD的現(xiàn)狀及發(fā)展前景半導體硬盤SSD(固態(tài)硬盤)由NAND閃存、NAND控制器以及用作緩沖存儲器的DRAM所構(gòu)成(見圖1)。在SSD中，壞塊管理、糾錯編碼(ECC)及單元調(diào)整等處理都由NAND控制器的閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)來執(zhí)行。SSD的性能不僅取決于NAND閃存的性能，而且在很大程度上還會受到NAND控制器算法的影響。因此，在優(yōu)化NAND控制器的設(shè)計時，需要考慮到NAND閃存的特性。本文將基于NAND閃存的器件技術(shù)及電路技術(shù)，以NAND控制器技術(shù)為中心，論述SSD技術(shù)的現(xiàn)狀和今后的挑戰(zhàn)等。

性能優(yōu)于HDD問題在于如何繼續(xù)保持優(yōu)勢

在SSD內(nèi)部，NAND控制器的閃存轉(zhuǎn)換層負責控制以下的多個處理：NAND閃存的壞塊管理，糾錯編碼，用于平衡各單元讀寫次數(shù)的損耗均衡(warelevelling)，將邏輯地址轉(zhuǎn)換為物理地址，以及多塊NAND閃存的并行工作等。

為了驗證目前的SSD的性能，將其傳輸大容量數(shù)據(jù)時的重要指標――連續(xù)(串行)數(shù)據(jù)傳輸速率以及隨機存取時間，和1.8英寸的HDD進行比較。在將文件尺寸遠大于NAND閃存的寫入單位――頁面尺寸(4KB-8KB)的數(shù)據(jù)(如圖像或音樂數(shù)據(jù)等)傳輸?shù)絊SD中時，表1所示的NAND閃存的連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率決定了SSD的性能。

同使用1位，單元(SLC，單級單元)的NAND閃存時相比，當采用速度較低的2位/單元的多值(MLC，多級單元)NAND閃存時，利用四塊芯片并行工作的方式，SSD可以實現(xiàn)的連續(xù)存取性能將超過1.8英寸HDD的水平：讀取速度可達100MBps，寫入速度可達40MBps。

另一方面，對于在個人電腦等設(shè)備中應(yīng)用的SSD來說，在更改操作系統(tǒng)或應(yīng)用軟件時頻繁發(fā)生的數(shù)據(jù)擦寫操作的文件尺寸都小于NAND閃存的頁面尺寸。因此，在這類應(yīng)用中，SSD的隨機存取性能也很重要。如表2所示，NAND閃存的隨機存取時間非常短。而HDD的磁頭需要從硬盤移動到目標磁道上，所以，HDD的隨機存取時間通常大于5ms。

某些處理性能不如HDD

但在某些情況下，如進行數(shù)據(jù)的讀出和寫入的混合處理時，SSD的性能不如HDD。這種處理包括數(shù)據(jù)的復(fù)制或碎片收集(對存放在幾個存儲塊內(nèi)已變成許多碎片的文件的整理操作)等。

性能不佳的原因在于，NAND閃存是以32～64條字線所構(gòu)成的存儲塊為單位進行擦除操作的(見圖2)。從原理上來說，擦除操作不能只改寫存儲塊內(nèi)的一部分數(shù)據(jù)。存儲塊的擦除尺寸為512KB～1MB，遠大于個人電腦的擦寫單位――扇區(qū)尺寸(512B～4KB)。因此，當只擦寫存儲塊內(nèi)的一部分文件時，在擦除該存儲塊之前，必須將存儲塊內(nèi)的其他文件移到空閑的存儲塊內(nèi)。該操作被稱為存儲塊復(fù)制(見圖3)。

存儲塊復(fù)制由以下的一系列操作組成：讀出NAND閃存的數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)從閃存輸出到控制器，在控制器中進行糾錯編碼，將數(shù)據(jù)寫入閃存。在最壞的情況下，這項操作需要耗費100ms以上。

需要提高存儲塊復(fù)制的速度

對于SSD來說，存儲塊復(fù)制速度的提高是有待解決的重大課題之一。因為，可以預(yù)料到，今后的趨勢將是比以前更加頻繁地執(zhí)行存儲塊復(fù)制操作。隨著工藝的發(fā)展及存儲容量的增加，NAND閃存的字線所連接的存儲單元數(shù)量以及串聯(lián)的存儲單元數(shù)量將會增加，存儲塊尺寸也隨之增大。于是，存儲塊復(fù)制操作發(fā)生的頻率將增加。

為了提高存儲塊復(fù)制的速度，東芝公司提出了被稱為“智能頁面復(fù)制(IntelligentPageCopy)”的方案。利用該方法，在具有寫入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)保持功能的頁面緩沖器中設(shè)置專用的數(shù)據(jù)高速緩存區(qū)域，并以流水線方式對新存儲塊的寫入操作、從NAND閃存向控制器輸出數(shù)據(jù)的操作以及糾錯編碼等進行處理(見圖4)。

利用流水線使速度提高34％

智能頁面復(fù)制的過程大致可以分為四個階段。首先，將需要復(fù)制的頁面讀取到頁面緩沖器中(第1階段)；接著，從NAND閃存向控制器輸出數(shù)據(jù)，并進行糾錯編碼(第2階段)。到這里為止，其過程和以前的存儲塊復(fù)制相同。

和以前的不同點在于：在將數(shù)據(jù)寫入新的存儲塊(存放復(fù)制件的位置)之前，先將下次需要復(fù)制的數(shù)據(jù)讀取到頁面緩沖器的高速緩存區(qū)域內(nèi)(第3階段)。在最后的第4階段中，將數(shù)據(jù)寫入NAND閃存新的存儲塊中，與此同時，將下次需要復(fù)制的頁面的數(shù)據(jù)從NAND閃存輸出到控制器內(nèi)，并進行糾錯編碼。也就是說，這種方法可同時進行以下的操作：向NAND閃存寫入數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)從NAND閃存輸出到控制器內(nèi)，以及在控制器內(nèi)進行糾錯編碼。因此，該方法可將存儲塊復(fù)制的時間縮短34％(見圖5)。

另外，東芝公司及SanDisk公司在43nm工藝的NAND閃存中采用的存儲器陣列結(jié)構(gòu)“全位線(All-Bitline)”，對于提高存儲塊的復(fù)制速度也很有效(見圖6)。在以前的“交替位線(Alternate―Bitline)”結(jié)構(gòu)的存儲器陣列中，頁面緩沖器共享奇數(shù)位線和偶數(shù)位線。奇數(shù)位線和偶數(shù)位線是交替選通的，因此不能同時進行存取操作。

而在全位線結(jié)構(gòu)中，頁面緩沖器連接到所有位線上。奇數(shù)位線和偶數(shù)位線可以同時進行存取操作，從而使寫入速度提高了一倍。另外，由于存儲塊內(nèi)包含的頁面數(shù)量變?yōu)橐郧暗?/2，因此存儲塊的復(fù)制速度也提高了一倍。

關(guān)鍵在于削減NAND閃存的消耗電流

為了取代HDD，SDD不僅在性能方面需要提高存儲塊復(fù)制的速度，而且還必須削減NAND閃存的消耗電流。

目前，NAND閃存的消耗電流低于1.8英寸的HDD(見表3)。無論是SLC還是MLC，NAND閃存工作時的消耗電流均為30mA左右。即使為了提高速度而使用四塊芯片并行工作時，總消耗電流也只有120mA。再加上位于SSD內(nèi)部的控制器和DRAM所消耗的約100mA的電流，SSD整體的消耗電流為220mA，仍然低于HDD的300mA。

但是，為了使SSD今后在消耗電流方面還能繼續(xù)保持對HDD的優(yōu)勢，有必要更加積極地推進削減NAND閃存消耗電流的研發(fā)工作。

隨著制造工藝的發(fā)展，NAND閃存中位線等的布線寄生電容增加，每塊NAND閃存芯片的消耗電流增大。另外，為了實現(xiàn)今后的大容量NAND閃存，將采用超多值技術(shù)(在一個存儲單元內(nèi)存放3位以上的數(shù)據(jù))并采用更先進的工藝，屆時，NAND閃存的寫入速度將會降低，這也是使SSD的消耗電流增大的主要原因。

寫入速度隨著制造工藝的發(fā)展而下降的原因在于，相鄰單元之間的電容耦合噪聲或隨機電報噪聲，以及制造工藝的不一致性增大(見圖7)。

隨機電報噪聲是因為浮柵中的電子被隧道氧化膜中的電荷陷阱捕獲/發(fā)射而發(fā)生的。在此時，電荷是動態(tài)移動的，因此存儲單元的閾值電壓會發(fā)生不規(guī)則的振蕩，導致單元特性出現(xiàn)不一致的現(xiàn)象。這種隨機電報噪聲和相鄰單元之間的電容耦合噪聲，都將隨著工藝的發(fā)展而迅速增大。

需要超高速或超低功耗技術(shù)

為了使采用更大容量NAND閃存的SSD能夠?qū)崿F(xiàn)所期望的性能，有必要增加并行工作的NAND閃存的數(shù)量，這將導致消耗電流增大。例如，3位，單元的NAND閃存的寫入速度，比2位/單元的NAND閃存大約低20％。將并行工作的NAND閃存的數(shù)量從四個增加到五個，就可以實現(xiàn)與采用2位/單元產(chǎn)品時相當?shù)膶懭胨俣?。雖然在采用3位/單元產(chǎn)品時，SSD的消耗電流將達到250mA，大于采用2位/單元產(chǎn)品時的220mA，但仍然小于1.8英寸HDD的300mA。

但是，當采用4位/單元的產(chǎn)品時，情況完全不同。東芝公司在2022年試制的4位/單元的NAND閃存，采用并非最先進的70nm工藝，且頁面尺寸也小，所以寫入速度很低，只有0.6MBps。為了達到現(xiàn)有SSD通常的40MBps的寫入速度，就需要使用60塊以上的芯片并行工作。但在這樣的情況下，SSD的消耗電流將增大到難以容許的程度，為2A，因此，該解決方案是沒有現(xiàn)實意義的。

當然，由于采用的設(shè)計工藝不同，因此并不能這樣簡單地進行比較。但可以肯定，為了在SSD中使用4位/單元的產(chǎn)品，必須大幅提高NAND閃存的速度，或開發(fā)超低功耗技術(shù)，以保證在使用幾十塊芯片超并行工作時，消耗電流仍然能保持在容許的范圍之內(nèi)。

利用多種技術(shù)跨越可擦寫次數(shù)的限制

NAND閃存是通過在單元的浮柵內(nèi)積累電子的方式來存儲數(shù)據(jù)的：寫入時，利用Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)向浮柵注入電子；擦除時的情況正好相反，利用Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)從浮柵發(fā)射電子。

當反復(fù)進行寫入或擦除操作時，隧道氧化膜中將生成捕獲電荷的陷阱。浮柵內(nèi)的電子將通過該陷阱泄漏到溝道中，使存儲的數(shù)據(jù)遭到破壞(數(shù)據(jù)保持失常)。這種漏電流被稱為SILC(應(yīng)力引發(fā)漏電流)，是導致存儲單元故障的主要原因。

當繼續(xù)反復(fù)進行寫入或擦除操作時，隧道氧化膜中的陷阱位置的數(shù)量增加，于是，數(shù)據(jù)保持失常的單元數(shù)量也隨之增多。對于數(shù)據(jù)保持時間，NAND閃存的技術(shù)規(guī)格規(guī)定：MLC產(chǎn)品的可擦寫次數(shù)約為1萬次，SLC產(chǎn)品的可擦寫次數(shù)約為10萬次。下文將介紹一些可在擦寫次數(shù)增加時確保數(shù)據(jù)保持特性的SSD技術(shù)。

通過強有力的ECC確?？煽啃?/p>

浮柵的電子泄露現(xiàn)象甚至在NAND閃存斷電時也會發(fā)生。所以，在防止發(fā)生失?，F(xiàn)象時，不能像在工作中電源保持接通的DRAM那樣使用定期更新存儲單元數(shù)據(jù)的方法。

在NAND閃存中，有必要以存儲單元將依照某種概率發(fā)生失?，F(xiàn)象為前提，利用NAND控制器執(zhí)行糾錯編碼(ECC)操作。ECC在HDD中就已被采用，但HDD中和SDD中采用的ECC代碼各不相同。在HDD中，由于磁頭和磁盤的接觸，往往在特定的存儲器區(qū)域發(fā)生失?，F(xiàn)象集中的區(qū)段性失常，所以，通常采用里德一所羅門代碼(Reed-SolomonCode)，以解決許多錯誤集中發(fā)生于狹窄區(qū)域的區(qū)段性錯誤。而在NAND閃存中，失常通常是零星地發(fā)生在隨機的位置上，所以，采用能解決隨機性錯誤的BCH代碼(BoseChaudhumHocquenghemCode)，會比里德-所羅門代碼簡單。

在面向存儲卡以及USB存儲器、數(shù)碼相機、便攜式媒體播放器、手機等便攜式設(shè)備的應(yīng)用中，所使用的ECC可糾正每512字節(jié)中4位～8位的錯誤。便攜式設(shè)備中的NAND閃存是用于暫時存放音樂或圖像數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)，這類數(shù)據(jù)往往在電腦中存有備份。而且，便攜式設(shè)備的產(chǎn)品壽命實際上很短，只有2年～3年，因此相應(yīng)對于NAND閃存的可靠性要求也并不嚴格。

但是，當作為SSD應(yīng)用于個人電腦中時，就要求其具有更長的產(chǎn)品壽命。而且，由于個人電腦中的數(shù)據(jù)通常都沒有備份，同便攜式設(shè)備相比，就要求NAND閃存具有更嚴格的可靠性。為了滿足個人電腦對可靠性的要求，同便攜式設(shè)備相比，SSD中采用的ECC代碼需要具有更強的糾錯能力。

平衡各單元的擦寫次數(shù)

對于容量為64GB的SSD來說，預(yù)計用戶每天需要擦寫的數(shù)據(jù)量是2GB-8GB。該數(shù)字來自英特爾公司以及三星電子、東芝公司等SSD供應(yīng)商對于個人電腦利用狀況的調(diào)查報告，此報告認為，在正常使用及休眠情況下，電腦每天的擦寫數(shù)據(jù)量為2GB～8GB左右。在休眠方式下，存儲區(qū)域的使用量會增加到2倍左右。

在五年內(nèi)每天均使用SSD的情況下，總擦寫次數(shù)為(2GB～8GB×365天×5年)/64GB=60次～230次，遠少于NAND閃存1萬次～10萬次的可擦寫次數(shù)。但是，這個計算的前提是SSD內(nèi)所有的存儲單元都均衡地進行擦寫操作。為了實現(xiàn)這一前提，NAND控制器有必要執(zhí)行損耗均衡操作，平衡各個存儲單元之間的擦寫次數(shù)，以避免寫入操作集中到特定的存儲區(qū)域內(nèi)。

損耗均衡的兩種方法

執(zhí)行損耗均衡操作時，需要監(jiān)視NAND閃存內(nèi)各個存儲塊的擦寫次數(shù)，并將數(shù)據(jù)寫入到擦寫次數(shù)最少的存儲塊內(nèi)。因此，需要把由操作系統(tǒng)輸入的寫入數(shù)據(jù)的邏輯地址轉(zhuǎn)換為NAND閃存的物理地址。這項地址轉(zhuǎn)換操作是由SSD內(nèi)的NAND控制器執(zhí)行的，而不是由主機執(zhí)行。所以，當NAND閃存的地址結(jié)構(gòu)因采用了更先進的工藝或采用了多值技術(shù)而發(fā)生變化時，主機側(cè)也無需修改。

損耗均衡的實現(xiàn)方法有動態(tài)和靜態(tài)兩種。在SSD中存放的數(shù)據(jù)大致可以分成靜態(tài)數(shù)據(jù)和動態(tài)數(shù)據(jù)兩類：操作系統(tǒng)或應(yīng)用軟件等系統(tǒng)數(shù)據(jù)是靜態(tài)數(shù)據(jù)，并不頻繁地進行擦寫操作；動態(tài)數(shù)據(jù)則是需要頻繁擦寫的數(shù)據(jù)，如用戶數(shù)據(jù)等。

當執(zhí)行動態(tài)的損耗均衡操作時，存放靜態(tài)數(shù)據(jù)的存儲塊被排除在操作對象之外。因此，擦寫操作集中于存放動態(tài)數(shù)據(jù)的存儲塊內(nèi)。同時，在存放靜態(tài)數(shù)據(jù)的存儲塊內(nèi)，擦寫次數(shù)減少(見圖8)。

當執(zhí)行靜態(tài)的損耗均衡操作時，將所有的存儲塊(包括存放靜態(tài)數(shù)據(jù)的存儲塊在內(nèi))都作為操作對象。這種方法能夠有效實現(xiàn)更均衡的擦寫次數(shù)(見圖9)。在靜態(tài)損耗均衡的算法中，首先找到擦寫次數(shù)最少的存儲塊。如果該存儲塊是空閑的，就寫入數(shù)據(jù)；如果該存儲塊存放有靜態(tài)數(shù)據(jù)，則在將靜態(tài)數(shù)據(jù)移動到擦寫次數(shù)多的存儲塊之后，再往該存儲塊中寫入數(shù)據(jù)。

誤寫入有可能增加

NAND閃存是以4KB-8KB的頁面為單位進行寫入的，這時的限制條件是在同一頁面上只能寫入一次。當對同一頁面進行多次寫入時，由于編程干擾(誤寫入)，有可能會錯誤地將數(shù)據(jù)寫入到意料之外的非選通存儲單元中(見圖10)。

編程干擾隨著工藝發(fā)展日趨嚴重。在70nm以下的工藝中，由于GIDL(柵極引發(fā)漏極泄露)效應(yīng)而引起的誤寫入現(xiàn)象顯著增多(見圖11)。在NAND列的選通電路端，由于GIDL而生成的電子在單元的源極區(qū)域被加速成為熱電子，并進入浮柵。目前所采用的抑制誤寫入操作的方法是：延長選通電路和存儲單元之間的距離，或插入假選通電路等。

隨著工藝的發(fā)展，由G1DL引起的編程干擾越來越嚴重。其原因在于：為了抑制先進工藝中產(chǎn)生的短溝道效應(yīng)，根據(jù)Dennard縮放比例定律，有必要提高存儲單元的源極、漏極以及襯底的摻雜密度。當雜質(zhì)密度提高時，源/漏區(qū)域的電場增強，GIDL隨之增大。在邏輯芯片等電路中，根據(jù)本來的縮放比例定律，可以采用降低電壓的方法來減弱電場，從而抑制GIDL。但是，在NAND閃存中不能使用這種方法。其原因在于：為了保持數(shù)據(jù)，存儲單元的隧道氧化膜不能減薄。為了解決這個問題，需要開發(fā)可以使用低電壓工作的單元結(jié)構(gòu)，如隧道氧化膜采用具有大介電常數(shù)的材料膜，或是柵極絕緣膜采用鐵電體膜，并利用電荷極化實現(xiàn)存儲結(jié)構(gòu)等。

通過優(yōu)化操作系統(tǒng)發(fā)揮SSD的性能

為了最大限度地發(fā)揮SSD的性能及可靠性，必須得到面向個人電腦的操作系統(tǒng)的支持。Windows等目前的操作系統(tǒng)最適于HDD，今后則要求操作系統(tǒng)能最適于SSD。

下文將介紹一些試圖通過操作系統(tǒng)的優(yōu)化來提高SSD的性能及可靠性的實例。包括SLC和MLC的混合式SSD、扇區(qū)尺寸的調(diào)整、減少向SSD寫入的頻率，以及故障預(yù)測等。

將NAND閃存用作HDD的高速緩存區(qū)可以提高電腦的性能，目前，有一部分個人電腦中已經(jīng)采用了ReadyBoost、ReadyDrive、Robson等閃存加速技術(shù)。這種將NAND閃存和HDD組合使用的方法，在目前閃存單位存儲容量的價格高于HDD的條件下，是很有效。但是，隨著NAND閃存成本的下降，這種混合式硬盤有可能將發(fā)展成為由閃存單獨構(gòu)成存儲設(shè)備的SSD。

一些廠商的產(chǎn)品表明，今后的主流SSD產(chǎn)品將是混合式SSD，即由SLC和MLC或是由SLC和各種MLC(2位/單元、3位/單元、4位/單元等)適當?shù)亟M合而成。在這種混合式SSD中，可以使用大容量而低成本的MLC存放用戶數(shù)據(jù)，同時使用高速而可靠性高的SLC存放數(shù)據(jù)量小的系統(tǒng)數(shù)據(jù)，或?qū)LC用作MLC的高速緩存。混合式SSD可以根據(jù)所要求的性能及成本、可靠性等相應(yīng)地混合SLC和MLC，以實現(xiàn)優(yōu)化。

如果是2位，單元的MLC，從其性能、消耗電流及可靠性的估計結(jié)果來看，將有可能單獨構(gòu)成SSD。在這種情況下，可以集成人少量的SLC用作MLC的高速緩存，分擔一部分系統(tǒng)數(shù)據(jù)的存放任務(wù)，進一步提高SSD的性能。

3位/單元的MLC產(chǎn)品還正在開發(fā)，產(chǎn)品的可靠性水平還不清楚。雖然還不能斷定是否必須混合使用，但可以肯定3位，單元產(chǎn)品的性能和可靠都不如2位/單元產(chǎn)品，所以，有可能應(yīng)該與SLC組合使用。

就現(xiàn)有的技術(shù)水平，采用4位/單元產(chǎn)品構(gòu)成的SSD的寫入性能會比HDD遜色。如果為了實現(xiàn)性能要求而增加并行工作的NAND閃存芯片的數(shù)量，則功耗將增大到不能容許的水平。因此，在使用4位，單元產(chǎn)品時，必須采用混合式SSD。使用4位/單元產(chǎn)品存儲幾乎不進行改寫的數(shù)據(jù)，如字體數(shù)據(jù)或操作系統(tǒng)、一部分應(yīng)用軟件等。也就是說，充分利用4位/單元產(chǎn)品成本低廉的特點，像使用ROM一樣使用4位/單元產(chǎn)品。

操作系統(tǒng)和控制器協(xié)同工作

對于由SLC和MLC構(gòu)成的混合式SSD來說，如果只是將SLC作為MLC的高速緩存區(qū)使用，則SSD本身就能實現(xiàn)，并不需要操作系統(tǒng)的支持。但是，在由SLC、2位，單元產(chǎn)品、3位/單元產(chǎn)品及4位/單元產(chǎn)品混合構(gòu)成的SSD中，為了實現(xiàn)根據(jù)文件種類轉(zhuǎn)換存儲區(qū)域的控制，就必須使用操作系統(tǒng)對文件內(nèi)容進行識別，這就需要NAND控制器和操作系統(tǒng)的協(xié)作。

為了優(yōu)化混合式SSD的寫入操作，需要將控制分為以下四個階段，并按順序進行：由操作系統(tǒng)識別寫入數(shù)據(jù)的內(nèi)容；由操作系統(tǒng)根據(jù)寫入數(shù)據(jù)的種類，決定SSD內(nèi)的寫入?yún)^(qū)域；由操作系統(tǒng)指定目標區(qū)域的地址，并把寫入信息輸入SSD；在SSD中執(zhí)行寫入操作。

最適當?shù)纳葏^(qū)尺寸

在NAND閃存中，對于同一頁面只能寫入一次。因此，為了有效地使用NAND閃存，從主機傳輸數(shù)據(jù)時最好是以頁面尺寸為單位。但在目前的操作系統(tǒng)中，文件管理單位的扇區(qū)尺寸是512B，遠小于NAND閃存的頁面尺寸。

當在NAND閃存中寫入1個扇區(qū)尺寸(512B)的數(shù)據(jù)時，整個頁面中80％以上的區(qū)域被浪費(見圖12)，導致可有效使用的存儲容量下降。為了確保存儲容量，就必須頻繁地進行碎片收集操作，導致NAND閃存的存儲塊復(fù)制操作增加，結(jié)果，SSD的性能顯著劣化。

在作為SSD使用時，為了提高性能，必須采用四塊NAND閃存并行進行寫入操作。考慮到這一點，NAND閃存的有效頁面尺寸將變得更大，達到32KB-64KB。同時，由于字線長度將隨著工藝的發(fā)展和容量的增加而延長，因此NAND閃存本身的頁面尺寸今后也會變大。

為了使SSD有效地工作，操作系統(tǒng)管理文件的扇區(qū)尺寸最好能增大為頁面尺寸的倍數(shù)，即128KB或256KB。

目前的扇區(qū)尺寸是根據(jù)硬盤上的磁道長度決定的。隨著密度的提高，HDD中的磁道長度也會增加。HDD行業(yè)團體IDEMA(國際硬盤驅(qū)動器設(shè)備與材料協(xié)會)正在推進更大扇區(qū)尺寸(4KB)技術(shù)標準LBD(LongBlockData)的制訂工作，并得到了