2023年研究生類研究生入學(xué)考試專業(yè)課計(jì)算機(jī)學(xué)科專業(yè)綜合基礎(chǔ)-材料科學(xué)基礎(chǔ)歷年高頻考題帶答案難題附詳解

2023年研究生類研究生入學(xué)考試專業(yè)課計(jì)算機(jī)學(xué)科專業(yè)綜合基礎(chǔ)-材料科學(xué)基礎(chǔ)歷年高頻考題帶答案難題附詳解（圖片大小可自由調(diào)整）第1卷一.歷年考點(diǎn)試題黑鉆版(共50題)1.擴(kuò)散

擴(kuò)散的微觀機(jī)制有哪些？一般情況下，哪種機(jī)制擴(kuò)散快一些？一個(gè)經(jīng)凝固而有微觀非平衡偏析的合金，采用哪些措施可加速擴(kuò)散使合金均勻化？描述該過程應(yīng)用哪種擴(kuò)散第二定律的解？2.位錯(cuò)的兩種基本類型為______和______，其中刃型位錯(cuò)的位錯(cuò)線方向與柏氏矢量的關(guān)系為______。3.簡(jiǎn)述形變金屬在加熱時(shí)的回復(fù)和再結(jié)晶過程及其組織與性能的變化。4.若由于嵌入一額外的(111)面，使得α-Fe內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)傾斜1°的小角度晶界，試求錯(cuò)排間的平均距離。5.分析固態(tài)相變和回復(fù)再結(jié)晶過程的驅(qū)動(dòng)力。6.分析多晶體金屬的變形過程及影響多晶體金屬變形的因素。7.反應(yīng)擴(kuò)散8.擴(kuò)散第一定律只適合于______條件，第一定律所表達(dá)的基本含義是：在______的條件下，只要濃度梯度存在就會(huì)有擴(kuò)散發(fā)生，而且擴(kuò)散通量與濃度梯度成______變化。擴(kuò)散流動(dòng)方向是由______濃度向______濃度。9.有一截面積為1mm2、長(zhǎng)度為10mm的圓柱狀晶體在拉應(yīng)力作用下，①與圓柱體軸線成45°的晶面上若有一個(gè)位錯(cuò)線運(yùn)動(dòng)，它穿過試樣從另一面穿出，問試樣將發(fā)生多大的伸長(zhǎng)量(設(shè)b=2×10-10m)?②若晶體中位錯(cuò)密度為1014m-2，當(dāng)這些位錯(cuò)在應(yīng)力作用下全部運(yùn)動(dòng)并走出晶體，試計(jì)算由此而發(fā)生的總變形量(假定沒有新的位錯(cuò)產(chǎn)生)。③求相應(yīng)的正應(yīng)變。10.退火11.Al-Cu-Ni三元合金相圖的500℃等溫截面如圖所示。

1．在圖中標(biāo)出合金A(wAl=20%，wCu=40%，wNi=40%)和合金B(yǎng)(wAl=60%，wCu=10%，wNi=30%)的位置。

2．分別寫出合金A和合金B(yǎng)中的平衡相，以及各相的成分點(diǎn)(在圖中用字母表示)。

3．分別計(jì)算合金A和合金B(yǎng)中各平衡相的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(可用字母列式表示)。12.什么是一次帶狀組織和二次帶狀組織？分析一次帶狀組織和二次帶狀組織形成的原因。13.工業(yè)純鋁在室溫下經(jīng)大變形量軋制成帶材后，測(cè)得室溫力學(xué)性能為冷加工態(tài)的性能。查表得知：工業(yè)純鋁的再結(jié)晶溫度T再=150℃，但若將上述工業(yè)純鋁薄帶加熱至100℃，保溫16d后冷至室溫再測(cè)其強(qiáng)度，發(fā)現(xiàn)強(qiáng)度明顯降低，請(qǐng)解釋其原因。14.馬氏體相變時(shí)，新相往往在母相的一定晶面上開始形成，這個(gè)晶面稱為______。15.In具有四方結(jié)構(gòu)，其相對(duì)原子質(zhì)量Ar=114.82，原子半徑r=0.1625nm，品格常數(shù)a=0.3252nm，c=0.4946nm，密度ρ=7.286g/cm3，試問In的單位晶胞內(nèi)有多少個(gè)原子?In的致密度為多少?16.如圖所示A-B-C三元系中有兩個(gè)穩(wěn)定化合物AmBn和B1Ck，

①畫出可能存在的偽二元系。

②如何用簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)方法證明哪種偽二元系是正確的?17.擴(kuò)散激活能的物理意義為何？試比較置換擴(kuò)散和間隙擴(kuò)散的激活能的大小。18.Mn的同素異構(gòu)體有一為立方結(jié)構(gòu)，其晶格常數(shù)a=0.632nm，ρ=7.26g/cm3，r=0.122nm，問Mn晶胞中有幾個(gè)原子，其致密度為多少?19.粘土荷電的主要原因有：______、______和______。20.在低溫時(shí)，一般晶體中發(fā)生的擴(kuò)散是非本征擴(kuò)散。21.假定TA＞TB＞TC＞Te1＞Te2＞Te3＞TE。

1．畫出T溫度(Te1＞T＞Te2)的水平截面圖。

2．畫出AX垂直截面圖。

22.慣習(xí)面23.在同一滑移面上有兩根相平行的位錯(cuò)線，其伯氏矢量大小相等且相交成φ角，假設(shè)兩伯氏矢量相對(duì)位錯(cuò)線呈對(duì)稱配置(圖3-26)，試從能量角度考慮，φ在什么值時(shí)兩根位錯(cuò)線相吸或相斥?

24.分別解釋柯氏氣團(tuán)(Cottrellatmosphere)和鈴木氣團(tuán)(Suzukiatmosphere)在強(qiáng)化金屬中的作用。25.Hall-Petch(霍爾-佩奇)公式26.指出并解釋馬氏體相變的特征。27.偽共析28.在下列幾類晶體中，形成間隙型固溶體的次序是______。A.沸石＞CaFn＞TiO2＞MgOB.MgO＞TiO2＞CaF2＞沸石C.CaF2＞TiO2＞MgO＞沸石D.TiO2＞MgO＞CaF2＞沸石29.若將一位錯(cuò)線的正向定義為原來的反向，此位錯(cuò)的伯氏矢量是否改變?位錯(cuò)的類型性質(zhì)是否變化?一個(gè)位錯(cuò)環(huán)上各點(diǎn)位錯(cuò)類型是否相同?30.將一根長(zhǎng)為20m、直徑為14mm的鋁棒通過孔徑為12.7mm的模具拉拔，試求：①這根鋁棒拉拔后的尺寸；②這根鋁棒要承受的冷加工率。31.在FCC晶體的(111)面上有一自左向右掃過的Shockley分位錯(cuò)和一正三角形空位片MNO，如圖所示，已知為。

1．寫出各位錯(cuò)的柏式矢量。

2．判斷各位錯(cuò)的性質(zhì)。

3．指出Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ區(qū)原子在[111]方向的堆垛次序。32.繪出(110)、(112)、(113)晶面的晶帶軸，并寫出其具體的方向指數(shù)。33.分析和討論影響金屬或合金中原子擴(kuò)散的主要因素。34.活性氧35.畫出立方晶系的[100]、[101]晶向和(111)、晶面及六方晶系的晶向、(0001)晶面。36.畫出下列晶體的一個(gè)晶胞：(a)纖鋅礦(ZnS)；(b)鈣鈦礦(BaTiO3)；(c)方石英(SiO2)。37.有一硅單晶片，厚0.5mm，其一端面上每107個(gè)硅原子包含兩個(gè)鎵原子，另一個(gè)端面經(jīng)處理后含鎵的濃度增高。試求在該面上每107個(gè)硅原子須包含幾個(gè)鎵原子，才能使?jié)舛忍荻瘸蔀?×1026原子數(shù)/(m3·m)，硅的點(diǎn)陣常數(shù)為0.5407nm。38.在Fe中形成1mol空位的能量為104.675kJ，試計(jì)算從20℃升溫至850℃時(shí)空位數(shù)目增加多少倍?39.試計(jì)算Na2O·CaO·Al2O3·3SiO2玻璃的四個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)Z、R、X和Y。40.在多電子的原子中，核外電子的排布應(yīng)遵循哪些原則?41.分析多晶體金屬的變形過程及影響多晶體金屬變形的因素。42.簡(jiǎn)述晶粒生長(zhǎng)與二次再結(jié)晶的特點(diǎn)，以及造成二次再結(jié)晶的原因和防止二次再結(jié)晶的方法。43.下圖為兩種材料中原子結(jié)合的鍵能曲線，回答：

(1)哪種材料的彈性模量大？

(2)哪種材料的熱膨脹系數(shù)大？

(3)依據(jù)圖，示意畫出兩種材料的鍵力曲線。44.圖為錫青銅(銅-錫二元合金)的平衡狀態(tài)圖。

1．結(jié)合此圖所示，識(shí)別其中有幾個(gè)包晶轉(zhuǎn)變、幾個(gè)共晶轉(zhuǎn)變、幾個(gè)共析轉(zhuǎn)變？幾種類型的固溶體？并舉例說明各是何種類型的固溶體？

2．分析含錫為20%(Wt.)的錫青銅的平衡結(jié)晶及其在隨后的冷卻至室溫的過程中各經(jīng)歷了哪幾種相的轉(zhuǎn)變？其室溫下的平衡組織是什么？并繪制其組織示意圖(標(biāo)示出其中的基本組成物的名稱)、計(jì)算組織中的基本組成相的含量各是多少？(圖中虛線所示為不同快冷條件下的非平衡轉(zhuǎn)變示意圖曲線，與本題要求無關(guān)。)

45.證明一維點(diǎn)陣的α-β相界面錯(cuò)配可用一列刃型位錯(cuò)完全調(diào)節(jié)，位錯(cuò)列的間距為，式中αβ為β相的點(diǎn)陣常數(shù)，δ為錯(cuò)配度。46.配位數(shù)47.MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)。Mg2+的離子半徑為0.078nm，O2-的離子半徑為0.132nm。試求MgO的密度(ρ)、致密度(K)。48.(A-B-C三元相圖如圖所示)

1．劃分分三角形。

2．標(biāo)出界線的性質(zhì)(共熔界線用單箭頭，轉(zhuǎn)熔界線用雙箭頭)。

3．指出化合物S1和S2的性質(zhì)。

4．說明E、F、H點(diǎn)的性質(zhì)，并列出相變式。

5．分析M點(diǎn)的析晶路程(表明液、固相組成點(diǎn)的變化，并在液相變化的路徑中注明各階段的相變化和自由度數(shù))。

49.已知金剛石晶胞中最近鄰的原子間距為0.1544nm，試求出金剛石的點(diǎn)陣常數(shù)a、配位數(shù)C.N.和致密度ξ。50.有哪些因素影響形成非晶態(tài)金屬？為什么？第1卷參考答案一.歷年考點(diǎn)試題黑鉆版1.參考答案：擴(kuò)散的微觀機(jī)制主要有間隙機(jī)制和代位機(jī)制。按間隙機(jī)制擴(kuò)散時(shí)更快，因間隙原子尺寸小，又不需空位的存在?？赏ㄟ^加熱退火、形變后再退火、高能粒子輻射提高空位濃度加強(qiáng)擴(kuò)散(但不經(jīng)濟(jì)不實(shí)用)。用正弦解可描述擴(kuò)散時(shí)的濃度分布。2.參考答案：刃型位錯(cuò)；螺型位錯(cuò)；垂直3.參考答案：經(jīng)過塑性變形的金屬在加熱過程中將依次發(fā)生回復(fù)和再結(jié)晶過程，在溫度低于再結(jié)晶溫度時(shí)，主要發(fā)生點(diǎn)缺陷的濃度的降低，內(nèi)應(yīng)力的消除，位錯(cuò)組態(tài)的改變，光學(xué)顯微組織沒有變化；此時(shí)，強(qiáng)度、硬度、塑性等力學(xué)性能基本不變，但電阻下降明顯。達(dá)到或超過再結(jié)晶溫度后，將在原來變形晶粒內(nèi)形成低缺陷密度的新晶粒，晶粒基本呈等軸狀，此時(shí)，強(qiáng)度等力學(xué)性能和物理性能迅速恢復(fù)到變形前的水平。4.參考答案：α-Fe晶體的晶格常數(shù)

故5.參考答案：固態(tài)相變的驅(qū)動(dòng)力是新、舊兩相間的自由能差，回復(fù)再結(jié)晶的驅(qū)動(dòng)力是形變儲(chǔ)存能。6.參考答案：多晶體金屬的變形過程中每個(gè)晶粒的變形主要是滑移，還可能出現(xiàn)孿生和扭折，需要開動(dòng)多個(gè)滑移系，出現(xiàn)交滑移，由于晶界的影響還有位向差效應(yīng)和晶界的阻滯效應(yīng)。

影響因素主要有晶粒大小、變形溫度、變形速度。7.參考答案：在固態(tài)擴(kuò)散的過程中，如果滲入元素在金屬中溶解度有限，隨著擴(kuò)散原子增多，當(dāng)滲入原子的濃度超過飽和溶解度時(shí)則形成不同于原相的固溶體或中間相，從而使金屬表層分為出現(xiàn)新相和不出現(xiàn)新相的兩層，這種通過擴(kuò)散而形成新相的過程稱為反應(yīng)擴(kuò)散。8.參考答案：穩(wěn)態(tài)；=0；正比；高；低9.參考答案：①

②若全部位錯(cuò)都在與圓柱軸線成45°的平面上運(yùn)動(dòng)，由于圓柱體中位錯(cuò)數(shù)目為n=l·d·ρ=，它們?nèi)孔叱鰣A柱晶體時(shí)所發(fā)生的總變形量△L'=nb=1.128×109×2×10-10=0.226(m)

③相應(yīng)的正應(yīng)變10.參考答案：將金屬及其合金加熱至相變溫度以上，保溫一段時(shí)間，然后以較為緩慢的速度冷卻，以獲得近于平衡組織的熱處理工藝稱為退火。11.參考答案：1．如圖所示。

2．合金A：平衡相α+β，α的成分為a點(diǎn)，β的成分為b點(diǎn)；

合金B(yǎng)；平衡相ε+(Al)+δ，ε的成分為c點(diǎn)，(Al)的成分為d點(diǎn)；δ的成分為e點(diǎn)。

3．合金A：

合金B(yǎng)：12.參考答案：一次帶狀組織是凝固時(shí)形成枝晶，熱軋后成帶狀而產(chǎn)生的；在CuCl2浸蝕下，黑色條帶是枝晶干(含溶質(zhì)少)，白色條帶常是富集雜質(zhì)的枝晶間，也稱原始帶狀。二次帶狀是固態(tài)轉(zhuǎn)變的產(chǎn)物，在硝酸酒精浸蝕下，白色帶狀是先共析鐵素體，黑色帶狀是珠光體，也稱顯微帶狀組織。只有在一次帶狀的基礎(chǔ)上才會(huì)產(chǎn)生二次帶狀。這些帶狀都與元素的偏析和夾雜物的特殊分布有關(guān)。13.參考答案：查表所得工業(yè)純鋁的再結(jié)晶溫度T再=150℃是指在1h退火完成再結(jié)晶的溫度。實(shí)際上，除了退火溫度外，保溫時(shí)間也對(duì)再結(jié)晶過程產(chǎn)生影響。對(duì)經(jīng)大冷變形后的金屬材料，即使在T＜T再時(shí)進(jìn)行退火，只要保溫時(shí)間足夠，同樣可發(fā)生再結(jié)晶過程?？捎脙煞N方法加以判斷：①金相檢驗(yàn)；②將已知的T1，t1，t2，Q代入公式，求得T2，將其與100℃比較，即可得知是否發(fā)生再結(jié)晶。14.參考答案：慣習(xí)面15.參考答案：①

故In的單位晶胞中有2個(gè)原子。

②16.參考答案：①如圖所示。

②當(dāng)三元系存在兩個(gè)以上的穩(wěn)定化合物時(shí)，把三元系簡(jiǎn)化劃分的方法就不止一種，如圖所示，在A-B二元系中有一個(gè)AmBn穩(wěn)定的化合物，在B-C二元系中有一個(gè)B1Ck穩(wěn)定的化合物，劃分簡(jiǎn)化三元系時(shí)即可按圖中實(shí)線，也可按圖中虛線加上兩個(gè)化合物的連線劃分。但不可能同時(shí)存在這兩種劃分方法，它們是不相容的，只有一種劃分方法是真實(shí)的。如果兩種劃分都是可能的話，則在實(shí)線和虛線的交點(diǎn)成分可以在一個(gè)溫度范圍存在四相，這是不可能的。至于哪一種方法是正確的，可用簡(jiǎn)單的方法實(shí)際測(cè)定。例如對(duì)圖中的M成分，待它平衡后檢驗(yàn)它存在什么相，如果存在AmBn相，則實(shí)線是正確的；如果存在B1Ck相，則虛線是正確的。17.參考答案：擴(kuò)散激活能的物理意義是原子躍遷過程中必須克服周圍原子對(duì)其的阻礙，即必須克服勢(shì)壘。相比而言，間隙擴(kuò)散的激活能較小。18.參考答案：

故每單位晶胞內(nèi)有20個(gè)原子。

19.參考答案：同晶置換；腐殖質(zhì)離解；邊面破鍵20.參考答案：A21.參考答案：1．見圖a。

2．見圖b。

22.參考答案：固態(tài)相變時(shí)，新相往往在母相的一定晶面開始形成，這個(gè)晶面稱為慣習(xí)面。23.參考答案：設(shè)想將兩根位錯(cuò)線合并為一根，合并后的伯氏矢量為b3。若合并后能量是增加的，則兩根位錯(cuò)線是相斥的；若合并后能量是降低的，則兩根位錯(cuò)線相吸。

根據(jù)位錯(cuò)應(yīng)變能表達(dá)式可算得：

合并前：

合并后：

當(dāng)(E1+E2)-E3=0時(shí)，可算得兩位錯(cuò)間作用力為零時(shí)的φ值，即

將代入上式，得

當(dāng)φ＜80°，(E1+E2)＜E3，兩位錯(cuò)線相斥；φ＞80°，(E1+E2)＞E3，兩位錯(cuò)線相吸。24.參考答案：柯氏氣團(tuán)：BCC晶體(如碳鋼)中，C、N等小尺寸原子優(yōu)先分布于刃型位錯(cuò)的拉應(yīng)力區(qū)，對(duì)位錯(cuò)產(chǎn)生釘扎作用。要使位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，必須從釘扎作用下撕脫出，需要增加額外的應(yīng)力，從而提高了材料的強(qiáng)度。

鈴木氣團(tuán)：FCC晶體(如不銹鋼)中，Ni、Cr等合金元素優(yōu)先分布于層錯(cuò)區(qū)，降低層錯(cuò)能，使擴(kuò)展位錯(cuò)區(qū)擴(kuò)大，要使該擴(kuò)展位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，需要增加額外的應(yīng)力，從而提高了材料的強(qiáng)度。25.參考答案：表示屈服強(qiáng)度與晶粒尺寸之間的關(guān)系。

式中，為常數(shù)；d為晶粒直徑(m)；σs為屈服強(qiáng)度(MPa)。26.參考答案：(1)無擴(kuò)散性

相變過程不發(fā)生成分變化，參與轉(zhuǎn)變的所有原子運(yùn)動(dòng)協(xié)同一致，相鄰原子的相對(duì)位置不變，而且相對(duì)位移量小于一個(gè)原子間距。

(2)具有表面浮突和切變共格性

馬氏體相變產(chǎn)生均勻切變或稱為點(diǎn)陣切變，造成結(jié)構(gòu)變化，試樣表面出現(xiàn)浮突現(xiàn)象，馬氏體和母相之間的界面為共格界面。

(3)存在慣習(xí)面及其不應(yīng)變性

馬氏體在母相的一定晶面上形成，此晶面成為慣習(xí)面。慣習(xí)面是一個(gè)無畸變不轉(zhuǎn)動(dòng)的平面。

(4)新相和母相之間有嚴(yán)格的取向關(guān)系

馬氏體和母相之間主要有以下位向關(guān)系：①K-S關(guān)系；②G-T關(guān)系；③西山關(guān)系。

(5)馬氏體具有內(nèi)部亞結(jié)構(gòu)

除了點(diǎn)陣切變外，馬氏體相變還要發(fā)生點(diǎn)陣不變切變，依靠滑移或?qū)\生完成，在馬氏體內(nèi)部形成位錯(cuò)或?qū)\晶亞結(jié)構(gòu)。

(6)馬氏體具有逆轉(zhuǎn)變現(xiàn)象

將馬氏體以足夠快的速度加熱，馬氏體可以不分解而直接轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷叵唷?7.參考答案：偽共析：非平衡轉(zhuǎn)變過程中，處在共析成分點(diǎn)附近的亞共析或過共析合金，轉(zhuǎn)變終了組織全部成共析組織形態(tài)。28.參考答案：A29.參考答案：由伯氏矢量回路來確定位錯(cuò)的伯氏矢量方法中得知，此位錯(cuò)的伯氏矢量將反向，但此位錯(cuò)的類型性質(zhì)不變。根據(jù)位錯(cuò)線與伯氏矢量之間的夾角判斷，若一個(gè)位錯(cuò)環(huán)的伯氏矢量垂直于位錯(cuò)環(huán)線上各點(diǎn)位錯(cuò)，則該位錯(cuò)環(huán)上各點(diǎn)位錯(cuò)性質(zhì)相同，均為刃位錯(cuò)；但若位錯(cuò)環(huán)的伯氏矢量與位錯(cuò)線所在的平面平行，則有的為純?nèi)行臀诲e(cuò)，有的為純螺型位錯(cuò)，有的則為混合型位錯(cuò)；當(dāng)伯氏矢量與位錯(cuò)環(huán)線相交成一定角度時(shí)，盡管此位錯(cuò)環(huán)上各點(diǎn)均為混合型位錯(cuò)，然而各點(diǎn)的刃型和螺型分量不同。30.參考答案：①變形過程中，總的體積不變，設(shè)拉拔后的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，則

故

L=24.3m

②冷加工率即為斷面收縮率

31.參考答案：1．MN、NO、OM位錯(cuò)線的柏式矢量為；EF的柏式矢量為(或者。

2．正三角形MNO是個(gè)空位片，所以MN、NO、OM是Frank分位錯(cuò)；EF是Shockley分位錯(cuò)。MN、NO、OM都是刃型位錯(cuò)。當(dāng)EF柏式矢量為時(shí)，是右旋螺型位錯(cuò)；當(dāng)EF的柏式矢量為，或者時(shí)，為混合位錯(cuò)。

3．Ⅰ：

Ⅱ：ABCABCABCABC

Ⅲ：32.參考答案：設(shè)晶帶軸為[u，v，w]，則由晶帶軸定理有：

故方向指數(shù)為或。

晶面及晶帶軸如圖所示。

33.參考答案：影響擴(kuò)散的因素有：

溫度：滿足D=D0e-Q/RT的關(guān)系，溫度升高，擴(kuò)散加快。

界面、表面及位錯(cuò)：它們是擴(kuò)散的快速通道。

第三組元：可對(duì)二元擴(kuò)散有不同影響，如Mo、W降低C在γ-Fe中的擴(kuò)散系數(shù)；Co、Si加速C的擴(kuò)散；Mn、Ni的影響不大。

晶體結(jié)構(gòu)：低對(duì)稱性的晶體結(jié)構(gòu)中，存在擴(kuò)散系數(shù)的各向異性，如六方結(jié)構(gòu)晶體，平行與垂直于基面(0001)的擴(kuò)散系數(shù)不同。

熔點(diǎn)：同—合金系中，同一溫度下熔點(diǎn)高的合金中擴(kuò)散慢，熔點(diǎn)低的擴(kuò)散快。34.參考答案：活性氧：硅酸鹽結(jié)構(gòu)中部分電價(jià)未飽和的氧。35.參考答案：如圖6-3所示。

36.參考答案：見下圖。

37.參考答案：Si為金剛石結(jié)構(gòu)，每個(gè)晶胞有8個(gè)原子，故107個(gè)原子對(duì)應(yīng)的體積

設(shè)107個(gè)硅原子在該端面包含的鎵原子數(shù)為x，則

x=2+0.5×10-3×2×1026×1.976×10-22=21.76≈22

故該端面上每107個(gè)硅原子需包含22個(gè)鎵原子。38.參考答案：，取A=1

39.參考答案：Z=4、R=2.2、Y=3.6、X=0.4。40.參考答案：能量最低原理，Pauli不相容原理，Hund規(guī)則。41.參考答案：多晶體金屬的變形過程中每個(gè)晶粒的變形主要是滑移，還可能出現(xiàn)孿生和扭折，需要開動(dòng)多個(gè)滑移系，出現(xiàn)交滑移，由于晶界的影響還有位向差效應(yīng)和晶界的阻滯效應(yīng)。

影響因素主要有晶粒大小、變形溫度、變形速度。42.參考答案：晶粒生長(zhǎng)的特點(diǎn)：晶粒生長(zhǎng)是無應(yīng)變的材料在熱處理時(shí)，平均晶粒尺寸在不改變其分布的情況下，連續(xù)增大的過程。在坯體內(nèi)晶粒尺寸均勻地生長(zhǎng)；晶粒生長(zhǎng)時(shí)氣孔都維持在晶界上或晶界交匯處。

二次再結(jié)晶的特點(diǎn)：是少數(shù)巨大晶粒在細(xì)晶消耗時(shí)的一種異常長(zhǎng)大過程。是個(gè)別晶粒的異常生長(zhǎng)；二次再結(jié)晶時(shí)氣孔被包裹到晶粒內(nèi)部；二次再結(jié)晶還與原料粒徑有關(guān)。

造成二