2021年度電磁學(xué)光學(xué)選擇填空題庫(kù)參考答案

靜電場(chǎng)

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

[A]1、下列哪一種說(shuō)法對(duì)的？

A、電荷在電場(chǎng)中某點(diǎn)受到電場(chǎng)力很大，該點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度一定很大。

B、一點(diǎn)電荷附近任一點(diǎn)，如果沒(méi)有把檢查電荷放進(jìn)去，則這點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度為零。

C、把質(zhì)量m點(diǎn)電荷q放在一電場(chǎng)中，由靜止?fàn)顟B(tài)釋放，電荷一定沿電力線(xiàn)運(yùn)動(dòng)。

D、電力線(xiàn)上任意一點(diǎn)切線(xiàn)方向，代表點(diǎn)電荷q在該點(diǎn)處獲得加速度方向。

[C]2、圖示為一軸對(duì)稱(chēng)性靜電場(chǎng)E?/?關(guān)系曲線(xiàn)，請(qǐng)指出該電

場(chǎng)是由哪種帶電體產(chǎn)生（E表達(dá)電場(chǎng)強(qiáng)度大小，r表達(dá)離

對(duì)稱(chēng)軸距離）卜又^^

A、“無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電直線(xiàn)°1~i-------------4

B、半徑為R“無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電圓柱體

C、半徑為R“無(wú)限長(zhǎng)'’均勻帶電圓柱面

D、半徑為R有限長(zhǎng)均勻帶電圓柱面

[A]3、在點(diǎn)電荷激發(fā)電場(chǎng)中，如以點(diǎn)電荷為心作一種球面，關(guān)于球面上電場(chǎng)，如

下說(shuō)法對(duì)的是

A、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E處處不等；

B、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E處處相等，故球面上電場(chǎng)是勻強(qiáng)電場(chǎng)；

C、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E方向一定指向球心；

D、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E方向一定沿半徑垂直球面向外.

[

[D]4、如圖所示，在C點(diǎn)放置電荷％,A點(diǎn)放置電荷%,S是包圍小封閉曲面，P

點(diǎn)是曲面上任意一點(diǎn)，今把％從A點(diǎn)移到B點(diǎn)，則：

A、通過(guò)S面電通量變化，但P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度不變

B、通過(guò)S面電通量和P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都變化(\

C、通過(guò)S面電通量P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都不變k°JP

D、通過(guò)S面電通量不變，但P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度變化一

[D]5、如果對(duì)某一閉合曲面電通量為，、ETS=O,如下說(shuō)法對(duì)的是

A、S面上E必然為零B、S面內(nèi)電荷必然為零

C、空間電荷代數(shù)和為零D、S面內(nèi)電荷代數(shù)和為零

[D]6、一孤立點(diǎn)電荷q位于一立方體中心，則通過(guò)立方體每個(gè)表面電通量為：A、

qB、C、qD、

16444

[C]7、靜電場(chǎng)中高斯面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度是由決定。

A、分布在高斯面上電荷B、分布在高斯面外電荷

C、空間所有電荷D、高斯面內(nèi)電荷代數(shù)和

二、填空題

1、均勻帶電球面半徑為帶電量為。。則在球面內(nèi)距球心為/■任一場(chǎng)點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小

為。,球面外距球心為r任一場(chǎng)點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小為一

4?！辍鉘-

2、兩個(gè)平行“無(wú)限大”均勻帶電平面，其電荷面密度分別為+cr和-2。,

如圖所示，設(shè)向右為正，則三個(gè)區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度分別為：

_CT3b_O

EcA=至’EB=5—,Ecc=一『

3、均勻帶電球面，半徑為R,帶電量為q,球面P]和球面夕|—\點(diǎn)、P2處

電場(chǎng)強(qiáng)度大小，EeQ,E=—J。

24乃

4、在場(chǎng)強(qiáng)為E均勻電場(chǎng)中取一半球面，其半徑為R,電

場(chǎng)強(qiáng)度方向與半球面對(duì)稱(chēng)軸平行。則通過(guò)這個(gè)半球面電通

?%

量為石成2,若用半徑為R圓面將半球面封閉，則通過(guò)這個(gè)封閉半球面電通量為0_。

5、點(diǎn)電荷彷、q2、私和火在真空中分布如圖所示。圖中S為閉合曲面，則通過(guò)該閉合

曲面電通量，左?而=9+9，式中E是點(diǎn)電荷小應(yīng)2,%闖4在閉合曲面上任一點(diǎn)產(chǎn)生場(chǎng)

矢量和。

靜電場(chǎng)中電勢(shì)

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

[C]1、電荷。均勻分布在半徑為R、長(zhǎng)為L(zhǎng)圓弧上，圓弧兩端間留一小空隙，空隙

長(zhǎng)為△￡(△￡<</?),設(shè)：為從圓心指向空隙單位矢量，則圓弧中心。點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度

和電勢(shì)分別為

A-QW7-QD-QkL7-Q

47r%R2L4%、8T&R，44

QAL-Q&L

c1QD-i

、，、4/KL，4吟RL

[C]2、下列說(shuō)法對(duì)的是

A、場(chǎng)強(qiáng)大地方，電勢(shì)一定高，場(chǎng)強(qiáng)小地方，電勢(shì)一定低

B、等勢(shì)面上各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小一定相等

C、場(chǎng)強(qiáng)相等地方，電勢(shì)梯度一定相等

D、場(chǎng)強(qiáng)為零處，電勢(shì)一定為零，電勢(shì)為零處，場(chǎng)強(qiáng)也一定為零直線(xiàn)移

[C]3、電荷q在靜電場(chǎng)中沿任意閉合曲線(xiàn)移動(dòng)一周，關(guān)于電場(chǎng)力所作功，對(duì)的論

述是

A、若q>0,則電場(chǎng)力所作功為正。

B、若4<0,則電場(chǎng)力所作功為負(fù)。

C>無(wú)論q>0或q<0,電場(chǎng)力所作功均為零。

D、電場(chǎng)力所作功應(yīng)依照詳細(xì)條件來(lái)擬定。

[A]4、在點(diǎn)電荷+q和產(chǎn)生電場(chǎng)中，a、b、c、d為同始終線(xiàn)上等間距四個(gè)點(diǎn),

若將一點(diǎn)電荷+%由b點(diǎn)移到d點(diǎn)，則電場(chǎng)力

A、做正功B、做負(fù)功Z--2---三----*

C、不做功D、不能擬定

[A]5、一半徑為R均勻帶電球面，帶電量為q,球面內(nèi)距中心為r處電勢(shì)為

A、—^―B、—^―C、D、

兀九

4萬(wàn)47?4^0r2￡0R2

二、填空題

1、把一種均勻帶有電荷+Q球面由半徑々增大到丫2,則半徑為RSVRO2）球面上任一

點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小E由一J■變?yōu)?_;電勢(shì)U由一^—變?yōu)楱D―（選無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零

4TT￡0R4乃47?4萬(wàn)4G

點(diǎn)）.

2、兩點(diǎn)電荷等量同號(hào)，相距為。，電量為q,兩點(diǎn)電荷連線(xiàn)中點(diǎn)。處場(chǎng)強(qiáng)E=0,電

勢(shì)U=-^—a

7ts^a

3、在電荷為一。點(diǎn)電荷A靜電場(chǎng)中，將另一電荷為q點(diǎn)八.a

電荷8從a點(diǎn)移到萬(wàn)點(diǎn).a、人兩點(diǎn)距離點(diǎn)電荷A距離分別為-7

ri和r2,如圖所示.則移動(dòng)過(guò)程中電場(chǎng)力做功W=-^（1—工]。

4grJ

4、如圖所示.實(shí)驗(yàn)電荷q,在點(diǎn)電荷+。產(chǎn)生電場(chǎng)中，沿半徑

為R整個(gè)圓弧3/4圓弧軌道由a點(diǎn)移到d點(diǎn)過(guò)程中電場(chǎng)力作功為,!》

Qn、?勺

0______;從d點(diǎn)移到無(wú)窮遠(yuǎn)處過(guò)程中，電場(chǎng)力作功為一上一。。

4乃生/?

靜電場(chǎng)中導(dǎo)體與電介質(zhì)

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

[C]1、在接地金屬殼內(nèi)置一中性導(dǎo)體b和帶正電導(dǎo)體a,如圖所

示，則兩導(dǎo)體電勢(shì)

A、Ua=UbB、Ua<Ub

C、Ua>UbD、不能擬定

[D]2、當(dāng)一種帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí)

A、表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高

B、表面曲率較大處電勢(shì)較高

C、導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面電勢(shì)高

D、導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)電勢(shì)差等于零

[B]3、當(dāng)一種帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí)：

A、表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高

B、導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)電勢(shì)差等于零

C、導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面電勢(shì)高

D、表面曲率較大處電勢(shì)較高

]4、如圖，真空中有一點(diǎn)電荷Q及空心金屬球殼A,A處在靜電

平衡，球內(nèi)有一點(diǎn)M,球殼中有一點(diǎn)N,如下說(shuō)法對(duì)的是

A、EM/0,EN=0,。在M處產(chǎn)生電場(chǎng)，而在N處不產(chǎn)生電場(chǎng)

B、屈=0,EN和，。在M處不產(chǎn)生電場(chǎng)，而在N處產(chǎn)生電場(chǎng)

C、EM=EN=O，。在M、N處都產(chǎn)生電場(chǎng)

D、為川，EN/O,。在M、N處都產(chǎn)生電場(chǎng)

[D]5、下列哪種力不能使正電荷在電源內(nèi)部從負(fù)極移動(dòng)到正極

A、機(jī)械力B、某種化學(xué)力C、磁力D、靜電力

[D]6、半徑分別為R和r兩個(gè)金屬球，相距很遠(yuǎn).用一根細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)線(xiàn)將兩球連接在一

起并使它們帶電.在忽視導(dǎo)線(xiàn)影響下，兩球表面電荷面密度之比也,為

巴

A、R/rB、R2/r2C、r2/R2D、r/R

二、填空題

1、一半徑為與導(dǎo)體球，外罩一半徑為6同心薄導(dǎo)體球殼構(gòu)成一球形電容器，則此電容

器電容為4’丐肉勺；若使導(dǎo)體球帶電+Q,導(dǎo)體球殼帶電—Q,則兩導(dǎo)體間電勢(shì)差為

R「&

旦」

4兀%&R?

2、有兩塊面積均為S金屬板平行放置，兩板間距離為dCd2?S）,其中一塊金屬板

帶電量為q,另一塊金屬板帶電量為2q,則兩板間電勢(shì)差為

2ss0

3、在一種孤立導(dǎo)體球殼球心放一種點(diǎn)電荷，則導(dǎo)體球殼內(nèi)表面感應(yīng)電荷

呈均勻分布,外表面感應(yīng)電荷呈均勻：如果將點(diǎn)電荷移動(dòng)到殼內(nèi)任意點(diǎn)，則導(dǎo)體

球殼內(nèi)表面感應(yīng)電荷呈非均勻分布,外表面感應(yīng)電荷呈非均勻分布。（填均勻或

不均勻）

電流磁場(chǎng)

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

選取題

]1、如圖5所示，一根無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線(xiàn)在0處折成直角，點(diǎn)P位于折線(xiàn)延長(zhǎng)線(xiàn)

上，點(diǎn)P到折線(xiàn)距離為a=2.0cm,導(dǎo)線(xiàn)通有電流1=20^,則P點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度B為

lx1(T3T

A、IxlO^TB、

?—a—

lxICT3T

C、2x1077D、P

[A]2、四條互相平行載流長(zhǎng)直導(dǎo)線(xiàn)電流均為/，如圖放置，設(shè)正方形邊長(zhǎng)為2a,則正方

形中心O磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為

軟

氏1

A、B、

7Ty[a2mlO

/(2)------------(j)/

C、D、0

4如

[B]3>如圖，在一圓形電流I平面內(nèi)，選用一種同心圓形閉

合回路L,則由安培環(huán)路定律可知

A、?di=o,且環(huán)路上任意點(diǎn)B=0

B、B?dl=0,且環(huán)路上任意點(diǎn)B#0

C、.?dfr0,且環(huán)路上任意點(diǎn)B#)

D、，方?/，0,且環(huán)路上任意點(diǎn)B=0

[C]4、兩個(gè)載有相等電流I半徑為R圓線(xiàn)圈一種處在水平位置，一種處在豎直位置,

兩個(gè)線(xiàn)圈圓心重疊，則在圓心o處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為多少？

〃。/6氏1

A、0B、C、D、

2R2RR

[C]5、無(wú)限長(zhǎng)直圓柱體，半徑為R,沿軸向均勻流有電流.設(shè)圓柱體內(nèi)(r<R)磁感強(qiáng)

度為Bi,圓柱體外(r>R)磁感強(qiáng)度為B2,則有

A、Bi>B2均與r成正比.

B、Bi、B2均與i?成反比.

C>Bi與r成正比，B2與r成反比.

D、B］與r成反比，B2與r成正比.

二、填空題

1、如圖所示無(wú)限長(zhǎng)載流導(dǎo)線(xiàn)，在半圓圓心0處產(chǎn)生磁感應(yīng)強(qiáng)度〃。/（康-*）。

2、通有電流強(qiáng)度I無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線(xiàn)在距其垂直距離為aP點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為"；

2如

半徑為R圓形電流I在其圓心0點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為短；單位長(zhǎng)度匝數(shù)為n、通有電

2R

流I無(wú)限長(zhǎng)載流直螺線(xiàn)管，其內(nèi)部一點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為〃（）〃/。

3、一半徑為R薄塑料圓盤(pán)，在盤(pán)面均勻分布著電荷/若圓盤(pán)繞通過(guò)盤(pán)心且與盤(pán)面垂

直軸以角速度O做勻角速轉(zhuǎn)動(dòng)，則在盤(pán)心處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=0

4,設(shè)一無(wú)限長(zhǎng)載流直螺線(xiàn)管，單位長(zhǎng)度匝數(shù)為〃，通有電流/,則在螺線(xiàn)管內(nèi)部一點(diǎn)磁

感應(yīng)強(qiáng)度大小為O

5、對(duì)于如圖（a）、（b）所示電流和回路，月環(huán)流分別為

（分）

6、如圖(c),在無(wú)限長(zhǎng)直載流導(dǎo)線(xiàn)右側(cè)為面積為S1和S2兩個(gè)矩形回路，兩個(gè)回路與

長(zhǎng)直載流導(dǎo)線(xiàn)在同一平面，且矩形回路一邊與長(zhǎng)直載流導(dǎo)線(xiàn)平行，則通過(guò)面積為S1矩

形回路磁通量與通過(guò)面積為S2矩形回路磁通量之比為1:1。.

磁場(chǎng)對(duì)電流作用

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

[A]k帶電粒子，垂直射入均勻磁場(chǎng)，如果粒子入射速度增大到2倍，磁場(chǎng)磁感應(yīng)

強(qiáng)度增大到2倍，則通過(guò)粒子運(yùn)動(dòng)軌道所包圍范疇內(nèi)磁通量增大到本來(lái)

A、2倍B、4倍C、1/2倍D、1/4倍

[C]2、把輕正方形線(xiàn)圈用細(xì)線(xiàn)掛在載流直導(dǎo)線(xiàn)AB

附近，兩者在同一平面內(nèi)，直導(dǎo)線(xiàn)AB固定，線(xiàn)

圈可以活動(dòng)。當(dāng)正方形線(xiàn)圈通過(guò)如圖所示電流

時(shí)線(xiàn)圈將

A、不動(dòng)；

B、發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，同步接近導(dǎo)線(xiàn)AB;

C、接近導(dǎo)線(xiàn)AB;

D、離開(kāi)導(dǎo)線(xiàn)AB。

[C]3、在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，有兩個(gè)平面線(xiàn)圈，其面積A]=2A2,通有電流11=212,她們所受

最大磁力矩之比M/M2等于

A、1B、2C、4D、1/4

[A]4、有一半徑為a,流有穩(wěn)恒電流為11/4圓弧形載流導(dǎo)線(xiàn)be,如圖所示方向置于

均勻外磁場(chǎng)月中，則該載流導(dǎo)線(xiàn)所受安培力大小和方向?yàn)?/p>

A、/a8,垂直紙面向里

B、〃虎，垂直紙面向外

C、㈣，垂直紙面向里

2

D、㈣,垂直紙面向外

2

[B]5、載有電流/線(xiàn)圈，置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為月均勻磁場(chǎng)中，若線(xiàn)圈磁矩大小為￡,，

方向與月方向相似，則通過(guò)線(xiàn)圈磁通量落與線(xiàn)圈所受磁力矩大小M分別為

A、網(wǎng)“=1BP,“,M=（）B、想=華，M=（）

C、耙=/牝，M=BPmD、耙=華，M=B￡“

[C]6、用細(xì)導(dǎo)線(xiàn)均勻密繞成長(zhǎng)為/、半徑為//>>0、總匝數(shù)為N螺線(xiàn)管，通以穩(wěn)恒

電流/,當(dāng)管內(nèi)布滿(mǎn)相對(duì)磁導(dǎo)率為〃，均勻介質(zhì)后，管中任意一點(diǎn)

A、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為〃B、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為此”

C、磁場(chǎng)強(qiáng)度大小為女?！盌、磁場(chǎng)強(qiáng)度大小為，

二、填空題

1、一種帶電粒子以某一速度射入均勻磁場(chǎng)中，當(dāng)粒子速度方向與磁場(chǎng)方向間有一角度

a（0<a<兀且a#兀/2）時(shí)，該粒子運(yùn)動(dòng)軌道是等速螺旋線(xiàn)。

2、三根長(zhǎng)直載流導(dǎo)線(xiàn)1、2、3平行且共面，分別載有穩(wěn)恒電流/、21、31,

方向如圖所示，導(dǎo)線(xiàn)1與3距離為d,欲使導(dǎo)線(xiàn)2受力為0,則導(dǎo)線(xiàn)2與1

之間距離應(yīng)為4。

4

4、將一種通有電流強(qiáng)度為/閉合回路置于均勻磁場(chǎng)中，回路所圍面積法線(xiàn)方向與磁場(chǎng)

方向夾角為a,若均勻磁場(chǎng)通過(guò)此回路磁通量為耙，則回路所受磁力矩大小為1冊(cè)sina。

?5、將一導(dǎo)體板放在垂直于板面磁場(chǎng)B中，當(dāng)有電流/沿著垂直于5方向通過(guò)導(dǎo)體時(shí)

（如圖所示），則導(dǎo)體板上a、b兩端之間將會(huì)浮現(xiàn)橫向電勢(shì)差UH,這種現(xiàn)象稱(chēng)為霍

爾效應(yīng)。如果a端電勢(shì)比b端低，則此導(dǎo)體載流子為o

6、磁介質(zhì)處在磁場(chǎng)中將產(chǎn)生磁化現(xiàn)象,按磁化電流產(chǎn)生附加磁場(chǎng)方向不同和大

小不同，磁介質(zhì)可分為抗磁質(zhì)、順磁質(zhì)和鐵磁質(zhì)三大類(lèi)。

電磁感應(yīng)

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

[D]1、尺寸相似鐵環(huán)與銅環(huán)所包圍面積中，通以相似變化率

磁通量，則兩環(huán)中

A、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不同

B、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)相似，感應(yīng)電流相似

C、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不同，感應(yīng)電流相似

D、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)相似，感應(yīng)電流不同

[B]2、兩根無(wú)限長(zhǎng)平行直導(dǎo)線(xiàn)載有大小相等方向相反電流I,I以dl/dt變化率增長(zhǎng),

一矩形線(xiàn)圈位于導(dǎo)線(xiàn)平面內(nèi)（如圖），則

A、線(xiàn)圈中無(wú)感應(yīng)電流

B、線(xiàn)圈中感應(yīng)電流為順時(shí)針?lè)较?/p>

C、線(xiàn)圈中感應(yīng)電流為逆時(shí)針?lè)较?/p>

D、線(xiàn)圈中感應(yīng)電流方向不擬定

[C]3、將一根導(dǎo)線(xiàn)彎折成半徑為R3/4圓弧abed,置于均勻

磁場(chǎng)B中，B垂直于導(dǎo)線(xiàn)平面，如圖所示，當(dāng)導(dǎo)線(xiàn)沿角aod角平分線(xiàn)方向以速

度v向右運(yùn)動(dòng)時(shí)，導(dǎo)線(xiàn)中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)與為

B、vRB

[D]4、在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B均勻磁場(chǎng)，如圖所示。B大小以速率dB/dt

變化，在磁場(chǎng)中有A、B兩點(diǎn)，其間可放直導(dǎo)線(xiàn)AB和彎曲,一、

XX

導(dǎo)線(xiàn)AB,則

X*X

A、電動(dòng)勢(shì)只在AB導(dǎo)線(xiàn)中產(chǎn)生--------7B

B、電動(dòng)勢(shì)只在AB導(dǎo)線(xiàn)中產(chǎn)生。

c、電動(dòng)勢(shì)在AB和AB中都產(chǎn)生，且兩者大

小相等。

D、AB導(dǎo)線(xiàn)中電動(dòng)勢(shì)不大于AB導(dǎo)線(xiàn)電動(dòng)勢(shì)。

二、填空題

1、如圖，在一長(zhǎng)直導(dǎo)線(xiàn)L中通有電流I,ABCD為一矩形線(xiàn)圈,

它與L皆在紙面內(nèi)，且AB邊與L平行，

(1)矩形線(xiàn)圈在紙面內(nèi)向右移動(dòng)時(shí)，線(xiàn)圈中感應(yīng)電動(dòng)

勢(shì)方向?yàn)轫槙r(shí)針。

(2)矩形線(xiàn)圈繞AD邊旋轉(zhuǎn)，當(dāng)BC邊已離開(kāi)紙面正向外運(yùn)

動(dòng)時(shí)，線(xiàn)圈中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)方向?yàn)轫槙r(shí)針

2、一導(dǎo)線(xiàn)被彎成如圖所示形狀，acb為半徑為R四分之三圓弧，直線(xiàn)段0a長(zhǎng)為R,若

此導(dǎo)線(xiàn)放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)B中，B方向垂直圖面向內(nèi)，導(dǎo)線(xiàn)以角速度。在圖面內(nèi)繞0點(diǎn)勻

速轉(zhuǎn)動(dòng)，則此導(dǎo)線(xiàn)中動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)弓

4、一圓形回路放在B=0.8T均勻磁場(chǎng)中，回路平面與B垂直。回路半徑以恒定速率上=80

（It

cm.J收縮，則當(dāng)半徑收縮屆時(shí)/*=10的回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為（）.128萬(wàn)伏比o

5、長(zhǎng)度為L(zhǎng)金屬桿ab以速率v在導(dǎo)電軌道abed上平行移動(dòng)。

已知導(dǎo)軌處在均勻磁場(chǎng)B中，B方向與回路法線(xiàn)成。=600角

（如圖所示），B大小為B=kt（k為正常數(shù)）。設(shè)t=0時(shí)桿位

于cd處，則任一時(shí)刻t導(dǎo)線(xiàn)回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為

^L（kx+ktv）,方向abeda

6、均勻磁場(chǎng)后被限制在半徑為1m無(wú)限長(zhǎng)圓柱形空間內(nèi)，耳方向與圓柱軸線(xiàn)方向平行,

如圖示。若磁場(chǎng)以6X10-2T/S均勻增長(zhǎng)，則和圓柱面相切

正三角形ABC中，AB邊感應(yīng)電動(dòng)中大小為0.02%,方向?yàn)?/p>

ABo

光干涉

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

[C]1、如圖所示，平行單色光垂直照射到薄膜上,經(jīng)上下兩表面反射兩束光發(fā)生干

涉，若薄膜厚度為e,并且〃|<〃2,〃2>"3,為入射光在

折射率為反媒質(zhì)中波長(zhǎng)，則兩束反射光在相遇點(diǎn)位相差為

、2萬(wàn)〃,e4乃n.e

A、-----B、-------+71

n2\

4萬(wàn)47rti2e

C、-------+7tD、

%4

[B]2、如圖，用單色光垂直照射在觀(guān)測(cè)牛頓環(huán)裝置上。當(dāng)平凸透鏡垂直向上緩慢平

移而遠(yuǎn)離平面玻璃時(shí)，可以觀(guān)測(cè)到這些環(huán)狀干涉條紋

A、向右平移B、向中心收縮

C、向外擴(kuò)張D、靜止不動(dòng)E、向左平移.

[C]3、如圖所示，兩個(gè)直徑有微小差別彼此平行滾柱之

距離為L(zhǎng),夾在兩塊平晶中間，形成空氣劈尖，當(dāng)單色光垂

入射時(shí)，產(chǎn)生等厚干涉條紋。如果滾柱之間距離L變小，則在L范疇內(nèi)干涉條紋

A、數(shù)目減少，間距變大B、數(shù)目不變，間距變小

C、數(shù)目增長(zhǎng)，間距變小D、數(shù)目減少，間距不變

[C]4、在折射率〃3=L60玻璃片表面鍍一層折射率

〃2=L38MgF2薄膜作為增透膜。為了使波長(zhǎng)為力=5000A光，從

折射率"1=1.00空氣垂直入射到玻璃片上反射盡量地減少，薄膜最小厚度emm應(yīng)是

A、2500A；B.1812A；C.1250A；D、906A

二、填空題

1、單色平行光垂直入射到雙縫上。觀(guān)測(cè)屏上P點(diǎn)到兩縫距離分別為n和r2o設(shè)雙縫

和屏之間布滿(mǎn)折射率為〃媒質(zhì)，則P點(diǎn)處二相干光線(xiàn)光程差為“（G-4）。

2、如圖所示，假設(shè)有兩個(gè)同相相干點(diǎn)光源S|和S2,發(fā)出

波長(zhǎng)為力光。A是它們連線(xiàn)中垂線(xiàn)上一點(diǎn)。若在Si與A之間插入厚度為e、折射率為

〃薄玻璃片，則兩光源發(fā)出光在A點(diǎn)位相差△°=2a"-1）力。若已知力=5000A,/?=1.5,

?

A點(diǎn)恰為第四級(jí)明紋中心，則e=4000Ao

4、一平凸透鏡，凸面朝下放在一平玻璃板上。透鏡剛好與玻璃板接觸。波長(zhǎng)分別為

4i=600nm和42=500nm兩種單色光垂直入射，觀(guān)測(cè)反射光形成牛頓環(huán)。從中心向外數(shù)

兩種光第五個(gè)明環(huán)所相應(yīng)空氣膜厚度之差225nm。

5、光強(qiáng)均為/（）兩束相干光相遇而發(fā)生干涉時(shí)，在相遇區(qū)域內(nèi)有也許浮現(xiàn)最大光強(qiáng)是/

10。

光衍射

院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)

一、選取題

]1、一束波長(zhǎng)為2平行單色光垂直入射到一單縫AB上，裝置如圖，在屏幕D上

形成衍射圖樣，如果P是中央亮紋一側(cè)第一種

暗紋所在位置，則團(tuán)長(zhǎng)度為

A、九B、/

3/1/

C、/2D、2X

[B]2、單縫夫瑯和費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中，波長(zhǎng)為九單色光垂直入射在寬度為a=44單縫上,

相應(yīng)于衍射角為30°方向，單縫處波陣面可提成半波帶數(shù)目為

A、2個(gè)B、4個(gè)C、6個(gè)D、8個(gè)

[B]3、依照惠更斯一菲涅耳原理，若已知光在某時(shí)刻波陣面為S,則S前方某點(diǎn)P

光強(qiáng)度決定于波陣面S上所有面積元發(fā)出子波各自傳到P點(diǎn)

A、振動(dòng)振幅之和B、光強(qiáng)之和

C、振動(dòng)振幅之和平方D、振動(dòng)相干疊加

[D]4、在如圖所示單縫夫瑯和費(fèi)衍射裝置中，設(shè)中央

明紋衍射角范疇很小。若使單縫寬度a變?yōu)楸緛?lái)

3/2,同步使入射單色光波長(zhǎng)力變?yōu)楸緛?lái)3/4,則

屏幕C上單縫衍射條紋中央明紋寬度將變?yōu)?/p>

本來(lái)

A、3/4倍B、2/3倍

C、9/8倍D、1/2倍

E、2倍

]5、在如圖所示單縫夫瑯和費(fèi)衍射裝置中，將單縫

寬度。稍稍變寬，同步使單縫沿>>軸正方向作微

小位移，則屏幕C上中央衍射條紋將

A、變窄，同步向上移

B、變窄，同步向下移

C、變窄，不移動(dòng)

D、變寬，同步向上移

E、變寬，不移動(dòng)

二、填空題

1、在單縫夫瑯和費(fèi)衍射示意圖中，所畫(huà)出各條正入射光線(xiàn)間

距相等，那么光線(xiàn)1與3在屏幕上P點(diǎn)相遇時(shí)位相差為_(kāi)把，

P點(diǎn)應(yīng)為暗點(diǎn)（填“亮”或"暗”）o

2、若光柵光柵常數(shù)乩縫寬a和入射光波長(zhǎng)之都保持不變，而使其縫數(shù)N增長(zhǎng)，則光

柵光譜同級(jí)光譜線(xiàn)將變得亮。

3、在單縫夫瑯禾費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中，如果縫寬等于單色入射光波長(zhǎng)2倍，則中央明條紋邊

沿相應(yīng)衍射角0=arcsin0.5。

?4、一束平行單色光垂直入射在光柵上，若光柵透明縫寬度。與不透明某些寬度〃相

等，則也許看到衍射光譜級(jí)次為O

5、汽車(chē)兩盞前燈相距L,與觀(guān)測(cè)者相距S=