半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)分析研究

半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)分析研究一、“AI革命”，服務(wù)器芯片量?jī)r(jià)齊升1.1算力：核心硬件GPU，大模型帶動(dòng)需求激增GPU用途由圖形處理拓展至計(jì)算。GPU是圖形處理器的簡(jiǎn)稱，它是一種專門用于處理圖形、視頻、游戲等高性能計(jì)算的硬件設(shè)備。GPU相對(duì)于傳統(tǒng)的中央處理器（CPU）而言，其擁有更多的計(jì)算核心和更快的內(nèi)存帶寬，能夠大幅度提高計(jì)算效率和圖形渲染速度?，F(xiàn)階段，隨著例如英偉達(dá)A100、H100等型號(hào)產(chǎn)品的發(fā)布，GPU在算力方面的優(yōu)勢(shì)相較于其他硬件具有較大優(yōu)勢(shì)，GPU的工作也從一開始的圖形處理逐步轉(zhuǎn)化為計(jì)算。根據(jù)用途和性能表現(xiàn)，GPU可以分為專業(yè)卡和消費(fèi)級(jí)卡兩類：專業(yè)卡通常用于工程、科學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的高性能計(jì)算和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理，主要廠商包括英偉達(dá)、AMD等；消費(fèi)級(jí)卡則主要用于普通家庭和游戲玩家，主要廠商包括英偉達(dá)、AMD、英特爾等。目前GPU在硬件中擁有最高的算力，成為最適合支撐人工智能訓(xùn)練和學(xué)習(xí)的硬件，我們認(rèn)為其原因主要在于：更多處理單元：GPU相比于CPU等其他硬件有更多的處理單元（核心數(shù)更多），因此可以并行處理更多的數(shù)據(jù)。主要系GPU最初是為了圖形渲染而設(shè)計(jì)的，而圖形渲染涉及的計(jì)算是高度并行化的。這種并行化的特性使GPU非常適合進(jìn)行機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)這樣的大規(guī)模數(shù)據(jù)并行計(jì)算。具有更高的內(nèi)存帶寬和更大的內(nèi)存容量：在進(jìn)行深度學(xué)習(xí)等計(jì)算時(shí)，需要大量的內(nèi)存和高速的內(nèi)存帶寬來存儲(chǔ)和處理海量數(shù)據(jù)。GPU相比于其他硬件（如CPU），具有更高的內(nèi)存帶寬和更大的內(nèi)存容量，可以更有效地存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)，從而提高計(jì)算速度。具有專門的計(jì)算單元：相較于其他硬件，GPU具有例如張量核心和矩陣乘法等計(jì)算單元，可以更快地執(zhí)行常見的機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)操作：如卷積和矩陣乘法。這些計(jì)算單元與通用計(jì)算單元相比，具有更高的效率和更快的速度。GPGPU——為計(jì)算而生。GPGPU全稱是“general-purposecomputingongraphicsprocessingunits”，簡(jiǎn)稱“通用圖形處理單元”，其主要利用GPU的功能來執(zhí)行CPU的任務(wù)，雖然在設(shè)計(jì)初期是為了更好地圖形處理，但是多內(nèi)核多通道的設(shè)計(jì)使其非常適合科學(xué)計(jì)算，發(fā)展至今GPGPU也成為了專為計(jì)算而設(shè)計(jì)的硬件。多領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)，GPU千億美金市場(chǎng)拉開序幕。GPU市場(chǎng)規(guī)模的大小取決于多種因素：其中游戲和娛樂市場(chǎng)一直是GPU市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，因?yàn)檫@些領(lǐng)域需要高性能的GPU來支持更高質(zhì)量的游戲畫面和娛樂內(nèi)容。同時(shí)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)的發(fā)展對(duì)GPU市場(chǎng)也有著巨大的影響，因?yàn)檫@些技術(shù)需要大量的計(jì)算能力，而GPU可以提供比CPU更高的效率。此外，科學(xué)和研究領(lǐng)域的需求以及新興市場(chǎng)（如游戲機(jī)和數(shù)據(jù)中心）也對(duì)GPU市場(chǎng)的規(guī)模產(chǎn)生了影響。根據(jù)研究數(shù)據(jù)，2021年全球GPU市場(chǎng)規(guī)模為334.7億美金，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到4473.7億美金，期間CAGR33.3%。LLM模型帶動(dòng)算力需求：算力是指計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能夠完成的計(jì)算任務(wù)量，通常用來描述計(jì)算機(jī)的處理能力。算力的單位通常采用FLOPS（FloatingPointOperationsPerSecond）表示每秒鐘能夠完成的浮點(diǎn)運(yùn)算或指令數(shù)，例如一臺(tái)計(jì)算機(jī)每秒鐘可以完成10億次浮點(diǎn)運(yùn)算，那么它的FLOPS值就是10GFLOPS（10GigaFLOPS）。目前我們以全球龍頭英偉達(dá)在2020年發(fā)布的A100產(chǎn)品為例，根據(jù)英偉達(dá)官方介紹，A100的理論浮點(diǎn)運(yùn)算性能可以達(dá)到19.5TFLOPS（19.5TeraFLOPS），即每秒195萬億次浮點(diǎn)運(yùn)算。大型語言模型（LargeLanguageModel，簡(jiǎn)稱LLM）是一種使用深度學(xué)習(xí)算法處理、理解自然語言的基礎(chǔ)學(xué)習(xí)模型。LLM基于數(shù)億到數(shù)千億個(gè)參數(shù)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，通過訓(xùn)練數(shù)據(jù)學(xué)習(xí)自然語言的規(guī)律和模式，并能夠生成高質(zhì)量的自然語言文本。這些模型的訓(xùn)練需要大量的計(jì)算資源和海量的文本數(shù)據(jù)，因此需要使用分布式計(jì)算和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理技術(shù)。目前，LLM模型能夠在例如語音識(shí)別、文本摘要、智能翻譯等領(lǐng)域中實(shí)際應(yīng)用，但是LLM模型大規(guī)模應(yīng)用目前仍然存在一些挑戰(zhàn)和限制：需要大量的訓(xùn)練數(shù)據(jù)和計(jì)算資源，很難處理語言的多樣性和不確定性。GPT-3開啟大模型時(shí)代。GPT-3是由OpenAI研發(fā)的一種基于深度學(xué)習(xí)的自然語言處理模型，其使用了大量的語料庫(kù)進(jìn)行預(yù)訓(xùn)練，使其能夠理解語言的規(guī)則和模式，并生成與輸入文本相關(guān)的自然語言文本，GPT-3的主要特點(diǎn)是它具有大規(guī)模的預(yù)訓(xùn)練模型，而同時(shí)大規(guī)模的訓(xùn)練模型與之對(duì)應(yīng)的便是龐大的算力需求，根據(jù)OpenAI團(tuán)隊(duì)成員2020年發(fā)表的論文《LanguageModelsareFew-ShotLearners》，GPT-3模型擁有約1750億參考量，這使得GPT-3擁有其他較少參考量模型來說更高的準(zhǔn)確性。同時(shí)基于1750億參數(shù)的模型僅需少量的樣本訓(xùn)練，就能夠接近于BETR模型使用大量樣本訓(xùn)練后的效果。我們認(rèn)為，大模型無論在性能還是在學(xué)習(xí)能力上，相較于其他模型都具備明顯優(yōu)勢(shì)，未來或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)趨勢(shì)。伴隨大模型的明顯優(yōu)勢(shì)，與之而來的則是對(duì)于算力要求的顯著提升。以GPT-3為例，其1750億的參數(shù)，如果以英偉達(dá)旗艦級(jí)GPU產(chǎn)品A100對(duì)GPT-3進(jìn)行訓(xùn)練，1024塊A100卡需要耗費(fèi)超過1個(gè)月（大于30天），則我們可以按比例計(jì)算出，如果需要單日完成訓(xùn)練，需要的A100數(shù)量將超過30000塊。目前AI服務(wù)器通常選用CPU和加速芯片組來滿足其龐大算力需求，其中加速芯片包括GPU、FPGA、ASIC等邏輯芯片，其中GPU由于其具有最強(qiáng)的計(jì)算能力同時(shí)具備深度學(xué)習(xí)等能力，目前成為服務(wù)器中加速芯片的首選。根據(jù)研究數(shù)據(jù)，2021年全球服務(wù)器出貨量達(dá)1315萬臺(tái)，同比增長(zhǎng)7.8%，對(duì)應(yīng)全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)995億美元。根據(jù)預(yù)計(jì)，2022年全球服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到1117億美元，同比增長(zhǎng)17.0%。預(yù)計(jì)云服務(wù)提供商數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張?jiān)鲩L(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力主要來自于汽車、5G、云游戲和高性能計(jì)算。AI服務(wù)器滲透率依舊較低，增長(zhǎng)空間巨大。根據(jù)數(shù)據(jù)，截止2022年全球搭載GPGPU的AI服務(wù)器（推理）出貨量占整體服務(wù)器比重約1%，同時(shí)預(yù)測(cè)2023年伴隨AI相關(guān)應(yīng)用加持，年出貨量增速達(dá)到8%，2022~2026年CAGR為10.8%。根據(jù)數(shù)據(jù)，2022年全球AI服務(wù)器采購(gòu)中，Microsoft、Google、Meta、AWS為前四大采購(gòu)商，合計(jì)占比66.2%。中國(guó)地區(qū)ByteDance（字節(jié)跳動(dòng)）采購(gòu)比例最高，達(dá)到6.2%。GPU在AI服務(wù)器中價(jià)值量占比接近50%。我們以NvidiaDGXA100為例，其搭載了8張NvidiaA100TensorGPU，根據(jù)新浪科技數(shù)據(jù)，NvidiaDGXA100售價(jià)約為19.9w美金；NvidiaA100Tensor價(jià)格為1.00~1.20w美金。我們按照1.20w美金售價(jià)計(jì)算可得出GPU在NvidiaDGXA100價(jià)值量占比約為48.24%。我們從服務(wù)器的數(shù)量角度出發(fā)進(jìn)行GPU數(shù)量推算：根據(jù)上文預(yù)計(jì)2023年預(yù)計(jì)全球AI服務(wù)器（推理）出貨大約在14.4萬臺(tái)，到2026年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)出貨量20.0w臺(tái)。我們假設(shè)訓(xùn)練AI服務(wù)器和推理AI服務(wù)器的比例為1:4，則我們可以得到2023/2026年訓(xùn)練服務(wù)器的數(shù)量大約為3.60/5.00萬臺(tái)。由于兩種AI服務(wù)器對(duì)應(yīng)的模型訓(xùn)練階段不同，我們假設(shè)推理AI服務(wù)器和訓(xùn)練AI服務(wù)器使用的GPU數(shù)量分別為4張和8張，則可以計(jì)算出2023年和2026年全球AI服務(wù)器領(lǐng)域所需GPU數(shù)量約為86.4萬張和120萬張，我們以A100約1.20w美金的價(jià)格作為參考計(jì)算出2023年和2026年AI服務(wù)器所需GPU的價(jià)值分別為103.7億美元和144.0億美元。1.2存儲(chǔ)：AI提振需求，有望加速困境修復(fù)整體來看，ChatGPT將從算力側(cè)和數(shù)據(jù)傳輸端全面帶動(dòng)顯卡及高算力芯片需求，由此將從算力芯片、應(yīng)用端、存算一體、先進(jìn)封裝、封裝設(shè)備、IC載板等多個(gè)領(lǐng)域帶動(dòng)硬件市場(chǎng)增量需求。人工智能已成為解決艱巨業(yè)務(wù)挑戰(zhàn)的首選解決方案。AI正在為各行各業(yè)的企業(yè)組織開辟創(chuàng)新之路，從改善客戶服務(wù)、優(yōu)化供應(yīng)鏈、獲取商業(yè)智能，到設(shè)計(jì)新產(chǎn)品和服務(wù)等。NVIDIA作為AI基礎(chǔ)架構(gòu)的先行者，NVIDIADGX系統(tǒng)可提供更強(qiáng)大、完整的AI平臺(tái)，將企業(yè)組織的核心想法付諸實(shí)踐。目前AI大規(guī)模訓(xùn)練方面，NVIDIA推出的最新DGX系統(tǒng)包括A100、H100、BasePOD、SuperPOD四款產(chǎn)品，其中，DGXA100、DGXH100為英偉達(dá)當(dāng)前服務(wù)于AI領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品。H100采用先進(jìn)工藝芯片采用臺(tái)積電4N工藝+臺(tái)積電CoWoS2.5D封裝，有800億個(gè)晶體管對(duì)比A100有540億個(gè)晶體管，同時(shí)搭載了HBM3顯存，可實(shí)現(xiàn)近5TB/s的外部互聯(lián)帶寬。H100是首款支持PCIe5.0的GPU，也是首款采用HBM3標(biāo)準(zhǔn)的GPU，單個(gè)H100可支持40Tb/s的IO帶寬，實(shí)現(xiàn)3TB/s的顯存帶寬。DGXH100帶來性能的快速飛躍，通過全新張量處理格式FP8實(shí)現(xiàn)。其中FP8算力是4PetaFLOPS，F(xiàn)P16達(dá)2PetaFLOPS，TF32算力為1PetaFLOPS，F(xiàn)P64和FP32算力為60TeraFLOPS。在DGXH100系統(tǒng)中，擁有8顆H100GPU，整體系統(tǒng)顯存帶寬達(dá)24TB/s，硬件上支持系統(tǒng)內(nèi)存2TB，及支持2塊1.9TB的NVMeM.2硬盤作為操作系統(tǒng)及8塊3.84TBNVMeM.2硬盤作為內(nèi)部存儲(chǔ)。根據(jù)官網(wǎng)信息，NVIDIADGXH100對(duì)比上一代產(chǎn)品具有6倍的性能及2倍的網(wǎng)絡(luò)速度和高速可擴(kuò)展性，同時(shí)英偉達(dá)表示目前新款DGXH100已經(jīng)全面投入生產(chǎn)。國(guó)內(nèi)華為的昇騰Atlas800（型號(hào)9010）訓(xùn)練服務(wù)器是基于昇騰910+IntelCascadeLake的AI訓(xùn)練服務(wù)器，具有高計(jì)算密度、高能效比與高網(wǎng)絡(luò)帶寬易拓展、易管理等特點(diǎn)，該服務(wù)器廣泛應(yīng)用于深度學(xué)習(xí)模型開發(fā)和AI訓(xùn)練服務(wù)場(chǎng)景，適用于公有云、互聯(lián)網(wǎng)、運(yùn)營(yíng)商等需要大算力的行業(yè)領(lǐng)域。AI處理器昇騰910是一款具有超高算力的AI處理器，其最大功耗為310W，華為自研的達(dá)芬奇架構(gòu)大大提升了其能效比。八位整數(shù)精度（INT8）下的性能達(dá)到640TOPS，16位浮點(diǎn)數(shù)（FP16）下的性能達(dá)到320TFLOPS。Atlas800（型號(hào)9010）訓(xùn)練服務(wù)器從配置來看，擁有8個(gè)昇騰910模組，單模組支持HBM2e技術(shù)，且擁有32GB容量及1228GB/s傳輸速度，AI算力達(dá)2.24PFLOPSFP16/1.76PFLOPSFP16。本地存儲(chǔ)支持2個(gè)2.5SATA+8個(gè)2.5SAS/SATA或2個(gè)2.5SAS/SATA+6個(gè)2.5NVMe。AI服務(wù)器帶來存力硬件需求快速擴(kuò)展。根據(jù)美光數(shù)據(jù)測(cè)算，人工智能服務(wù)器中DRAM容量是普通服務(wù)器的8倍，NAND容量將是普通服務(wù)器的3倍，而大容量及高速率存儲(chǔ)器將是算力數(shù)據(jù)迭代運(yùn)算的重要基礎(chǔ)。我們認(rèn)為，人工智能計(jì)算量日益增加，對(duì)于AI服務(wù)器硬件需求將進(jìn)一步提升。從服務(wù)器硬件配置角度，HBM技術(shù)將快速在AI服務(wù)器中普及，其價(jià)格遠(yuǎn)高于現(xiàn)有基礎(chǔ)服務(wù)器配置，未來AI服務(wù)器需求將帶領(lǐng)存儲(chǔ)芯片出現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升的趨勢(shì)。1.3模擬：多相電源配套增長(zhǎng)，接口升級(jí)多相電源為CPU供電核心。主板主要有兩種供電方式：線性電源和開關(guān)電源，其中開關(guān)電源式為功耗相對(duì)較大的元器件，例如CPU、內(nèi)存和芯片組等供電。其中，內(nèi)存和芯片組皆采用單相供電，而CPU由于功耗巨大，須采用多相供電保證其穩(wěn)定工作。計(jì)算力作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的核心生產(chǎn)力，推動(dòng)著經(jīng)濟(jì)蓬勃向前發(fā)展。作為計(jì)算應(yīng)用的代表領(lǐng)域，云計(jì)算、人工智能、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用，對(duì)核心處理器XPU（CPU、GPU、DPU、AI等）的算力要求越來越高，使這些主芯片對(duì)供電的要求越來越嚴(yán)苛，特別是中高端的XPU處理器，需要更多相數(shù)、多路輸出、多種協(xié)議的電源管理芯片。典型的單相開關(guān)供電電路通常由PWM控制器（（PulseWidthModulation）控制器）、電感(L)、電容(C)、一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)以及MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片(DriverMos)組成。多個(gè)單相供電回路并聯(lián)在一起，且工作時(shí)間交錯(cuò)，即組成多相供電。CPU電能基本來源于12V8PIN接口。12V輸入經(jīng)過MOSFET上橋進(jìn)入電容與電感，在電感與電容填充電能并達(dá)到所需的電壓后，上橋中斷，下橋開啟。此時(shí)電容電感釋放能量，同時(shí)起到濾波穩(wěn)定功能，下橋控制電路。通過PWM控制器頻繁切換實(shí)現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定的電流與電壓供給。整體流程循環(huán)如下：（1）MOS上橋開啟，輸入12V電壓；（2）電感電容儲(chǔ)電；（3）MOS上橋關(guān)閉，MOS下橋開啟；（4）電感電容放電，提供所需電壓與電能。互聯(lián)接口升級(jí)：A100的NVLink3代和NVSwitch2代升級(jí)到了H100的NVLink4代和NVSwitch3代。DGXA100是8塊A100通過12個(gè)NVLink3連接到6塊NVSwitch2；DGXH100是8塊H100通過18個(gè)NVLink4連接到4塊NVSwitch3。第三代NVSwitch芯片（NVSwitch3），可以連接服務(wù)器內(nèi)部各GPU卡，同時(shí)還可以將GPU服務(wù)器擴(kuò)展外連來建立一個(gè)獨(dú)立完整的GPU高速集群。同時(shí)在NVSwitch芯片內(nèi)通過硬件加速器來支持組播報(bào)文加速和引入SHARP(ScalableHierarchicalAggregationandReductionProtocol)，主要用來加速和優(yōu)化All-Reduce的AI計(jì)算性能。通過第三代NVSwitch芯片組成的物理交換機(jī)，可以建立一個(gè)最多256個(gè)H100GPU卡的集群，整網(wǎng)提供57.6TB/s的all-to-all帶寬。NVLink4.0技術(shù)規(guī)范可以大大優(yōu)化GPU的性能和擴(kuò)展性。NVLink是為了解決服務(wù)器內(nèi)部GPU之間點(diǎn)到點(diǎn)通訊的一種協(xié)議。NVLink對(duì)比傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)不會(huì)有例如端到端報(bào)文重傳，自適應(yīng)路由，報(bào)文重組等開銷。極度簡(jiǎn)化的NVLink接口可以為CUDA提供從會(huì)話層，表示層到應(yīng)用層的加速。NVLink隨GPU架構(gòu)演進(jìn)而發(fā)展，從第一代P100的NVLink1到現(xiàn)在H100的NVLink4。NVLink3可同時(shí)支持50GNRZ和56GPAM4，NVLink4首次引入112GPAM4Serdes，可以提供900GB/s的雙向帶寬，較NVLink3的600GB/s提升1.5倍。網(wǎng)絡(luò)接口升級(jí)：DGX服務(wù)器包括4個(gè)網(wǎng)絡(luò)：計(jì)算網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)、In-band管理網(wǎng)絡(luò)和Out-of-band管理網(wǎng)絡(luò)。計(jì)算網(wǎng)絡(luò)接口：DGXA100服務(wù)器計(jì)算網(wǎng)絡(luò)是8張單口200Gbps的CX6或者CX7的IB網(wǎng)卡。DGXH100服務(wù)器4個(gè)800G的OSFP接口內(nèi)部是8個(gè)CX7的網(wǎng)卡芯片組成，可支持IB或者Eth，每個(gè)OSFP口可以通過分線來支持2個(gè)NDR400G的IB網(wǎng)絡(luò)或者2個(gè)400G以太網(wǎng)絡(luò)，并且這里已經(jīng)從A100的56GPAM4Serdes升級(jí)到了112GPAM4的Serdes。存儲(chǔ)&In-band網(wǎng)絡(luò)接口：DGXA100服務(wù)器存儲(chǔ)是兩張雙口CX6或者CX7的IB或者Eth網(wǎng)卡，每一塊雙口網(wǎng)卡上，一口作存儲(chǔ)用，另一個(gè)口做in-band管理。DGXH100服務(wù)器同樣是使用兩張雙口400G的CX7VPI網(wǎng)卡，可支持IB或者Eth,官方建議一個(gè)NDR400G走IB存儲(chǔ)，另一個(gè)降速成Eth200G走In-band管理網(wǎng)。Out-of-band：DGXA100服務(wù)器是兩個(gè)千兆電口Lan和BMC。DGXH100服務(wù)器Out-of-band網(wǎng)絡(luò)還是推薦使用BMCRJ45千兆電口。內(nèi)存接口升級(jí)：內(nèi)存接口芯片，是用于服務(wù)器內(nèi)存模組（又稱內(nèi)存條）的核心邏輯器件，是服務(wù)器CPU與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)及指令傳輸?shù)臉蛄骸?nèi)存模組用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，是影響服務(wù)器性能的重要因素，由于服務(wù)器CPU對(duì)內(nèi)存模組的高傳輸速率、大容量需求日益增長(zhǎng)，因此為了服務(wù)器系統(tǒng)性能得到最佳發(fā)揮，服務(wù)器內(nèi)存模組往往需要配置內(nèi)存接口芯片，用于提升訪問速度和穩(wěn)定性。從數(shù)量上來講，服務(wù)器內(nèi)存模組與內(nèi)存接口芯片一一對(duì)應(yīng)。內(nèi)存模組根據(jù)其結(jié)構(gòu)，大致可分為UDIMM、RDIMM和LRDIMM3類，僅考慮DDR~DDR4，UDIMM內(nèi)存模組無緩沖，價(jià)格低廉，但容量較小，不能滿足服務(wù)器的要求，多用于桌面式PC。RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，較UDIMM更為穩(wěn)定，此外，RDIMM支持更高的容量和頻率，容量最大可支持32GB，頻率最大支持3200MT/s。缺點(diǎn)在于由于寄存器的使用，其延遲較高，能耗也較大。LRDIMM作為RDIMM的替代品出現(xiàn)，其最大容量進(jìn)一步提升至64GB。我們判斷，海量數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)需求將持續(xù)推動(dòng)內(nèi)存接口芯片迎量?jī)r(jià)齊升和市場(chǎng)高速擴(kuò)容。我們接下來將從量?jī)r(jià)兩個(gè)維度展開分析：1）量的方面，受益于服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)和單臺(tái)服務(wù)器內(nèi)存模組用量不斷上升，2）價(jià)的方面，內(nèi)存接口技術(shù)升級(jí)及內(nèi)存接口芯片結(jié)構(gòu)升級(jí)滲透帶來內(nèi)存接口芯片本身價(jià)值量提升。內(nèi)存接口芯片伴隨內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，當(dāng)前主流的DDR4內(nèi)存技術(shù)面世至今歷經(jīng)多次迭代，已進(jìn)入成熟期。2020年7月DDR5標(biāo)準(zhǔn)正式推出，內(nèi)存技術(shù)迭代大幕正式拉起。我們判斷未來內(nèi)存技術(shù)升級(jí)將推動(dòng)內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)加速擴(kuò)容：1）DDR5突破處理器性能瓶頸，處理器及存儲(chǔ)龍頭大力推進(jìn)，有望加速滲透替代DDR4市場(chǎng)份額；2）新一代內(nèi)存接口芯片技術(shù)難度增大，ASP有望大幅抬升；3）DDR5時(shí)代內(nèi)存接口芯片采用“1+10”架構(gòu)，價(jià)值量相較前代提升。DDR5內(nèi)存性能遠(yuǎn)超DDR4的規(guī)格上限，配套內(nèi)存接口芯片性能及技術(shù)難度隨之提升，推高內(nèi)存接口芯片ASP。DRR5相較于DDR4單顆DRAM內(nèi)存密度提升4倍至64Gbit，最大數(shù)據(jù)傳輸速率提升一倍達(dá)到6.4Gbps，工作電壓由1.2V壓低至1.1V使對(duì)應(yīng)功耗降低超過20％，故而DDR5內(nèi)存將對(duì)保證內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率和穩(wěn)定性的內(nèi)存接口芯片提出更高要求，進(jìn)而新一代內(nèi)存接口芯片在滿足更高性能要求的同時(shí)技術(shù)難度也相應(yīng)提升，從而提高新一代內(nèi)存接口芯片價(jià)值量。二、行業(yè)利好層出不窮，自主可控勢(shì)在必行2.1設(shè)備：供應(yīng)鏈限制延續(xù)，國(guó)產(chǎn)替代加速全球設(shè)備五強(qiáng)占市場(chǎng)主導(dǎo)角色。全球設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局，主要前道工藝（刻蝕、沉積、涂膠、熱處理、清洗等）整合成三強(qiáng)AMAT、LAM、TEL。另外，光刻機(jī)龍頭ASML、過程控制龍頭KLA市占率較高。根據(jù)彭博，ASML、AMAT、LAMResearch、TEL、KLA五大廠商2021財(cái)年收入合計(jì)845億美元，占全球市場(chǎng)約82%。中國(guó)大陸12寸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)迅速，全球占比持續(xù)提升。根據(jù)數(shù)據(jù)，全球300mm晶圓產(chǎn)能在2022年-2025年復(fù)合增速有望達(dá)到接近10%，至2025年達(dá)到920萬片/月。其中，中國(guó)大陸300mm晶圓廠產(chǎn)能在全球的占比將從2021年的19%提升至23%，有望在2025年成為全球產(chǎn)能第二的地區(qū)，僅次于屆時(shí)韓國(guó)24%的占比。此外，中國(guó)臺(tái)灣省的產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)將在2021年-2025年下降1%，到2025年占比21%，日本產(chǎn)能占比從2021年的15%下降至2025年的12%。設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低，海外龍頭壟斷性較高。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴進(jìn)口，從市場(chǎng)格局來看，細(xì)分市場(chǎng)均有較高集中度，主要參與廠商一般不超過5家，top3份額往往高于90%，部分設(shè)備甚至出現(xiàn)一家獨(dú)大的情況，目前國(guó)內(nèi)廠商目標(biāo)市場(chǎng)主要是國(guó)內(nèi)晶圓廠需求，尤其是內(nèi)資投建的需求。設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低，國(guó)產(chǎn)廠商成長(zhǎng)空間巨大。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴進(jìn)口，目前國(guó)內(nèi)廠商目標(biāo)市場(chǎng)主要是國(guó)內(nèi)晶圓廠需求，尤其是內(nèi)資投建的需求，潛在收入目標(biāo)空間較大。BIS出臺(tái)新出口管制，國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。2022年10月7日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）公布了《對(duì)向中國(guó)出口的先進(jìn)計(jì)算和半導(dǎo)體制造物項(xiàng)實(shí)施新的出口管制》。根據(jù)研究，新規(guī)則主要集中在對(duì)某些高端計(jì)算半導(dǎo)體芯片、超級(jí)計(jì)算機(jī)最終用途交易，涉及實(shí)體清單（EntityList）的交易以及某些半導(dǎo)體制造項(xiàng)目和某些集成電路（IC）最終用途的交易。包括“將某些先進(jìn)、高性能的計(jì)算機(jī)芯片和含有此類芯片的計(jì)算機(jī)商品加入商業(yè)管制清單”、“擴(kuò)大《出口管制條例》（EAR）的適用范圍”等。同時(shí)，BIS將31家中國(guó)實(shí)體列入U(xiǎn)nverifiedList（UVL），被列入的31家中國(guó)實(shí)體包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、北方華創(chuàng)等；藥明生物等并移除9家中國(guó)實(shí)體被移除。被列入U(xiǎn)VL后，實(shí)體將無法享受出口管制下的許可例外。此外，UVL實(shí)體在進(jìn)行出口、再出口及轉(zhuǎn)讓受EAR管轄物項(xiàng)的交易時(shí)，需獲取UVL聲明，該聲明附帶許多調(diào)查義務(wù)；出口商在向UVL內(nèi)實(shí)體出口商品時(shí)，需進(jìn)行電子出口信息申報(bào)。很大程度上增加了交易成本。根據(jù)研究，BIS將31家中國(guó)實(shí)體被列入U(xiǎn)VL的理由為：由于這些實(shí)體處于美國(guó)政府控制之外，BIS無法對(duì)其進(jìn)行最終用途核查，因此無法確定這31家中國(guó)實(shí)體是否為“善意誠(chéng)信的”（Bonafide），即BIS無法確定31家中國(guó)實(shí)體對(duì)于《出口管制條例》（ERA）的物項(xiàng)的最終用途是否具有合法性和可靠性。同理，由于原UVL中的9家中國(guó)實(shí)體積極配合BIS并完成最終用途的核查，BIS將這9家中國(guó)實(shí)體從UVL中移除。國(guó)內(nèi)國(guó)產(chǎn)化逐漸起航，從0到1的過程基本完成。北方華創(chuàng)產(chǎn)品布局廣泛，刻蝕機(jī)、PVD、CVD、氧化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)、ALD等設(shè)備新產(chǎn)品市場(chǎng)導(dǎo)入節(jié)奏加快，產(chǎn)品工藝覆蓋率及客戶滲透率進(jìn)一步提高，在集成電路領(lǐng)域主流生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)批量銷售，產(chǎn)品加速迭代；第三代半導(dǎo)體、新型顯示、光伏設(shè)備產(chǎn)品線進(jìn)一步拓寬，出貨量實(shí)現(xiàn)較快增長(zhǎng)。拓荊科技作為國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用PECVD和SACVD設(shè)備的供應(yīng)商，設(shè)備廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠，PEALD已實(shí)現(xiàn)銷售；中微公司介質(zhì)刻蝕機(jī)已經(jīng)打入5nm制程，新款用于高性能Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備UniMax2022H1訂單已達(dá)到180腔；芯源微前道涂膠顯影設(shè)備在28nm及以上多項(xiàng)技術(shù)及高產(chǎn)能結(jié)構(gòu)方面取得進(jìn)展，公司前道物理清洗設(shè)備已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平并成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，新簽訂單結(jié)構(gòu)中前道產(chǎn)品占比大幅提升；華海清科CMP設(shè)備在邏輯芯片、3DNAND、DRAM制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別突破至14nm、128層、1X/1Ynm，到2021年底，公司CMP設(shè)備累計(jì)出貨超過140臺(tái)，未發(fā)出產(chǎn)品的在手訂單超70臺(tái)。盛美半導(dǎo)體主要設(shè)備產(chǎn)品包括兆聲波單片清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備及銅互連電鍍工藝設(shè)備，客戶涵蓋海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際等。精測(cè)電子、上海睿勵(lì)在測(cè)量領(lǐng)域突破國(guó)外壟斷。2.2材料：需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化邁入深水區(qū)全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模有望在2023年超過700億美金。根據(jù)數(shù)據(jù)，2021-2023年的晶圓廠建設(shè)投資達(dá)到歷史新高，僅2022年的支出就增長(zhǎng)了14%，達(dá)到近260億美元。2022年將有28個(gè)新量產(chǎn)晶圓廠開始建設(shè)，其中包括23個(gè)300mm晶圓廠和5個(gè)200mm及以下晶圓廠。晶圓廠的投建，晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)充帶來半導(dǎo)體材料需求持續(xù)增長(zhǎng)，繼2021年市場(chǎng)規(guī)模創(chuàng)新高后，數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模將同比再增長(zhǎng)7%，其中晶圓制造材料2022年有望同比增長(zhǎng)8.4%，封裝材料增長(zhǎng)3.9%。中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)全球占比逐步提升。根據(jù)EETAsia，強(qiáng)勁的下游需求及晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張驅(qū)動(dòng)2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)15.9%達(dá)到643億美金新高。其中晶圓制造材料和封裝材料市場(chǎng)規(guī)模分別為404億美金和239億美金，同比增長(zhǎng)15.5%和16.5%。晶圓制造環(huán)節(jié)中的硅片、化學(xué)品、CMP和光掩膜環(huán)節(jié)是增速最快的幾大領(lǐng)域。分地域來看，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模近幾年在全球的占比持續(xù)提升，2021年占全球比重提升至18.6%，已成為僅次于中國(guó)臺(tái)灣省的全球第二大區(qū)域。半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率仍待轉(zhuǎn)化。在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策大力扶持和國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)等利好條件下，特別是國(guó)家“02專項(xiàng)”等專業(yè)化科研項(xiàng)目的培育下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)⒂楷F(xiàn)更多具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的公司和產(chǎn)品，在更多關(guān)鍵半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代，打破國(guó)外廠商的壟斷。半導(dǎo)體芯片制造工藝半導(dǎo)體將原始半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變成半導(dǎo)體芯片，每個(gè)工藝制程都需要電子化學(xué)品，半導(dǎo)體芯片造過就是物理和化學(xué)的反應(yīng)過程，半導(dǎo)體材料的應(yīng)用決定了摩爾定律的持續(xù)推進(jìn)，決定芯片是否將持續(xù)縮小線寬。目前我國(guó)不同半導(dǎo)體制造材料的技術(shù)水平不等，但整體與國(guó)外差距較大，存在巨大的國(guó)產(chǎn)替代空間。各類材料持續(xù)持續(xù)突破，業(yè)績(jī)佐證國(guó)產(chǎn)替代正式開幕。隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓代工的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)于晶圓制造中不可缺失的基礎(chǔ)材料將會(huì)有著非常大的需求拉動(dòng)，而在此階段我們可以看到隨著技術(shù)及工藝的推進(jìn)以及中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)鏈逐步的完善，在材料領(lǐng)域已經(jīng)開始涌現(xiàn)出各類已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)及供應(yīng)的廠商。2.3零部件：供不應(yīng)求，市場(chǎng)空間超500億美金2022年全球半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)規(guī)?；虺^500億美金。根據(jù)富創(chuàng)精密招股書及國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備廠商公開披露信息，設(shè)備成本構(gòu)成中通常原材料（不同類型的精密零部件產(chǎn)品）占比90%以上為原材料，考慮國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備公司毛利率通常在40%-45%左右，則全部精密零部件市場(chǎng)約為全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的50%-55%。根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1025億美金，預(yù)計(jì)2022年進(jìn)一步提升14.7%至1175億美金。若按零部件占設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的50%測(cè)算，則2022年全球半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)規(guī)?；虺^500億美金。根據(jù)數(shù)據(jù)，2019-2021年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額占全球的平均比重為25.9%，若以此作為大陸零部件市場(chǎng)占全球的比重進(jìn)行測(cè)算，則2022年中國(guó)大陸零部件市場(chǎng)規(guī)模為152億美金。富創(chuàng)精密在招股書中采用了成本占比法測(cè)算精密零部件市場(chǎng)空間，公司根據(jù)不同類型設(shè)備2020年公布的市場(chǎng)規(guī)模，以及國(guó)內(nèi)代表性公司披露的原材料成本，和精密零部件在成本中的占比，并考慮設(shè)備廠商毛利率水平，累加得到公司主要產(chǎn)品的全球市場(chǎng)規(guī)模約160億美金。歐洲企業(yè)引領(lǐng)真空系統(tǒng)行業(yè)。根據(jù)數(shù)據(jù)，2020年半導(dǎo)體全球真空子系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模為27億美金，約占關(guān)鍵子系統(tǒng)的22.1%。真空子系統(tǒng)主要包括真空泵、壓力表和真空閥。目前市場(chǎng)被歐洲及日本企業(yè)占據(jù)，歐洲廠商份額超過60%且有持續(xù)提升的趨勢(shì)，其中Edwards，Pfeiffer，VATValve三家占全球份額的55%，日本廠商份額約22%?？涛g、沉積需求驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)高增速。數(shù)據(jù)測(cè)算電源系統(tǒng)占半導(dǎo)體關(guān)鍵子系統(tǒng)的從2016年的9.8%提升至2021年的13%，從量?jī)r(jià)角度來看，平均每個(gè)反應(yīng)腔需要的射頻電源系統(tǒng)數(shù)量持續(xù)增加，同時(shí)下游對(duì)以高頻為代表的高端電源子系統(tǒng)需求增加帶來平均價(jià)質(zhì)量的增加。多重曝光及3DNAND層數(shù)不斷增加，帶來了對(duì)刻蝕、沉積步驟的需求提升，以3DNAND為例，時(shí)間更長(zhǎng)、更復(fù)雜的刻蝕步驟對(duì)電源系統(tǒng)解決方案的需求也在不斷提升。從下游應(yīng)用來看，電源系統(tǒng)中71%的需求來源于刻蝕設(shè)備。2020年中國(guó)晶圓廠前道設(shè)備零部件采購(gòu)額超過10億美金。根據(jù)研究，2020年中國(guó)大陸晶圓廠8英寸和12英寸前道設(shè)備零部件采購(gòu)金額超過10億美金。其中不含海外廠商在國(guó)內(nèi)的產(chǎn)線，中國(guó)內(nèi)資晶圓廠采購(gòu)金額約4.3億美金。中國(guó)晶圓廠采購(gòu)的設(shè)備零部件主要包括石英（Quartz）、射頻發(fā)生器（RFGenerator）、各種泵（Pump）等，分別占零部件采購(gòu)金額的比重≥10%。此外各種閥門（Valve）、吸盤（Chuck）、反應(yīng)腔噴淋頭（ShowerHead）、邊緣環(huán)（EdgeRing）等零部件的采購(gòu)占比也較高。如果以2020年全球192億美金的市場(chǎng)規(guī)模為基礎(chǔ)，中國(guó)的10億美金采購(gòu)額占全球的不到5%，我們認(rèn)為主要是因?yàn)閲?guó)內(nèi)設(shè)備廠商正處于持續(xù)研發(fā)突破，產(chǎn)品初步起量階段，也因此隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商的放量，未來國(guó)內(nèi)零部件需求預(yù)計(jì)會(huì)快速增長(zhǎng)。全球前十大關(guān)鍵子系統(tǒng)供應(yīng)商市占率自2010年起始終維持在約50%。2000-2010年伴隨收購(gòu)并購(gòu)，行業(yè)持續(xù)整合，全球關(guān)鍵子系統(tǒng)前十大廠商的合計(jì)份額逐步提升，2010年以來前十大家的份額始終維持在50%左右的水平。2020年，蔡司仍占據(jù)第一位置，受益于對(duì)射頻電源子系統(tǒng)的強(qiáng)勁需求，MKS超過Edwards躍居第二。三、邊際改善，拐點(diǎn)已至3.1存儲(chǔ)：供需改善，價(jià)格觸底3.1.1DRAM：周期輪動(dòng)，價(jià)格底部2022年供需位元差加大，供大于求困局未破。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年DRAM市場(chǎng)需求位元成長(zhǎng)率為8.3%，系近年來首次低于10%，遠(yuǎn)低于供給位元成長(zhǎng)的14.1%。因此2023年的DRAM市場(chǎng)在供過于求的情勢(shì)或愈演愈烈，供大于求仍是當(dāng)前困局。下游需求疲軟，DRAM市場(chǎng)規(guī)模連續(xù)多季度萎縮。2022年疲弱的經(jīng)濟(jì)狀況和高通脹率降低了全球范圍內(nèi)個(gè)人電腦、智能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求，DRAM需求也因此下降。預(yù)計(jì)2022年下半年DRAM銷售額將下降40%至293億美元，而2022年上半年銷售額達(dá)490億美元。同時(shí)，根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)，三季度存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比大跌29.72%至177.64億美元，創(chuàng)10個(gè)季度新低，預(yù)計(jì)2022年Q4市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步環(huán)比下跌。2022年Q4多廠商業(yè)績(jī)下行，行業(yè)平均下跌達(dá)30%。三星：2022年Q4，DRAM銷售收入達(dá)54.05億美元，環(huán)比減少23.6%，市場(chǎng)份額為44.5%。DRAMBit出貨量環(huán)比高個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)，ASP環(huán)比下跌超30%。SK海力士：2022年Q4，DRAM收入達(dá)34.07億美元，環(huán)比減少35.3%，DRAM出貨量環(huán)比持平，ASP下跌超30%。美光：2022年Q4，DRAM收入為28.29億美元，環(huán)比下跌41.2%，DRAMBit出貨量環(huán)比下降約25%，DRAMASP環(huán)比減少20%以上。南亞科技：2022年Q4，DRAM收入環(huán)比減少30.3%至2.53億美元。華邦電子:2022年Q4，DRAM收入環(huán)比減少29.8%至1.06億美元。庫(kù)存端，以美光各季庫(kù)存進(jìn)行追蹤，自2021年Q1開始，公司庫(kù)存逐步進(jìn)入下降通道，至2021年Q4達(dá)到底部。自此開始，受下游需求疲軟影響，公司庫(kù)存水位逐步增加，至2023Q1，公司庫(kù)存水位已達(dá)近三年最高點(diǎn)，為81.29億美元，環(huán)比2022年Q4增幅超22%。高庫(kù)存水位下，各廠商去庫(kù)存壓力迫在眉睫，同時(shí)疊加需求疲軟，直接導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌。供需對(duì)峙下，存儲(chǔ)廠商唯有降價(jià)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年Q1下游各領(lǐng)域產(chǎn)品價(jià)格均有超過10%的下降。目前來看，PC制造商仍有9至13周的DRAM庫(kù)存等待消化，但移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的庫(kù)存水平相對(duì)健康，不過定價(jià)仍預(yù)計(jì)要下降10-15%。由于消費(fèi)者對(duì)DRAM的需求低迷，供應(yīng)商將銷售的目光投向了服務(wù)器方面，然而這卻導(dǎo)致服務(wù)器DRAM庫(kù)存的大量堆積?？紤]到DRAM主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品的定位、單價(jià)和格局等不盡相同，我們對(duì)DRAM價(jià)格分主流產(chǎn)品和利基產(chǎn)品兩大類進(jìn)行跟蹤。主流產(chǎn)品：現(xiàn)貨和合約價(jià)均下跌。合約價(jià)：以DDR48Gb1Gx82133Mbps(基于8G存儲(chǔ))為例，在經(jīng)歷2022年10月份合約平均價(jià)穩(wěn)定后，至2023年1月價(jià)格進(jìn)一步下跌至1.81美元，月度環(huán)比跌幅約22%。現(xiàn)貨價(jià)：以DDR416G(2G*8)2666Mbps和DDR48G(1G*8)2666Mbps為例，整體下跌趨勢(shì)延續(xù)已久，進(jìn)入2023年主流現(xiàn)貨平均價(jià)跌幅趨緩，但仍未見反彈。截至2023年4月6日，以上所述的16GB和8GB產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格分別為3.21美元和1.65美元?，F(xiàn)貨價(jià)：我們以DDR34Gb512Mx81600MHz產(chǎn)品為例，現(xiàn)貨價(jià)格已至上一輪周期底部，利基市場(chǎng)主要面向存儲(chǔ)速度性能不太高的市場(chǎng)，上一輪DDR3周期價(jià)格上行系三星、海力士等龍頭廠商為準(zhǔn)備利潤(rùn)更高的DDR5生產(chǎn)，逐步淘汰DDR3產(chǎn)能，導(dǎo)致DDR3短期內(nèi)供需失衡所致。同樣，在本輪的DDR3價(jià)格下行周期中，三星放緩line13的DDR3產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至CIS，也給供給端帶來更多壓力。本輪底部區(qū)間，在行業(yè)面臨寒冬，下游需求疲軟，供給過剩的背景下，價(jià)格反彈壓力較大。3.1.2NANDFlash：供需修復(fù)，價(jià)格有望逐步企穩(wěn)NANDFlash寡頭地位逐步增強(qiáng)，根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，CR6包括三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、海力士總體市場(chǎng)規(guī)模占比約99%，其中三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)三家行業(yè)龍頭，約占比70%的市場(chǎng)份額，在市場(chǎng)上有較大的影響力。根據(jù)數(shù)據(jù)的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)受益于下游新增需求的快速發(fā)展，NANDFlash的需求量也會(huì)有增長(zhǎng)趨勢(shì)。從行業(yè)供給格局來看，三星依舊占領(lǐng)較大的市場(chǎng)份額，但還未形成絕對(duì)的寡頭地位，且國(guó)內(nèi)公司長(zhǎng)江儲(chǔ)存也將持續(xù)發(fā)展，有望進(jìn)一步提升市場(chǎng)份額。2022年10月26日，存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(WesternDigital)在日本慶祝位于四日市最先進(jìn)制程晶圓廠Fab7完工。此Fab7晶圓廠第一期的總投資約為1萬億日元(約合人民幣487.97億元)，具備生產(chǎn)第六代162層NANDFlash閃存和未來更先進(jìn)3DNANDFlash閃存的能力，計(jì)劃于2023年初開始出貨162層NANDFlash閃存。頭部廠商已正逐步覆蓋3DNAND236及256層甚至更高疊層工藝制程，持續(xù)技術(shù)迭代更新。NANDFlash需求端受到全球人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)海量數(shù)據(jù)處理，其市場(chǎng)規(guī)模正快速增長(zhǎng)。而NANDFlash主要覆蓋的下游應(yīng)用設(shè)備為手機(jī)、服務(wù)器、PC及車載工控等，我們認(rèn)為，手機(jī)及3C產(chǎn)品的儲(chǔ)存容量和硬盤搭載率提升將推動(dòng)NANDFlash需求量持續(xù)增高。對(duì)于服務(wù)器設(shè)備，云端儲(chǔ)存及處理數(shù)據(jù)場(chǎng)景越發(fā)增長(zhǎng)，服務(wù)器需求量及單設(shè)備搭載量同樣推動(dòng)NANDFlash市場(chǎng)的需求量提升。除此傳統(tǒng)需求領(lǐng)域外，隨著車載智能化的逐步提升，車載NANDFlash市場(chǎng)也有望迎來高速增長(zhǎng)。1)手機(jī)及傳統(tǒng)3C產(chǎn)品，NAND單機(jī)搭載量提升近十年，智能手機(jī)作為成熟市場(chǎng)，每年全球手機(jī)出貨維持在11至13億部左右，保持穩(wěn)定波動(dòng)。而隨手機(jī)智能化水平越發(fā)提升，其攝影攝像功能、高清顯示功能及各類多功能軟件所消耗的儲(chǔ)存空間持續(xù)增長(zhǎng)，用戶對(duì)于手機(jī)的儲(chǔ)存空間越發(fā)增加。智能手機(jī)市場(chǎng)對(duì)應(yīng)Flash市場(chǎng)的增長(zhǎng)邏輯，主要來源于單機(jī)搭載量的持續(xù)提升。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2020年智能手機(jī)NAND閃存平均容量首次突破100GB大關(guān)。在iOS和Android手機(jī)中有所不同。在iOS手機(jī)中，2020年第四季度的平均NAND容量達(dá)到140.9GB，而同期Android手機(jī)的平均容量為95.7GB。Android手機(jī)的平均容量在過去幾年中一直在快速增長(zhǎng)。2020年iOS和Android手機(jī)的平均容量分別增長(zhǎng)了5.6%和20.5%。同時(shí)根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，預(yù)估2023年智能手機(jī)NANDFlash單機(jī)搭載容量年成長(zhǎng)仍能維持22.1%。我們認(rèn)為，IPhone產(chǎn)品組合仍全線往更高容量1TB靠攏；Android高端機(jī)種也跟進(jìn)將512GB做為標(biāo)準(zhǔn)配備，中低端機(jī)儲(chǔ)存空間則隨硬件規(guī)格持續(xù)升級(jí)而提高，因此整體平均容量仍有增長(zhǎng)空間。全球PC市場(chǎng)（包括筆電、桌面PC、工作站等）在2020-2021年期間迎來強(qiáng)換機(jī)周期且居家辦公刺激需求端提前消費(fèi)，根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年全球PC出貨量達(dá)3.46億臺(tái)。2022年需求迎來疲軟態(tài)勢(shì)，根據(jù)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2022年整體出貨量將下滑至2.93億臺(tái)，同比降低15.2%。另外，由于消費(fèi)市場(chǎng)需求減緩，教育市場(chǎng)也獲基本滿足，及因經(jīng)濟(jì)狀況弱化同樣使商用市場(chǎng)需求遭到擠壓。根據(jù)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2023年全球PC市場(chǎng)將進(jìn)一步萎縮。PC加上平板電腦的整體市場(chǎng)預(yù)估2023年下降2.6%，預(yù)計(jì)在2024年恢復(fù)成長(zhǎng)。根據(jù)數(shù)據(jù)，由于2020-2021年受到居家辦公的提前消費(fèi)影響，平板電腦（包括二合一的可拆卸式平板在內(nèi)）市場(chǎng)在2020/2021年出貨量達(dá)到1.65/1.69億部，同比增長(zhǎng)13.8%/2.4%。但隨2022年消費(fèi)逐步疲軟，根據(jù)數(shù)據(jù)，2022年全球出貨量同比下滑3.6%至1.63億臺(tái)。PC及移動(dòng)平板電腦作為存量市場(chǎng)，整體年度出貨量波動(dòng)不大，基本維持億部的出貨量。近些年隨電腦固態(tài)硬盤替代傳統(tǒng)硬盤趨勢(shì)及單機(jī)儲(chǔ)存量提升，其中SSD搭載率有所提升。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2018年SSD240GB價(jià)格與1TBHDD同價(jià)的，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到52%。到2019年SSD480GB價(jià)格與1TBHDD同價(jià)的時(shí)候，在筆記本電腦上的搭載率將達(dá)到65%以上。另外，消費(fèi)類SSD在零售渠道市場(chǎng)每個(gè)月也有200萬片硬盤升級(jí)SSD的出貨量。2)AI帶動(dòng)服務(wù)器及云端數(shù)據(jù)儲(chǔ)存有望快速放量，進(jìn)一步推動(dòng)NANDFlash需求.云計(jì)算時(shí)代市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，云儲(chǔ)存、云計(jì)算的數(shù)據(jù)量不斷提高。在數(shù)字化時(shí)代的發(fā)展下，隨工作量的云上遷移和云本地應(yīng)用的加速開發(fā)，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷迭代升級(jí)的背景下，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)儲(chǔ)量由2016年的16ZB增長(zhǎng)至2021年的54ZB，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為27.5%，隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，預(yù)計(jì)2022年全球數(shù)據(jù)儲(chǔ)量將達(dá)61ZB。根據(jù)數(shù)據(jù)，云數(shù)據(jù)及企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需求將在2026年達(dá)到5255億每GB當(dāng)量，2021年至2026年，CAGR將達(dá)到33.0%。3)車載NANDFlash有望受汽車智能化持續(xù)增長(zhǎng)2022年全球新能源汽車銷量突破千萬。根據(jù)數(shù)據(jù)，2022年全球新能源汽車銷量突破千萬達(dá)1009.12萬輛，占整體汽車市場(chǎng)14%份額，其中比亞迪以184.77萬輛的全年銷售數(shù)據(jù)獲得全球銷量冠軍。根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2023年1月和2