拋光片標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格及術(shù)語(yǔ)

硅片標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介工藝部1精選版課件ppt目錄標(biāo)準(zhǔn)化組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容SEMIM1-11092精選版課件ppt標(biāo)準(zhǔn)化組織3精選版課件pptSEMI

SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI是一個(gè)全全球高科技領(lǐng)域的專業(yè)協(xié)會(huì)，創(chuàng)立于1970年，擁有會(huì)員公司2300多家，會(huì)員乃從事半導(dǎo)體和平面顯示燈方面的研發(fā)、生產(chǎn)和技術(shù)供應(yīng)的公司。SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))是全球性的產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)，致力于促進(jìn)微電子、平面顯示器及太陽(yáng)能廣電等產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的整體發(fā)展。會(huì)員涵括上述產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中的制造、設(shè)備、材料與服務(wù)公司，是改善人類生活品質(zhì)的核心驅(qū)動(dòng)力。自從1970年至今，SEMI不斷致力于協(xié)助會(huì)員公司快速取得市場(chǎng)咨詢提高獲利率、創(chuàng)造新市場(chǎng)、克服技術(shù)挑戰(zhàn)。4精選版課件pptASTM

AmericanSocietyforTestingandMaterials美國(guó)材料與試驗(yàn)學(xué)會(huì)ASTM成立于1898年，是世界上最早、最大的非盈利性標(biāo)準(zhǔn)制定組織之一，任務(wù)是制訂材料、產(chǎn)品、系統(tǒng)和服務(wù)的特性和性能標(biāo)準(zhǔn)及促進(jìn)有關(guān)知識(shí)的發(fā)展。隨著業(yè)務(wù)范圍的不斷擴(kuò)大和發(fā)展，學(xué)會(huì)的工作不僅僅是研究和制定材料規(guī)范和試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)，還包括各種材料、產(chǎn)品、系統(tǒng)、服務(wù)項(xiàng)目的特點(diǎn)和性能標(biāo)準(zhǔn)，以及試驗(yàn)方法、程序等標(biāo)準(zhǔn)。100多年以來(lái)，ASTM已經(jīng)滿足了100多個(gè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)制定需求，現(xiàn)有32000多名會(huì)員，分別來(lái)自于100多個(gè)國(guó)家的生產(chǎn)者、用戶、最終消費(fèi)者、政府和學(xué)術(shù)代表。5精選版課件pptJEITA日本電子信息技術(shù)工業(yè)協(xié)會(huì)JapanElectronicsandInformationTechnologyIndustriesAssociation是一家行業(yè)團(tuán)體，其宗旨在于促進(jìn)電子設(shè)備、電子元件的正常生產(chǎn)、貿(mào)易和消費(fèi)，推動(dòng)電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的綜合發(fā)展，為日本的經(jīng)濟(jì)發(fā)展和文化繁榮作出貢獻(xiàn)。目前，正積極致力于解決電子材料、電子元器件、最終產(chǎn)品等眾多領(lǐng)域的各種課題。JEIDA及EIAJ合并后產(chǎn)生。6精選版課件pptSEMI標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容7精選版課件pptTableofcontents-TopicalSilicon&SiliconOnInsulatorSEMIM/TSiliconMaterial&ProcessContralSEMIMFPackageSpecification&TestMethodSEMIGGases–ProcessSEMICProcessChemicals–AcidsSEMICChemicalandGasTestingSEMIC/FAutomatedMaterialHandlingStstemsSEMID/E/G/SEquipmentFacilitiesInterfaceSEMIE/FMinienvironmentsSEMIE/FTubing,Fittings,andValvesSEMIFHighPurityPipingSystemsSEMIE/FStatisticalControlSEMIE/MSafetyGuidilinesSEMISTerminologySEMID/E/M/P8精選版課件pptTableofcontents–SEMIMTopicalSiliconSEMIM1SpecificationsforpolishedmonocrystallinesiliconwafersSEMIM2SpecificationforsiliconepitaxialwafersfordiscretedeviceapplicationsSEMIM6SpecificationforsiliconwafersforuseasphotocoltaicsolarcellsSEMIM8SpecificationforpolishedmonocrystallinesilicontestwafersSEMIM11SpecificationsforsiliconepitaxialwafersforintegratedcircuitapplicationSEMIM12SpecificationforserailalphanumericmarkingofthefrontsurfaceofwafersSEMIM16SpecificationforpolycrystallinesiliconSEMIM17GuideforauniversalwafergridSEMIM18FormatforsiliconwaferspecificationformfororderentrySEMIM20Practiceforestablishingawafercoordinatesystem9精選版課件pptSpecificationsforPolishedSingleCrystalSiliconWafersRevisionHistorySEMIM1-1109(technicalrevision)SEMIM1-0701(technicalrevision)SEMIM1-0309E(editorialrevision)SEMIM1-0600(technicalrevision)SEMIM1-0309(technicalrevision)SEMIM1-0200(technicalrevision)SEMIM1-0707(technicalrevision)SEMIM1-0699(technicalrevision)SEMIM1-0307(technicalrevision)SEMIM1-0298(technicalrevisionSEMIM1-1106(technicalrevision)SEMIM1-0997(technicalrevision)SEMIM1-1105E(editorialrevision)SEMIM1-1296(technicalrevision)SEMIM1-1105(technicalrevision)SEMIM1-96(technicalrevision)SEMIM1-0305SEMIM1-95(technicalrevision)SEMIM1-0704(designationupdate)SEMIM1-93(technicalrevision)SEMIM1-1103(designationupdate)SEMIM1-92(technicalrevision)SEMIM1-0302(technicalrevision)SEMIM1-89(technicalrevision)SEMIM1-0701E(editorialrevision)SEMIM1-85(technicalrevision)SEMIM1-78(firstpublished)10精選版課件pptSEMIM1-110911精選版課件pptSEMIM1-07072-1GeneralCharacteristics2-2ElectricalCharacteristics2-3ChemicalCharacteristics2-4StructuralCharacteristics2-5WaferPreparationCharacteristics2-6DimensionCharacteristics2-7FrontSurfaceChemistry2-8FrontSurfaceInspectionCharacteristics2-9BackSurfaceVisualCharacteristics12精選版課件ppt2-1GeneralCharacteristicsGrowthMethod[]Cz；[]FZ；[]MCz；

CrystalOrientation[]（100）;[]（111）;[]（110）[]SEMIMF26(X-ray)[]SEMIMF26(Optical)[]JEITAEM-3501;[]DIN50433/1/2/3;ConductivityType[]p;[]n[]SEMIMF42;[]JISH0607;[]DIN50432;Dopant[]B;[]P;[]Sb;[]As;[]NeutronTransmutationDoped;

NominalEdgeExclusion[]2mm;[]3mm;[]5mm;

WaferSurfaceOrientation[]on-orientation[]0.00°±1.00°;[]0.00°±

°[]off-orientation[]0.6°±1.00°;[]2.5°±0.50°[]4.00°±0.50°;[]

°±

°;[]SEMIMF26(X-ray)[]SEMIMF26(Optical)[]JEITAEM-3501;[]DIN50433/1/2/3;13精選版課件pptGrowthMethod生長(zhǎng)方法Cz直拉法沿著垂直方向從熔體中拉直單晶體的方案，又稱柴克勞斯基法。FZ區(qū)熔法沿著水平方向生長(zhǎng)單晶體的一種方法。MCz磁場(chǎng)直拉法晶體生長(zhǎng)時(shí)，外加磁場(chǎng)，抑制熔體的熱對(duì)流，熔體溫度波動(dòng)小，是一種生產(chǎn)高質(zhì)量單晶的新方法。按照磁場(chǎng)相對(duì)于單晶拉制方向有橫向磁場(chǎng)法和縱向磁場(chǎng)法。14精選版課件pptCz生長(zhǎng)技術(shù)15精選版課件pptFz生長(zhǎng)技術(shù)16精選版課件ppt兩種方法的對(duì)比CzFz電阻率小于30電阻率范圍較大制造成本低制造成本高硅片含氧含量高生長(zhǎng)含氧低，純度高低功率IC主要原料高功率半導(dǎo)體市場(chǎng)估計(jì)占80%市場(chǎng)大直徑較難生長(zhǎng)低阻較難均勻摻雜17精選版課件pptConductivityType導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料中多數(shù)載流子的性質(zhì)所決定的導(dǎo)電特性。p型多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。n型多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。18精選版課件pptNominalEdgeExclusion

標(biāo)稱邊緣去除對(duì)標(biāo)稱邊緣尺寸硅片，從合格質(zhì)量區(qū)邊界到硅片周邊的距離。19精選版課件pptWaferSurfaceOrientation硅片表面晶向晶向偏離在晶圓制造過(guò)程中會(huì)帶來(lái)很多好處，例如降低缺陷密度、離子注入工藝均勻性等，不同器件本身需要一定晶向偏離。線切割的加工誤差在可控范圍內(nèi)，不會(huì)影響客戶的使用。例如，As<111>的外延晶圓，一般在切片采用偏4度的方式，這是為了后段外延刻意去做的。20精選版課件ppt2-2ElectricalCharacteristicsResistivityMeasuredatNominal[]±Tolerance[]ohm·cm[]CenterPoint；[]SEMIMF84;[]SEMIMF673;[]DIN50431;[]DIN50445;RadialReststivityVariation(RRG)Notgreaterthan[]%[]SEMIMF81Figure-[]A/B/C/D;[]DIN50435;MinorityCarrierLifetimeGreaterthan[]us;SEMIMF28[]A/B;SEMIMF391[]A/B;[]SEMIMF1388;[]SEMIMF1535;[]JEITAEM-3502;[]JISH0604;[]DIN50441/1;21精選版課件pptResistivityMeasuredat

電阻率單位體積的材料對(duì)與兩平行面垂直通過(guò)的電流的阻力。一般來(lái)說(shuō)，體電阻率為材料中平行于電流的電場(chǎng)強(qiáng)度與電流密度之比。符號(hào)為ρ，單位為Ω·cm.22精選版課件pptRadialReststivityVariation(RRG)徑向電阻率變化硅片中心點(diǎn)與偏離硅片中心的某一點(diǎn)或若干對(duì)稱分布的設(shè)定值（硅片半徑1/2或靠近邊緣處）的電阻率之間的差值。這種差值可表示為中心值的百分?jǐn)?shù)。又稱徑向電阻率梯度。RV=(ρ2-ρ1)/ρ1RV=(ρ3-ρ1)/ρ1ρ1：中心處兩次讀書(shū)的平均值；ρ2：R/2處，90°間隔電阻率4次讀數(shù)的平均值；ρ3：距邊緣6mm處，90°間隔電阻率4次讀數(shù)的平均值；23精選版課件pptMinorityCarrierLifetime

少子壽命晶體中非平衡載流子由產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔，它等于非平衡少數(shù)載流子濃度衰減到起始值的1/e(e=2.718)所需的時(shí)間。非平衡少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的平方除以擴(kuò)散系數(shù)所得商，擴(kuò)散系數(shù)是設(shè)定的由載流子遷移率測(cè)試確定的。少子壽命主要用于表征材料的重金屬沾污及體缺陷：-硅錠、硅棒、硅片的進(jìn)（出）廠檢驗(yàn)；-單（多）晶生長(zhǎng)，硅片生產(chǎn)的工藝過(guò)程監(jiān)控；-生產(chǎn)加工設(shè)備的沾污控制；24精選版課件ppt2-3ChemicialCharacteristicsOxygenConcentration（ValueusingSEMIM44Calibrationfactor）Nominal[]±Tolerance[];[]xE17cm-3;[]ppma;[]IOC-88;[]OldASTM;[]NewASTMorOldDIN;OriginalJEITA;IR(Interstitial);[]SEMIMF1188;[]SEMIMF1619;[]JEIDAEM-3504;[]DIN50438-1;[]OtherSIMS(Total);[]SEMIMF1366;[]GFA(Total);RadialOxygenGradientNotgreaterthan[]%[]SEMIMF951Plan[]A1/A2/A3/B/B1/C/D;CarbonConcentrationNotgreaterthan[]ppma;[]XE16cm-3[]SEMIMF1391;[]JEITAEM-3503;[]DIN50438/2;BulkIronContentNotgreaterthan[]xE[]atmos/cm3[]SEMIMF978(DLTS);[]SEMIMF391(SPV);[]SEMIMF1535;[]JEATAEM3502(μτ);25精選版課件pptOxygenConcentration間隙氧含量硅晶體中[Oi]的值通過(guò)吸收率a乘以校準(zhǔn)參數(shù)（calibrationfactor）。紅外吸收法可測(cè)定電阻率大于幾個(gè)ohm·cm硅片的間隙氧含量。ASTMF1-121一直規(guī)定校準(zhǔn)參數(shù)為9.63，直到F1-121-77（1977）版本。1980年ASTM通過(guò)新標(biāo)準(zhǔn)，ASTMF1-121-80，可接受的常數(shù)變?yōu)?.9。報(bào)告中通常被稱為“舊ASTM”。1980年以前的報(bào)道CZ硅片[Oi]的范圍為26～38ppma。而“新ASTM”的CZ硅片的[Oi]是13～19ppma。本文中我們用“新ASTM”值。26精選版課件pptOxygenConcentrationOxygencontent:Customcontrolledlevelintherangeof24-38ppma(ASTMF121-76)TypicalexamplesofcontrolledOxygengroups:31.036.8ppma (<111>orientation)28.032.0ppma (<100>orientation)29.035.0ppma (<100>orientation)27精選版課件pptRadialOxygenGradient

徑向氧變化測(cè)試方案與徑向電阻率梯度類似；28精選版課件pptCarbonConcentration碳濃度指占據(jù)晶格替代位置的碳原子的體密度單位是at·cm-3。Carboncontent:max.0.5ppm29精選版課件pptBulkIronContent體鐵含量：<5E10atoms/cm2硅中總體鐵的含量目前，采用光電壓方法和微波壽命法的擴(kuò)展來(lái)提供摻硼硅中總體鐵含量的信息；這種拓展是依據(jù)鐵-硼配對(duì)過(guò)程。30精選版課件ppt2-4StructuralCharacteristicsDislocationEtchPitDensityNotgreaterthan[]/cm2[]SEMIMF1809;[]JISH0609;[]DIN50434;[]DIN50443/1Slip[]None[]Other;(specify)[]SEMIMF1809;]JISH0609;[]DIN50434;[]DIN50443/1Lineage[]None[]Other;(specify)[]SEMIMF1809;[]JISH0609;[]DIN50434;[]DIN50443/1TwinCrystal[]None[]Other;(specify)[]SEMIMF1809;[]JISH0609;[]DIN50434;[]DIN50443/1Swirl[]Notgreaterthan[]%ofwaferarea[]SEMIMF1809;[]JISH0609;[]DIN50434;[]DIN50443/1ShallowPitsNotgreaterthan[]/cm2[]SEMIMF1727;[]SEMIMF1049;OxygenInducedStackingFault(OSF)Notgreaterthan[]/cm2TestCycle:[]SEMIMF1727;[]JISH0609;[]Other:ObservationMethod:[]SEMIMF1726;[]JISH0609;[]DIN50443/1;31精選版課件pptDislocationEtchPitDensity位錯(cuò)缺陷坑在硅片表面的位錯(cuò)應(yīng)力區(qū)域，由擇優(yōu)腐蝕而產(chǎn)生的一種界限清晰、形狀規(guī)則的腐蝕坑。單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度（cm/cm3）通常以晶體某晶面單位面積上位錯(cuò)蝕坑的數(shù)目來(lái)表示。cm-2。32精選版課件pptSlip滑移晶體的一部分對(duì)于另一部分由切向位移產(chǎn)生的但仍保持晶體結(jié)晶學(xué)性質(zhì)的塑變形過(guò)程?；品较虺３Ｔ谝粋€(gè)特殊的晶體學(xué)平面上，是一種包括位錯(cuò)通過(guò)晶體運(yùn)動(dòng)在內(nèi)的非均勻變形過(guò)程。33精選版課件pptLineage系屬結(jié)構(gòu)小角晶界或位錯(cuò)排的局部密集排列。34精選版課件pptTwinCrystal孿晶在晶體內(nèi)晶格是兩部分，彼此成鏡像對(duì)稱的晶體結(jié)構(gòu)。連接兩部分晶體的界面成為孿晶面或?qū)\晶邊界。在金剛石結(jié)構(gòu)中，例如硅，孿晶面是（111）面。35精選版課件pptSwirl漩渦無(wú)位錯(cuò)單晶擇優(yōu)腐蝕后肉眼可見(jiàn)的呈螺旋狀或同心圓狀條紋分布，在放大150倍觀察呈現(xiàn)不連續(xù)狀。36精選版課件pptShallowPits

淺蝕坑在大于200倍的高放大倍數(shù)下是小而淺的腐蝕坑。37精選版課件pptOxygenInducedStacking

Fault(OSF)

氧化層錯(cuò)硅片表面存在機(jī)械損傷、雜質(zhì)玷污和微缺陷等時(shí)，在氧化過(guò)程中其近表面層長(zhǎng)大或轉(zhuǎn)化的層錯(cuò)。38精選版課件ppt2-5WaferPreparationCharacteristics

WaferIDMarking[]None;[]SEMIM12;[]SEMIM13;[]SEMIT1;[]SEMIT2;[]SEMIT7;[]SEMIT7+alphanumericmark;ExtrinsicGettering[]None[]Description;Backseal[]None[]Description;Annealing(ResStabilization)[]None[]Description;EdgeSurfaceCondition[]Ground;[]Etched;[]PolishedBackSurfaceCondition[]SupplierOption;[]CausticEtched;[]AcidEtched;[]Polished;39精選版課件pptWaferIDMarking硅片ID標(biāo)志用激光在靠近硅片切口或主平邊的硅片前部形成一個(gè)字母數(shù)字式點(diǎn)陣記號(hào)識(shí)別碼。根據(jù)SEMIStdM18激光標(biāo)識(shí)確定18個(gè)記號(hào)區(qū)來(lái)識(shí)別硅片廠商、導(dǎo)電類型、電阻率、平整度、硅片數(shù)目和器件類型。Softmark：0.5um-5umHardmark：10um-220um40精選版課件pptGettering吸附：使雜質(zhì)在硅片特定區(qū)固定，獲得表面潔凈區(qū)的工藝過(guò)程。一般Cz法生長(zhǎng)的硅片，由于生長(zhǎng)環(huán)境受雜質(zhì)污染及熱應(yīng)力造成的缺陷均留在硅片中，都會(huì)影響器件的良率和電性品質(zhì)。如何將硅片的晶格缺陷、金屬雜質(zhì)解決的作法，就叫做吸附。吸附又可分“內(nèi)部的吸附”IntrinsicGettering及“外部的吸附”--ExtrinsicGettering。前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步驟讓晶圓表面的「晶格缺陷或含氧量」盡量降低。后者系利用外在方法如：晶背損傷、磷化物（POCl3）將晶圓表面的缺陷及雜質(zhì)等盡量吸附到晶圓背面。41精選版課件pptIntrinsic&ExtrinsicGettering

本征（內(nèi)部）&非本征（外部）吸附處理利用硅片中晶格缺陷來(lái)控制或消除其他缺陷成為吸除法，常用的吸除可分為三類：(a)本征吸除法（內(nèi)部吸除法）-利用Cz生長(zhǎng)晶體過(guò)程中過(guò)飽和氧含量在熱處理后在WAFER表面附近形成氧沉淀而起到吸雜效果。形成析出物以造成晶格缺陷，這些缺陷會(huì)吸附器件層的雜質(zhì)和金屬等缺陷。(b)非本征吸除(Extrinsicgettering)－由外在力量造成硅片背面受機(jī)械應(yīng)力而形成如位錯(cuò)等各種缺陷來(lái)達(dá)到吸除的目的。常見(jiàn)的非本征吸除法有機(jī)械研磨、噴砂或施以一層背表面多晶硅，以此方法在機(jī)械應(yīng)力控制上以其后續(xù)清洗上仔細(xì)處理以避免造成硅片形變或污染。(c)化學(xué)吸除法-此法有別于上述兩種提供缺陷的吸附，而是通過(guò)引入含HCL氣氛的化學(xué)反應(yīng)來(lái)消除雜質(zhì)缺陷。42精選版課件pptIntrinsic&ExtrinsicGettering43精選版課件pptDenudedZone潔凈區(qū)在硅片的一個(gè)特定區(qū)域，通常僅僅位于硅片正表面之下，其中的氧濃度下降到一個(gè)比較低的水平，導(dǎo)致了體微缺陷密度（氧沉淀）減少。44精選版課件pptBackseal背封在硅片背表面覆蓋一層二氧化硅或者多晶硅、氮化硅等絕緣薄膜，以抑制硅片中主要摻雜劑向外擴(kuò)散。對(duì)于重?fù)降墓杵瑏?lái)說(shuō)，會(huì)經(jīng)過(guò)一個(gè)高溫階段，在硅片背面淀積一層薄膜，能阻止摻雜劑的向外擴(kuò)散。這一層就如同密封劑一樣防止摻雜劑的逃逸。通常有三種薄膜被用來(lái)作為背封材料：二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅。如果氧化物或氮化物用來(lái)背封，可以嚴(yán)格地認(rèn)為是一密封劑，而如果采用多晶硅，除了主要作為密封劑外，還起到了外部吸雜作用。P-/N-：BSDN+：PolyP+：BSD45精選版課件pptAnnealing(ResStabilization)退火在惰性氣體或減壓氣氛下由于高溫作用，在近表面形成一個(gè)無(wú)缺陷（COP）區(qū)的硅片，改變硅片特性的熱過(guò)程。硅片在CZ爐內(nèi)高濃度的氧氛圍里生長(zhǎng)。因?yàn)榻^大部分的氧是惰性的，然而仍有少數(shù)的氧會(huì)形成小基團(tuán)。這些基團(tuán)會(huì)扮演n-施主的角色，就會(huì)使硅片的電阻率測(cè)試不正確。要防止這一問(wèn)題的發(fā)生，硅片必須首先加熱到650℃左右。這一高的溫度會(huì)使氧形成大的基團(tuán)而不會(huì)影響電阻率。然后對(duì)硅片進(jìn)行急冷，以阻礙小的氧基團(tuán)的形成。這一過(guò)程可以有效的消除氧作為n-施主的特性，并使真正的電阻率穩(wěn)定下來(lái)。donorkiller是指將矽晶錠或晶圓在攝氏650度後之溫度，經(jīng)半小時(shí)到一個(gè)半小時(shí)的熱處理後，再經(jīng)由攝氏450度溫度左右作急速冷卻時(shí)，即可去除氧氣施體之方法。46精選版課件ppt吸除概念:金屬游離擴(kuò)散被捕獲FastDiffusionofVariousImpurities?重金屬吸附依靠:?金屬在硅中擴(kuò)散率；金屬被陷阱區(qū)域隔離；47精選版課件pptEdgeSurfaceCondition邊緣表面狀態(tài)可分為研磨、腐蝕、拋光三種狀態(tài)，根據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn)硅片和客戶的要求，選擇不同的條件。48精選版課件pptBackSurfaceCondition背表面狀態(tài)不同的背表面狀態(tài)，一般包括腐蝕和拋光兩種。49精選版課件pptBacksidefinish-Standardacidoralkalineetched-SoftBackSideDamaged(SBSD-shortetch)-HardBackSideDamage(HBSD-wetsandblasting)-LowTemperatureOxidesealed(LTO)-ThermalOxidesealed-Advanced(HBSD+LTO)-BacksideMultilayers(Poly+LTO)-OxideFreeExclusionRing50精選版課件ppt2-6DimensionCharacteristicsDiameterNominal[]±Tolerance[]mm[]SEMIMF207;[]DIN50441/4FiducialDimensionsFlat[]Lengthor[]Diameter;[]SEMIMF671(FlatLength);Nominal[]±Tolerance[]mm;[]DIN50441/4(FlatDiameter);[]NotchDimensions(Figure5)[]SEMIMF1152(NotchDimensions);PrimaryFlat/NotchOrientation[](crystalaxis)[____]±_____°[]SEMIMF847(Flat)SecondaryFlatLength[]None;[]Other_____±_____mm[]SEMIMF671SecondaryFlatLocation[]None;[]Other;(θ)_____°

EdgeProfile[](specify)_______[]SEMIMF928:MethodA/B[]DIN50441/2Procedure1/2Tempate-CoodinateBasedEdgeProfileSpecification[]T/3template_______

[]T/4template_______SEMIMF928[]A/B/C/D

DIN50441/2Procedure[]1/2Profile-Parameter-BasedEdgeProfileSpecification[]Frontedgewidth_____um±_____mm

[]Frontbevelangle_____°±_____°

[]Frontshoulderradius_____um±_____mm

[]Backshoulderradius_____um±_____mm

[]Backbevelangle_____°±_____°

[]Backedgewidth_____um±_____mm

[]Frontapexlength_____um±_____mm

[]Backapexlength_____um±_____mm

[]Frontapexangle_____um±_____mm

[]Backapexangle_____um±_____mmSEMIM73Method[]1/2

[]Target-profile-basedtemplateofwidth_um;51精選版課件ppt2-6DimensionCharacteristicsThicknessNominal[]±Tolerance[]mm;[]SEMIMF533;[]SEMIMF1530;[]JISH0611;[]DIN50441/1TotalThicknessVariation[][]um,max.[]SEMIMF533;[]JISH0611;[]DIN50441/1(fiveorninepoint);[]SEMIMF657(partialscan);[]SEMIMF1530(fullscan)Bow[][]um,max.[]SEMIMF534;[]JISH0611;Warp[][]um,max.[]SEMIMF657;[]SEMIMF1390;Sori[][]um,max.[]SEMIMF1451;[]JEITAEM-3401;Flatness,GlobalAcronym:[][][][]Value:[]um[]SEMIMF1530;[]DIN50441/3[]JEITAEM-3401;Flatness,SiteAcronym:[][][][]

Value:Notgreaterthan[]um

SiteSize____mmX____mm[]SEMIMF1530;52精選版課件pptDiameter直徑橫穿硅片表面，通過(guò)硅片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交的直線長(zhǎng)度。53精選版課件pptFiducialDimensions基準(zhǔn)直徑指晶片上的一個(gè)平面或切口所對(duì)應(yīng)的直徑，以提供其結(jié)晶軸的參考位置。54精選版課件pptPrimary&SecondaryFlatOrientationPrimaryFlat主參考面規(guī)范化圓形硅片上長(zhǎng)度最長(zhǎng)的參考面，其取向通常是特定的晶體方向，也常為第一參考面。SecondaryFlat第二參考面規(guī)范化硅片長(zhǎng)度小于主參考面的平面。它相對(duì)于主參考面的位置標(biāo)記該硅片導(dǎo)電類型和取向。又稱第二參考面。55精選版課件pptNotch切口在硅片上加工的具有規(guī)定形狀和尺寸的凹槽，切口由平行規(guī)定的低指數(shù)晶向并通過(guò)切口中心的直徑來(lái)確定。該直徑又稱作取向基準(zhǔn)軸。56精選版課件pptEdgerounding 倒角硅片邊緣通過(guò)研磨或腐蝕整形加工成一定角度，以消除硅片邊緣尖銳狀態(tài)，避免在后續(xù)加工中造成邊緣損傷。當(dāng)切片完成后，硅片有比較尖利的邊緣，就需要進(jìn)行倒角從而形成子彈式的光滑的邊緣。倒角后的硅片邊緣有低的中心應(yīng)力，因而使之更牢固。這個(gè)硅片邊緣的強(qiáng)化，能使之在以后的硅片加工過(guò)程中，降低硅片的碎裂程度。

57精選版課件pptEdgeProfile邊緣輪廓在邊緣倒角的晶片，邊緣經(jīng)化學(xué)或機(jī)械加工整形，是對(duì)連接晶片正面與表面邊界輪廓的一種描述。硅片邊緣拋光是為了去除在硅片邊緣殘留的腐蝕坑，減低硅片邊緣的應(yīng)力，將顆?；覊m的吸附降到最低。另一種方法是只對(duì)硅片邊緣酸腐蝕。58精選版課件ppt標(biāo)準(zhǔn)邊緣模版及特征點(diǎn)坐標(biāo)值表1“T/3”硅片邊緣模版坐標(biāo)值表1“T/4”硅片邊緣模版坐標(biāo)值坐標(biāo)值A(chǔ)BCD坐標(biāo)值A(chǔ)BCDx76508510x1205081000y001/3硅片厚度76y001/4硅片厚度5059精選版課件pptThickness厚度通過(guò)硅片上一給定點(diǎn)垂直于表面方向穿過(guò)硅片的距離。60精選版課件pptFlatness平整度晶片背表面為理想平面時(shí)，例如，晶片背表面由真空吸盤(pán)吸附在一個(gè)理想、平坦的吸盤(pán)上，晶片正表面相對(duì)于一規(guī)定基準(zhǔn)面的偏差，以TIR或FPD的最大值表示。晶片的平整度可描述為下面任何一種：a)總平整度；b)在所有局部區(qū)域測(cè)量的局部平整度的最大值；c)局部平整度等于或小于規(guī)定的局部局域所占的百分比；61精選版課件ppt平坦度標(biāo)準(zhǔn)62精選版課件pptTIR—TotalIndicatorReading總指示讀數(shù)與基準(zhǔn)平面平行的兩個(gè)平面間的最小垂直距離。該兩平面包含晶片正表面FQA內(nèi)或規(guī)定的局部區(qū)域內(nèi)的所有的點(diǎn)。63精選版課件pptFPD—FocalPlaneDeviation焦平面偏差晶片表面的一點(diǎn)平行于光軸到焦平面的距離。64精選版課件pptTotalThicknessVariation(TTV)

總厚度變化在厚度掃描或一系列點(diǎn)的厚度測(cè)量中，所測(cè)硅片最大厚度與最小厚度的絕對(duì)差值。65精選版課件pptBow彎曲度自由無(wú)夾持晶片中衛(wèi)面的中心點(diǎn)和中衛(wèi)面基準(zhǔn)面間的偏離。中位面基準(zhǔn)面是指定的小于晶片標(biāo)稱直徑的直徑圓周上的三個(gè)等距離點(diǎn)決定的平面。硅片中心面凹凸變形的度量。與厚度無(wú)關(guān)，是硅片的一種體特質(zhì)而不是表面特性。66精選版課件pptWarp翹曲度在質(zhì)量合格區(qū)內(nèi)，一個(gè)自由的，無(wú)夾持的硅片中位面相對(duì)參照平面硅片的最大和最小距離的差值，是硅片的一種體特質(zhì)而不是表面特性。67精選版課件pptGlobal&SiteFlatnessGlobalFlatness全局平坦度在FQA內(nèi)，相對(duì)規(guī)定基準(zhǔn)平面點(diǎn)的TIR或FPD的最大值。SiteFlatness局部平坦度在FQA內(nèi)，局部區(qū)域內(nèi)的TIR或FPD中的最大值。68精選版課件pptReferencePlane基準(zhǔn)面由以下的一種方式確定的平面：a)晶片正表面上指定位置的三個(gè)點(diǎn)；b)用FQA內(nèi)的所有的點(diǎn)對(duì)晶片正表面進(jìn)行最小二乘法去擬合；c)用局部區(qū)域內(nèi)的所有的點(diǎn)對(duì)晶片正表面進(jìn)行最小二乘法擬合；d)理想的背面(相當(dāng)于與晶片接觸的理想平坦的吸盤(pán)表面)；選擇規(guī)定的基準(zhǔn)面應(yīng)考慮成像系統(tǒng)的能力，應(yīng)根據(jù)晶片放置系統(tǒng)選用正表面或背表面為基準(zhǔn)面。如果成像系統(tǒng)中晶片不能用方向夾具固定，應(yīng)規(guī)定背面為基準(zhǔn)面。69精選版課件pptSori峰-谷差硅片在無(wú)吸盤(pán)吸附狀態(tài)下，正表面與基準(zhǔn)面的最大正偏差和最小負(fù)偏差之間的差值。基準(zhǔn)面是對(duì)正面進(jìn)行最小二乘法擬合得到的。70精選版課件ppt

Flatness,SiteSite局部區(qū)域硅拋光片前表面上的一種矩形局域。矩形的邊平行和垂直主參考面或切口的等分角線。矩形的中心在FQA內(nèi)。FQA（fixedqualityarea）合格質(zhì)量區(qū)標(biāo)稱邊緣去除X后，所限定的硅拋光片表面的中心區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)各參數(shù)的值均符合規(guī)定值。71精選版課件ppt25X25局部區(qū)域72精選版課件pptSiteFlatness局部平坦度在FQA內(nèi)，局部區(qū)域的TIR或FPD得最大值。73精選版課件pptSTIR局部總指示讀數(shù)74精選版課件pptSFPD局部焦平面偏差75精選版課件ppt平整度確定網(wǎng)絡(luò)76精選版課件pptFrontSurfaceChemistrySodium[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2[]ICP/MS;[]AAS[]SEMIMF1617(SIMS)Aluminum[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Potassium[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2[]ICP/MS;[]AAS[]SEMIMF1617(SIMS);[]SEMIM33(TXRF);[]ISO14706(TXRF);Chromium[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Iron[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Nickel[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Copper[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Zinc[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Calcium[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2Other[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm277精選版課件ppt標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法VPD-ICP/MSorVPD-TXRF78精選版課件pptFrontSurfaceInspectionCharacteristicsScratches-Macro[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Scratches-Micro[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Pits[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Haze[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;LocalizedLightScatterers(LLS)Size:≥[]um(LSE)Count:≤[][]perwafer;[]percm2[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Contamination/Area[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;EdgeChipsandIndents[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;EdgeCracks[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Cracks,Crow‘sFeet[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Craters[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Dimples[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Grooves[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Mounds[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;OrangePeel[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;Sawmarks[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]SSIS;DopantStriationRings[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;[]50443/1;Stains[]None;[]Other;[]SEMIMF523;[]JISH0614;rmsMicroroughnessNotgreaterthan[]nm,overspectralrangefrom[]um-1to[]um-1[]SEMIMF1048;[]AFM;79精選版課件pptScratches劃傷在切割、研磨、拋光過(guò)程中硅片表面被劃傷所留下的痕跡，其長(zhǎng)寬比大于1：5；Scratch-Macro拋光片在白熾燈和熒光燈下，深度等于或大于0.12um的肉眼可見(jiàn)的劃道。Scratches-Micro拋光片在熒光燈下，深度小于0.12um的肉眼看不見(jiàn)的劃道。80精選版課件pptPits蝕坑硅片表面的凹陷，有陡峭的傾斜側(cè)面，該側(cè)面以可分辨的方式與表面相交，和凹坑的圓滑側(cè)面形成對(duì)照。在強(qiáng)光照射下觀察時(shí)，目視可見(jiàn)的能逐個(gè)區(qū)分但不能除去的任何表面異常結(jié)構(gòu)。81精選版課件pptHaze霧在拋光片和外延片上由微觀表面不規(guī)則（如高密度小坑）引起的光散射現(xiàn)象。在硅片表面上能觀察到窄束鎢燈燈絲的影像，表面有霧存在。82精選版課件pptLocalizedLightScatterers(LLS)局部光散射體一種孤立的特性，例如硅片表面上的顆?；蛭g坑，相對(duì)于硅片表面散射強(qiáng)度，導(dǎo)致散射強(qiáng)度增加，有時(shí)也稱光電缺陷。（LightPointDefect：LPD）一般包括顆粒與COP(晶體原生坑)。83精選版課件ppt