半導(dǎo)體器件的命名方法

半導(dǎo)體器件的命名方法1.中國(guó)半導(dǎo)體器件的命名法根據(jù)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分組成，其每一部分的含義見表表2-15國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名方法第一部分 第二部分用數(shù)字表示器用漢語拼音字母第三部分 第四部分第五部分用數(shù)字表用漢語拼件的電極數(shù)目 表示器件的材料和極性符意義符意義號(hào) 號(hào)二極 A N型鍺材管 B 料C P型鍺材D 料N型硅材料P型硅材料三極APNP型鍺管B 材料CNPN型鍺D 材料EPNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料用漢語拼音字母表示器件的類別 示 音字器件序號(hào)母表示規(guī)格號(hào)符* V口 意 義號(hào)P普通管微波管W穩(wěn)壓管C參量管Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光電器件K開關(guān)管X低頻小功率管％〉G3MHz『c〈1W)D高頻小功率管％NA3MHz『C〈1W)U低頻大功率(/T<3MHz,PCKN1W)高頻大功率(fr^3MHz,PCN1W)光電器件開關(guān)管I可控整流器體效應(yīng)器件B雪崩管J 階躍恢復(fù)管CS場(chǎng)效應(yīng)器件BT半導(dǎo)體特殊器件FH復(fù)合管PINPIN型管JG激光器件

例如3AD50C表示低頻大功率PNP型鍺管；3DG6E表示高頻小功率NPN型硅管。2.美國(guó)半導(dǎo)體器件命名法根據(jù)美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）規(guī)定的半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法如表2-16所示。表2-16美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名法第一部分 第二部分 第三部分第四部分 第五部分用符號(hào)表示器用數(shù)字表示PN結(jié)用字母表示材件的等級(jí) 數(shù)目 料符號(hào)意義符號(hào)意義第一部分 第二部分 第三部分第四部分 第五部分用符號(hào)表示器用數(shù)字表示PN結(jié)用字母表示材件的等級(jí) 數(shù)目 料符號(hào)意義符號(hào)意義J軍品1二極管無非軍品2三極管3四極管表示不加熱即半導(dǎo)體器件用數(shù)字表示器件登記序號(hào)符號(hào)意義2?4位數(shù)字用字母表示同一器件的不同檔次*意義表示器件改進(jìn)型符號(hào)登記A、順序B、號(hào) C…例如1N4148表示開關(guān)二極管，2N3464表示高頻大功率NPN型硅管。3.日本半導(dǎo)體器件命名法日本半導(dǎo)體器件型號(hào)共用五部分組成，其表示方法如2-17。表2-17日本半導(dǎo)體器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目用字母表示半導(dǎo)體器件用拉丁字母表示器件的結(jié)構(gòu)和類型用2?3位數(shù)字表示器件登記順序號(hào)用拉丁字母表示同一種型號(hào)器件的改進(jìn)型符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義01光電器件二極管S半導(dǎo)體器件A高頻PNP型三極管快速開關(guān)三極管2三極管B低頻大功率PNP管3有三個(gè)PN結(jié)的器件C高頻及快速開關(guān)NPN三極管D低頻大功率NPN管FP控制極可控硅

GN控制極可控硅HN基極單結(jié)管JP溝道場(chǎng)效應(yīng)管KN溝道場(chǎng)效應(yīng)管M雙向可控硅例如2SA53表示高頻PNP型三極管，1S92表示半導(dǎo)體二極管。4.歐洲半導(dǎo)體器件命名法由于目前歐洲各國(guó)沒有明確統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法，故他們大都使用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)的標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體器件的型號(hào)一般由四部分組成，其基本含義如表-18。表2-18歐洲半導(dǎo)體器件命名法第一部分第一二部分第三部分第四部分用字母表示器件使用的材料用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)用字母表示對(duì)同一型號(hào)器件的改進(jìn)用字母表示器件的類型及土要特性符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義A鍺材料A檢波二極管、開關(guān)二極管、混頻二極管P光敏器件位代表半導(dǎo)體器件的ABC表示同一型號(hào)的半導(dǎo)B硅材料B變?nèi)荻O管Q發(fā)光器件數(shù)字登記序號(hào)（同一類型器件使用一個(gè)登DE體器件在某一C砷化鎵C低頻小功率三極管R小功率可控硅參數(shù)方面的分D銻化錮D低頻大功率三極管S小功率開關(guān)管記號(hào)）檔標(biāo)志R復(fù)合材料E隧道二極管T大功率可控硅F高頻小功率三極管U大功率開關(guān)管一個(gè)代表專用半導(dǎo)體器G復(fù)合器件、其他器件X倍增二極管字母件的登記序號(hào)（同H磁敏二極管Y整流二極管位一類型器件使用一K霍爾器件Z穩(wěn)壓二極管數(shù)字個(gè)登記號(hào)）

L高頻大功率三極管補(bǔ)充說明：歐洲半導(dǎo)體器件型號(hào)除以上基本組成部分外，為進(jìn)一步標(biāo)明器件的特性，或?qū)ζ骷M(jìn)一步分類，有時(shí)還加有后綴，后綴用破折號(hào)與基本部分分開。常見的后綴有以下幾種。（1）穩(wěn)壓二極管型號(hào)后綴的第一部分是一個(gè)字母，用來表示器件標(biāo)稱穩(wěn)定電壓值的允許誤差范圍。其代表的意義如表2-19。表2-19穩(wěn)壓二極管后綴字母的含義符號(hào)ABCDE允許誤差％±1±2±5±10±20后綴的第二部分是數(shù)字，表示穩(wěn)壓二極管的標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。（2）整流二極管和可控硅型號(hào)的后綴是數(shù)字，表示其最大反向電壓值，單位是伏。例如BZY88-C9V1表示標(biāo)稱穩(wěn)壓值是9.1V、精度為±5%的硅穩(wěn)壓二極管；BTX64-200表示反向耐壓為200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅開關(guān)三極管。2.5.4幾種常用半導(dǎo)體三極管的性能1.常用小功率半導(dǎo)體三極管常用小功率半導(dǎo)體三極管的特性見表2-20。表2-20常用小功率半導(dǎo)體三極管特性型號(hào)極限參數(shù)直流參數(shù)交流參數(shù)類型PCM(mW)’CM(mA)V…(BR)CEO(V)’CEO(uA)CE(sat)(V)8f(MHz)%(pF)CS9011EFGHI300100180.050.3281503.5NPN39547297132CS9012EFGH600500250.50.664150PNP7896118144CS9013EF400500250.50.664150NPN7896

GH118144CS9014ABCD300100180.050.360150NPN60100200400CS9015ABCD310600100180.050.560506PNP0.760100100200400CS901631025200.050.328?97500NPNCS9017310100120.050.528?726002NPNCS9018310100120.050.528?72700NPN8050100015002585?300