IGBT知識歸納總結(jié)

IGBT知識歸納總結(jié)絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。工作原理1方法：IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。2導(dǎo)通：IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分）。如等效電路圖所示（圖1），其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件?；膽?yīng)用在管體的P+和N+區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動了第二個電荷流。最后的結(jié)果是，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€電子流（MOSFET電流）;空穴電流（雙極）。3關(guān)斷：當(dāng)在柵極施加一個負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高;交叉導(dǎo)通問題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC和VCE密切相關(guān)的空穴移動性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計上的電流的不理想效應(yīng)是可行的。4阻斷與閂鎖：當(dāng)集電極被施加一個反向電壓時，J1就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴(kuò)展。因為過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機(jī)制十分重要。另一方面，如果過大地增加這個區(qū)域尺寸，就會連續(xù)地提高壓降。第二點(diǎn)清楚地說明了NPT器件的壓降比等效（IC和速度相同）PT器件的壓力降高的原因。當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子上施加一個正電壓時，P/NJ3接受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。IGBT工作特性

IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。引起IGBT失效的原因1、過熱容易損壞集電極，電流過大引起的瞬時過熱及其主要原因，是因散熱不良導(dǎo)致的持續(xù)過熱均會使IGBT損壞。如果器件持續(xù)短路，大電流產(chǎn)生的功耗將引起溫升，由于芯片的熱容量小，其溫度迅速上升，若芯片溫度超過硅本征溫度，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護(hù)，從而導(dǎo)致IGBT失效。實(shí)際應(yīng)用時，一般最高允許的工作溫度為125℃左右。2、超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞。擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)，因體內(nèi)存在一個寄生晶閘管，當(dāng)集電極電流增大到一定程度時，則能使寄生晶閘管導(dǎo)通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生過高功耗，導(dǎo)致器件失效。動態(tài)擎住效應(yīng)主要是在器件高速關(guān)斷時電流下降太快，dvCE/dt很大，引起較大位移電流，也能造成寄生晶閘管自鎖。3、瞬態(tài)過電流IGBT在運(yùn)行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過電流雖然持續(xù)時間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負(fù)擔(dān)，也可能會導(dǎo)致IGBT失效。4、過電壓造成集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)的方法

當(dāng)過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的檢測與保護(hù)環(huán)節(jié)。一般的檢測方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護(hù)。1、立即關(guān)斷驅(qū)動信號在逆變電源的負(fù)載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進(jìn)行檢測。當(dāng)檢測電流值超過設(shè)定的閾值時，保護(hù)動作封鎖所有橋臂的驅(qū)動信號。這種保護(hù)方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經(jīng)特別設(shè)計，使其適用于短路情況。這種方法的缺點(diǎn)是會造成IGBT關(guān)斷時承受應(yīng)力過大，特別是在關(guān)斷感性超大電流時，必須注意擎住效應(yīng)。2、先減小柵壓后關(guān)斷驅(qū)動信號IGBT的短路電流和柵壓有密切關(guān)系，柵壓越高，短路時電流就越大。在短路或瞬態(tài)過流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會減小下來，長允許過流時間。當(dāng)IGBT關(guān)斷時，di/dt也減小。限制過電流幅值。IGBT與可控硅的區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管，晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點(diǎn)，自上個世紀(jì)六十年代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門獨(dú)立的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到今天，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管最大額定電流可達(dá)5000A，國外更大。我國的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗，增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機(jī)的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機(jī)車、電瓶搬運(yùn)車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件，代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)正向門極電壓，使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后，門極就對它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通，但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷，可降低陽極電壓，或增大負(fù)載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當(dāng)門極斷開時，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的最小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。引起IGBT失效的原因1、過熱容易損壞集電極，電流過大引起的瞬時過熱及其主要原因，是因散熱不良導(dǎo)致的持續(xù)過熱均會使IGBT損壞。如果器件持續(xù)短路，大電流產(chǎn)生的功耗將引起溫升，由于芯片的熱容量小，其溫度迅速上升，若芯片溫度超過硅本征溫度，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護(hù)，從而導(dǎo)致IGBT失效。實(shí)際應(yīng)用時，一般最高允許的工作溫度為125℃左右。2、超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞。擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)，因體內(nèi)存在一個寄生晶閘管，當(dāng)集電極電流增大到一定程度時，則能使寄生晶閘管導(dǎo)通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生過高功耗，導(dǎo)致器件失效。動態(tài)擎住效應(yīng)主要是在器件高速關(guān)斷時電流下降太快，dvCE/dt很大，引起較大位移電流，也能造成寄生晶閘管自鎖。3、瞬態(tài)過電流IGBT在運(yùn)行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過電流雖然持續(xù)時間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負(fù)擔(dān)，也可能會導(dǎo)致IGBT失效。4、過電壓造成集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的檢測與保護(hù)環(huán)節(jié)。一般的檢測方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護(hù)。1、立即關(guān)斷驅(qū)動信號在逆變電源的負(fù)載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進(jìn)行檢測。當(dāng)檢測電流值超過設(shè)定的閾值時，保護(hù)動作封鎖所有橋臂的驅(qū)動信號。這種保護(hù)方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經(jīng)特別設(shè)計，使其適用于短路情況。這種方法的缺點(diǎn)是會造成IGBT關(guān)斷時承受應(yīng)力過大，特別是在關(guān)斷感性超大電流時，必須注意擎住效應(yīng)。2、先減小柵壓后關(guān)斷驅(qū)動信號IGBT的短路電流和柵壓有密切關(guān)系，柵壓越高，短路時電流就越大。在短路或瞬態(tài)過流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會減小下來，長允許過流時間。當(dāng)IGBT關(guān)斷時，di/dt也減小。限制過電流幅值。igbt模塊IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件。IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用。IGBT使用注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1，在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2，在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。3，在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時（柵極處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的影響IGBT開關(guān)特性的設(shè)定可受外部電阻RG的影響。由于IGBT的輸入電容在開關(guān)期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻通過限制導(dǎo)通和關(guān)斷期間柵極電流(IG)脈沖的幅值來決定充放電時間(見圖1)。由于柵極峰值電流的增加，導(dǎo)通和關(guān)斷的時間將會縮短且開關(guān)損耗也會減少。減小RG(on)和RG(off)的阻值會增大柵極峰值電流。當(dāng)減小柵極電阻的阻值時，需要考慮的是當(dāng)大電流被過快地切換時所產(chǎn)生的電流上升率di/dt。電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，這一效果可在圖2所示的IGBT關(guān)斷時波形圖中觀察到。圖中的陰影部分顯示了關(guān)斷損耗的相對值。集電極-發(fā)射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會損壞IGBT，特別是在短路關(guān)斷操作的情況下，因為di/dt比較大?？赏ㄟ^增加?xùn)艠O電阻的值來減小Vstray。因此，消除了由于過電壓而帶來的IGBT被損毀的風(fēng)險?？焖俚膶?dǎo)通和關(guān)斷會分別帶來較高的dv/dt和di/dt，因此會產(chǎn)生更多的電磁干擾(EMI)，從而可能導(dǎo)致電路故障。對續(xù)流二極管開關(guān)特性的影響續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度只能提高到一個與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設(shè)計和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL(可控軸向壽命)二極管，使得反向峰值電流減小，從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流減小。IGBT與MOS管的區(qū)別，可控硅的區(qū)別IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動的P型BJT。可控硅也叫晶閘管，分雙向和單向，單向可控硅也是單向?qū)?，可以?shí)現(xiàn)整流，但它通過控制導(dǎo)通角可以實(shí)現(xiàn)可控整流程IGBT：絕緣柵場效應(yīng)晶體管，作用類似三極管，但在這里當(dāng)開關(guān)管用（不能用于放大狀態(tài)），通過控制G極可以實(shí)現(xiàn)C，E兩端的通斷。一般可用在逆變回路中。門控管(IGBT)的檢測方法門控管(IGBT)是由場效應(yīng)管作為推動管。大功率管作為輸出管的有機(jī)組合。應(yīng)用于電磁灶等的大電流、高電平電器中的一種特殊器件。檢修中對門控管的檢測有如下幾種方法：一、萬用表檢測法11.用指針式萬用表R×10k擋。黑表筆接門控管發(fā)射極，紅表筆接門控管柵極，此時向柵極反向充電。隨后紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極。萬用表指針應(yīng)不動(指在機(jī)械零位)，表明該管未擊穿損壞。2.用指針式萬用表黑表筆接?xùn)艠O，紅表筆接發(fā)射極，此時向柵極正向充電。隨后黑表筆接集電極，紅表筆接發(fā)射極，萬用表指針指示應(yīng)為零。3.如符合以上規(guī)律，表明該門控管的飽和導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)均正常?；疚磽p壞。二、萬用表檢測法2用指針式萬用表R×1k擋，數(shù)字式萬用表選“測二極管檔”擋，將門控管集電極、發(fā)射極、柵極短接充分放電。萬用表黑、紅表筆正、反接集電極、柵極和發(fā)射極、柵極的電阻，均應(yīng)為無窮大，否則表明該管已損壞。將萬用表黑、紅表筆分別接發(fā)射極、集電極，測得阻值均為3.5kΩ左右，是帶阻尼二極管的門控管，測得阻值為50kΩ是不帶阻尼二極管的門控管。如門控管三個電極間電阻均很小。表明該管已被擊穿損壞。電阻均為無窮大。表明該管道已開路損壞。電磁爐檢修的幾個小經(jīng)驗及IGBT注意事項電磁爐里面的IGBT實(shí)在是“嬌氣”。弄不好幾十塊錢就沒啦！在檢修時先去掉加熱線圈，。測IGBT的柵級（也就是G點(diǎn)）對地電壓。在待機(jī)狀態(tài)下應(yīng)小于等于0.5V.在開機(jī)時應(yīng)在1~2.5V之間為正常，。前不久修理一個雅樂思電磁爐，G點(diǎn)電壓為3，5V，結(jié)果加上線圈后，3，4分鐘，就爆啦，原因是一個三極管NPN型的擊穿，更換后，測G點(diǎn)電壓間隔出現(xiàn)1.9V電壓，后又接上100W燈泡，也是間隔閃亮，最后通電試機(jī)，一切OK壓敏電阻短路從外表就可以看出來，使用市電不穩(wěn)的地方壓敏損壞率大些。電磁燒igbt原因很多，這里建議修理電磁爐最好可以有臺示波器。這樣可以方面準(zhǔn)確判斷故障。這里提供電磁爐爆igbt幾大隱患問題。一;同步電路異常（在線圈盤兩端的有3~5個的300k~680k/2瓦的電阻，接到339的其中的一組的比較器）兩端的電壓相差應(yīng)在0.2v之內(nèi)。待機(jī)時電壓在3v~5v左右，工作時在1.7v左右。二;激勵電路的脈寬過寬，尖峰，雜波等（脈寬過寬用示波器，在放上鍋時，移走鍋時示波器波形瞬間的波形變化不能超過0.2mv（示波器上兩格）三;散熱不良四;電路板自身設(shè)計存在問題（主要問題：地線不合理，線圈盤電感與電容匹配不良）此類很難解決五;使用早期仙童fga25n120，fga15n120系列的igbt（igbt的后綴編號an和and）電磁爐，特別用此igbt用大功率的電磁爐上，電路設(shè)計稍微匹配不良，就很容易引起igbt過熱而燒毀。六;一般電容壞的比較多，特別是整流濾波電容“5UF/275V~X2（400VDC）”，逆程，諧振電容1200V0.3UF，兩者都會威脅功率開關(guān)管，好一點(diǎn)的爐對前者會有保護(hù)功能，對后者，一般都會燒功率開關(guān)，所以碰到燒管的爐，一定先檢查該電容有無開路，因為該兩個電容經(jīng)常工作在高溫環(huán)境里，容易容量變小或開路，漏電很多的朋友可能碰到過不少電磁爐間斷加熱的問題，有的是工作一秒鐘就停掉了，再工作一秒，或者有的是幾秒，就停掉，再工作幾秒，如此反復(fù)，還有一種問題，跟這種情況差不多，就是正常放鍋的時候就總是在檢鍋狀態(tài)，而你把鍋拿高一點(diǎn)就可以正常加熱，這種問題，往往你檢查的時候，卻查不到什么問題，什么都換了卻問題依舊，對付這種故障，經(jīng)過本人的多次維修案例和研究，發(fā)現(xiàn)問題的根源是走線干擾，一般來說，從高壓反饋回來的可能有2到4路，其中同步電路就占了兩路，還有一路作浪涌監(jiān)測，還有一路作高壓檢測，根據(jù)機(jī)型不同也許路數(shù)就不同，問題的根源呢就在這幾條線，解決的方法呢，就是把從反饋電阻到339之間這幾路的線路斷開，要兩邊都斷，然后再用導(dǎo)線連起來就可以了，也就是說中間的這一截線路不要，從反饋電阻的腳到339的腳完全用線連，這樣呢這幾條線就沒有了干擾，電磁爐也就OK了。這些只是個人的維修經(jīng)驗，有不對的地方請大家批評指正電磁爐的分類及修理事項在修理中常見的電磁爐大致分為兩類：由LM339（四電壓比較器）輸出脈沖信號。1：觸發(fā)部分由正負(fù)兩組電源，管子用PNP\NPN組成，類似這種電路，后級大多是用大功率管多個復(fù)合而成，組成高壓開關(guān)部分，在代換中，前一個用帶阻尼的行管替代即可。后幾個則很難找到特性一致的管子，解決的辦法是在散熱器安裝孔允許的情況下改用大電流的管子以減少數(shù)量，金屬封裝得如：BUS13A等，塑封的如：

BU2525/BU2527/BU2532/D3998一類，用兩個就可以。2：工控管用IGBT絕緣柵開關(guān)器件;這些機(jī)器特征是不用雙電源觸發(fā)，只有+5V和+12V，LM339通過觸發(fā)集成塊TA8316帶動IGBT這種情況下只能用此一類的管子代替，損壞程度大致為，只有管子壞，