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模擬電子技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下河北農(nóng)業(yè)大學(xué)河北農(nóng)業(yè)大學(xué)
第一章測(cè)試
當(dāng)溫度升高時(shí),二極管反向飽和電流將()。
A:增大B:等于零C:減小D:不變
答案:增大
半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是()。
A:濾波特性B:放大作用C:單向?qū)щ娦訢:溫度穩(wěn)定性
答案:單向?qū)щ娦?/p>
電路如圖所示,二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V,關(guān)于輸出電壓的說(shuō)法正確的是()。
A:只有當(dāng)uI1=0.3V,uI2=0.3V時(shí)輸出電壓為才為1V。B:uI1=3V,uI2=0.3V時(shí)輸出電壓為3.7V。C:uI1=3V,uI2=0.3V時(shí)輸出電壓為1V。D:uI1=3V,uI2=3V時(shí)輸出電壓為5V。
答案:uI1=3V,uI2=0.3V時(shí)輸出電壓為1V。
如果把一個(gè)二極管直接同一個(gè)電動(dòng)勢(shì)為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接,則該管()。
A:擊穿B:電流過(guò)大使管子燒壞C:電流為0D:正常導(dǎo)通
答案:電流過(guò)大使管子燒壞
某三極管各電極對(duì)地電位如圖所示,由此可判斷該三極管()
A:處于飽和區(qū)域B:處于放大區(qū)域C:處于截止區(qū)域D:已損壞
答案:已損壞
第二章測(cè)試
圖中所示為某基本共射放大電路的輸出特性曲線,靜態(tài)工作點(diǎn)由Q2點(diǎn)向右移動(dòng)到Q3點(diǎn)可能的原因是()。
A:集電極電源+VCC電壓變高B:基極電源+VBB電壓變低C:基極回路電阻Rb變高。D:集電極負(fù)載電阻RC變低
答案:集電極負(fù)載電阻RC變低
某放大電路圖所示.設(shè)VCC>>VBE,UCE≈0.3V,則在靜態(tài)時(shí)該三極管處于()。
A:飽和區(qū)B:區(qū)域不定C:放大區(qū)D:截止區(qū)
答案:飽和區(qū)
多級(jí)放大電路與組成它的各個(gè)單級(jí)放大電路相比,其通頻帶()。
A:與各單級(jí)放大電路無(wú)關(guān)B:變窄C:不變D:變寬
答案:變窄
放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是()。
A:用了阻容耦合方式B:用了正負(fù)雙電源供電C:用了直接耦合方式D:增益太大
答案:用了直接耦合方式
共集電極放大電路的電壓放大倍數(shù)接近于()
A:2B:1C:3D:4
答案:1
共基極電路的頻率響應(yīng)好,常用作寬帶或高頻放大電路。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第三章測(cè)試
通頻帶可用BW表示,上、下限頻率fH,fL,正確的是()。
A:BW=fL+fHB:BW=fHC:BW=fH-fLD:BW=fL
答案:BW=fH-fL
已知放大電路的上、下限頻率fH,fL分別為100KHZ,10KHZ,則通頻帶是()。
A:100KHZB:110KHZC:100KHZD:90KHZ
答案:90KHZ
當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL或fH時(shí),則放大倍數(shù)值約下降到中頻時(shí)()。
A:0.9倍B:0.8倍C:0.707倍D:0.5倍
答案:0.707倍
多級(jí)放大器級(jí)聯(lián)后,總的電壓增益()。
A:不變B:下降C:提高
答案:提高
多級(jí)放大器級(jí)聯(lián)后,總的通頻帶()。
A:變窄B:不變C:變寬
答案:變窄
在低頻段,放大倍數(shù)下降的主要原因是隔直電容的容抗增大,在高頻段,放大倍數(shù)下降的主要原因是三極管存在結(jié)電容。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第四章測(cè)試
與甲類功率放大方式比較,乙類OCL互補(bǔ)對(duì)稱功率放大方式的主要優(yōu)點(diǎn)是()。
A:不用輸出變壓器B:無(wú)交越失真C:不用輸出端大電容D:效率高
答案:效率高
在甲類,乙類和甲乙類三種功率放大電路中,效率最低的是()。
A:乙類B:甲乙類C:甲類
答案:甲類
在甲類,乙類和甲乙類三種功率放大電路中,失真最小的是()。
A:乙類B:甲乙類C:甲類
答案:甲乙類
與甲類功率放大器相比,乙類互補(bǔ)推挽放大器的主要優(yōu)點(diǎn)是()。
A:能量轉(zhuǎn)換效率高B:無(wú)輸出變壓器C:無(wú)交越失真
答案:能量轉(zhuǎn)換效率高
所謂能量轉(zhuǎn)換效率就是指()。
A:最大不失真輸出功率與電源提供的功率之比B:輸出功率與電源提供的功率之比C:輸出功率與晶體管上消耗的功率之比
答案:最大不失真輸出功率與電源提供的功率之比
乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路中,若電源電壓為VCC,放大管的飽和壓降為UCES,那么放大管的最大管壓降為
2VCC-UCES。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第五章測(cè)試
共模抑制比KCMR越大,表明電路()。
A:抑制溫漂能力越強(qiáng)B:放大倍數(shù)越穩(wěn)定C:交流放大倍數(shù)越大D:輸入信號(hào)中的差模成分越大
答案:抑制溫漂能力越強(qiáng)
差分放大器左管輸入電壓+100mV,右管輸入-300mV,其共模輸入()。
A:200mVB:-100mVC:100mVD:-200mV
答案:-100mV
互補(bǔ)輸出級(jí)采用射極輸出方式是為了使()。
A:輸出電阻增大B:輸出電流小C:帶負(fù)載能力強(qiáng)D:電壓放大倍數(shù)高
答案:帶負(fù)載能力強(qiáng)
集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋ǎ?/p>
A:可使溫漂變小B:可獲得較高增益C:可以增大輸入電阻D:在集成工藝中難于制造大電容
答案:在集成工藝中難于制造大電容
雙端輸入.雙端輸出差分放大電路如圖所示。已知靜態(tài)時(shí),Vo=Vc1-Vc2=0,設(shè)差模電壓增益,共模電壓增益,則輸出電壓為()。
A:1000mVB:125mVC:250mVD:500mV
答案:125mV
如圖所示的復(fù)合管,假設(shè)和分別表示T1T2單管工作時(shí)的穿透電流,則復(fù)合管的穿透電流為()。
A:B:C:D:
答案:
第六章測(cè)試
負(fù)反饋所能抑制的干擾和噪聲是()
A:反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲B:輸出信號(hào)中的干擾和噪聲C:反饋環(huán)外的干擾和噪聲D:輸入信號(hào)所包含的干擾和噪聲
答案:反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲
多級(jí)負(fù)反饋放大電路在()情況下容易引起自激。
A:閉環(huán)放大倍數(shù)很大B:放大器的級(jí)數(shù)少C:反饋系數(shù)太小D:回路增益大
答案:回路增益大
電路如圖所示,引入跨級(jí)之間的交流負(fù)反饋類型為()。
A:電壓串聯(lián)B:電流串聯(lián)C:電壓并聯(lián)D:電流并聯(lián)
答案:電壓串聯(lián)
交流負(fù)反饋是指()
A:只存在于阻容耦合電路中的負(fù)反饋B:變壓器耦合電路中的負(fù)反饋C:交流通路中的負(fù)反饋D:放大正弦波信號(hào)時(shí)才有的負(fù)反饋
答案:交流通路中的負(fù)反饋
電路如圖所示,R7引入的交流負(fù)反饋類型為()。
A:電壓串聯(lián)B:電流串聯(lián)C:電壓并聯(lián)D:電流并聯(lián)
答案:電壓串聯(lián)
電壓負(fù)反饋可使輸出電阻減小到開環(huán)時(shí)的(1+AF)倍。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
串聯(lián)負(fù)反饋可使反饋環(huán)路內(nèi)的輸入電阻增加到開環(huán)時(shí)的(1+AF)倍。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
電路中引入負(fù)反饋后,只能減小非線性失真,而不能消除失真。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第七章測(cè)試
同相輸入比例運(yùn)算電路中的反饋極性和類型屬于()。
A:正反饋B:電壓并聯(lián)負(fù)反饋C:電壓串聯(lián)負(fù)反饋D:電流串聯(lián)負(fù)反饋
答案:電壓串聯(lián)負(fù)反饋
理想運(yùn)算放大器的共模抑制比為()。
A:約120dBB:無(wú)窮大C:零
答案:無(wú)窮大
電路如下圖所示,則該電路為()。
A:加法運(yùn)算電路B:比例運(yùn)算電路C:減法運(yùn)算電路
答案:減法運(yùn)算電路
電路如圖所示,該電路為()。
A:比例-積分運(yùn)算電路B:比例運(yùn)算電路C:微分運(yùn)算電路
答案:比例-積分運(yùn)算電路
電路如圖所示,該電路為()。
A:減法運(yùn)算電路B:比例運(yùn)算電路C:加法運(yùn)算電路
答案:加法運(yùn)算電路
電路如圖所示,輸出電壓為()。
A:-2VB:0C:-1VD:-3V
答案:-3V
同相比例運(yùn)算電路的輸入電阻高,輸出電阻也很高。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
反相比例運(yùn)算電路存在“虛地”現(xiàn)象,該電路不存在共模輸入電壓。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
在模擬運(yùn)算電路時(shí),集成運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
理想運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)有兩個(gè)主要的特點(diǎn),分別為虛短和虛斷。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第八章測(cè)試
滯回比較器有2個(gè)門限電壓,因此在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過(guò)程中,其輸出狀態(tài)將發(fā)生()次躍變。
A:3B:1C:2D:0
答案:1
有電路如圖所示,則該電路為()。
A:高通濾波電路B:帶通濾波電路C:帶阻濾波器D:低通濾波電路
答案:低通濾波電路
電路如圖所示,該電路為()。
A:帶通濾波電路B:高通濾波電路C:低通濾波電路D:帶阻濾波器
答案:高通濾波電路
如果一個(gè)滯回比較器的兩個(gè)閾值電壓和一個(gè)窗口比較器的相同,那么當(dāng)它們的輸入電壓相同時(shí),它們的輸出電壓也相同。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強(qiáng),而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
輸入電壓在單調(diào)變化的過(guò)程中,單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只可能躍變一次。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
為使電壓比較器的輸出電壓不是高電平就是低電平,就應(yīng)在其電路中使集成運(yùn)放不是工作在開環(huán)狀態(tài),就是僅僅引入正反饋。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
理想運(yùn)放工作在非線性區(qū)時(shí)有兩個(gè)主要的特點(diǎn),分別為虛短和虛斷。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第九章測(cè)試
利用石英晶體的電抗頻率特性構(gòu)成的振蕩器是()
A:f=fs時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器B:f=fs時(shí),石英晶體呈感性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器C:fs<f<fp時(shí),石英晶體呈感性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器D:fs<f<fp時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
答案:f=fs時(shí),石英晶體呈阻性,可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器
LC正弦波振蕩電路如圖所示,該電路()。<br>
A:由于放大器不能正常工作,不能產(chǎn)生正弦波振蕩B:由于不滿足相位平衡條件,不能產(chǎn)生正弦波振蕩C:由于無(wú)選頻網(wǎng)絡(luò)不能產(chǎn)生正弦波振蕩D:滿足振蕩條件能產(chǎn)生正弦波振蕩
答案:由于放大器不能正常工作,不能產(chǎn)生正弦波振蕩
為了得到頻率穩(wěn)定度高的正弦波信號(hào),應(yīng)采用()振蕩電路。
A:石英晶體振蕩器B:LC振蕩器C:RC振蕩器
答案:石英晶體振蕩器
在RC橋式正弦波振蕩電路中,當(dāng)滿足相位起振條件時(shí),則其中電壓放大電路的放大倍數(shù)必須滿足()才能起振。
A:Au<3B:Au=3C:Au>3D:Au=1
答案:Au>3
只要電路中引入了正反饋,就一定會(huì)產(chǎn)生正弦波振蕩。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
凡是振蕩電路中的集成運(yùn)放均工作在線性區(qū)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
非正弦波振蕩電路與正弦波振蕩電路的振蕩條件完全相同。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
在正弦波振蕩電路中,只允許存在正反饋,不允許引入負(fù)反饋。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第十章測(cè)試
單相橋式整流電路變壓器次級(jí)電壓有效值為10V,則每個(gè)整流二極管所承受的最大反向電壓為()
A:28.28VB:10VC:14.14VD:20V
答案:14.14V
橋式整流加電容濾波電路,設(shè)整流輸入電壓為20V,此時(shí)輸出電壓約為()。
A:28.2VB:9VC:18VD:24V
答案:24V
濾波電路的主要元件是()。
A:電容和電感B:穩(wěn)壓管C:電阻D:二極管
答案:電容和電感
具有放大環(huán)節(jié)的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路在正
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