快速找引引晶溫度

快速找引晶溫度簡介目的:縮短拉晶時間,降低生產(chǎn)成本,提高公司效益.目前現(xiàn)狀:提蓋子后爐內(nèi)溫度比較低,引晶溫度不好找或找引晶溫度時間較長期望:提蓋子后能夠快速（30分鐘內(nèi)）找到引晶溫度,引出高質(zhì)量的單晶,達到三段式引晶效果。提蓋子是在較低溫度下進行,蓋子提出后爐內(nèi)溫度一般比較低,為了能夠快速找到引晶溫度 節(jié)省時間和成本,同時能引出高質(zhì)量的單晶（三段式引晶）。測完電阻后，進行如下操作后，能夠快速找到合適的引晶溫度，而且適合三段式引晶規(guī)格。具體操作:1、 提蓋子后，將功率升高至引晶功率以上3—5kw，將堝轉(zhuǎn)降至2轉(zhuǎn)，堝位升到引晶堝位，將籽晶按照工藝要求降至離液面3—5mm對籽晶進行預(yù)熱。2、 等待幾分鐘后，看熱場測量值與本爐引晶時設(shè)定值的差值，當(dāng)差值較小時（4--6sp左右），此時可以降籽晶至熔硅中，進行熔接。當(dāng)籽晶周圍逐漸出現(xiàn)光圈，然后光圈變圓，這時，就說明此時溫度已經(jīng)達到引晶的要求。3、 待熔接好后，逐漸升高堝轉(zhuǎn)（升至引晶時的堝轉(zhuǎn)，五分鐘內(nèi)完成），然后將功率降到比本次引晶功率低1-2kw，待籽晶光圈周圍出現(xiàn)4個點時，直接點“手動引晶”工藝流程，進行手動引晶即可。此方法的好處：1、 節(jié)約調(diào)溫時間2、 高溫熔接3、 高溫時升堝轉(zhuǎn)降溫，可以達到開始低拉速，中途高拉速，引晶后期為低拉速，符合三段式引晶。附：相關(guān)爐臺試驗數(shù)據(jù)介紹

以上為定性說明此操作，下面是晶體編號為SG0909098-4采用此操作后的一些相關(guān)數(shù)據(jù)和圖片介紹。相關(guān)數(shù)據(jù)：日日體編號放蓋子測電阻時間隔離時間副室凈化時間切換手動時間0909098-415：0015：1115：1815：26手動引晶時間調(diào)溫時間引晶時間放肩成功率15：50394616：36一次成功以上數(shù)據(jù)為爐臺生長記錄中數(shù)據(jù)，具體見下列圖片所示。本爐晶體的調(diào)溫時間從放蓋子后隔離時進行計時，從上述數(shù)據(jù)看，本次調(diào)溫時間為39分鐘。下圖為相關(guān)圖片：1、下圖為提蓋子后副室隔離及引晶時的生長記錄

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不容易放飛。3、下圖為按照此方法引出的細頸外觀質(zhì)量4、 本爐晶